RU2738320C1 - СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СТЫК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТСЛОЕННОГО ReBCO - Google Patents
СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СТЫК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТСЛОЕННОГО ReBCO Download PDFInfo
- Publication number
- RU2738320C1 RU2738320C1 RU2020111965A RU2020111965A RU2738320C1 RU 2738320 C1 RU2738320 C1 RU 2738320C1 RU 2020111965 A RU2020111965 A RU 2020111965A RU 2020111965 A RU2020111965 A RU 2020111965A RU 2738320 C1 RU2738320 C1 RU 2738320C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- rebco
- layer
- temperature
- silver
- open
- Prior art date
Links
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 59
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 claims abstract description 10
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical group O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical group [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IGDGIZKERQBUNG-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ba] Chemical compound [Cu].[Ba] IGDGIZKERQBUNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- HQYGGVLSRVLMEE-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxidoboranyloxy(dioxido)borane Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-]B([O-])OB([O-])[O-] HQYGGVLSRVLMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910000856 hastalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/58—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation characterised by the form or material of the contacting members
- H01R4/68—Connections to or between superconductive connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R39/00—Rotary current collectors, distributors or interrupters
- H01R39/02—Details for dynamo electric machines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
- H01R43/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for manufacturing contact members, e.g. by punching and by bending
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
- H10N60/857—Ceramic superconductors comprising copper oxide
- H10N60/858—Ceramic superconductors comprising copper oxide having multilayered structures, e.g. superlattices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/048—Superconductive coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F6/00—Superconducting magnets; Superconducting coils
- H01F6/06—Coils, e.g. winding, insulating, terminating or casing arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
Использование: для формирования сверхпроводящих стыков между лентами сложных оксидов редкоземельных элементов. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования сверхпроводящего стыка между ReBCO-лентами включает обеспечение двух или более ReBCO-лент, каждая из которых имеет открытую область ReBCO; обеспечение мостика, содержащего открытый слой ReBCO и серебряное защитное покрытие на открытом слое ReBCO; соединение каждой открытой области ReBCO с открытым слоем ReBCO мостика путем нагревания до первой температуры (T1) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно низкое, чтобы минимальная температура (TJ) стыковки ReBCO была ниже температуры (TAg) плавления серебра, причем температура (T1) находится между минимальной температурой (TJ) стыковки ReBCO и температурой (TAg) плавления серебра (TJ<T1<TAg); отжиг полученного в результате стыка при второй температуре (T2), которая меньше температуры (TR) перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу (T2<TR), в течение времени (t) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно для повторного насыщения кислородом ReBCO при второй температуре (T2). Технический результат: обеспечение возможности высокой плотности тока. 5 н. и 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
Description
Область изобретения
Настоящее изобретение относится к области высокотемпературных сверхпроводников. В частности, изобретение относится к способам формирования сверхпроводящих стыков между лентами сложных оксидов редкоземельных элементов, бария и меди (ReBCO) и сверхпроводящим носителям тока, содержащим такие стыки.
Предпосылки создания
Сверхпроводящее материалы обычно делятся на «высокотемпературные сверхпроводники» (ВТСП) и «низкотемпературные сверхпроводники» (НТСП). НТСП-материалы, такие как Nb и NbTi, представляют собой металлы или сплавы металлов, сверхпроводимость которых можно описать теорией Бардина-Купера-Шриффера (БКШ). Все низкотемпературные сверхпроводники имеют критическую температуру (температуру, выше которой материал не может быть сверхпроводящим даже в магнитном поле нулевой напряженности) ниже примерно 30 K. Поведение материала ВТСП не описывается теорией БКШ, и такие материалы могут иметь критические температуры выше примерно 30 K (хотя следует отметить, что материал ВТСП характеризуют физические различия, связанные с работой в режиме сверхпроводимости и составом, а не критическая температура). Наиболее широко применяемыми ВТСП являются «купратные сверхпроводники» - керамика на основе купратов (соединений, содержащих группу оксида меди), такие как «сложный оксид висмута, стронция, кальция и меди» (BSCCO) или «сложный оксид редкоземельного элемента, бария и меди» (ReBCO, где Re - редкоземельный элемент, обычно Y или Gd). Другие ВТСП-материалы включают в себя пниктиды железа (например, FeAs и FeSe) и диборат магния (MgB2).
