RU135638U1 - DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS - Google Patents

DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS Download PDF

Info

Publication number
RU135638U1
RU135638U1 RU2013120679/28U RU2013120679U RU135638U1 RU 135638 U1 RU135638 U1 RU 135638U1 RU 2013120679/28 U RU2013120679/28 U RU 2013120679/28U RU 2013120679 U RU2013120679 U RU 2013120679U RU 135638 U1 RU135638 U1 RU 135638U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
target
substrate
laser
axis
vacuum chamber
Prior art date
Application number
RU2013120679/28U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Андрей Анатольевич Лотин
Дмитрий Александрович Зуев
Олег Алексеевич Новодворский
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук filed Critical Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук
Priority to RU2013120679/28U priority Critical patent/RU135638U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU135638U1 publication Critical patent/RU135638U1/en

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

1. Устройство для импульсного лазерного осаждения, включающее импульсно-периодический лазер, поворотное зеркало, собирающую линзу (объектив), вакуумную камеру с входными оптическими окнами, в одно из которых заводится лазерное излучение, мишень, механизм смены мишеней, располагающуюся напротив мишени подложку, механизм смены и нагрева подложек, отличающееся тем, что между подложкой и мишенью в непосредственной близости от подложки располагается плоский экран, край которого перемещается над поверхностью подложки заданным образом для получения плоской или клиновидной или более сложной поверхности пленок и многослойных структур.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мишень и подложка медленно вращаются по оси для равномерной выработки материала и однородного роста пленки соответственно.3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что толщина пленок в процессе роста контролируется кварцевым (либо элипсометрическим, либо интерферометрическим) измерителем.4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мишень выполнена в виде цилиндра, вращающегося по оси и совершающего периодические линейные движения вдоль оси для равномерной выработки материала.5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена в виде цилиндра или многогранника, вращающегося по оси и совершающего периодические линейные движения вдоль оси для однородного роста пленки.6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мишень выполнена в виде конуса, а цилиндрическая соосная подложка поступательно-вращательно движется к мишени заданным образом.7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена в виде ленты, перематывающейся с одного ба1. A device for pulsed laser deposition, including a pulse-periodic laser, a rotary mirror, a collecting lens (objective), a vacuum chamber with input optical windows, one of which has laser radiation, a target, a target change mechanism, a substrate located opposite the target, a mechanism change and heating of substrates, characterized in that between the substrate and the target in the immediate vicinity of the substrate is a flat screen, the edge of which moves above the surface of the substrate in a predetermined manner for teachings flat or wedge-shaped or more complex surface films and multilayer struktur.2. The device according to claim 1, characterized in that the target and the substrate rotate slowly along the axis for uniform material production and uniform film growth, respectively. The device according to claim 1, characterized in that the film thickness during growth is controlled by a quartz (or ellipsometric or interferometric) meter. The device according to claim 1, characterized in that the target is made in the form of a cylinder rotating along the axis and performing periodic linear movements along the axis for uniform production of material. The device according to claim 1, characterized in that the substrate is made in the form of a cylinder or a polyhedron rotating along the axis and performing periodic linear movements along the axis for uniform film growth. The device according to claim 1, characterized in that the target is made in the form of a cone, and the cylindrical coaxial substrate translationally rotationally moves toward the target in a predetermined manner. The device according to claim 1, characterized in that the substrate is made in the form of a tape rewinding from one ba

Description

Полезная модель относится к лазерной технике и технике вакуумного напыления, в частности к устройствам, применяемым для создания наноструктурированных материалов, а именно, для роста пленок, многослойных тонкопленочных структур и синтеза наночастиц полупроводников, диэлектриков, металлов, полимеров и биосовместимых материалов методом импульсного лазерного осаждения.The utility model relates to laser and vacuum deposition techniques, in particular to devices used to create nanostructured materials, namely, to grow films, multilayer thin-film structures and the synthesis of nanoparticles of semiconductors, dielectrics, metals, polymers and biocompatible materials by pulsed laser deposition.

