RU2695028C2 - Method for planarising nanostructures of electronic materials using cluster of clustered gas - Google Patents
Method for planarising nanostructures of electronic materials using cluster of clustered gas Download PDFInfo
- Publication number
- RU2695028C2 RU2695028C2 RU2016143113A RU2016143113A RU2695028C2 RU 2695028 C2 RU2695028 C2 RU 2695028C2 RU 2016143113 A RU2016143113 A RU 2016143113A RU 2016143113 A RU2016143113 A RU 2016143113A RU 2695028 C2 RU2695028 C2 RU 2695028C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- gas
- cluster
- planarising
- nanostructures
- ion beam
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 title abstract 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical group [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 101100048447 Caenorhabditis elegans unc-4 gene Proteins 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 102220491117 Putative postmeiotic segregation increased 2-like protein 1_C23F_mutation Human genes 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области производства изделий в микро- и наноэлектроники, оптоэлектроники и оптике, при производстве которых шероховатость поверхности является критическим фактором в улучшении их эксплуатационных параметров.The invention relates to the production of products in micro-and nanoelectronics, optoelectronics and optics, the production of which surface roughness is a critical factor in improving their operational parameters.
Точность тонких структур зависит от точности методов изготовления, используемых в процессе формирования пленки, процесса травления, и тому подобного. Примером такого способа выравнивания поверхности является метод сглаживания боковой стенки структуры с помощью облучения пучком газовых кластерных ионов под углом от 60° до 90° по отношению к нормали к твердой поверхности (WO 2005031838 МПК C23F 4/00; H01J 37/305, опуб. 2005-04-07).The accuracy of fine structures depends on the accuracy of the manufacturing methods used in the film formation process, the etching process, and the like. An example of such a method of leveling the surface is the method of smoothing the side wall of a structure by irradiating with a beam of gas cluster ions at an angle from 60 ° to 90 ° relative to the normal to a solid surface (WO 2005031838 IPC C23F 4/00; H01J 37/305, published 2005 -04-07).
Однако этот способ позволяет сгладить твердую поверхность с неравномерностью (шероховатость поверхности), имеющей площадь порядка десяти нанометров, что не удовлетворяет современный уровень техники.However, this method allows you to smooth a hard surface with unevenness (surface roughness), having an area of about ten nanometers, which does not satisfy the current level of technology.
Известен принятый за прототип способ планиризации поверхности диэлектрика непрерывным пучком газовых кластерных ионов (GCIB), в котором технологический газ для GCIB т выбирают из группы, состоящей из SiH4, NH3, N2, Ar, He, O2, NF3, CF4, В2Н6, РН3, AsH3, СеН4, СН4, CxHyFz, HBr, SF 6, Cl 2, или их сочетание. ((US 8193094 (В2), МПК H01L 21/3105, опуб. 2011-12-22).Known adopted for the prototype of the method of planarization of the surface of the dielectric continuous beam of gas cluster ions (GCIB), in which the process gas for GCIB t is chosen from the group consisting of SiH4, NH3, N2, Ar, He, O2, NF3, CF4, B2H6, PH3, AsH3, CeH4, CH4, CxHyFz, HBr, SF 6, Cl 2, or a combination thereof. ((US 8193094 (B2), IPC H01L 21/3105, published on 2011-12-22).
Однако шероховатость поверхности не является удовлетворительной для современного уровня техники.However, the surface roughness is not satisfactory for the current level of technology.
Предлагаемое изобретение решает задачу уменьшения шероховатости при обработке поверхности наноструктур материалов электронной техники пучком газовых кластерных ионов.The present invention solves the problem of reducing the roughness in the surface treatment of nanostructures of electronic equipment materials with a gas cluster ion beam.
Поставленная задача решается способом планиризации поверхности наноструктур материалов электронной техники пучком газовых кластерных ионов, новизна которого заключается в том, что в качестве рабочего газа пучка газовых кластерных ионов используют ксенон (Xe).The problem is solved by the method of planarization of the surface of nanostructures of electronic equipment materials by a gas cluster ion beam, the novelty of which is that xenon (Xe) is used as the working gas of a gas cluster ion beam.
Технический результат при этом заключается в уменьшения шероховатости поверхности примерно в 2 раза.The technical result is to reduce the surface roughness by about 2 times.
Отсутствие источников информации, содержащих ту же совокупность признаков, что и в разработанном способе, сообщает ему соответствие критерию «новизна».The lack of sources of information containing the same set of features as in the developed method informs him that he meets the criterion “novelty”.
Та же совокупность признаков позволяет получить новый непредсказуемый эффект, уменьшения шероховатости примерно в 2 раза, и, таким образом, сообщает ей соответствию критерию «изобретательский уровень».The same set of features allows you to get a new unpredictable effect, reducing the roughness of about 2 times, and, thus, informs her of the compliance with the criterion of "inventive step".