ReBCO обычно изготавливают в виде лент со структурой, показанной на фигуре 1. Такая лента 500, как правило, имеет толщину приблизительно 100 микрон и включает в себя подложку 501 (обычно из подвергнутого электрохимической полировке сплава хастеллоя толщиной приблизительно 50 микрон), на которую путем ионно-лучевого осаждения (ИЛО), магнетронного распыления или другим подходящим методом нанесена последовательность буферных слоев, известная как буферные прослойки 502 приблизительной толщиной 0,2 микрона. Буферные прослойки покрыты эпитаксиальным слоем 503 высокотемпературного сверхпроводящего (ВТСП) сложного оксида редкоземельного элемента, бария и меди (ReBCO) (осажденного путем химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений (ХОПФМООС) или другим подходящим методом), обычно имеющим толщину 1 микрон. На слой ВТСП распылением или другим подходящим методом осажден слой 504 серебра толщиной 1-2 микрона, а на ленту путем нанесения гальванического покрытия или другим подходящим методом нанесен слой 505 стабилизатора на основе меди, который зачастую полностью заключает в себе ленту.
Подложка 501 обеспечивает механическую основу, которую можно подавать по технологической линии и которая дает возможность выращивания последующих слоев. Буферные прослойки 502 необходимы для обеспечения двуосно-текстурированной кристаллической матрицы, на которой выращивается слой ВТСП, и предотвращения химической диффузии из подложки в ВТСП тех элементов, которые нарушают его сверхпроводящие свойства. Слой 504 серебра необходим для обеспечения границы раздела с низким сопротивлением от ReBCO к слою стабилизатора, а слой 505 стабилизатора обеспечивает альтернативный путь тока в случае, если какая-либо часть ReBCO перестает быть сверхпроводящей (переходит в «обычное» состояние).
Стыки между ReBCO-лентами представляют собой важный компонент ReBCO-систем. Для систем, работающих в «установившемся режиме», где используют замкнутый контур сверхпроводника для пропускания постоянного тока и создания квазипостоянного магнита, для замыкания этого контура требуется стык. Для всех ReBCO-магнитов стыки могут потребоваться из-за ограниченных длин одиночных лент или из-за требований к геометрии. Сопротивление каждого стыка добавляется к полному сопротивлению магнита. Для работы в установившемся режиме сопротивление должно быть меньше 5×10-12 Ом, а меньшие сопротивления всех стыков будут приводить к большей эффективности и пониженной криогенной нагрузке. При воплощении обычных производственных технологий стыки низкотемпературных сверхпроводников могут иметь сопротивления 10-13 Ом или менее, но химические и структурные требования к стыкам ReBCO означают, что получать такие низкие сопротивления становится значительно труднее.
Фиг.2a-2c иллюстрируют различные типы стыков сверхпроводящих лент или проводов. Стыки могут быть «соединениями встык» (фиг.2a), когда два сверхпроводящих элемента 211, 212 размещаются встык, «соединениями внахлест» (фиг.2b), когда два сверхпроводящих элемента 221, 222 накладываются один поверх другого, или «непрямыми соединениями» (фиг.2c), когда два сверхпроводящих элемента 231, 232 соединяются через промежуточный сверхпроводящий элемент 233 (например, припой, порошок или деталей типа «перемычек» ленты). Можно выполнять гибридные соединения внахлест/встык, используя конфигурации со «скосами», когда каждый проводник (жила) шлифуется до малого угла скольжения, или конфигурации «со ступеньками», когда каждый проводник шлифуется в последовательность зазубренных ступенек, при этом отшлифованные области вводятся в контакт в каждом случае.
Обзор предшествующего уровня техники в сверхпроводящих стыках представлен в статье Brittles G., Mousavi T., Grovenor C., Aksoy C. and Speller S. (2015). Persistent current joints between technological superconductors” («Стыки с незатухающим током между технологическими сверхпроводниками»), “Superconductor Science and Technology”, 28(9), с.093001.
