RU2688865C2 - Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions - Google Patents
Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions Download PDFInfo
- Publication number
- RU2688865C2 RU2688865C2 RU2016143114A RU2016143114A RU2688865C2 RU 2688865 C2 RU2688865 C2 RU 2688865C2 RU 2016143114 A RU2016143114 A RU 2016143114A RU 2016143114 A RU2016143114 A RU 2016143114A RU 2688865 C2 RU2688865 C2 RU 2688865C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gas cluster
- cluster ions
- ion beam
- target
- nanostructures
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Abstract
Description
Изобретение относится к области производства изделий в микро- и наноэлектроники, оптоэлектроники и оптике, при производстве которых степень планаризации, характеризуемая уменьшением шероховатости поверхности, является критическим фактором в улучшении их эксплуатационных параметров.The invention relates to the production of products in micro and nanoelectronics, optoelectronics and optics, the production of which the degree of planarization, characterized by a decrease in surface roughness, is a critical factor in improving their operational parameters.
Функциональность таких изделий зависит от точности методов изготовления, используемых в процессе их формирования, например процессов литографии, травления, и других. Примером такого способа выравнивания поверхности является метод сглаживания боковой стенки структуры с помощью облучения пучком газовых кластерных ионов под углом от 60° до 90° по отношению к нормали к твердой поверхности (WO 2005031838 МПК C23F 4/00; H01J 37/305, опуб. 2005-04-07).The functionality of such products depends on the accuracy of the manufacturing methods used in the process of their formation, for example, lithography, etching, and other processes. An example of such a method of leveling the surface is the method of smoothing the side wall of a structure by irradiating with a beam of gas cluster ions at an angle from 60 ° to 90 ° relative to the normal to a solid surface (WO 2005031838 IPC C23F 4/00; H01J 37/305, published 2005 -04-07).
Однако этот способ позволяет сгладить твердую поверхность с неравномерностью (шероховатость поверхности), имеющей площадь порядка десяти нанометров, что не удовлетворяет современный уровень техники.However, this method allows you to smooth a hard surface with unevenness (surface roughness), having an area of about ten nanometers, which does not satisfy the current level of technology.
Известен принятый за прототип способ травления поверхности диэлектрика непрерывным пучком газовых кластерных ионов (GCIB), содержащий удаление из пучка кластерных ионов любого нежелательного ионизирующего излучения (US 2002016079 (А1), МПК H01J 37/147, опуб. 2002-02-07). Указанный способ позволяет проводить эффективное травление площади подложек большого диаметра (200-300 мм или больше).Known adopted for the prototype method of etching the dielectric surface of a continuous beam of gas cluster ions (GCIB), containing the removal from the beam of cluster ions of any unwanted ionizing radiation (US 2002016079 (A1), IPC H01J 37/147, published. 2002-02-07). This method allows for efficient etching of the area of large-diameter substrates (200-300 mm or more).
Однако производительность ускорителя пучка газовых кластерных ионов, определяемая током на мишени (~1 мкА) и длительностью процесса, не является удовлетворительной.However, the performance of the gas cluster ion beam accelerator, which is determined by the current on the target (~ 1 μA) and the duration of the process, is not satisfactory.
Предлагаемое изобретение решает задачу увеличения производительности ускорителя пучка газовых кластерных ионов.The present invention solves the problem of increasing the productivity of an accelerator of a gas cluster ion beam.
Поставленная задача решается способом модификации наноструктур материалов электронной техники газовыми кластерными ионами, включающем удаление из пучка кластерных ионов любого нежелательного ионизирующего излучения, новизна которого заключается в том, что пучок газовых кластерных ионов подают в импульсном режиме.The problem is solved by modifying the nanostructures of electronic equipment materials with gas cluster ions, including removing any unwanted ionizing radiation from the cluster ion beam, the novelty of which is that the gas cluster ion beam is pulsed.
Наиболее технологичным вариантом является осуществление способа при импульсный режиме, в котором облучение осуществляют импульсами тока кластерных ионов на мишень длительностью 150-200 мс при коэффициенте заполнения 0,1-0,25.The most technologically advanced option is the implementation of the method in a pulsed mode, in which irradiation is carried out by pulses of current of cluster ions on a target with a duration of 150-200 ms with a fill factor of 0.1-0.25.