Проведение нового способа с использованием известного оборудования сообщает разработанному изобретению соответствие критерию «промышленная применимость».Conducting a new method using known equipment informs the developed invention that it meets the criterion "industrial applicability".
В Таблице 1 приведены данные по влияния изменения параметров планиризации на ее результаты.Table 1 presents data on the impact of changes in the parameters of the planning on its results.
Приведенные ниже примеры подтверждают, но не ограничивают применение изобретения.The examples below confirm, but do not limit the application of the invention.
Пример 1. Планаризация поверхности кремния пучком газовых кластерных ионов при использовании в качестве рабочего газа ксенона (Xe).Example 1. Planarization of the silicon surface with a gas cluster ion beam when xenon (Xe) is used as the working gas.
Для проведения планаризации образцов кремния брали стандартные пластины кремния КДБ10 ориентацией [100] диаметром 100 мм и толщиной 500 мкм, покрытые термическим оксидом кремния. Толщина окисленного слоя составляла 150 нм, а шероховатость поверхности пластины до обработки не более 30 нм.To carry out the planarization of silicon samples, standard KDB10 silicon plates with an orientation of [100] with a diameter of 100 mm and a thickness of 500 μm, coated with thermal silicon oxide, were taken. The thickness of the oxidized layer was 150 nm, and the surface roughness of the plate before processing was no more than 30 nm.
С помощью системы дифференциальной откачки вакуумировали камеру ускорителя пучков газовых кластерных ионов до достижения давления в системе не выше 10-5 Торр. В качестве рабочего газа использовали ксенон (Xe), удаление из пучка атомарных ионов и легких кластеров проводили путем уменьшения расстояния между постоянными магнитами в системе сепарации. Так, уменьшение расстояния между магнитами до 7 мм, позволило отделять из пучка мономеры и кластеры с размером менее 150 атомов в кластере.With the help of a differential pumping system, the accelerator chamber of gas cluster ion beams was evacuated until a pressure in the system was not higher than 10–5 Torr. Xenon (Xe) was used as the working gas, and the removal of atomic ions and light clusters from the beam was performed by reducing the distance between the permanent magnets in the separation system. So, reducing the distance between the magnets to 7 mm, allowed to separate from the beam monomers and clusters with a size of less than 150 atoms in the cluster.
Исходные подложки облучали пучком кластерных ионов с сепарацией по массам с энергией 10 кэВ и дозой 5⋅1016. Облучение проводили в непрерывном режиме подачи газовых кластерных ионов на мишень. Площадь облучения определялась диаметром ионного пучка и составляла 4 мм. Время облучения составляло 30 минут.The initial substrates were irradiated with a cluster ion beam with separation by masses with an energy of 10 keV and a dose of 5⋅10 16 . The irradiation was performed in a continuous mode of supplying gas cluster ions to the target. The irradiation area was determined by the diameter of the ion beam and was 4 mm. The exposure time was 30 minutes.
Локальная шероховатость исследовалась методом атомно-силовой микроскопии.Local roughness was studied by atomic force microscopy.
В результате планаризации за 30 минут шероховатость кремния снизилась до 0,13 нм.As a result of the planarization, in 30 minutes the roughness of silicon decreased to 0.13 nm.
Пример 2. Планаризация поверхности кремния пучком газовых кластерных ионов при использовании в качестве рабочего газа аргона (Ar).Example 2. Planarization of the silicon surface with a gas cluster ion beam using argon (Ar) as the working gas.
То же, что в примере 1, только в качестве рабочего газа использовали аргон (Ar).Same as in example 1, only as the working gas used argon (Ar).
В результате планаризации за 30 минут шероховатость кремния снизилась до 0,27 нм.As a result of the planarization, in 30 minutes the roughness of silicon decreased to 0.27 nm.
Как видно из данных приведенных в таблице 1, проведение планиризации поверхности образцов кремния пучком газовых кластерных ионов при использовании в качестве рабочего газа ксенона позволяет снизить шероховатость обрабатываемой поверхности по сравнению с использованием в качестве рабочего газа аргона примерно в 2 раза.As can be seen from the data given in Table 1, using the gaseous cluster ion beam to plan the surface of silicon samples using xenon as the working gas reduces the surface roughness compared to using argon as the working gas by about 2 times.
Пример 3. Планаризация поверхности меди пучком газовых кластерных ионов при использовании в качестве рабочего газа ксенона (Xe).Example 3. Planarization of the copper surface by a beam of gas cluster ions using xenon (Xe) as the working gas.