Затруднения при создании сверхпроводящих стыков ReBCO вытекают главным образом из двух факторов. Во-первых, ReBCO не обладает особенно высоким сродством к кислороду и будет легко отдавать его другим материалам. Именно по этой причине на ReBCO-ленте необходим слой 504 серебра. Любой низкотемпературный сверхпроводник будет отбирать кислород из ReBCO, что приводит к несверхпроводящей области в стыке. Поэтому любой стык ReBCO должен быть ВТСП-ВТСП. Однако, при температурах, необходимых для плавления или возможности диффузии атомов в ReBCO, достаточной для создания связи (т.е. превышающих «минимальную температуру стыковки»), кислород будет диффундировать из кристалла при парциальных давлениях кислорода (PO2) на уровне или ниже атмосферного давления (и даже более высоком PO2 при более высоких температурах).
Во-вторых, температура плавления ReBCO изменяется по log(PO2) (Taïr F и др. (2017), Melting temperature of YBaCuO and GdBaCuO at subatmospheric partial pressure («Температура плавления YBaCuO и GdBaCuO при субатмосферном парциальном давлении»), Journal of Alloys and Соmpounds, том 692, сс.787-792). При PO2, равном или большем, чем атмосферное давление, температура плавления ReBCO больше, чем у защитного слоя серебра. Это вызывает плавление и диффузию слоя серебра в слой ReBCO, если связь пытаются создать при высоком PO2, вызывая разрушение слоя ReBCO до того, как можно будет сформировать стык.
Найдены методы, которые обеспечивают сверхпроводящий стык ReBCO-ReBCO, несмотря на вышеупомянутые проблемы (Park Y., Lee M., Ann H., Choi Y. и Lee H. (2014), A superconducting joint for GdBa 2 Cu 3 O 7− δ -coated conductors («Сверхпроводящий стык для проводников с покрытием GdBa 2 Cu 3 O 7− δ »). NPG Asia Materials, 6(5), с.e98). С подлежащих стыковке ReBCO-лент снимают их слой серебра путем его химического растворения и размещают ленты в контакте лицевыми частями в конфигурации соединения внахлест. Стык подвергают одноосному сжатию при давлении приблизительно 10 MPa в среде с PO2 менее 10-2 торр, вызывая понижение температуры плавления ReBCO до меньшего значения, чем у серебра. Осуществляют термообработку лент при 850°C в течение короткого времени (~1 минута), обеспечивая сплавление слоев ReBCO.
На этой стадии на стыке ReBCO будет обедняться кислородом, а значит будет несверхпроводящим при рабочих условиях, означая, что стык будет резистивным. Чтобы преодолеть это, стык отжигают в среде с высоким содержанием кислорода (PO2 = 5×103 торр при 500°C). Однако, диффузия кислорода в ReBCO ограничивается подложкой и буферными слоями. Это можно смягчить лазерной прошивкой ReBCO-лент последовательностью 20-микронных отверстий перед стыковкой, но даже при проведении этого этапа отжиг занимает очень длительное время, приблизительно 350 часов.
Этап отжига должен происходить ниже температуры перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу, которая составляет от 530°C до 580°C для YBCO (в зависимости от PO2). Его обычно проводят при 500°C.
Альтернативным способом является выращивание промежуточной ReBCO-пленки или объема на месте во время процесса стыковки (необязательно имеющего меньшую температуру плавления, чем у ReBCO в лентах, подлежащих стыковке) для формирования мостика между двумя лентами. Это делают, размещая на лентах прессованный порошок ReBCO или суспензию порошка/связующего. Хотя это будет приводить к формированию слоя ReBCO, слой ReBCO, сформированный на месте во время стыковки, не будет текстурированным или не будет обладать необходимыми наноструктурными свойствами, присутствующими в эксфолиированном (отслоенном) ReBCO, и таким образом будет иметь низкую плотность тока.
Сущность изобретения
В соответствии с первым аспектом настоящего изобретения предложен способ формирования сверхпроводящего стыка между ReBCO-лентами. Обеспечивают две или более ReBCO-лент, каждая из которых имеет открытую область ReBCO. Обеспечивают мостик, содержащий открытый слой ReBCO и проницаемое для кислорода защитное покрытие на открытом слое ReBCO. Каждую открытую область ReBCO соединяют с открытым слоем ReBCO мостика путем нагревания до первой температуры (T1) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно низкое, чтобы минимальная температура (TJ) стыковки ReBCO была ниже температуры (TAg) плавления серебра, причем температура (T1) находится между минимальной температурой (TJ) стыковки ReBCO и температурой (TAg) плавления серебра (TJ˂T1˂TAg). Полученный в результате стык отжигают при второй температуре (T2), которая ниже температуры (TR) перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу (T2˂TR), в течение времени (t) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно для повторного насыщения кислородом ReBCO при второй температуре (T2).