Метод импульсного лазерного осаждения, в отличие от других существующих методов синтеза обладает возможностью в широком интервале изменять энергетический спектр (1-100 эВ), степень ионизации и плотность осаждаемых частиц и, поэтому, является одним из перспективных инструментов современных нанотехнологий. Метод импульсного лазерного осаждения обеспечивает конгруэнтность испарения мишеней любого состава и глубокий эффективный вакуум в момент осаждения благодаря высокой плотности частиц (~1014÷1017 см-3) в абляционном плазменном факеле. Одновременно достигается возможность введения легирующих примесей как из твердой фазы (мишень), так и из газовой фазы (контролируемый напуск газа в вакуумную камеру). Это дает возможность точно управлять стехиометрией состава пленок в процессе роста, а также исключает присутствие посторонних соединений в момент осаждения и роста тонких пленок, обеспечивая, таким образом, чистоту эксперимента.The pulsed laser deposition method, unlike other existing synthesis methods, has the ability to change the energy spectrum (1-100 eV), the degree of ionization, and the density of the deposited particles over a wide range and, therefore, is one of the promising tools of modern nanotechnology. The pulsed laser deposition method ensures congruence of evaporation of targets of any composition and a deep effective vacuum at the time of deposition due to the high particle density (~ 10 14 ÷ 10 17 cm -3 ) in an ablation plasma torch. At the same time, the possibility of introducing alloying impurities both from the solid phase (target) and from the gas phase (controlled gas inlet into the vacuum chamber) is achieved. This makes it possible to precisely control the stoichiometry of the film composition during growth, and also eliminates the presence of foreign compounds at the time of deposition and growth of thin films, thus ensuring the purity of the experiment.

Известно устройство для лазерно-плазменного напыления (свидетельство на полезную модель РФ №14405 от 20.03.2000 г., МПК-6: H01L 21/00; С23С 14/46, опубликованное 20.07.2000 г.). Недостатками данного устройства является отсутствие возможности полной сепарации напыляемых частиц, большие габариты и высокую скорость вращения сепаратора, связанную с устройством механической сепарации.A device for laser-plasma spraying is known (certificate for utility model of the Russian Federation No. 14405 dated 03/20/2000, IPC-6: H01L 21/00; С23С 14/46, published on July 20, 2000). The disadvantages of this device are the inability to completely separate the sprayed particles, the large size and high speed of rotation of the separator associated with the mechanical separation device.

Известно устройство для лазерного напыления и исследования тонких пленок (свидетельство на полезную модель РФ №405 от 17.08.1993 г., МПК-6: С23С 14/00, опубликованное 16.05.1995 г.), содержащее герметичную рабочую камеру с измерителем параметров пленок, окно для подачи лучевой энергии, мишень и держатель подложки. Герметичная рабочая камера снабжена дополнительной герметичной камерой, в которой размещены мишень, держатель подложки и окно для подачи лучевой энергии. Недостаток известного устройства заключается в сложности конструкции (наличие двух камер), которая обусловлена необходимостью анализа получаемых сверхпроводящих пленок в вакууме вследствие деградации поверхности пленок от соприкосновения их с окружающей средой. Также отсутствует система напуска газов и не предусмотрена возможность смены мишеней, что необходимо при создании многослойных структур из различных соединений.A device for laser spraying and research of thin films is known (certificate for utility model of the Russian Federation No. 405 of 08/17/1993, MPK-6: C23C 14/00, published on 05/16/1995), containing a sealed working chamber with a meter for film parameters, a window for supplying radiation energy, a target and a substrate holder. The sealed working chamber is equipped with an additional sealed chamber in which the target, the substrate holder and the window for supplying radiation energy are placed. A disadvantage of the known device lies in the complexity of the design (the presence of two chambers), which is due to the need to analyze the resulting superconducting films in vacuum due to degradation of the surface of the films from their contact with the environment. There is also no gas inlet system and the possibility of changing targets is not provided, which is necessary when creating multilayer structures from various compounds.