Технический результат при этом заключается в увеличении плотности ионного тока на мишени и уменьшение длительности процесса примерно в 2 раза.The technical result is to increase the density of the ion current on the target and reduce the duration of the process by about 2 times.
Отсутствие источников информации, содержащих ту же совокупность признаков, что и в разработанном способе, сообщает ему соответствие критерию «новизна».The lack of sources of information containing the same set of features as in the developed method informs him that he meets the criterion “novelty”.
Та же совокупность признаков позволяет получить новый непредсказуемый эффект, увеличение плотности ионного тока на мишени и уменьшение длительности процесса примерно в 2 раза, и, таким образом, сообщает ей соответствию критерию «изобретательский уровень».The same set of features allows you to get a new unpredictable effect, an increase in the density of ionic current on the target and a decrease in the duration of the process by about 2 times, and, thus, informs it of the criterion of "inventive step".
Проведение нового способа с использованием известного оборудования сообщает разработанному изобретению соответствие критерию «промышленная применимость».Conducting a new method using known equipment informs the developed invention that it meets the criterion "industrial applicability".
В Таблице 1 приведены данные по влияния изменения параметров модификации на ее результаты.Table 1 shows data on the effect of changes in the parameters of the modification on its results.
Приведенные ниже примеры подтверждают, но не ограничивают применение изобретения.The examples below confirm, but do not limit the application of the invention.
Пример 1. Модификация поверхности кремния в импульсном режиме подачи газовых кластерных ионов на мишень.Example 1. Modification of the silicon surface in a pulsed mode of supplying gas cluster ions to a target.
Для проведения модификация поверхности кремния брали стандартные пластины кремния КДБ10 ориентацией [100] диаметром 100 мм и толщиной 500 мкм, покрытые термическим оксидом кремния. Толщина окисленного слоя составляла 150 нм, а шероховатость поверхности пластины до обработки не более 30 нм.To carry out the modification of the silicon surface, standard KDB10 silicon plates with the orientation [100] with a diameter of 100 mm and a thickness of 500 μm, coated with thermal silicon oxide, were taken. The thickness of the oxidized layer was 150 nm, and the surface roughness of the plate before processing was no more than 30 nm.
С помощью системы дифференциальной откачки вакуумировали камеру ускорителя пучков газовых кластерных ионов до давления в системе не выше 10-5 Торр. В качестве рабочего газа использовали аргон (Ar), удаление из пучка атомарных ионов и легких кластеров проводили путем уменьшения расстояния между постоянными магнитами в системе сепарации. Так, уменьшение расстояния между магнитами до 7 мм, позволило отделять из пучка мономеры и кластеры с размером менее 150 атомов в кластере.With the help of a differential pumping system, the accelerator chamber of gas cluster ion beams was evacuated to a pressure in the system no higher than 10 -5 Torr. Argon (Ar) was used as the working gas, and the removal of atomic ions and light clusters from the beam was performed by reducing the distance between the permanent magnets in the separation system. So, reducing the distance between the magnets to 7 mm, allowed to separate from the beam monomers and clusters with a size of less than 150 atoms in the cluster.
Исходные подложки облучали пучком кластерных ионов с сепарацией по массам с энергией 10 кэВ и дозой 5⋅1016. Облучение проводили в импульсном режиме импульсами тока кластерных ионов на мишень длительностью 150-200 мс при коэффициенте заполнения 0,1-0,25. Для обеспечения планаризации необходимой площади осуществляли непрерывное перемещение образца по меандрообразной траектории. Так как пучок ионов облучает поверхность исходной подложки пятном диаметром ~4 мм, для достижения планаризации требуемой площади в 75 мм2 шаг между ветвями меандра составлял 1 мм при непрерывном перемещении по ветви со скоростью 7 мкм/с. Таким образом, общее время планаризации поверхности площадью 75 мм2 (без учета настройки системы и юстировки образца) составило около трех часов.The initial substrates were irradiated with a cluster ion beam with separation by masses with an energy of 10 keV and a dose of 5⋅10 16 . The irradiation was carried out in a pulsed mode with pulses of current of cluster ions on a target with a duration of 150–200 ms with a fill factor of 0.1–0.25. To ensure the planarization of the required area, the sample was continuously moved along a meander-like trajectory. Since the ion beam irradiates the surface of the original substrate with a spot with a diameter of ~ 4 mm, to achieve planarization of the required area of 75 mm 2, the step between the branches of the square wave was 1 mm with continuous movement along the branch at a speed of 7 μm / s. Thus, the total time of planarization of the surface with an area of 75 mm 2 (without taking into account the system setup and sample alignment) was about three hours.
