RU2772770C1 - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ Gd2O3 НА ПОДЛОЖКЕ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА - Google Patents
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ Gd2O3 НА ПОДЛОЖКЕ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА Download PDFInfo
- Publication number
- RU2772770C1 RU2772770C1 RU2021138147A RU2021138147A RU2772770C1 RU 2772770 C1 RU2772770 C1 RU 2772770C1 RU 2021138147 A RU2021138147 A RU 2021138147A RU 2021138147 A RU2021138147 A RU 2021138147A RU 2772770 C1 RU2772770 C1 RU 2772770C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- quartz glass
- glass substrate
- film
- coating
- gadolinium oxide
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 37
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N Gadolinium(III) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 19
- 230000003287 optical Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 19
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N Gadolinium Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- -1 argon-oxygen Chemical compound 0.000 claims abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003595 spectral Effects 0.000 abstract description 6
- 239000008204 materials by function Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 201000004073 acute interstitial pneumonia Diseases 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000010192 crystallographic characterization Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003826 uniaxial pressing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к области технологии функциональных материалов и устройств нанофотоники, оптоэлектроники и конвертеров излучения с высокой термической стабильностью на базе наноразмерных тонкопленочных структур оксидов редкоземельных элементов. Способ получения оптического тонкопленочного покрытия из оксида гадолиния Gd2O3 на подложке из кварцевого стекла методом высокочастотного реакционного магнетронного распыления включает следующие операции. Предварительно из порошка металлического гадолиния с размером частиц от 5 до 20 мкм изготавливают мишень для распыления методом холодного прессования при давлении прессования от 10 до 50 МПа. Наносят покрытие из оксида гадолиния на поверхность упомянутой подложки в течение 5-6 ч при мощности магнетронного разряда от 100 до 200 Вт в аргон-кислородной среде c общим давлением 0,15 Па при объемной концентрации кислорода от 25 до 35%. В процессе нанесения температуру подложки поддерживают 150-250°С. После нанесения упомянутого покрытия подложку из кварцевого стекла с нанесенным покрытием из оксида гадолиния в виде тонкой пленки охлаждают в вакуумной камере при общем давлении не выше 10-3 Па до комнатной температуры. Обеспечивается повышение степени однородности и увеличение диапазона спектральной прозрачности до 5,5 эВ оптических тонкопленочных покрытий на основе оксида гадолиния Gd2O3 на подложке из кварцевого стекла. 5 пр., 3 ил.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ
Изобретение относится к области технологии функциональных материалов и устройств нанофотоники, оптоэлектроники и конвертеров излучения с высокой термической стабильностью на базе наноразмерных тонкопленочных структур оксидов редкоземельных элементов.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ, ПРЕДШЕСТВУЮЩИЙ ДАННОМУ ИЗОБРЕТЕНИЮ
Известны способ получения, параметры микроструктуры и оптические свойства тонких пленок Gd2O3, приготовленных путем импульсного лазерного осаждения (Mishra, M., Kuppusami, P., Ramya, S., Ganesan, V., Singh, A., Thirumurugesan, R., Mohandas, E. Microstructure and optical properties of Gd2O3 thin films prepared by pulsed laser deposition (2015); Surface and Coatings Technology, 262, pp. 56-63) и нанесения их на подложки из Si (100) и кварцевого стекла при различных температурах (300-873 К) и различном парциальном давлении кислорода 0,002 - 2 Па. Получаемые пленки характеризовались аморфной структурой, если осаждение осуществлялось при температуре 300 К. Кристаллизация Gd2O3 в моноклинную и кубическую фазу была зафиксирована при температурах более 473 К. Однако, данный метод позволяет получать небольшие однородные тонкие пленки Gd2O3 с ограниченной площадью покрытия, поскольку используется точечная лазерная технология нанесения.
Известны способы синтеза и оптические параметры тонких пленок Gd2O3, получаемых методом радиочастотного магнетронного распыления (Pattabi, M., Thilipan, G.A.K. Preparation and characterization of Gd2O3 thin films by RF magnetron sputtering (2013); AIP Conference Proceedings, 1512, pp. 726-727). Пленки Gd2O3 в известном методе наносились на подложки из кварцевого стекла при комнатной температуре путем радиочастотного магнетронного распыления мишени из оксида гадолиния при мощности 63 Вт при давлении аргона 1⋅10-2 мбар. Ширина запрещенной зоны полученных пленок после отжига при 380°С в течение часа составила 3,4 - 4,02 эВ по данным оптического поглощения, что представляет интерес для полупроводниковых устройств, работающих в видимом диапазоне. Однако известный способ обеспечивает получение тонких пленок Gd2O3 со спектральной прозрачностью не выше 3,4 - 4 эВ, что существенно ограничивает их практическое применение для устройств, работающих в ультрафиолетовом (УФ) диапазоне.