Наиболее близким к предлагаемой полезной модели является устройство для лазерно-плазменного напыления (ПРОТОТИП) (свидетельство на полезную модель РФ №89906 от 06.07.2009 г., МПК-51: H01L 21/00; С23С 14/46, опубликованное 20.12.2009 г.), содержащее импульсный лазер, объектив, мишень, механизм смены мишеней, подложку с напыляемой пленкой, механизм нагрева и смены подложек, устройство сепарации напыляемых частиц. Недостатками данного устройства является ограниченная размерами сепаратора площадь напыляемых пленок и отсутствие возможности синтеза пленок со сложной геометрией поверхности.Closest to the proposed utility model is a device for laser-plasma spraying (PROTOTYPE) (certificate for utility model of the Russian Federation No. 89906 dated July 6, 2009, IPC-51: H01L 21/00; C23C 14/46, published December 20, 2009 .) containing a pulsed laser, a lens, a target, a mechanism for changing targets, a substrate with a sprayed film, a heating mechanism and changing substrates, a device for separating sprayed particles. The disadvantages of this device is the limited size of the separator, the area of the sprayed films and the lack of synthesis of films with complex surface geometry.

Общими признаками прототипа и полезной модели технического решения являются:Common features of the prototype and utility model of a technical solution are:

наличие импульсного лазера, объектива, мишени, механизм смены мишеней, подложки с напыляемой пленкой, механизм нагрева и смены подложек.the presence of a pulsed laser, a lens, a target, a mechanism for changing targets, a substrate with a sprayed film, a mechanism for heating and changing substrates.

Задачей полезной модели является создание универсального устройства для синтеза наночастиц, вакуумного роста тонких пленок, многослойных структур и покрытий многокомпонентного состава с плоской (клиновидной и более сложной) поверхностью, а также для исследования лазерного факела.The objective of the utility model is to create a universal device for the synthesis of nanoparticles, the vacuum growth of thin films, multilayer structures and coatings of multicomponent composition with a flat (wedge-shaped and more complex) surface, as well as for studying a laser plume.

Устройство импульсного лазерного осаждения наноструктурированных материалов поясняется тремя рисунками. На рисунках представлено:The device for pulsed laser deposition of nanostructured materials is illustrated by three figures. The figures show:

1 - импульсный лазер;1 - pulsed laser;

2 - поворотное зеркало-сканатор;2 - swivel mirror scanner;

3 - собирающая линза (объектив);3 - collecting lens (lens);

4 - вакуумная камера;4 - a vacuum chamber;

5 - мишень,5 - target

6 - турель для смены мишеней;6 - turret for changing targets;

7 - лазерный факел;7 - laser torch;

8 - подложка;8 - substrate;

9 - нагреватель подложки;9 - substrate heater;

10 - экран;10 - screen;

11 - система вакуумных насосов;11 - a system of vacuum pumps;

12 - персональный компьютер;12 - personal computer;

13 - система напуска газов;13 - gas inlet system;

14 - спектрометр (либо зонд Ленгмюра);14 - spectrometer (or Langmuir probe);

Излучение импульсного (импульсно-периодического) лазера 1 заводится с помощью поворотного зеркала, закрепленного на электромагнитном сканаторе 2, в вакуумную камеру 4 и с помощью объектива 3 фокусируется на мишень, расположенную на турели для смены мишеней 6. Лазерный факел 7, образованный в результате абляции мишени конгруэнтно переносится на расположенную напротив вращающуюся подложку 8, расположенную на нагревателе 9. Нагрев подложки может осуществляться резистивным нагревателем, высокочастотным нагревателем, либо облучением непрерывного лазера с модулируемой мощностью.The radiation of a pulsed (pulsed-periodic) laser 1 is started by means of a rotary mirror mounted on an electromagnetic scanner 2, into a vacuum chamber 4 and using a lens 3 is focused on a target located on the turret for changing targets 6. Laser torch 7 formed as a result of ablation the target is congruently transferred to the opposite rotating substrate 8 located on the heater 9. The substrate can be heated by a resistive heater, a high-frequency heater, or irradiation continuously modulated power laser.