Локальная планарность исследовалась методом атомно-силовой микроскопии.Local planarity was studied by atomic force microscopy.
В результате для достижения шероховатости образца кремния 0,12 нм потребовалось от 128 до 165 минут, в зависимости от длительности импульса.As a result, it took from 128 to 165 minutes to achieve a roughness of the silicon sample of 0.12 nm, depending on the pulse duration.
Производительность ускорителя, определяемая значением ионного тока на мишени составила от 1,5 до 2 мкА.Accelerator performance, determined by the value of the ion current on the target was from 1.5 to 2 μA.
Пример 2. Модификация поверхности кремния в непрерывном режиме подачи газовых кластерных ионов на мишень.Example 2. Modification of the silicon surface in a continuous mode of supplying gas cluster ions to a target.
То же, что в примере 1, только подачу газовых кластерных ионов на мишень осуществляли в непрерывном режиме.Same as in example 1, only the flow of gas cluster ions on the target was carried out in continuous mode.
В результате для достижения шероховатости образца кремния 0,12 нм потребовалась 261 минута.As a result, it took 261 minutes to achieve a roughness of the 0.12 nm silicon sample.
Производительность ускорителя, определяемая величиной ионного тока на мишени, составила 1 мкА.The performance of the accelerator, determined by the magnitude of the ion current on the target, was 1 μA.
Как видно из данных приведенных в таблице 1, проведение модификации поверхности образцов кремния пучком газовых кластерных ионов при подаче их в импульсном режиме позволяет увеличить производительность ускорителя примерно в 2 раза.As can be seen from the data given in Table 1, carrying out the surface modification of silicon samples with a gas cluster ion beam when applied in a pulsed mode makes it possible to increase the productivity of the accelerator by about 2 times.
Пример 3. Модификация поверхности меди в импульсном режиме подачи газовых кластерных ионов на мишень.Example 3. Modification of the copper surface in a pulsed mode of supplying gas cluster ions to a target.
В качестве исходных образцов меди для проведения модификации использовали стандартные пластины кремния КДБ10 ориентацией [100] диаметром 100 мм и толщиной 500 мкм, покрытые термическим оксидом кремния и слоем меди толщиной 0,3 мкм, полученного при помощи магнетронного осаждения. Шероховатость поверхности пластины до обработки не более 30 нм.As initial samples of copper for the modification, standard KDB10 silicon plates with an orientation of [100] with a diameter of 100 mm and a thickness of 500 μm, coated with thermal silicon oxide and a copper layer with a thickness of 0.3 μm, obtained by magnetron deposition, were used. The surface roughness of the plate before processing is not more than 30 nm.
С помощью системы дифференциальной откачки вакуумировали камеру ускорителя пучков газовых кластерных ионов до достижения давления в системе не выше 10-5 Торр. В качестве рабочего газа использовали аргон, удаление из пучка атомарных ионов и легких кластеров проводили путем уменьшения расстояния между постоянными магнитами в системе сепарации. Так, уменьшение расстояния между магнитами до 7 мм, позволило отделять из пучка мономеры и кластеры с размером менее 150 атомов в кластере.Using a differential pumping system, the accelerator chamber of gas cluster ion beams was evacuated until a pressure in the system was no higher than 10 -5 Torr. Argon was used as the working gas, and atomic ions and light clusters were removed from the beam by reducing the distance between the permanent magnets in the separation system. So, reducing the distance between the magnets to 7 mm, allowed to separate from the beam monomers and clusters with a size of less than 150 atoms in the cluster.