В соответствии со вторым аспектом предложен способ формирования сверхпроводящего стыка между ReBCO-лентами. По меньшей мере одна из ReBCO-лент является лентой отслоенного ReBCO, содержащей слой ReBCO, соединенный с соответствующими слоями серебра на каждой стороне этого слоя ReBCO. Слой серебра химически удаляют с области, подлежащей стыковке, на каждой ReBCO-ленте, чтобы получить открытую область ReBCO на каждой ленте. Открытые области ReBCO соединяют друг с другом путем нагревания до первой температуры (T1) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно низкое, чтобы минимальная температура (TJ) стыковки ReBCO была ниже температуры (TAg) плавления серебра, причем температура (T1) находится между минимальной температурой (TJ) стыковки ReBCO и температурой (TAg) плавления серебра (TJ˂T1˂TAg). Полученный в результате стык отжигают при второй температуре (T2), которая ниже температуры (TR) перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу (T2˂TR), в течение времени (t) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно для повторного насыщения кислородом ReBCO при второй температуре (T2).
В соответствии с третьим аспектом предложен сверхпроводящий носитель тока, содержащий две ReBCO-ленты, соединенные стыком, содержащим мостик, включающий открытый слой ReBCO и проницаемое для кислорода защитное покрытие на открытом слое ReBCO, причем открытый слой ReBCO соединен со слоем ReBCO каждой из лент.
В соответствии с четвертым аспектом предложен сверхпроводящий носитель тока, содержащий две ReBCO-ленты, соединенные стыком, содержащим мостик, причем по меньшей мере одна из ReBCO-лент представляет собой ленту отслоенного ReBCO, содержащую слой ReBCO, соединенный с соответствующими слоями серебра на каждой стороне слоя ReBCO, и при этом слои ReBCO каждой ленты соединены в упомянутом стыке.
В соответствии с пятым аспектом предложена обмотка поля (обмотка возбуждения), содержащая сверхпроводящий носитель тока в соответствии с четвертым или пятым аспектом.
Краткое описание чертежей
Фиг.1 представляет собой схематическое изображение ReBCO-ленты;
Фиг.2a-2c представляют собой схематические изображения стыков между ReBCO-лентами;
Фиг.3 представляет собой схематическое изображение процесса отслаивания ReBCO-ленты;
Фиг.4 представляет собой схематическое изображение процесса формирования стыка между ReBCO-лентами;
Фиг.5 представляет собой схематическое изображение процесса формирования непрямого стыка между ReBCO-лентами.
Подробное описание
Последние достижения в изготовлении ReBCO-лент обеспечили возможность «отслаивания» длинных ReBCO-участков, т.е. снятия без повреждения со слоя подложки. Этот процесс проиллюстрирован на фиг.3. В процесс вводят ReBCO-ленту 301 (показанную здесь содержащей подложку 311, буферные прослойки 312, слой 313 ReBCO и слой 314 серебра, т.е. без слоя стабилизатора), а подложку 311 и буферные прослойки 312 отслаивают, оставляя «отслоенные» слой 313 ReBCO и слои 314 серебра. На слой серебра для поддержки отслаиваемого ReBCO во время процесса наносят защитное наслоение 315. После отслаивания защитное наслоение 315 может быть удалено. Вместе с тем, защитное наслоение 315 улучшает структурные свойства отслоенного ReBCO, поскольку маловероятно, что слой серебра достаточно механически устойчив для многих приложений. Поскольку слой 313 ReBCO происходит из ReBCO-ленты, он будет полностью текстурированным и иметь сверхпроводящие свойства, аналогичные исходной ленте.