Между подложкой и мишенью в непосредственной близости от подложки располагается плоский экран 10, край которого перемещается над поверхностью подложки заданным образом для получения клиновидной и более сложной поверхности пленки и многослойных структур. Контроль толщины пленок может осуществляться количеством импульсов по заранее определенной скорости либо в процессе роста с помощью кварцевого (либо элипсометрического, либо интерферометрического) измерителя.Between the substrate and the target, in the immediate vicinity of the substrate, there is a flat screen 10, the edge of which moves above the surface of the substrate in a predetermined manner to obtain a wedge-shaped and more complex surface of the film and multilayer structures. The film thickness can be controlled by the number of pulses at a predetermined speed or during growth using a quartz (or ellipsometric or interferometric) meter.

В процессе импульсного лазерного осаждения входное оптическое окно покрывается тонкой пленкой аблируемого материала, который начинает поглощать входящее лазерное излучение, снижая его интенсивность на мишени. Для решения этой проблемы предлагается следующее:In the process of pulsed laser deposition, the input optical window is covered with a thin film of ablated material, which begins to absorb the incoming laser radiation, reducing its intensity on the target. To solve this problem, the following is proposed:

1. Расположить внутри вакуумной камеры механизм смены дополнительных оптических окон.1. Place inside the vacuum chamber a mechanism for changing additional optical windows.

2. Входное оптическое окно отнести от мишени на максимально возможное расстояние с помощью вакуумного патрубка и использовать длиннофокусную собирающую линзу (объектив) с фокусным расстоянием не менее 50 см.2. Place the input optical window as far as possible from the target using a vacuum pipe and use a telephoto collecting lens (lens) with a focal length of at least 50 cm.

Откачка вакуумной камеры осуществляется системой вакуумных насосов 11. В процессе синтеза наноструктурированных материалов (либо в режиме постростового отжига) в вакуумную камеру контролируемо могут напускаться различные газы при помощи многоканальной системы напуска газов 13. Например, в атмосфере кислорода (О2) или азота (N2) происходит стехиометрический рост пленок оксидов и нитридов металлов, а в атмосфере инертных газов при абляции мишени осуществляется синтез (конденсация) наночастиц, размеры и дисперсия которых зависит от давления инертных газов в камере.The vacuum chamber is evacuated by a system of vacuum pumps 11. During the synthesis of nanostructured materials (or in the post-growth annealing mode), various gases can be controllably introduced into the vacuum chamber using a multichannel gas inlet system 13. For example, in an atmosphere of oxygen (O 2 ) or nitrogen (N 2) the film growth occurs stoichiometric oxides and nitrides of metals, and in inert gas atmosphere at the synthesis of target ablation (condensation) nanoparticles sizes and dispersion depends on the pressur I inert gases in the chamber.

В некоторых случаях легирование пленок осуществляется лучше при внедрении не атомной компоненты газов, а ионной. Для ионизации напускаемых газов в процессе роста пленок предлагается использовать ионизатор газов, выполненный в виде стеклянной трубки с электродами, внутри которой протекает газ. К электродам подается высоковольтное высокочастотное напряжение, в результате чего в трубке загорается емкостной тлеющий разряд. Ионизатор может располагаться как внутри вакуумной камеры, так и снаружи.In some cases, doping of the films is performed better when the ionic component of the gas is not introduced. It is proposed to use a gas ionizer, made in the form of a glass tube with electrodes, inside which gas flows, to ionize the injected gases during the film growth process. A high-voltage high-frequency voltage is applied to the electrodes, as a result of which a capacitive glow discharge illuminates in the tube. The ionizer can be located both inside the vacuum chamber and outside.

