RU2761200C1 - Method for ordered deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field - Google Patents

Method for ordered deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field Download PDF

Info

Publication number
RU2761200C1
RU2761200C1 RU2020143930A RU2020143930A RU2761200C1 RU 2761200 C1 RU2761200 C1 RU 2761200C1 RU 2020143930 A RU2020143930 A RU 2020143930A RU 2020143930 A RU2020143930 A RU 2020143930A RU 2761200 C1 RU2761200 C1 RU 2761200C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
deposition
substrate
target
carbon
electric field
Prior art date
Application number
RU2020143930A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Антон Владиславович Осипов
Алексей Олегович Кучерик
Владислав Дмитриевич Самышкин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Владимирский Государственный Университет имени Александра Григорьевича и Николая Григорьевича Столетовых" (ВлГУ)
Priority to RU2020143930A priority Critical patent/RU2761200C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2761200C1 publication Critical patent/RU2761200C1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth

Abstract

FIELD: physical chemistry.
SUBSTANCE: invention relates to a method for the orderly deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field. A metal grid is placed between a transparent solid substrate and a carbon target, and a potential difference is created between the carbon target and the metal grid. Deposition of ablated particles on the substrate is carried out in a constant electric field with a strength of 105-108 V/m. In the deposition process, the polarity and the magnitude of the potential difference between the carbon target and the metal grid and the distance from the carbon target to the focusing grid and from the grid to the substrate are changed.
EFFECT: method makes it possible to obtain films of a pre-determined morphology according to varying deposition conditions, which actively affects the optical and electrophysical properties of the resulting metasurfaces.
1 cl, 5 dwg

Description

Изобретение относится к области создания наноструктурированных покрытий, состоящих из углеродных материалов и может использоваться в получении поверхностей с изменяемыми морфологическими свойствами и управляемым пространственным островковым распределением на поверхности подложки.The invention relates to the field of creating nanostructured coatings consisting of carbon materials and can be used in obtaining surfaces with variable morphological properties and controlled spatial island distribution on the substrate surface.

Известно изобретение «СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ НАНОПЛЕНОЧНОГО ПОКРЫТИЯ НА ПОДЛОЖКУ» (Патент RU № 2681587 C23C 14/48, C23C 14/35, B82B3/00). Изобретение относится к способу нанесения нанопленочного покрытия на подложку и может быть использовано для получения нанопокрытий на поверхностях различных подложек при невысокой температуре. Осуществляют импульсно-плазменное напыление с лазерным поджигом. Используют импульсный режим работы эксимерного ультрафиолетового лазера и собственные ионы материала мишени для создания рабочей плазмы. Используют ультрафиолетовое излучение с прецизионно низкой мощностью для начального поджига при создании рабочей плазмы и используют импульсный режим работы источника питания магнетрона с временем работы меньше, чем частота следования лазерных импульсов. Техническим результатом изобретения является улучшение оптических и структурных свойств напыляемых покрытий за счет использования плазмы из собственных ионов распылительной мишени и использования прецизионно низкой мощности лазерного излучения.Known invention "METHOD FOR APPLYING NANOFILM COATING ON SUBSTRATE" (Patent RU No. 2681587 C23C 14/48, C23C 14/35, B82B3 / 00). The invention relates to a method for applying a nanofilm coating to a substrate and can be used to obtain nanocoatings on the surfaces of various substrates at a low temperature. Pulse-plasma spraying with laser ignition is carried out. A pulsed mode of operation of an excimer ultraviolet laser and intrinsic ions of the target material are used to create a working plasma. Ultraviolet radiation with a precision low power is used for initial ignition when creating a working plasma and a pulsed operating mode of the magnetron power source is used with an operating time less than the laser pulse repetition rate. The technical result of the invention is to improve the optical and structural properties of the sprayed coatings due to the use of plasma from the sputtering target's own ions and the use of a precision low power of laser radiation.

Наряду с тем, что способ позволяет создавать нанопокрытия с необходимыми авторам параметрами, недостатком является отсутствие контролирующего/управляющего параметра, позволяющего пространственно ориентировать наноструктуры и задавить их топологию. Along with the fact that the method makes it possible to create nanocoatings with the parameters necessary for the authors, the disadvantage is the absence of a control / control parameter that makes it possible to spatially orient nanostructures and suppress their topology.

