RU2740633C1 - Active material based on v(mo)ox with vanadium target doped with transition metal oxide, for use in microbolometer and method for production thereof - Google Patents
Active material based on v(mo)ox with vanadium target doped with transition metal oxide, for use in microbolometer and method for production thereof Download PDFInfo
- Publication number
- RU2740633C1 RU2740633C1 RU2020115271A RU2020115271A RU2740633C1 RU 2740633 C1 RU2740633 C1 RU 2740633C1 RU 2020115271 A RU2020115271 A RU 2020115271A RU 2020115271 A RU2020115271 A RU 2020115271A RU 2740633 C1 RU2740633 C1 RU 2740633C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thin film
- transition metal
- deposition
- producing
- metal oxide
- Prior art date
Links
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 239000011149 active material Substances 0.000 title description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910004140 HfO Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 abstract 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten(VI) oxide Inorganic materials O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001456 vanadium ion Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Область техники, к которой относится изобретениеThe technical field to which the invention relates
Настоящее изобретение относится к активному материалу на основе V(MO)Ox (болометрической тонкой пленке), полученному посредством применения ванадиевой мишени, легированной оксидом переходного металла (MO: WO3, Nb2O5, TiO2, HfO), для применения в микроболометре и способу его получения.The present invention relates to an active material based on V (MO) O x (bolometric thin film) obtained by using a vanadium target doped with a transition metal oxide (MO: WO 3 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , HfO) for use in microbolometer and a method for its production.
Уровень техникиState of the art
Оксиды ванадия (VOx) применяли в качестве сенсорных материалов для применения в микроболометре. Тонкие пленки на основе VOx обладают надлежащими болометрическими свойствами, такими как низкое удельное сопротивление, высокий отрицательный температурный коэффициент удельного сопротивления (TCR) и низкий уровень электрического шума. Наиболее важным параметром, который определяет шумовые характеристики детекторов микроболометров, являются болометрические свойства применяемого активного металла. В данных свойствах TCR и уровни шума являются основными факторами, которые обуславливают применимость активного материала. В уровне техники существуют некоторые затруднения в разработке активного материала с высоким TCR и низким уровнем электрического шума. Vanadium oxides (VO x ) were used as sensor materials for use in a microbolometer. VO x thin films have good bolometric properties such as low resistivity, high negative temperature coefficient of resistivity (TCR) and low electrical noise. The most important parameter that determines the noise characteristics of microbolometer detectors is the bolometric properties of the active metal used. In these properties, TCR and noise levels are the main factors that determine the applicability of the active material. In the prior art, there are some difficulties in developing an active material with a high TCR and low electrical noise.
В литературных исследованиях способы осаждения, посредством которых получают различные мишени или легированные металлами мишени, применяют в качестве методик осаждения активного материала. Поскольку данная ситуация отрицательно влияет на однородность пленки, становится трудно контролировать количество легированного металла и процесс окисления. Таким образом, воспроизводимость получения VOx является затруднительной вследствие сложности способа изготовления. Существуют также некоторые несовместимости производимого материала с методиками микропроизводства.In literature studies, deposition methods by which various targets or metal-doped targets are obtained are used as active material deposition techniques. Since this situation adversely affects the uniformity of the film, it becomes difficult to control the amount of alloyed metal and the oxidation process. Thus, the reproducibility of obtaining VO x is difficult due to the complexity of the manufacturing method. There are also some incompatibilities of the produced material with micro-manufacturing techniques.
US6489613B1US6489613B1
В US6489613B1 раскрыта оксидная тонкая пленка для болометра, содержащая оксид ванадия, представленный VOx, где x соответствует 1,5<=x<=2,0, при этом часть ионов ванадия в оксиде ванадия замещена ионом металла M, где ион металла M представляет собой по меньшей мере одно из хрома (Cr), алюминия (Al), железа (Fe), марганца (Mn), ниобия (Nb), тантала (Ta) и титана (Ti). Кроме того, представлен инфракрасный детектор, имеющий тонкую пленку болометра, определенную выше. US6489613B1 discloses an oxide thin film for a bolometer containing vanadium oxide represented by VO x , where x corresponds to 1.5 <= x <= 2.0, while part of the vanadium ions in the vanadium oxide is replaced by a metal ion M, where the metal ion M is is at least one of chromium (Cr), aluminum (Al), iron (Fe), manganese (Mn), niobium (Nb), tantalum (Ta), and titanium (Ti). In addition, an infrared detector is provided having a bolometer thin film as defined above.