Для осаждения покрытий на внутреннюю стенку полой цилиндрической подложки 8 (труба) предлагается использовать мишень 5, выполненную в виде конуса (рис.2), при этом подложка располагается соосно и совершает поступательно-вращательные движения заданным образом, что обеспечивает однородное осаждение покрытий по заданному профилю.To deposit coatings on the inner wall of a hollow cylindrical substrate 8 (pipe), it is proposed to use a target 5 made in the form of a cone (Fig. 2), while the substrate is coaxial and performs translational-rotational movements in a predetermined manner, which ensures uniform deposition of coatings along a given profile .

Для импульсного лазерного осаждения покрытий на подложку в виде ленты предлагается использовать механизм, позволяющий в процессе осаждения перематывать ленту с одного барабана на другой заданным образом (рис.3). Держатель механизма с барабанами закреплен на вращающемся основании, что позволяет после прогонки и осаждения пленки на подложку-ленту перевернуть ее и наносить покрытие на тыльную сторону ленты. Таким образом, обеспечивается осаждение покрытия на ленту с двух сторон.It is proposed to use a mechanism for pulsed laser deposition of coatings on a substrate in the form of a tape, which allows rewinding the tape from one drum to another in a predetermined manner during the deposition process (Fig. 3). The holder of the mechanism with the drums is mounted on a rotating base, which allows after sweeping and deposition of the film on the substrate-tape to turn it over and apply the coating on the back side of the tape. Thus, the coating is deposited on the tape from two sides.

При использовании непрерывного лазерного излучения (например СО2 лазера) вместо импульсно-периодического осуществляется переход от метода импульсного лазерного осаждения к термическому напылению. Осаждение материала в таком режиме при достаточно высоком давлении буферного газа (100 мТорр-1 Topp) также может приводить к конденсации наночастиц на подложке.When using continuous laser radiation (for example, a CO 2 laser), instead of pulse-periodic, a transition is made from the method of pulsed laser deposition to thermal spraying. The deposition of material in this mode at a sufficiently high pressure of the buffer gas (100 mTorr-1 Topp) can also lead to the condensation of nanoparticles on the substrate.

Claims (19)