В качестве исходных образцов меди для проведения планаризации использовали стандартные пластины кремния КДБ10 ориентацией [100] диаметром 100 мм и толщиной 500 мкм, покрытые термическим оксидом кремния и слоем меди толщиной 0,3 мкм, полученного при помощи магнетронного осаждения. Шероховатость поверхности пластины до обработки не более 30 нм.As initial samples of copper for planarization, standard silicon plates KDB10 with orientation [100] with a diameter of 100 mm and a thickness of 500 μm, coated with thermal silicon oxide and a copper layer with a thickness of 0.3 μm, obtained by magnetron deposition, were used. The surface roughness of the plate before processing is not more than 30 nm.
С помощью системы дифференциальной откачки вакуумировали камеру ускорителя пучков газовых кластерных ионов до достижения давления в системе не выше 10-5 Торр. В качестве рабочего газа использовали ксенон, удаление из пучка атомарных ионов и легких кластеров проводили путем уменьшения расстояния между постоянными магнитами в системе сепарации. Так, уменьшение расстояния между магнитами до 7 мм, позволило отделять из пучка мономеры и кластеры с размером менее 150 атомов в кластере.Using a differential pumping system, the accelerator chamber of gas cluster ion beams was evacuated until a pressure in the system was no higher than 10 -5 Torr. Xenon was used as the working gas; atomic ions and light clusters were removed from the beam by reducing the distance between the permanent magnets in the separation system. So, reducing the distance between the magnets to 7 mm, allowed to separate from the beam monomers and clusters with a size of less than 150 atoms in the cluster.
Исходные подложки облучали пучком кластерных ионов с сепарацией по массам с энергией 10 кэВ и дозой 5⋅1016. Облучение проводили в непрерывном режиме в непрерывном режиме подачи газовых кластерных ионов на мишень. Площадь облучения определялась диаметром ионного пучка и составляла 4 мм. Время облучения составляло 30 минут.The initial substrates were irradiated with a cluster ion beam with separation by masses with an energy of 10 keV and a dose of 5⋅10 16 . Irradiation was carried out in a continuous mode in a continuous mode of supplying gas cluster ions to a target. The irradiation area was determined by the diameter of the ion beam and was 4 mm. The exposure time was 30 minutes.
Локальная шероховатость исследовалась методом атомно-силовой микроскопии.Local roughness was studied by atomic force microscopy.
В результате планаризации за 30 минут шероховатость меди снизилась до 0,28 нм.As a result of the planarization, the copper roughness decreased to 0.28 nm in 30 minutes.
Пример 4. Планаризация поверхности меди пучком газовых кластерных ионов при использовании в качестве рабочего газа криптона (Kr).Example 4. Planarization of the copper surface by a beam of gas cluster ions using krypton (Kr) as the working gas.
То же, что в примере 1, только в качестве рабочего газа использовали криптон (Kr).Same as in example 1, only krypton (Kr) was used as the working gas.
В результате планаризации за 30 минут шероховатость меди снизилась до 0,5 нм.As a result of the planarization, the copper roughness decreased to 0.5 nm in 30 minutes.
Как видно из данных приведенных в таблице 1, проведение планиризации поверхности образцов кремния пучком газовых кластерных ионов при использовании в качестве рабочего газа ксенона позволяет снизить шероховатость обрабатываемой поверхности по сравнению с использованием в качестве рабочего газа криптона примерно в 2 раза.As can be seen from the data given in Table 1, using the gaseous cluster ion beam when planing the surface of silicon samples using xenon as a working gas reduces the surface roughness compared to using krypton as a working gas by about 2 times.