Наиболее близким к заявленному является известный способ получения пленок Gd2O3 методом магнетронного распыления (Pattabi, M., Arun Kumar Thilipan, G. Band Gap and Morphology of Magnetron Sputtered Gd2O3Thin Films (2013); Inernational Journal of Science Research, Volume 01, Issue 04) при частоте 13,56 МГц и давлении аргона 10-3 мбар. Мишенью для распыления служила окись гадолиния Gd2O3 (99,99%). Диаметр мишени составлял 2 см, ширина 3 мм. Полученные пленки исследовались методом спектроскопии оптического поглощения и методом атомной силовой микроскопии. Характеристики распыляемого порошка являлись главным фактором, влияющим на однородность и ширину запрещенной зоны получаемой пленки. С увеличением мощности магнетрона наблюдалось снижение неоднородности пленки. Однако область оптической прозрачности тонких пленок Gd2O3, получаемых по данной известной технологии, ограничена максимальным значением 3,6 эВ, то есть не достигает УФ диапазона. Узкая ширина спектральной щели пленок Gd2O3, получаемых по известному способу магнетронного распыления, накладывает ограничения на их потенциальные возможности использования в качестве материалов для конверсии высокоэнергетичного излучения УФ диапазона. По этой причине получаемые по известному способу пленки не могут быть использованы для конверсии энергии для целого ряда ионов-активаторов на базе редкоземельных элементов, каких как Tb3+, Dy3+, Sm3+, Er3+, обладающих метастабильными энергетическими уровнями в области дальнего УФ излучения.
Проблемой, на решение которой направлено изобретение, является повышение степени однородности и увеличение диапазона спектральной прозрачности до 5,5 эВ оптических тонкопленочных покрытий на основе Gd2O3 на подложке из кварцевого стекла. Решение указанной проблемы позволит существенно расширить область практического применения тонких пленок Gd2O3 в качестве материала для конверсии излучения УФ диапазона.
Поставленная проблема решается за счет использования последовательности следующих технологических операций:
- приготовление порошка металлического гадолиния с размером частиц от 5 до 20 мкм;
- формирование мишени из порошка металлического гадолиния с размером частиц от 5 до 20 мкм при помощи метода прессования;
- нанесение тонкого прозрачного покрытия оксида гадолиния на подложку из кварцевого стекла методом высокочастотного реакционного магнетронного распыления мишени из порошка металлического гадолиния в течение от 5 до 6 часов при мощности магнетронного разряда от 100 до 200 Вт в аргон-кислородной среде c общим давлением не менее 0,15 Па при объемной концентрации кислорода от 25 до 35%, причем в процессе нанесения температуру подложки поддерживают на уровне 150-250°С;
- охлаждение подложки из кварцевого стекла с нанесенным покрытием в виде пленки в вакуумной камере при общем давлении не выше 10-3 Па до комнатной температуры.
Предложенный способ получения тонкопленочных функциональных покрытий на основе оксида гадолиния позволяет получать пленки Gd2O3 толщиной 570-600 нм с широкой спектральной прозрачностью вплоть до УФ области (ширина запрещенной зоны до 5,5 эВ).
Сущность изобретения поясняется фигурами, где изображено:
- на фиг. 1 - структурная схема экспериментальной установки для получения тонкопленочных покрытий Gd2O3, где 1 - вакуумная камера, 2 - источник электронов, 3 - электронный пучок, 4 -подложка из кварцевого стекла, 5 - пленка, 6 - магнетрон, 7 - распыляемая мишень, 8 - вакуумная откачка;
- на фиг. 2 - поглощения тонкой пленки Gd2O3, полученной по предложенному способу, в координатах для прямых межзонных переходов;
- на фиг. 3 - таблица параметров тонких пленок Gd2O3, синтезированных в примерах 1-5.