Если бы отслоенный ReBCO использовали как стандартную токонесущую ленту, на открытую поверхность ReBCO наносили бы второй слой серебра, и лента была бы полностью инкапсулированной в слое стабилизатора, формируя ленту отслоенного ВТСП. Однако, для создания усовершенствованного стыка ReBCO-ReBCO можно использовать отслоенный ReBCO с одиночным слоем серебра. Слой 314 серебра проницаем для кислорода, а защитное наслоение 315 можно выполнить из проницаемого для кислорода материала, такого как серебро (поскольку оно не имеет таких же структурных ограничений, как подложка 311). Следовательно, если в стыке ReBCO-ReBCO используют отслоенный ReBCO, то диффузия кислорода в ReBCO будет значительно быстрее, чем для стыка между двумя ВТСП-лентами с подложками (т.е. ReBCO-лентами со все ещё прикрепленной подложкой). Если отслоенный ReBCO должен использоваться в одной или более отслоенных лентах, стыкуемых друг с другом, то на ленту можно нанести второй слой серебра и слой стабилизатора, за исключением областей, подлежащих стыковке, чтобы устранить необходимость этапа химического удаления слоя серебра. Отслоенная лента структурно отличается от обычных ReBCO-лент тем, что лента отслоенного ВТСП содержит слой ReBCO со слоем серебра на каждой поверхности, тогда как обычная ВТСП-лента содержит слой ReBCO со слоем серебра на одной поверхности и оксидные буферные прослойки на другой поверхности (которая соединена с подложкой).
Это можно обеспечить в виде стыка между двумя лентами отслоенных ВТСП, каждая из которых содержит слой 413 ReBCO и два слоя 414 серебра, как показано на фиг.4, т.е.:
• Этап 401: химически удаляют слой серебра с одной стороны (401a) лент 41a отслоенных ВТСП в области, подлежащей стыковке, или снабжают ленты 41b отслоенных ВТСП неполным слоем серебра на одной стороне (401b), оставляя ReBCO открытым в области 42, подлежащей стыковке;
• Этап 402: вводят открытые области 42 ReBCO в контакт и подвергают термообработке в среде с низким содержанием кислорода (PO2 < приблизительно 200 торр) при температуре T, превышающей минимальную температуру TJ стыковки ReBCO (приблизительно 800°C при PO2 = 0,01 торр), но ниже температуры TAg плавления серебра (961°C при стандартном давлении);
• Этап 403: отжигают состыкованные ВТСП-ленты в богатой кислородом среде ниже температуры перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу (от 530°C до 580°C в зависимости от PO2), возвращая кислород в ReBCO.
Примерные температуры даны для YBCO и будут отличаться для других редкоземельных элементов.
Этап отжига будет значительно быстрее, чем для ВТСП-лент с подложками. Точные промежутки времени будут зависеть от используемых температуры и PO2, но достижимы времена менее 5 часов, а процесс при 500°C в чистом кислороде при 1 атмосфере (760 торр) будет занимать приблизительно 1 час. Это значительное улучшение по сравнению с 350 часами, требуемыми методами предшествующего уровня техники.
Аналогичным способом можно сформировать стык между лентой отслоенного ВТСП и ВТСП-лентами с подложкой.
В качестве дополнительной альтернативы, можно сформировать непрямой стык между любой совокупностью лент отслоенных ВТСП и ВТСП-лентами с подложками, используя отслоенный ReBCO с проницаемым для кислорода защитным покрытием (т.е. только серебро или серебро с проницаемым для кислорода защитным слоем 315) в качестве «мостика» между лентами, подлежащими стыковке.
Способ формирования непрямого стыка между двумя ВТСП-лентами с подложками, причем каждая из лент содержит слой 513 ReBCO, слой 514 серебра и подложку 511, показан на фиг.5.
• Этап 501: химически удаляют слой серебра с ВТСП-лент 51 с подложками в области, подлежащей стыковке, оставляя ReBCO в области 52, подлежащей стыковке, открытым.
• Этап 502: вводят ReBCO ВТСП-лент 51 с подложкой в контакт с ReBCO-участком отслоенного ReBCO с проницаемым для кислорода защитным покрытием 53 и выполняют термообработку стыка в среде с низким содержанием кислорода (PO2 < приблизительно 200 торр) при температуре T, превышающей минимальную температуру TR стыковки ReBCO (приблизительно 800°C при PO2 < 0,01 торр), но ниже температуры TAg плавления серебра (961°C).
• Этап 503: отжигают стык в богатой кислородом среде ниже температуры перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу (от 530°C до 560°C в зависимости от PO2), возвращая кислород в ReBCO.
Отслоенный ReBCO с проницаемым для кислорода защитным покрытием можно снабдить защитным слоем серебра на стороне, подлежащей стыковке (для хранения и транспортировки), и в этом случае его можно удалить на этапе 501.