Известно изобретение «ЛАЗЕРНО-ПЛАЗМЕННЫЙ СПОСОБ СИНТЕЗА ВЫСОКОТВЕРДЫХ МИКРО- И НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЙ И УСТРОЙСТВО» (Патент RU № 241673 C2 МПК, C23C 4/12(2006.01), C23C 16/48(2006.01), C23C 16/513(2006.01). Изобретение относится к технологиям получения высокотвердых защитных и функциональных покрытий и может быть использовано для покрытия поверхностей деталей машин и механизмов, трубопроводов и насосов, элементов корпусов, функциональных и несущих металлоконструкций. Согласно способу, формируют поток рабочего газа, содержащего несущий газ и химически активные реагенты, который направляют на обрабатываемую поверхность при давлении не ниже 0,5 атм. При этом на этот поток воздействуют лазерным импульсно-периодическим излучением таким образом, чтобы в фокусе лазерного луча образовалась лазерная плазма. Устройство для реализации способа включает реакционную камеру со средством позиционирования обрабатываемого объекта и входами для потока газа и лазерного излучения, источник рабочего газа, средство формирования потока рабочего газа в реакционной камере, импульсно-периодический лазер, а также средство доставки лазерного излучения в реакционную камеру и фокусировки луча. Изобретение относится к технологиям получения микро- и/или наноструктурированных защитных и функциональных покрытий на поверхностях деталей машин и механизмов, трубопроводов и насосов, элементов корпусов, функциональных и несущих металлоконструкций, отвечающих за основные характеристики, межремонтный и полный ресурс конечного продукта или технической системы. Технический результат - повышение износостойкости, ударопрочности, химической и коррозионной устойчивости покрытий.Known invention "LASER-PLASMA METHOD FOR SYNTHESIS OF HIGH HARD MICRO- AND NANOSTRUCTURED COATINGS AND DEVICE" (Patent RU No. 241673 C2 IPC, C23C 4/12 (2006.01), C23C 16/48 (2006.01), C23C 16). refers to technologies for obtaining highly hard protective and functional coatings and can be used to coat the surfaces of machine parts and mechanisms, pipelines and pumps, housing elements, functional and supporting metal structures. is directed to the surface to be treated at a pressure of at least 0.5 atm. In this case, this flow is influenced by laser pulsed-periodic radiation in such a way that a laser plasma is formed in the focus of the laser beam. for gas flow and laser radiation, source of working gas, means for forming a flow of the working gas in the reaction chamber, a repetitively pulsed laser, as well as a means for delivering laser radiation to the reaction chamber and focusing the beam. The invention relates to technologies for obtaining micro- and / or nanostructured protective and functional coatings on the surfaces of machine parts and mechanisms, pipelines and pumps, body elements, functional and load-bearing metal structures responsible for the main characteristics, overhaul and full life of the final product or technical system. The technical result is an increase in wear resistance, impact resistance, chemical and corrosion resistance of coatings.

Недостатком способа является то, что несмотря на управляемое осаждение из плазменного облака, он не позволяет создать детерминированную наноструктуру с заранее заданными параметрами оптико-электрических свойств.The disadvantage of this method is that, despite the controlled deposition from the plasma cloud, it does not allow the creation of a deterministic nanostructure with predetermined parameters of optical-electrical properties.

Известно изобретение «УСТРОЙСТВО ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ МАТЕРИАЛОВ» (RU № 135638 U1 МПК B82Y 40/00(2011.01), C23C 14/46(2006.01), H01L 21/00(2006.01). Устройство относится к лазерной технике и технике вакуумного напыления, в частности к устройствам, применяемым для создания наноструктурированных материалов, а именно, для роста пленок, многослойных тонкопленочных структур и синтеза наночастиц полупроводников, диэлектриков, металлов, полимеров и биосовместимых материалов методом импульсного лазерного осаждения. Технической задачей полезной модели является создание универсального устройства для синтеза наноструктурированных материалов методом импульсного лазерного осаждения.Known invention "DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS" (RU No. 135638 U1 IPC B82Y 40/00 (2011.01), C23C 14/46 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01). in particular, to devices used to create nanostructured materials, namely, for the growth of films, multilayer thin-film structures and the synthesis of nanoparticles of semiconductors, dielectrics, metals, polymers and biocompatible materials by the method of pulsed laser deposition.The technical task of the utility model is to create a universal device for the synthesis of nanostructured materials by the method of pulsed laser deposition.