1. Устройство для импульсного лазерного осаждения, включающее импульсно-периодический лазер, поворотное зеркало, собирающую линзу (объектив), вакуумную камеру с входными оптическими окнами, в одно из которых заводится лазерное излучение, мишень, механизм смены мишеней, располагающуюся напротив мишени подложку, механизм смены и нагрева подложек, отличающееся тем, что между подложкой и мишенью в непосредственной близости от подложки располагается плоский экран, край которого перемещается над поверхностью подложки заданным образом для получения плоской или клиновидной или более сложной поверхности пленок и многослойных структур.1. A device for pulsed laser deposition, including a pulse-periodic laser, a rotary mirror, a collecting lens (objective), a vacuum chamber with input optical windows, one of which has laser radiation, a target, a target change mechanism, a substrate located opposite the target, a mechanism change and heating of substrates, characterized in that between the substrate and the target in the immediate vicinity of the substrate is a flat screen, the edge of which moves above the surface of the substrate in a predetermined manner for teachings flat or wedge-shaped or more complex surface films and multilayer structures. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мишень и подложка медленно вращаются по оси для равномерной выработки материала и однородного роста пленки соответственно.2. The device according to claim 1, characterized in that the target and the substrate rotate slowly along the axis for uniform material production and uniform film growth, respectively. 3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что толщина пленок в процессе роста контролируется кварцевым (либо элипсометрическим, либо интерферометрическим) измерителем.3. The device according to claim 1, characterized in that the film thickness during the growth process is controlled by a quartz (or ellipsometric or interferometric) meter. 4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мишень выполнена в виде цилиндра, вращающегося по оси и совершающего периодические линейные движения вдоль оси для равномерной выработки материала.4. The device according to claim 1, characterized in that the target is made in the form of a cylinder rotating along the axis and performing periodic linear movements along the axis for uniform production of material. 5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена в виде цилиндра или многогранника, вращающегося по оси и совершающего периодические линейные движения вдоль оси для однородного роста пленки.5. The device according to claim 1, characterized in that the substrate is made in the form of a cylinder or a polyhedron that rotates along the axis and performs periodic linear movements along the axis for uniform film growth. 6. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мишень выполнена в виде конуса, а цилиндрическая соосная подложка поступательно-вращательно движется к мишени заданным образом.6. The device according to claim 1, characterized in that the target is made in the form of a cone, and the cylindrical coaxial substrate translationally rotationally moves to the target in a predetermined manner. 7. Устройство по п.1, отличающееся тем, что подложка выполнена в виде ленты, перематывающейся с одного барабана на другой заданным образом в процессе напыления, а держатель подложки установлен на вращающемся основании, что позволяет наносить покрытие на ленту с двух сторон.7. The device according to claim 1, characterized in that the substrate is made in the form of a tape being rewound from one drum to another in a predetermined manner during the deposition process, and the substrate holder is mounted on a rotating base, which allows coating the tape from two sides. 8. Устройство по п.1, отличающееся тем, что поворотное зеркало закреплено на сканаторе (например электромагнитном), позволяющем отклонять лазерный луч в пределе небольшого телесного угла заданным образом в процессе напыления для равномерной выработки материала мишени и однородного роста пленки.8. The device according to claim 1, characterized in that the rotary mirror is mounted on a scanner (for example, electromagnetic), which allows you to deflect the laser beam in the limit of a small solid angle in a predetermined manner during the deposition process to uniformly produce target material and uniform film growth. 9. Устройство по п.1, отличающееся тем, что мишень многосекционная (составная) для получения пленок сложного химического состава, сплавов, твердых растворов.9. The device according to claim 1, characterized in that the target is a multi-section (composite) to obtain films of complex chemical composition, alloys, solid solutions. 10. Устройство по п.1, отличающееся тем, что в одном из оптических окон вакуумной камеры расположен спектрометр с щелью, позволяющий регистрировать различные участки лазерного факела для определения возбужденных состояний атомов, ионов и молекул.10. The device according to claim 1, characterized in that in one of the optical windows of the vacuum chamber there is a spectrometer with a slit that allows you to register various sections of the laser plume to determine the excited states of atoms, ions and molecules. 11. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутри вакуумной камеры расположен зонд Ленгмюра для определения кинетики разлета лазерного факела.11. The device according to claim 1, characterized in that a Langmuir probe is located inside the vacuum chamber to determine the kinetics of expansion of the laser torch. 12. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутри вакуумной камеры расположен масс-спектрометр для определения химического состава лазерного факела.12. The device according to claim 1, characterized in that a mass spectrometer is located inside the vacuum chamber to determine the chemical composition of the laser torch. 13. Устройство по п.1, отличающееся тем, что вакуумная камера оснащена многоканальной системой напуска газов для получения пленок стехиометрического состава и дополнительного легирования, постростового термического отжига пленок в атмосфере различных газов, а также синтеза наночастиц.13. The device according to claim 1, characterized in that the vacuum chamber is equipped with a multi-channel gas inlet system for producing films of stoichiometric composition and additional alloying, post-growth thermal annealing of films in the atmosphere of various gases, as well as the synthesis of nanoparticles. 14. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутри (снаружи) вакуумной камеры расположен высоковольтный высокочастотный ионизатор газов, позволяющий осуществлять легирование пленок в процессе роста.14. The device according to claim 1, characterized in that a high-voltage high-frequency gas ionizer is located inside (outside) the vacuum chamber, which allows doping of films during growth. 15. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутри вакуумной камеры расположен механизм смены дополнительных окон для предотвращения загрязнения входного оптического окна лазерной плазмой.15. The device according to claim 1, characterized in that inside the vacuum chamber there is a mechanism for changing additional windows to prevent contamination of the input optical window with laser plasma. 16. Устройство по п.1, отличающееся тем, что собирающая линза (объектив) длиннофокусная, с фокусным расстоянием более 50 см, а входное оптическое окно удалено от мишени на максимально возможное расстояние с помощью вакуумного патрубка для предотвращения его загрязнения.16. The device according to claim 1, characterized in that the collecting lens (lens) is telephoto, with a focal length of more than 50 cm, and the input optical window is removed from the target as far as possible using a vacuum pipe to prevent contamination. 17. Устройство по п.1, отличающееся тем, что быстрый нагрев подложки осуществляется мощным непрерывным лазером с контролируемой модуляцией мощности через одно из оптических окон вакуумной камеры.17. The device according to claim 1, characterized in that the fast heating of the substrate is carried out by a powerful continuous laser with controlled modulation of power through one of the optical windows of the vacuum chamber. 18. Устройство по п.1, отличающееся тем, что расстояние от подложки до мишени может варьироваться для изменения скорости роста.18. The device according to claim 1, characterized in that the distance from the substrate to the target can vary to change the growth rate. 19. Устройство по п.1, отличающееся тем, что внутри вакуумной камеры расположен источник ионов с ускоряющим потенциалом для предварительной очистки подложки (ионное травление).
Figure 00000001
19. The device according to claim 1, characterized in that inside the vacuum chamber there is an ion source with an accelerating potential for preliminary cleaning of the substrate (ion etching).
Figure 00000001
RU2013120679/28U 2013-05-06 2013-05-06 DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS RU135638U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013120679/28U RU135638U1 (en) 2013-05-06 2013-05-06 DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013120679/28U RU135638U1 (en) 2013-05-06 2013-05-06 DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU135638U1 true RU135638U1 (en) 2013-12-20