«Богатая кислородом среда» на этапах 403 и 503 представляет собой среду с PO2, достаточным, чтобы вызвать повторное насыщение кислородом ReBCO, например, с PO2 выше атмосферных уровней (0,21 атм=160 торр) или с PO2 более 1 атм (760 торр). Минимальное требуемое PO2 будет зависеть от температуры, используемой для этапа отжига, при этом более высокая температура требует большего PO2.
Хотя пример по фиг.5 показывает только две ленты, стыкуемые в линейной конфигурации, следует понимать, что несколько лент могут быть состыкованы в многообразии конфигураций.
Химическое удаление слоя серебра на этапе 401a или 501 можно обеспечить любыми подходящими средствами, которые дали бы возможность удаления слоя серебра без затрагивания ReBCO. Например, для растворения слоя серебра на лентах без медного стабилизатора можно использовать раствор KI+I˸H2O. Для лент с медным стабилизатором для растворения меди можно использовать раствор FeCl3, а затем для удаления хлорида серебра, образовавшегося при этой реакции, а также остаточного слоя серебра, - раствор H2O2˸NH4OH.
Claims (28)
1. Способ формирования сверхпроводящего стыка между ReBCO-лентами, включающий:
обеспечение двух или более ReBCO-лент, каждая из которых имеет открытую область ReBCO;
обеспечение мостика, содержащего открытый слой ReBCO и серебряное защитное покрытие на открытом слое ReBCO;
соединение каждой открытой области ReBCO с открытым слоем ReBCO мостика путем нагревания до первой температуры (T1) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно низкое, чтобы минимальная температура (TJ) стыковки ReBCO была ниже температуры (TAg) плавления серебра, причем температура (T1) находится между минимальной температурой (TJ) стыковки ReBCO и температурой (TAg) плавления серебра (TJ˂T1˂TAg);
отжиг полученного в результате стыка при второй температуре (T2), которая меньше температуры (TR) перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу (T2˂TR), в течение времени (t) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно для повторного насыщения кислородом ReBCO при второй температуре (T2).
2. Способ по п.1, в котором открытый слой ReBCO представляет собой текстурированный слой ReBCO.
3. Способ по п.2, в котором обеспечение мостика включает:
обеспечение ReBCO-ленты, имеющей подложку, буферные прослойки, слой ReBCO и слой серебра;
удаление подложки и буферных прослоек с ReBCO-ленты.
4. Способ по п.2, в котором обеспечение мостика включает:
обеспечение ReBCO-ленты, имеющей слой ReBCO и соответствующий слой серебра на каждой стороне слоя ReBCO;
удаление слоя серебра с одной стороны слоя ReBCO.
5. Способ по любому предыдущему пункту, в котором обеспечение упомянутых двух или более ReBCO-лент, каждая из которых имеет открытую область ReBCO, включает для по меньшей мере одной из ReBCO-лент химическое удаление слоя серебра с ReBCO-ленты для формирования открытой области ReBCO.
6. Способ формирования сверхпроводящего стыка между ReBCO-лентами, включающий:
обеспечение первой ReBCO-ленты, которая представляет собой ленту отслоенного ReBCO, содержащую слой ReBCO, соединенный с соответствующими слоями серебра на каждой стороне слоя ReBCO;
обеспечение второй ReBCO-ленты, содержащей слой ReBCO, соединенный со слоем серебра на по меньшей мере одной стороне слоя ReBCO;
химическое удаление слоя серебра с области, подлежащей стыковке, на каждой из первой и второй ReBCO-лент для получения открытой области ReBCO на каждой ленте;
соединение открытых областей ReBCO друг с другом путем нагревания до первой температуры (T1) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно низкое, чтобы минимальная температура (TJ) стыковки ReBCO была ниже температуры (TAg) плавления серебра, причем температура (T1) находится между минимальной температурой (TJ) стыковки ReBCO и температурой (TAg) плавления серебра (TJ˂T1˂TAg);
отжиг полученного в результате стыка при второй температуре (T2), которая меньше температуры (TR) перехода ReBCO из орторомбической в тетрагональную фазу (T2˂TR), в течение времени (t) в среде, где парциальное давление кислорода достаточно для повторного насыщения кислородом ReBCO при второй температуре (T2).
7. Способ по п.6, в котором вторая лента ReBCO содержит буферные прослойки и подложку на противоположной слою серебра стороне слоя ReBCO.