Недостатком устройства является исключительно геометрический контроль распространения плазмы. В данном устройстве есть возможность менять угол распределения плазменного облака, но не распределение её объеме распространения.The disadvantage of the device is the purely geometric control of plasma propagation. This device has the ability to change the angle of distribution of the plasma cloud, but not the distribution of its distribution volume.

Известно изобретение «СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ НАНОПОКРЫТИЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ» (RU № 2 371 379 C1 МПК B82B 3/00(2006.01), C23C 14/34(2006.01). Изобретение относится к плазменному способу и устройству получения нанопокрытий, в частности пленок из окислов, карбидов и других соединений, и может применяться в радиоэлектронной, авиационной, энергетике и других отраслях промышленности. Изобретение позволит повысить энергию наносимых частиц материала нанопокрытия и улучшить адгезию покрытия с подложкой, расширить компонентный состав покрытия. Способ состоит в плазменном распылении наносимого вещества на подложку в вакуумной камере. На подложку осаждают наночастицы, полученные при испарении мишени в плазме импульсного сильноточного разряда, пинчующейся под действием собственного магнитного поля. Мишень формируют из свободно падающего мелкодисперсного порошка, который подают в зону испарения из резервуара, расположенного вне вакуумной камеры. Устройство состоит из вакуумной камеры, анода и катода, разделенных изолятором, источника питания, держателя подложек. Вакуумная камера выполнена симметричной относительно вертикальной оси, а вне вакуумной камеры по ее оси установлен резервуар с мелкодисперсным порошком, соединенный с вакуумной камерой пролетной трубой, в верхней части которой расположен электромагнитный затвор, а в нижней - вакуумный затвор.Known invention "A METHOD FOR APPLICATION OF NANOCATINGS AND A DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION" (RU No. 2 371 379 C1 IPC B82B 3/00 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01). oxides, carbides and other compounds, and can be used in radio-electronic, aviation, power engineering and other industries. In a vacuum chamber, nanoparticles are deposited on the substrate, obtained by evaporation of the target in the plasma of a pulsed high-current discharge, pinching under the action of its own magnetic field.The target is formed from a freely falling fine powder, which is fed into the evaporation zone from a reservoir located outside the vacuum chamber. vacuum chamber, ano and the cathode, separated by an insulator, a power source, a substrate holder. The vacuum chamber is made symmetrical about the vertical axis, and outside the vacuum chamber along its axis there is a reservoir with fine powder, connected to the vacuum chamber by a flight pipe, in the upper part of which there is an electromagnetic seal, and in the lower part there is a vacuum seal.

Несмотря на высокую степень энергетичности наносимых частиц материала наносимого покрытия, устройство не позволяет управлять распределением плазменного облака в объеме, в реальном масштабе времени.Despite the high degree of energeticity of the applied particles of the material of the applied coating, the device does not allow to control the distribution of the plasma cloud in the volume in real time.

Техническим результатом изобретения является повышение качества осажденного слоя и обеспечение возможности контролируемого/упорядоченного осаждения с изменением структуры осажденного слоя благодаря тому, что созданную высоко энергичную плазму можно контролировать с помощью наведенного постоянного электрического поля высокой напряженности в области её распространения (между проводящей металлической сеткой и подложкой). Такой способ позволяет фокусировать и рассеивать плазменный пучок, варьируя степенью напряженности электрического поля и полярностью электродов.The technical result of the invention is to improve the quality of the deposited layer and provide the possibility of controlled / ordered deposition with a change in the structure of the deposited layer due to the fact that the created high-energy plasma can be controlled using an induced constant electric field of high intensity in the region of its propagation (between the conductive metal mesh and the substrate) ... This method makes it possible to focus and scatter the plasma beam by varying the degree of the electric field strength and the polarity of the electrodes.