В US6322670B2 раскрыт материал на основе VOx, содержащий ванадий и кислород, образующие соответствующие доли материала на основе VOx, где x представляет собой значение, выбранное для определения термического коэффициента сопротивления (TCR) от 0,005 до 0,05. Свойства материала на основе VOx могут быть изменены или модифицированы посредством регулирования определенных параметров в среде осаждения распылением ионным пучком. Способ представляет собой низкотемпературный способ (менее 100 градусов Цельсия).US6322670B2 discloses a VO x- based material containing vanadium and oxygen forming respective proportions of the VO x- based material, where x is the value chosen to determine the thermal resistance coefficient (TCR) from 0.005 to 0.05. The properties of the VO x based material can be altered or modified by adjusting certain parameters in the ion beam sputtering deposition environment. The method is a low temperature method (less than 100 degrees Celsius).
Ни один из документов в предшествующем уровне техники не раскрывает стабильный и активный материал на основе ванадия, легированный оксидами переходных металлов, а также способ получения, обеспечивающий высокую однородность и эксплуатационные характеристики, а также совместимость с CMOS. Следовательно, существует необходимость в создании активного материала на основе ванадия, имеющего высокую стабильность, с высоким TCR и низкими уровнями шума, а также способа получения, характеризующегося воспроизводимостью и высокой однородностью и совместимостью с CMOS (дополнительный металл-оксид-полупроводник).None of the documents in the prior art disclose a stable and active vanadium-based material doped with transition metal oxides, or a production method that provides high uniformity and performance as well as CMOS compatibility. Therefore, there is a need for a vanadium-based active material having high stability, high TCR and low noise levels, and a production method characterized by reproducibility and high uniformity and CMOS (supplemental metal oxide semiconductor) compatibility.
Краткое описание изобретенияBrief description of the invention
Для получения высокопроизводительных микроболометров необходимо сосредоточиться на получении материала с высоким TCR и низкими уровнями шума. Основной целью настоящего изобретения является повышение производительности болометрического устройства посредством получения тонкой пленки, характеризующейся низким уровнем электрического шума и высоким TCR (более 2,7). To obtain high performance microbolometers, you need to focus on obtaining material with high TCR and low noise levels. The main objective of the present invention is to improve the performance of a bolometric device by producing a thin film characterized by low electrical noise and high TCR (more than 2.7).
Другой целью настоящего изобретения является получение тонкой пленки для применения в микроболометре, характеризующейся высокой стабильностью.Another object of the present invention is to provide a thin film for microbolometer applications with high stability.
Еще одной целью настоящего изобретения является получение тонкой пленки, совместимой с CMOS благодаря низкотемпературному способу получения. Указанная тонкая пленка повышает совместимость с CMOS за счет применения всех стадий получения без термической обработки.Another object of the present invention is to provide a thin film compatible with CMOS due to the low temperature production method. This thin film enhances CMOS compatibility by employing all production steps without heat treatment.
Другой целью настоящего изобретения является обеспечение способа получения, характеризующегося высокой воспроизводимостью, однородностью и производительностью. Данная методика обеспечивает отличное превосходство в отношении однородности и эксплуатационных свойств по сравнению с другими способами, описанными в литературе, в которых выполняют осаждения из различных мишеней и мишени, легированной металлической фазой.Another object of the present invention is to provide a production method characterized by high reproducibility, uniformity and productivity. This technique provides excellent superiority in terms of uniformity and performance over other methods described in the literature, which perform depositions from various targets and a target doped with a metal phase.
Для достижения целей, описанных выше, представлена тонкая пленка, пригодная для болометрических вариантов применения, содержащая ванадиевую мишень, легированную одним из оксидов переходных металлов, при этом указанная тонкая пленка представлена V(MO)Ox, и оксид переходного металла (MO) представляет собой WO3, Nb2O5, TiO2, HfO. Также предложен способ получения указанной тонкой пленки, включающий стадии обеспечения ванадиевой мишени, осаждения на ванадиевую мишень одного из оксидов переходного металла, которые представляют собой WO3, Nb2O5, TiO2, HfO.To achieve the objectives described above, a thin film suitable for bolometric applications is provided containing a vanadium target doped with one of the transition metal oxides, said thin film being V (MO) O x and the transition metal oxide (MO) being WO 3 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , HfO. Also proposed is a method for producing said thin film, including the stages of providing a vanadium target, deposition on a vanadium target of one of the transition metal oxides, which are WO 3 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , HfO.