8. Способ по п.6, в котором вторая лента ReBCO содержит дополнительный слой серебра на другой стороне ReBCO-ленты.
9. Способ по п.1 или 6, в котором время (t) составляет менее 5 часов, предпочтительнее менее 1 часа.
10. Способ по п.1 или 6, в котором богатая кислородом среда представляет собой среду чистого кислорода.
11. Сверхпроводящий носитель тока, содержащий две ReBCO-ленты, соединенные стыком, содержащим мостик,
при этом мостик содержит открытый слой ReBCO и серебряное защитное покрытие на открытом слое ReBCO;
при этом открытый слой ReBCO соединен со слоем ReBCO каждой из ReBCO-лент.
12. Сверхпроводящий носитель тока, содержащий две ReBCO-ленты, соединенные стыком, причем по меньшей мере одна из ReBCO-лент представляет собой ленту отслоенного ReBCO, содержащую слой ReBCO, соединенный с соответствующими слоями серебра на каждой стороне слоя ReBCO, и при этом слои ReBCO каждой ленты соединены в упомянутом стыке.
13. Обмотка поля, содержащая сверхпроводящий носитель тока по п.11 или 12.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB1713683.9A GB2565839A (en) | 2017-08-25 | 2017-08-25 | Superconducting joint using exfoliated ReBCO |
GB1713683.9 | 2017-08-25 | ||
PCT/GB2018/052359 WO2019038528A1 (en) | 2017-08-25 | 2018-08-20 | SUPERCONDUCTING JOINT USING AN EXFOLIATED REBCO |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2738320C1 true RU2738320C1 (ru) | 2020-12-11 |
Family
ID=60037159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020111965A RU2738320C1 (ru) | 2017-08-25 | 2018-08-20 | СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СТЫК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТСЛОЕННОГО ReBCO |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10840616B2 (ru) |
EP (1) | EP3673520B1 (ru) |
JP (1) | JP6872668B2 (ru) |
KR (1) | KR102340155B1 (ru) |
CN (1) | CN111226322A (ru) |
CA (1) | CA3073891C (ru) |
GB (1) | GB2565839A (ru) |
RU (1) | RU2738320C1 (ru) |
WO (1) | WO2019038528A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102179595B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2020-11-16 | 브룩해븐 테크놀로지 그룹, 인크. | 2세대 초전도체들을 릴-대-릴 박리하고 가공하는 방법 |
CN109065256A (zh) * | 2018-08-27 | 2018-12-21 | 广东电网有限责任公司 | 一种超导带材封装结构及其制备方法 |
US11101215B2 (en) * | 2018-09-19 | 2021-08-24 | PsiQuantum Corp. | Tapered connectors for superconductor circuits |
US11380461B2 (en) * | 2019-07-02 | 2022-07-05 | Northrop Grumman Systems Corporation | Superconducting flexible interconnecting cable connector |
JP2021068583A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線材接続構造 |
JP2021068582A (ja) * | 2019-10-23 | 2021-04-30 | 国立大学法人京都大学 | 超電導線材接続構造 |
CN114464365B (zh) * | 2020-11-10 | 2023-07-07 | 上海交通大学 | 复合超导带材、组合体及制备方法、接头连接或过渡方法 |
CN113436802A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-09-24 | 华北电力大学 | 一种准各向同性导体连接方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2308789C1 (ru) * | 2006-04-12 | 2007-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный инстиут электронной техники (технический университет) | Способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника |
WO2008118127A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-10-02 | American Superconductor Corporation | Low resistance splice for high temperature superconductor wires |
RU2371795C1 (ru) * | 2008-10-31 | 2009-10-27 | Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (РАН) (Государственное учреждение) | Способ изготовления сверхпроводящей многослойной ленты |
US20150357089A1 (en) * | 2013-03-29 | 2015-12-10 | K. Joins. Inc. | METHOD OF PERSISTENT CURRENT MODE SPLICING OF 2G ReBCO HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS USING SOLID STATE PRESSURIZED ATOMS DIFFUSION BY DIRECT FACE-TO-FACE CONTACT OF HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING LAYERS AND RECOVERING SUPERCONDUCTIVITY BY OXYGENATION ANNEALING |