На первой стадии осуществления изобретения готовят порошка металлического гадолиния с размером частиц от 5 до 20 мкм. С этой целью может быть использован как компактный металлический гадолиний, так и металлический гадолиний в форме порошка. Измельчение металлического гадолиния может быть выполнено любым известным способом, в том числе при использовании шаровых, бисерных, планетарных мельниц, ударно-волновых мельниц и т.д. Главным условием является обеспечение требуемого размера частиц, а также предотвращение окисления металлического гадолиния в процессе измельчения. Для измельчения может быть применена последовательность различных обработок как с использованием диспергирующей среды, так и без ее использования. Форма частиц конечного порошка металлического гадолиния также не является критичной.
На второй стадии осуществления изобретения формирование мишени из порошка металлического гадолиния с размером частиц от 5 до 20 мкм при помощи метода прессования. С этой целью может быть использован метод холодного одноосного или двухосного прессования, метод холодного изостатического прессования или любой другой метод, обеспечивающий достаточную степень сцепления исходных частиц порошка металлического гадолиния. По предпочтительному способу реализации изобретения формирование мишени проводят методом холодного одноосного прессования при давлении от 10 до 50 МПа. При давлении менее 10 МПа не происходит достаточно сцепления исходных частиц порошка металлического гадолиния, при давлении прессования выше 50 МПа повышается риски растрескивания мишени из-за перепрессовки материала.
На третьей стадии нанесение тонкого прозрачного покрытия оксида гадолиния на подложку из кварцевого стекла методом высокочастотного реакционного магнетронного распыления. Предварительно, подложку для нанесения пленки очищают любым известным методом (ультразвуковая очистка, механическая очистка, химическое травление поверхности и т.д.). Предпочтительнее проводить очистку в ультразвуковой ванне в растворе ацетона (марка ОСЧ 9-1) с последующим просушиванием в потоке воздуха.
Структурная схема экспериментальной установки для получения тонкопленочных покрытий представлена на фиг. 1. Для нанесения кварцевую подложку (4) помещают в вакуумную камеру (1), в камере также располагается источник электронов (2), формирующий электронный пучок (3). Магнетрон (6) и распыляемую мишень из металлического гадолиния (7) располагают напротив подложки из кварцевого стекла в вакуумной камере. Предпочтительное расстояние между подложкой и мишенью магнетрона составляет 50-70 мм. Камеру откачивают турбомолекулярным насосом до давления не выше 9×10-3 Па. Перед нанесением покрытий производят дополнительную очистку подложки из кварцевого стекла (4) путем выдерживания в Ar плазме. При взаимодействии плазмы с образцами происходит разрушение неустойчивых в условиях плазмы соединений (адсорбированной воды, остатков растворителя и т.п.) и их удаление с поверхности. Плазма генерируется в объеме рабочей камеры пучком низкоэнергетических (200 эВ) электронов. Предпочтительное время очистки составляет 5 мин при токе пучка электронов 5 А и давлении газа 0,1 Па. После очистки подложки в камеру напускают кислород, обеспечивая его предпочтительное объемное соотношение от 25 до 35% в аргон-кислородной среде. Общее давление газов в камере должно быть не менее 0,15 Па. Далее включают магнетрон и наносят покрытие Gd2O3 в течение 5-6 ч при мощности магнетронного разряда от 100 до 200 Вт. В процессе обработки температура покрытия и подложки поддерживается на уровне 150-250 °С. При снижении температуры подложки ниже 150°С не обеспечивается необходимая адгезия пленки к подложке. При повышении температуры выше 250°С происходит резкое снижение ширина запрещенной зоны образующейся пленки. Поддержание температуры может быть выполнено любым способом, в том числе при использовании теплообменных устройств, источников инфракрасного излучения, а также за счет регулирования мощности или периодичности работы магнетрона.
На четвертой стадии после формирования покрытия давление в камере понижают до 10-3 Па или ниже при помощи турбомолекулярного насоса. Покрытие и подложку охлаждают в вакуумной камере до комнатной температуры.
Предложенный способ получения тонкопленочных функциональных покрытий на основе оксида гадолиния позволяет получать пленки Gd2O3 толщиной 570-600 нм с широкой спектральной прозрачностью вплоть до УФ области (Eg = 5,5 эВ). Спектр оптического поглощения тонкой пленки Gd2O3, полученной по предложенному способу, в координатах прямых межзонных переходов приведен на Фиг. 2. Использование предлагаемого способа по сравнению с известными способами существенно расширяет область практического применения тонких пленок Gd2O3 в качестве материала для конверсии излучения УФ-диапазона.
Сущность и преимущества изобретения могут быть пояснены следующими примерами.