Описание способа (Фиг. 1): Между прозрачной подложкой (2) (полированное кварцевое стекло и стекло К8, шероховатость поверхности Ra = 2,06 нм) и углеродной мишенью (4) (спектрально чистый графит марки СЭУ, стеклоуглерод марки СУ-2000, пирографит ПГИ) помещается металлическая сетка (3) с размером ячейки 100мкм. Общее расстояние от мишени до подложки возможно изменять от 1 мм до 5 мм. Расстояние от металлической сетки до мишени варьируется в пределах 0.5 мм - 2.5 мм. Проводящие контакты прикреплялись к поверхности мишени и металлической сетки. На поверхность мишени подавался отрицательный потенциал, на сетку - положительный, что создавало тормозящую разность потенциалов U для потока ионизированных атомов. Дополнительно, использование сетки позволяет осуществлять разбиение единого потока аблированных частиц на множество отдельных источников.Description of the method (Fig. 1): Between a transparent substrate (2) (polished quartz glass and K8 glass, surface roughness Ra = 2.06 nm) and a carbon target (4) (spectrally pure graphite of the SEU brand, glassy carbon of the SU-2000 brand, pyrographite PGI), a metal mesh (3) with a cell size of 100 μm is placed. The total distance from the target to the substrate can be varied from 1 mm to 5 mm. The distance from the metal mesh to the target varies from 0.5 mm to 2.5 mm. Conductive contacts were attached to the surface of the target and the metal mesh. A negative potential was applied to the target surface, and a positive potential was applied to the grid, which created a decelerating potential difference U for the ionized atom flux. Additionally, the use of a grid allows for the partition of a single stream of ablated particles into many separate sources.

Проведенные измерения позволяют показать, что морфологические свойства осажденного слоя сильно зависят от расстояния между подложкой и мишенью и ускоряющего напряжения на сетке между ними. Во всех случаях использование сетки приводит к осаждению с ярко выраженной периодической структурой (Фиг. 2), шаг которой зависел от расстояния между сеткой и подложкой.The measurements performed make it possible to show that the morphological properties of the deposited layer strongly depend on the distance between the substrate and the target and the accelerating voltage on the grid between them. In all cases, the use of a grid leads to deposition with a pronounced periodic structure (Fig. 2), the step of which depends on the distance between the grid and the substrate.

Структура осажденного слоя, меняется в зависимости от расстояния между подложкой и сеткой и разности потенциалов между сеткой и мишенью. При напряжении до 800 В и варьировании расстояния между сеткой и подложкой в пределах 1.5 мм-2 мм (и расстоянии от сетки до мишени в 1 мм) в процессе осаждения формируются углеродные нановолокна (Фиг. 3).The structure of the deposited layer varies depending on the distance between the substrate and the grid and the potential difference between the grid and the target. At voltages up to 800 V and varying the distance between the grid and the substrate within 1.5 mm-2 mm (and the distance from the grid to the target of 1 mm), carbon nanofibers are formed during deposition (Fig. 3).

Увеличение напряжения между сеткой и мишенью до U = 1000 В приводит к формированию осаждений из массива углеродных нанотрубок (Фиг. 4).An increase in the voltage between the grid and the target up to U = 1000 V leads to the formation of deposits from an array of carbon nanotubes (Fig. 4).

Для пояснения механизма управления лазерно-индуцированным плазменным облаком было реализовано математическое моделирования эксперимента осаждения. Соответствие модельных и экспериментальных результатов объективно. Результаты моделирования распределения частиц на подложке, при прохождении потока аблированных частиц через пространство анода-сетки (Фиг. 5). Проведенное моделирование демонстрирует изменение морфологии осажденного слоя в зависимости от условий эксперимента. Как видно из представленных результатов на качество и структур осажденного слоя влияют время воздействия, напряженность электрического поля и интенсивность лазерного воздействия. Использование методов кинетики и молекулярной динамики позволит в дальнейшем моделировать процесс формирования углеродных нанотрубок.To explain the control mechanism of the laser-induced plasma cloud, mathematical modeling of the deposition experiment was implemented. The agreement between the model and experimental results is objective. The results of modeling the distribution of particles on the substrate when the flow of ablated particles passes through the space of the anode-grid (Fig. 5). The performed simulation demonstrates the change in the morphology of the deposited layer depending on the experimental conditions. As can be seen from the presented results, the quality and structures of the deposited layer are affected by the exposure time, the electric field strength and the intensity of the laser exposure. The use of the methods of kinetics and molecular dynamics will allow in the future to simulate the process of formation of carbon nanotubes.