Аналогичные результаты были получены при использовании в качестве рабочего газа таких газов как SiH4, NH3, N2, Ar, He, O2, NF3, CF4, В2Н6, РН3, AsH3, СеН4, СН4, CxHyFz, HBr, SF 6, Cl 2, или их сочетаниеSimilar results were obtained when using such gases as SiH4, NH3, N2, Ar, He, O2, NF3, CF4, B2H6, PH3, AsH3, CeH4, CH4, CxHyFz, HBr, SF 6, Cl 2, or their combination
Таким образом, приведенные выше примеры проведения планиризации поверхности наноструктур материалов электронной техники пучком газовых кластерных ионов при использовании в качестве рабочего газа ксенона позволяет снизить шероховатость обрабатываемой поверхности по сравнению с использованием в качестве рабочего газа известных из уровня техники газов примерно в 2 раза позволяя достичь значений шероховатости 0,13-0,28 нм.Thus, the above examples of carrying out the planarization of the surface of nanostructures of electronic equipment with a gas cluster ion beam using xenon as the working gas can reduce the surface roughness compared to using the gases known from the prior art as the working gas to achieve roughness values 0.13-0.28 nm.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016143113A RU2695028C2 (en) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | Method for planarising nanostructures of electronic materials using cluster of clustered gas |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016143113A RU2695028C2 (en) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | Method for planarising nanostructures of electronic materials using cluster of clustered gas |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016143113A RU2016143113A (en) | 2018-05-03 |
| RU2016143113A3 RU2016143113A3 (en) | 2019-03-28 |
| RU2695028C2 true RU2695028C2 (en) | 2019-07-18 |
Family
ID=62105912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016143113A RU2695028C2 (en) | 2016-11-02 | 2016-11-02 | Method for planarising nanostructures of electronic materials using cluster of clustered gas |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2695028C2 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090087578A1 (en) * | 2007-09-29 | 2009-04-02 | Tel Epion Inc. | Method for depositing films using gas cluster ion beam processing |
| US8193094B2 (en) * | 2010-06-21 | 2012-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post CMP planarization by cluster ION beam etch |
-
2016
- 2016-11-02 RU RU2016143113A patent/RU2695028C2/en active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090087578A1 (en) * | 2007-09-29 | 2009-04-02 | Tel Epion Inc. | Method for depositing films using gas cluster ion beam processing |
| US8193094B2 (en) * | 2010-06-21 | 2012-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post CMP planarization by cluster ION beam etch |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| Buddhi Prasanga Tilakaratne, SELF-ASSEMBLED NANO-PATTERNS BY GAS CLUSTER ION BEAM BOMBARDMENT, A Dissertation Presented to the Faculty of the Department of Physics University of Houston, December, 2012. * |
| А.Е. Иешкин, Ю.А. Ермаков, В.С. Черныш. Формирование кластерных ионов различных газов в режиме импульсной подачи газа. Письма в ЖТФ, том 41, вып. 22, 2015. * |
| А.Е. Иешкин, Ю.А. Ермаков, В.С. Черныш. Формирование кластерных ионов различных газов в режиме импульсной подачи газа. Письма в ЖТФ, том 41, вып. 22, 2015. Ермаков Юрий Анварович. Формирование ускоренных газовых кластерных ионов в импульсном режиме. Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук. Москва, 2013. Buddhi Prasanga Tilakaratne, SELF-ASSEMBLED NANO-PATTERNS BY GAS CLUSTER ION BEAM BOMBARDMENT, A Dissertation Presented to the Faculty of the Department of Physics University of Houston, December, 2012. * |
| Ермаков Юрий Анварович. Формирование ускоренных газовых кластерных ионов в импульсном режиме. Авто диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук. Москва, 2013. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016143113A3 (en) | 2019-03-28 |
| RU2016143113A (en) | 2018-05-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109804459B (en) | Quasi-atomic layer etching method | |
| US10014192B2 (en) | Apparatus for atomic layering etching | |
| US8460569B2 (en) | Method and system for post-etch treatment of patterned substrate features | |
| Kazanskiy et al. | Gas discharge devices generating the directed fluxes of off-electrode plasma | |
| JP3816484B2 (en) | Dry etching method | |
| Cardinaud | Fluorine-based plasmas: main features and application in micro-and nanotechnology and in surface treatment | |
| Klimin et al. | Formation of nanosized structures on the silicon surface by a combination of focused ion beam methods and plasma-chemical etching | |
| US20100096566A1 (en) | Reducing Line Edge Roughness by Particle Beam Exposure | |
| Economou | Fast (tens to hundreds of eV) neutral beams for materials processing | |
| Anz et al. | Damage-Free Atomic-Scale Etching and Surface Enhancements by Electron-Enhanced Reactions: Results and Simulations | |
| RU2695028C2 (en) | Method for planarising nanostructures of electronic materials using cluster of clustered gas | |
| JP5246474B2 (en) | Milling apparatus and milling method | |
| Kubota et al. | 200-mm-diameter neutral beam source based on inductively coupled plasma etcher and silicon etching | |
| Yamada et al. | Lateral sputtering by gas cluster ion beams and its applications to atomic level surface modification | |
| RU2688865C2 (en) | Method of modifying nanostructures of electronic engineering materials with gas cluster ions | |
| TW201724208A (en) | Semiconductor device and method for reducing line edge roughness therein | |
| RU2477902C1 (en) | Method for formation of conductors in nanostructures | |
| Gillis et al. | Precision, damage-free etching by electron-enhanced reactions: results and simulations | |
| Mohamed et al. | The fabrication of high aspect ratio nanostructures on quartz substrate | |
| Hayashi | Recent development of Si chemical dry etching technologies | |
| US9520290B1 (en) | Ion implantation for improved etch performance | |
| Darnon | Plasma etching in microelectronics | |
| Yamada | Applications of gas cluster ion beams for materials processing | |
| RU2433081C1 (en) | Method of ion-beam treatment | |
| Jeon et al. | The high-resolution nanostructuring of Si wafer surface with 10 nm scale using a combined ion bombarding technique and chemical reaction |