Пример 1. Мишень для распыления изготавливают из металлического гадолиния, полученного методом порошковой металлургии. Для этого частицы металлического гадолиния перемалывают в шаровой мельнице в несколько этапов с использованием твердосплавных шаров диаметром 5 мм до получения порошка дисперсностью ~10 мкм. Из полученного порошка методом холодного прессования при давлении 30 Мпа получают мишень диаметром 40 мм и толщиной 2 мм. Подложку из кварцевого стекла размерами 10х10х2 мм очищают в ультразвуковой ванне в растворе ацетона (марка ОСЧ 9-1) в течение 20 мин и просушивают в потоке воздуха. Магнетрон, распыляемая мишень и подложка помещаются в вакуумную камеру. Расстояние между подложкой и мишенью магнетрона составляет 60 мм. Камеру откачивают до давления 7×10-3 Па турбомолекулярным насосом с быстротой действия 500 л/с. Перед нанесением покрытий подложку из кварцевого стекла выдерживают в Ar плазме в течение 5 мин. Плазма генерируется в объеме рабочей камеры широким (80 см2) пучком низкоэнергетических (200 эВ) электронов. Ток пучка составляет 5 А, давление газа 0,11 Па. После очистки подложки отключают источник электронного пучка и напускают кислород в камеру до достижения давления 0,15 Па (объемная концентрация кислорода составляет 27%). Далее открывают заслонку магнетрона и наносят покрытие в течение 6 ч при мощности магнетронного разряда 150 Вт. В процессе обработки температура подложки ограничена мощностью магнетронного разряда и составляет ~200°С. После нанесения покрытия образцы охлаждают в вакуумной камере при давлении 5⋅10-4 Па до комнатной температуры.
Пример 2 (сравнительный). В этом случае поступают так же, как в примере 1, но в качестве мишени для распыления используют окись гадолиния, полученную из порошка Gd2O3 с чистотой 99,99%, подвергнутому холодному прессованию при давлении 30 МПа. Все дальнейшие операции проводят так же, как написано в примере 1.
Пример 3 (сравнительный). В этом случае поступают так же, как в примере 1, но покрытие наносят в течение 2 часов при мощности магнетронного разряда 80 Вт, а в процессе обработки температура подложки составляет ~120°С. Все дальнейшие операции проводят так же, как написано в примере 1.
Пример 4 (сравнительный). В этом случае поступают так же, как в примере 1, но покрытие наносят в течение 8 часов при мощности магнетронного разряда 250 Вт, а в процессе обработки температура подложки составляет ~280°С. Все дальнейшие операции проводят так же, как написано в примере 1.
Пример 5 (сравнительный). В этом случае поступают так же, как в примере 1, но покрытие наносят в аргон-кислородной среде при объемной концентрации кислорода 50%, а после нанесения подложку из кварцевого стекла и само покрытие в виде пленки охлаждают в вакуумной камере при общем давлении 5⋅10-3 Па до комнатной температуры.
На фиг. 3 изображена таблица параметров тонких пленок Gd2O3, синтезированных в примерах 1-5. Показано, что только тонкие пленки, полученные по примеру 1, характеризуются достаточной толщиной на уровне 580 нм и шириной запрещенной зоны 5,5 эВ, тогда как в случае использования в качестве мишени оксида гадолиния (пример 2), повышения концентрации кислорода (пример 4) или повышении мощности магнетронного разряда (пример 5) происходит снижение ширины запрещенной зоны. При снижении мощности магнетронного разряда (пример 3) покрытие из оксида гадолиния не формируется.