Краткое описание графических материаловBrief description of graphic materials
На чертеже показана схема способа получения активного материала (тонкой пленки) с использованием ванадиевой мишени, легированной оксидом переходного металла.The drawing shows a schematic diagram of a method for producing an active material (thin film) using a vanadium target doped with a transition metal oxide.
Подробное описание изобретенияDetailed description of the invention
Тонкую пленку, представленную в виде V(MO)Ox, согласно настоящему изобретению получают с использованием ванадиевой мишени, легированной наиболее стабильной фазой оксидов переходных металлов, при этом указанный х находится в диапазоне 1,7-2,5. Указанные оксиды переходных металлов (МО) представляют собой WO3, Nb2O5, TiO2, HfO. Таким образом, вместо металла в тонкую пленку легируют наиболее стабильную оксидную фазу. Осаждение данных оксидов переходных металлов улучшает болометрические свойства и стабильность продукта, а также повышает совместимость с CMOS за счет применения всех стадий получения без термической обработки. Болометрические свойства тонкой пленки получают в виде 2-3,5%-K-1 для TCR, параметр шума составляет 10-14-10-13. A thin film represented as V (MO) O x according to the present invention is obtained using a vanadium target doped with the most stable phase of transition metal oxides, said x being in the range 1.7-2.5. Said transition metal oxides (MO) are WO 3 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , HfO. Thus, instead of metal, the most stable oxide phase is doped into the thin film. The deposition of these transition metal oxides improves the bolometric properties and stability of the product, and also enhances compatibility with CMOS through the use of all preparation steps without heat treatment. The bolometric properties of the thin film are obtained as 2-3.5% -K -1 for TCR, the noise parameter is 10 -14 -10 -13 .
На чертеже показана схема способа получения тонкой пленки с использованием ванадиевой мишени, легированной оксидом переходного металла. Способ получения тонкой пленки приведен ниже:The drawing shows a schematic diagram of a method for producing a thin film using a vanadium target doped with a transition metal oxide. The thin film production method is shown below:
- обеспечение ванадиевой мишени,- providing a vanadium target,
- осаждение на ванадиевую мишень одного из оксидов переходных металлов, которые представляют собой WO3, Nb2O5, TiO2, HfO.- deposition on a vanadium target of one of the transition metal oxides, which are WO 3 , Nb 2 O 5 , TiO 2 , HfO.
Указанное осаждение выполняют посредством применения способов распыления под воздействием постоянного тока, импульсного постоянного тока или способов высокочастотного распыления, в то время как давление осаждения находится в диапазоне 1-5 мторр. Процесс осаждения проводят в атмосфере, состоящей на 1-30% из реактивного газа (то есть O2/Ar). Толщина осаждения тонкой пленки находится в диапазоне 50-300 нм.This deposition is carried out by using DC sputtering, pulsed DC or high frequency spraying techniques while the deposition pressure is in the range of 1-5 mTorr. The deposition process is carried out in an atmosphere of 1-30% reactive gas (ie O 2 / Ar). The deposition thickness of the thin film is in the range of 50-300 nm.
Claims (13)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/TR2018/050242 WO2019221677A1 (en) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | V(mo)ox active material with a transition metal oxide doped vanadium target for microbolometer applications and a method thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2740633C1 true RU2740633C1 (en) | 2021-01-18 |
Family
ID=64316962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020115271A RU2740633C1 (en) | 2018-05-17 | 2018-05-17 | Active material based on v(mo)ox with vanadium target doped with transition metal oxide, for use in microbolometer and method for production thereof |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP3688428A1 (en) |
| JP (1) | JP2021505756A (en) |
| IL (1) | IL274827B (en) |
| RU (1) | RU2740633C1 (en) |
| WO (1) | WO2019221677A1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6322670B2 (en) * | 1996-12-31 | 2001-11-27 | Honeywell International Inc. | Flexible high performance microbolometer detector material fabricated via controlled ion beam sputter deposition process |
| US6489613B1 (en) * | 1998-09-01 | 2002-12-03 | Nec Corporation | Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118004A (en) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Sharp Corp | Temperature-sensitive resistance film, its manufacturing method, and infrared sensor using the same |
| KR100596196B1 (en) * | 2004-01-29 | 2006-07-03 | 한국과학기술연구원 | Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film |