Исходные подложки облучали пучком кластерных ионов с сепарацией по массам с энергией 10 кэВ и дозой 5⋅1016. Облучение проводили в импульсном режиме импульсами тока кластерных ионов на мишень длительностью 150-200 мс при коэффициенте заполнения 0,1-0,25. Для обеспечения планаризации необходимой площади осуществляли непрерывное перемещение образца по меандрообразной траектории. Так как пучок ионов облучает поверхность исходной подложки пятном диаметром ~4 мм, для достижения планаризации требуемой площади в 75 мм2 шаг между ветвями меандра составлял 1 мм при непрерывном перемещении по ветви со скоростью 7 мкм/с. Таким образом, общее время планаризации поверхности площадью 75 мм2 (без учета настройки системы и юстировки образца) составило около трех часов.The initial substrates were irradiated with a cluster ion beam with separation by masses with an energy of 10 keV and a dose of 5⋅10 16 . The irradiation was carried out in a pulsed mode with pulses of current of cluster ions on a target with a duration of 150–200 ms with a fill factor of 0.1–0.25. To ensure the planarization of the required area, the sample was continuously moved along a meander-like trajectory. Since the ion beam irradiates the surface of the original substrate with a spot with a diameter of ~ 4 mm, to achieve planarization of the required area of 75 mm 2, the step between the branches of the square wave was 1 mm with continuous movement along the branch at a speed of 7 μm / s. Thus, the total time of planarization of the surface with an area of 75 mm 2 (without taking into account the system setup and sample alignment) was about three hours.
Локальная планарность исследовалась методом атомно-силовой микроскопии.Local planarity was studied by atomic force microscopy.
В результате для достижения шероховатости образца меди 0,25 нм потребовалось от 152 до 179 минут, в зависимости от длительности импульса.As a result, it took from 152 to 179 minutes to achieve a copper specimen roughness of 0.25 nm, depending on the pulse duration.
Производительность ускорителя, определяемая значением ионного тока на мишени, составила от 1,5 до 2 мкА.Accelerator productivity, determined by the value of the ion current on the target, was from 1.5 to 2 μA.
Пример 4. Модификация поверхности кремния в непрерывном режиме подачи газовых кластерных ионов на мишень.Example 4. Modification of the silicon surface in a continuous mode of supplying gas cluster ions to a target.
То же, что в примере 1, только подачу газовых кластерных ионов на мишень осуществляли в непрерывном режиме.Same as in example 1, only the flow of gas cluster ions on the target was carried out in continuous mode.
В результате для достижения шероховатости образца меди 0,25 нм потребовалось 312 минуты.As a result, it took 312 minutes to achieve a copper specimen roughness of 0.25 nm.
Производительность ускорителя, определяемая величиной ионного тока на мишени, составила 1 мкА.The performance of the accelerator, determined by the magnitude of the ion current on the target, was 1 μA.
Как видно из данных приведенных в таблице 1, проведение планиризации поверхности образцов меди пучком газовых кластерных ионов при подачи их в импульсном режиме позволяет увеличить производительность ускорителя в 2 раза.As can be seen from the data given in Table 1, carrying out the planarization of the surface of copper samples with a gas cluster ion beam when they are fed in a pulsed mode makes it possible to increase the productivity of the accelerator by 2 times.
Таким образом, приведенные выше примеры проведения планиризации поверхности наноструктур материалов электронной техники пучком газовых кластерных ионов в импульсном режиме подтверждают, что предлагаемое техническое решение позволяет не только в уменьшить шероховатость до 012 нм, но и в увеличить производительность ускорителя, определяемую увеличением плотности ионного тока на мишени и уменьшением длительности процесса примерно в 2 раза, достигая значений 2 мкА/128 минут.Thus, the above examples of conducting the planarization of the surface of nanostructures of electronic equipment with a gas cluster ion beam in a pulsed mode confirm that the proposed technical solution allows not only to reduce the roughness to 012 nm, but also to increase the accelerator performance, determined by an increase in the ion current density on the target and a decrease in the duration of the process by about 2 times, reaching values of 2 μA / 128 minutes.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016143114A RU2688865C2 (en) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016143114A RU2688865C2 (en) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016143114A RU2016143114A (en) | 2018-05-03 |
| RU2016143114A3 RU2016143114A3 (en) | 2019-03-28 |
| RU2688865C2 true RU2688865C2 (en) | 2019-05-22 |
Family