Claims (1)
- Способ получения оптического тонкопленочного покрытия из оксида гадолиния Gd2O3 на подложке из кварцевого стекла методом высокочастотного реакционного магнетронного распыления, отличающийся тем, что предварительно из порошка металлического гадолиния с размером частиц от 5 до 20 мкм изготавливают мишень для распыления методом холодного прессования при давлении прессования от 10 до 50 МПа, наносят покрытие из оксида гадолиния на поверхность упомянутой подложки в течение 5-6 ч при мощности магнетронного разряда от 100 до 200 Вт в аргон-кислородной среде c общим давлением 0,15 Па при объемной концентрации кислорода от 25 до 35%, причем в процессе нанесения температуру подложки поддерживают 150-250°С, а после нанесения упомянутого покрытия подложку из кварцевого стекла с нанесенным покрытием из оксида гадолиния в виде тонкой пленки охлаждают в вакуумной камере при общем давлении не выше 10-3 Па до комнатной температуры.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2772770C1 true RU2772770C1 (ru) | 2022-05-25 |
Family
ID=
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2005130502A (ru) * | 2004-10-04 | 2007-04-10 | Юнайтед Текнолоджиз Корпорейшн (US) | Сегментированное покрытие, образованное оксидом гадолиния-циркония, способ его получения, система слоев для сегментированного покрытия и изделие с покрытием (варианты) |
| RU2556248C1 (ru) * | 2013-12-20 | 2015-07-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") | Материал керамического слоя теплозащитного покрытия |
| US10586879B2 (en) * | 2015-04-03 | 2020-03-10 | China Building Materials Academy | Spectrally selective solar absorbing coating and a method for making it |
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2005130502A (ru) * | 2004-10-04 | 2007-04-10 | Юнайтед Текнолоджиз Корпорейшн (US) | Сегментированное покрытие, образованное оксидом гадолиния-циркония, способ его получения, система слоев для сегментированного покрытия и изделие с покрытием (варианты) |
| RU2556248C1 (ru) * | 2013-12-20 | 2015-07-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") | Материал керамического слоя теплозащитного покрытия |
| US10586879B2 (en) * | 2015-04-03 | 2020-03-10 | China Building Materials Academy | Spectrally selective solar absorbing coating and a method for making it |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| S. Maidul Haque et al, Effect of oxygen partial pressure in deposition ambient on the properties of RF magnetron sputter deposited Gd2O3 thin films, Appl. Opt. 56, 6114-6125, 2017. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8821697B2 (en) | Silver selenide sputtered films and method and apparatus for controlling defect formation in silver selenide sputtered films | |
| Soto et al. | Growth of SiC and SiC x N y films by pulsed laser ablation of SiC in Ar and N 2 environments | |
| US20090277782A1 (en) | Silicon Oxynitride Coating Compositions | |
| Konischev et al. | Structure and properties of Ti–O–N coatings produced by reactive magnetron sputtering | |
| RU2772770C1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПОКРЫТИЙ Gd2O3 НА ПОДЛОЖКЕ КВАРЦЕВОГО СТЕКЛА | |
| CN108624843B (zh) | 一种表面增强拉曼散射基底的制备方法 | |
| Meng et al. | Optical and structural properties of down-conversion Bi doped Y2O3 films for potential application in solar cell | |
| CN116240496A (zh) | 一种基于合金纳米粒子调控局域表面等离子共振的方法 | |
| Wang et al. | Electron emission properties of silver oxide and its impact on the secondary emission yield of air-exposed silver | |
| CN111139439B (zh) | 一种在大面积衬底上磁控溅射制备薄膜的方法 | |
| Yushkov et al. | On the effect of ceramic target composition on coatings deposited by electron-beam evaporation at forevacuum pressure | |
| Gotoh et al. | Formation and control of stoichiometric hafnium nitride thin films by direct sputtering of hafnium nitride target | |
| Safi | A novel reactive magnetron sputtering technique for producing insulating oxides of metal alloys and other compound thin films | |
| CN108642444B (zh) | 一种高透明光致发光的氧化锌-聚乙烯复合涂层的制备方法 | |
| Vassallo et al. | Deposition of boron–carbon multilayer coatings by RF plasma sputtering | |
| CN108588645B (zh) | 一种表面增强拉曼散射基底的制备方法 | |
| Wang et al. | Optical properties of titania/silica multilayer filters prepared by helicon plasma sputtering | |
| CN109781670B (zh) | 一种上转换荧光增强衬底及其制备方法 | |
| Peng et al. | Microstructure and blue photoluminescence of hydrogenated silicon carbonitride thin films | |
| CN113981371B (zh) | 高SERS强度的Ag/SiO2共溅射单层膜制备方法 | |
| Zhang et al. | Preparation of Au/SiO2 nano-composite multilayers by helicon plasma sputtering and their optical properties | |
| Sakaguchi et al. | Optimization of annealing time and Cu concentration for study of luminescence properties of Cu-implanted ZnO thin films | |
| WO2019044850A1 (ja) | 部品および半導体製造装置 | |
| RU2762756C1 (ru) | Способ получения на подложке тонких пленок ниобата лития | |
| CN108914074A (zh) | 一种高电阻率合金薄膜材料及其制备方法和应用 |