-
2018
- 2018-05-17 JP JP2020518774A patent/JP2021505756A/en active Pending
- 2018-05-17 WO PCT/TR2018/050242 patent/WO2019221677A1/en unknown
- 2018-05-17 EP EP18803794.9A patent/EP3688428A1/en active Pending
- 2018-05-17 RU RU2020115271A patent/RU2740633C1/en active
-
2020
- 2020-05-21 IL IL274827A patent/IL274827B/en unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6322670B2 (en) * | 1996-12-31 | 2001-11-27 | Honeywell International Inc. | Flexible high performance microbolometer detector material fabricated via controlled ion beam sputter deposition process |
| US6489613B1 (en) * | 1998-09-01 | 2002-12-03 | Nec Corporation | Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Adem Ozcelik "Vanadium-transition metal oxide alloy thin films for microbolometer applications", A Thesis in Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, The Graduate School, Department of Materials Science and Engineering, 2011 г. стр. 1-97. * |
| Adem Ozcelik "Vanadium-transition metal oxide alloy thin films for microbolometer applications", A Thesis in Materials Science and Engineering, The Pennsylvania State University, The Graduate School, Department of Materials Science and Engineering, 2011 г. стр. 1-97. Yong-Hee Han и др. "Fabrication and characterization of bolometric oxide thin film based on vanadium-tungsten alloy", SENSORS AND ACTUATORS A, т. 123-124, 2005 г., стр. 660-664. * |
| Yong-Hee Han и др. "Fabrication and characterization of bolometric oxide thin film based on vanadium-tungsten alloy", SENSORS AND ACTUATORS A, т. 123-124, 2005 г., стр. 660-664. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2019221677A1 (en) | 2019-11-21 |
| IL274827B (en) | 2022-04-01 |
| IL274827A (en) | 2020-07-30 |
| EP3688428A1 (en) | 2020-08-05 |
| JP2021505756A (en) | 2021-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Soltani et al. | Effects of Ti–W codoping on the optical and electrical switching of vanadium dioxide thin films grown by a reactive pulsed laser deposition | |
| Huang et al. | Tungsten-doped vanadium dioxide thin films on borosilicate glass for smart window application | |
| EP1560008B1 (en) | A method for fabricating an amorphous vanadium tungsten oxide thin film | |
| CN106435472B (en) | A kind of preparation method of Golden Triangle nano-grain array and the compound nested structure of vanadium dioxide film | |
| CN107686973B (en) | A kind of titanium ruthenium is co-doped with vanadium dioxide thermosensitive material film and preparation method thereof | |
| RU2740633C1 (en) | Active material based on v(mo)ox with vanadium target doped with transition metal oxide, for use in microbolometer and method for production thereof | |
| Lee et al. | Investigated performance of uncooled tantalum-doped VOx floating-type microbolometers | |
| Lee et al. | Effect of thermal annealing on the optical properties and residual stress of TiO 2 films produced by ion-assisted deposition | |
| JP2000137251A (en) | Thermochromic body and its production | |
| JPH10318842A (en) | Thin-film temperature sensitive resistance material, and its manufacturing method | |
| Shakoury et al. | Optimization of Ta 2 O 5 optical thin film deposited by radio frequency magnetron sputtering | |
| CN109913829A (en) | A kind of thermosensitive film of non-refrigerated infrared detector and preparation method thereof | |
| CN104178738A (en) | Method for preparing titanium-doped vanadium oxide film with no phase transformation and high resistance temperature coefficient | |
| Schönberger et al. | Deposition of rutile TiO2 films by pulsed and high power pulsed magnetron sputtering | |
| Campos-Gonzalez et al. | Characterization of MoO3 thin films deposited by laser ablation | |
| JP2005076105A (en) | Method for forming titanium oxynitride film | |
| Liljeholm et al. | Reactive sputtering of SiO2–TiO2 thin film from composite Six/TiO2 targets | |
| Boileau et al. | Thermochromic effect at room temperature of Sm0. 5Ca0. 5MnO3 thin films | |
| Noh et al. | The composition and structure of TiNi thin film formed by electron beam evaporation | |
| JP2002118004A (en) | Temperature-sensitive resistance film, its manufacturing method, and infrared sensor using the same | |
| KR101078208B1 (en) | Nickel oxide film for bolometer use and method thereof, infrared detector using nickel oxide film | |
| Kadivar et al. | Effect of Pre-annealing Treatment of Coating Material on MgF2 Thin Films Prepared by Thermal Evaporation Method | |
| JP5682324B2 (en) | Thermochromic body and method for producing thermochromic body | |
| JP6216222B2 (en) | Oxide film forming method, bolometer element manufacturing method | |
| US20170233858A9 (en) | Dark surface finishes on titanium alloys |