ID=62105919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016143114A RU2688865C2 (en) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2688865C2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2728513C1 (en) * | 2020-02-12 | 2020-07-30 | Акционерное общество "Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт имени А.И. Лейпунского" | Device for cluster ion ionisation |
| RU2796652C1 (en) * | 2022-12-30 | 2023-05-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ) | Device for forming a beam of cluster or atomic ions of gas |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020016079A1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-02-07 | Dykstra Jerald P. | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
| WO2005031838A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Method and device for flattening surface of solid |
| US20090087578A1 (en) * | 2007-09-29 | 2009-04-02 | Tel Epion Inc. | Method for depositing films using gas cluster ion beam processing |
| US8193094B2 (en) * | 2010-06-21 | 2012-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post CMP planarization by cluster ION beam etch |
| US20120280198A1 (en) * | 2010-01-26 | 2012-11-08 | Micron Technology, Inc. | Gcib-treated resistive device |
-
2016
- 2016-11-02 RU RU2016143114A patent/RU2688865C2/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020016079A1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-02-07 | Dykstra Jerald P. | Enhanced etching/smoothing of dielectric surfaces |
| WO2005031838A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Method and device for flattening surface of solid |
| US20090087578A1 (en) * | 2007-09-29 | 2009-04-02 | Tel Epion Inc. | Method for depositing films using gas cluster ion beam processing |
| US20120280198A1 (en) * | 2010-01-26 | 2012-11-08 | Micron Technology, Inc. | Gcib-treated resistive device |
| US8193094B2 (en) * | 2010-06-21 | 2012-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post CMP planarization by cluster ION beam etch |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2728513C1 (en) * | 2020-02-12 | 2020-07-30 | Акционерное общество "Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт имени А.И. Лейпунского" | Device for cluster ion ionisation |
| RU2796652C1 (en) * | 2022-12-30 | 2023-05-29 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ) | Device for forming a beam of cluster or atomic ions of gas |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016143114A3 (en) | 2019-03-28 |
| RU2016143114A (en) | 2018-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6801851B2 (en) | Substrate processing system, ion implantation system, and beamline ion implantation system | |
| RU2688865C2 (en) | Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions | |
| US5708267A (en) | Processing method using fast atom beam | |
| Klimin et al. | Formation of nanosized structures on the silicon surface by a combination of focused ion beam methods and plasma-chemical etching | |
| US9576767B2 (en) | Focused ion beam systems and methods of operation | |
| EA009514B1 (en) | Method of ion treatment of dielectric surface and device for implementing thereof | |
| RU2695028C2 (en) | Method for planarising nanostructures of electronic materials using cluster of clustered gas | |
| Petrov et al. | Effect of helium ion beam treatment on the etching rate of silicon nitride | |
| WO2017080774A1 (en) | A method for pre-treating a surface for coating | |
| Gui et al. | Study on discharge characteristics of anode layer ion source based on PIC-MCC simulation | |
| US9062367B2 (en) | Plasma processing of workpieces to form a coating | |
| Cutroneo et al. | Ion Micro Beam, promising methods for interdisciplinary research | |
| US6709605B2 (en) | Etching method | |
| WO2004107425A1 (en) | Surface treating method using ion beam and surface treating device | |
| Jeon et al. | The high-resolution nanostructuring of Si wafer surface with 10 nm scale using a combined ion bombarding technique and chemical reaction | |
| Lupekhin et al. | Method for modifying the structure and elemental composition of the solid surface during a high-voltage vacuum discharge | |
| Hrechkо et al. | Bombardment of the surface by a low-energy ion flow accelerated in the near-surface layer of the space charge | |
| Anthony et al. | Microfabrication in Foturan Photosensitive Glass Using Focused Ion Beam. | |
| Sheveyko et al. | The effect of preliminary ion treatment on structure and chemical properties of polytetrafluoroethylene with a bioactive nanostructured coating | |
| RU170626U1 (en) | Installation of local ion etching of dielectric surfaces | |
| CN114182212A (en) | Method for improving ionization rate in vapor deposition process by using vacuum ultraviolet light | |
| RU2568305C2 (en) | Fast monoenergetic neutrons generator | |
| BHOWMIK | Surface and Interface Modification by Low Energy ion Beams | |
| RU2135633C1 (en) | Method of vacuum deposition of thin films | |
| Galaly et al. | Dust Plasma Effect on the Etching Process of Si [100] by Ultra Low Frequency RF Plasma |