Family

ID=49785431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013120679/28U RU135638U1 (en) 2013-05-06 2013-05-06 DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU135638U1 (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2662321B2 (en) Surface treatment method using ultra-slow cluster ion beam
TWI467039B (en) Film forming method and oiling substrate
WO2010041524A1 (en) Film-forming method
US20150129087A1 (en) Method of making porous nitrogenized titanium coatings for medical devices
JP2014520966A5 (en)
EP2762605B1 (en) Film formation method and film formation apparatus
Serbezov et al. Investigation of superfast deposition of metal oxide and Diamond-Like Carbon thin films by nanosecond Ytterbium (Yb+) fiber laser
Ayesh et al. Mechanisms of Ti nanocluster formation by inert gas condensation
Lorusso et al. Characterisation of Pb thin films prepared by the nanosecond pulsed laser deposition technique for photocathode application
Oskirko et al. Dual mode of deep oscillation magnetron sputtering
Zeb et al. Deposition of diamond-like carbon film using dense plasma focus
RU135638U1 (en) DEVICE FOR PULSE LASER DEPOSITION OF NANOSTRUCTURED MATERIALS
Nazabal et al. Amorphous thin film deposition
JPS63286570A (en) Thin film formation device
Wang et al. Preparation of silicon carbide film by a plasma focus device
Boyadjiev et al. Characterization of MAPLE deposited WO3 thin films for electrochromic applications
RU2653399C2 (en) Method of amorphous oxide of aluminum coating by reactive evaporation of aluminum in low pressure discharge
RU2466207C2 (en) Method for synthesis of nanostructure film on article and apparatus for realising said method
Jadhav et al. Pulsed laser deposition of graphite in air and in vacuum for field emission studies
Deng et al. Comparison of vanadium oxide thin films prepared using femtosecond and nanosecond pulsed laser deposition
Volpian et al. Magnetron technology of production of gradient optical coatings
JP3080096B2 (en) Fabrication method of large area thin film
Cancea et al. Analysis of zirconia thin films grown by Pulsed Laser Deposition
RU2407102C2 (en) Method for generation of nanostructures
Malhotra et al. AFM, XRD and optical studies of silver nanostructures fabricated under extreme plasma conditions