Данный способ демонстрирует возможность получения прозрачных наноструктурированных углеродных покрытий, состоящих из углеродных нанотрубок и/или наноструктурированных массивов углеродных наночастиц при лазерном напылении. Полученные нанопокрытия могут быть использованы для изготовления проводящих прозрачных слоев на поверхности стеклянной поверхности, в том числе и для гибких дисплеев.This method demonstrates the possibility of obtaining transparent nanostructured carbon coatings, consisting of carbon nanotubes and / or nanostructured arrays of carbon nanoparticles by laser deposition. The resulting nanocoatings can be used for the manufacture of conductive transparent layers on the surface of a glass surface, including for flexible displays.

Продемонстрирована возможность получения в лазерном эксперименте наноструктур с различной морфологией, управляемой за счет изменений условий эксперимента. Для решения задачи синтеза вертикально ориентированных нанотрубок возможно использовать стекла с предварительно напыленным прозрачным слоем, например, оксида цинка и вытравленной матрицей.The possibility of obtaining in a laser experiment nanostructures with different morphology, controlled by changing the experimental conditions, has been demonstrated. To solve the problem of synthesizing vertically oriented nanotubes, it is possible to use glasses with a preliminary deposited transparent layer, for example, zinc oxide and an etched matrix.

Claims (1)

Способ осаждения наноструктурированных углеродных тонких пленок на прозрачную твердую подложку, включающий лазерное воздействие на углеродную мишень и осаждение аблированных частиц на прозрачную твердую подложку, отличающийся тем, что между прозрачной твердой подложкой и углеродной мишенью помещают металлическую сетку, создают между углеродной мишенью и металлической сеткой разность потенциалов, при этом осаждение аблированных частиц на подложку осуществляют в постоянном электрическом поле напряженностью 105-108 В/м, при этом в процессе осаждения наноструктурированных углеродных пленок изменяют полярность и величину разности потенциалов между углеродной мишенью и металлической сеткой и расстояние от углеродной мишени до фокусирующей сетки и от сетки до подложки, причем расстояние от мишени до подложки изменяют от 1 мм до 5 мм, а расстояние от металлической сетки до мишени – от 0,5 мм до 2,5 мм.A method of deposition of nanostructured carbon thin films on a transparent solid substrate, including laser action on a carbon target and deposition of ablated particles on a transparent solid substrate, characterized in that a metal mesh is placed between the transparent solid substrate and the carbon target, a potential difference is created between the carbon target and the metal mesh , while the deposition of ablated particles on the substrate is carried out in a constant electric field with a strength of 10 5 -10 8 V / m, while in the process of deposition of nanostructured carbon films, the polarity and the magnitude of the potential difference between the carbon target and the metal grid and the distance from the carbon target to the focusing the mesh and from the mesh to the substrate, the distance from the target to the substrate being changed from 1 mm to 5 mm, and the distance from the metal mesh to the target from 0.5 mm to 2.5 mm.
RU2020143930A 2020-12-28 2020-12-28 Method for ordered deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field RU2761200C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020143930A RU2761200C1 (en) 2020-12-28 2020-12-28 Method for ordered deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020143930A RU2761200C1 (en) 2020-12-28 2020-12-28 Method for ordered deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2761200C1 true RU2761200C1 (en) 2021-12-06

Family

ID=79174266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020143930A RU2761200C1 (en) 2020-12-28 2020-12-28 Method for ordered deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2761200C1 (en)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000313608A (en) * 1999-04-27 2000-11-14 Canon Inc Production of carbon nanotube and carbon nanotube produced thereby
US6312768B1 (en) * 1997-09-11 2001-11-06 The Australian National University Method of deposition of thin films of amorphous and crystalline microstructures based on ultrafast pulsed laser deposition
CN1506162A (en) * 2002-12-09 2004-06-23 浙江工业大学 Laser deposition process of preparing carbon nanotube loaded metal catalyst
RU2371379C1 (en) * 2008-04-09 2009-10-27 Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" Plating method of nano-coating and device for its implementation
US7794551B1 (en) * 2005-12-14 2010-09-14 Keystone Investment Corporation Carburization of metal articles
RU2401883C2 (en) * 2008-01-15 2010-10-20 Ретевосович Паносян Жозеф Method of depositing diamond-like carbon film on organic glass substrate
US8518206B2 (en) * 2010-10-29 2013-08-27 Tsinghua University Method for making carbon nanotube composite structure
RU2567283C2 (en) * 2013-11-18 2015-11-10 Александр Григорьевич Григорьянц Method and device for producing of carbon nanotubes
RU2685665C1 (en) * 2017-11-17 2019-04-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" Method for producing thin diamond films

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6312768B1 (en) * 1997-09-11 2001-11-06 The Australian National University Method of deposition of thin films of amorphous and crystalline microstructures based on ultrafast pulsed laser deposition
JP2000313608A (en) * 1999-04-27 2000-11-14 Canon Inc Production of carbon nanotube and carbon nanotube produced thereby
CN1506162A (en) * 2002-12-09 2004-06-23 浙江工业大学 Laser deposition process of preparing carbon nanotube loaded metal catalyst
US7794551B1 (en) * 2005-12-14 2010-09-14 Keystone Investment Corporation Carburization of metal articles
RU2401883C2 (en) * 2008-01-15 2010-10-20 Ретевосович Паносян Жозеф Method of depositing diamond-like carbon film on organic glass substrate
RU2371379C1 (en) * 2008-04-09 2009-10-27 Федеральное государственное учреждение Российский научный центр "Курчатовский институт" Plating method of nano-coating and device for its implementation
US8518206B2 (en) * 2010-10-29 2013-08-27 Tsinghua University Method for making carbon nanotube composite structure
RU2567283C2 (en) * 2013-11-18 2015-11-10 Александр Григорьевич Григорьянц Method and device for producing of carbon nanotubes
RU2685665C1 (en) * 2017-11-17 2019-04-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" Method for producing thin diamond films

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9803273B2 (en) Method of producing an anti-wear layer and anti-wear layer produced by means of said method
US20070256927A1 (en) Coating Apparatus for the Coating of a Substrate and also Method for Coating
RU2380195C1 (en) Method for production of metal or semiconductor nanoparticles deposited on carrier
RU2761200C1 (en) Method for ordered deposition of nanostructured carbon thin films in a constant electric field
JP4489079B2 (en) Method for forming ultra-hard amorphous carbon coating in vacuum
RU2371379C1 (en) Plating method of nano-coating and device for its implementation
RU2608858C2 (en) Glass with optically transparent protective coating and method of its production
WO2011033266A1 (en) Production of nanoparticles
EP2431995A1 (en) Ionisation device
KR20190122601A (en) Equipment and Method for Doped Coating Using Filtered Cathodic Vacuum Arc
US20150252466A1 (en) High surface areas (hsa) coatings and methods for forming the same
Volpian et al. Ion-vacuum technology for manufacturing elements for nanogradient optics and metamaterials
RU2597447C2 (en) Laser method for production of functional coatings
Ryabchikov et al. Behavior of macroparticles near and on a substrate immersed in a vacuum arc plasma at negative high-frequency short-pulsed biasing
RU2653399C2 (en) Method of amorphous oxide of aluminum coating by reactive evaporation of aluminum in low pressure discharge
RU172351U1 (en) Device for electron beam deposition of oxide coatings
RU2688865C2 (en) Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions
Chkalov et al. Femtosecond laser micromachining of thin-film coatings in a high-voltage electrostatic field
RU2637455C1 (en) Method of pulse-periodic plasma coating formation with diffusion layer of molybdenum carbide on molybdenum product
Ryabchikov et al. Mechanisms and regularities of the vacuum arc macroparticles behavior near and on a substrate, immersed in plasma
Bolotov The Deposition of Thin Metal Films in Low Temperature Plasma of Hollow Cathode Glow Discharge
RU2407102C2 (en) Method for generation of nanostructures
RU135638U1 (en) DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS
CN114182212A (en) Method for improving ionization rate in vapor deposition process by using vacuum ultraviolet light
Chkalov et al. Pulsed Laser Deposition of Thin-Film Coatings in an Electrostatic Field