RU2613355C2 (ru) * | 2012-08-29 | 2017-03-16 | Санам Ко., Лтд. | Способ изготовления сверхпроводящего провода и сверхпроводящий провод, изготовленный этим способом |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU653983B2 (en) * | 1991-02-25 | 1994-10-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Junction between wires employing oxide superconductors and joining method therefor |
JP3143932B2 (ja) * | 1991-02-25 | 2001-03-07 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線の製造方法 |
EP0545608A3 (en) * | 1991-12-02 | 1993-07-14 | General Electric Company | Superconducting joint for oxide superconductor tape |
JP2998398B2 (ja) * | 1992-02-20 | 2000-01-11 | 住友電気工業株式会社 | 超電導線の接合方法 |
JPH065342A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-01-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導線の接合方法 |
US5882536A (en) * | 1995-10-12 | 1999-03-16 | The University Of Chicago | Method and etchant to join ag-clad BSSCO superconducting tape |
JPH09223623A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-26 | Ind Technol Res Inst | Bi−2223材料の高Tc超伝導ループ及び同ループを製造するためのダイと方法 |
US8195260B2 (en) * | 2008-07-23 | 2012-06-05 | American Superconductor Corporation | Two-sided splice for high temperature superconductor laminated wires |
WO2010016720A2 (ko) * | 2008-08-04 | 2010-02-11 | 고려대학교 산학협력단 | 2세대 고온 초전도 선재의 용융확산 접합방법 |
WO2013164918A1 (ja) * | 2012-05-02 | 2013-11-07 | 古河電気工業株式会社 | 超電導線の接続構造、超電導線の接続方法及び接続用超電導線 |
KR101374177B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-03-14 | 케이조인스(주) | 고온 초전도체층의 직접 접촉에 의한 부분 미세 용융 확산 압접을 이용한 2세대 ReBCO 고온 초전도체의 접합 및 산소 공급 어닐링 열처리에 의한 초전도 회복 방법 |
KR101374212B1 (ko) * | 2013-08-16 | 2014-03-17 | 케이조인스(주) | ReBCO 고온 초전도 선재 접합 장치 및 이를 이용한 접합 방법 |
WO2015118732A1 (ja) * | 2014-02-04 | 2015-08-13 | 国立研究開発法人理化学研究所 | 高温超伝導線材の低抵抗接続体および接続方法 |
JP6712125B2 (ja) * | 2015-09-04 | 2020-06-17 | 株式会社フジクラ | 酸化物超電導線材の接続構造体およびその製造方法 |
CN106356692B (zh) * | 2016-10-28 | 2018-10-16 | 清华大学深圳研究生院 | 一种加工超导导线接头连接体的设备和方法 |
-
2017
- 2017-08-25 GB GB1713683.9A patent/GB2565839A/en not_active Withdrawn
-
2018
- 2018-08-20 CN CN201880055238.0A patent/CN111226322A/zh active Pending
- 2018-08-20 US US16/641,512 patent/US10840616B2/en active Active
- 2018-08-20 CA CA3073891A patent/CA3073891C/en active Active
- 2018-08-20 WO PCT/GB2018/052359 patent/WO2019038528A1/en active Search and Examination
- 2018-08-20 RU RU2020111965A patent/RU2738320C1/ru active
- 2018-08-20 KR KR1020207008164A patent/KR102340155B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-20 JP JP2020510512A patent/JP6872668B2/ja active Active
- 2018-08-20 EP EP18759717.4A patent/EP3673520B1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2308789C1 (ru) * | 2006-04-12 | 2007-10-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный инстиут электронной техники (технический университет) | Способ изготовления толстопленочной структуры на основе высокотемпературного сверхпроводника |
WO2008118127A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-10-02 | American Superconductor Corporation | Low resistance splice for high temperature superconductor wires |
RU2371795C1 (ru) * | 2008-10-31 | 2009-10-27 | Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (РАН) (Государственное учреждение) | Способ изготовления сверхпроводящей многослойной ленты |
RU2613355C2 (ru) * | 2012-08-29 | 2017-03-16 | Санам Ко., Лтд. | Способ изготовления сверхпроводящего провода и сверхпроводящий провод, изготовленный этим способом |
US20150357089A1 (en) * | 2013-03-29 | 2015-12-10 | K. Joins. Inc. | METHOD OF PERSISTENT CURRENT MODE SPLICING OF 2G ReBCO HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS USING SOLID STATE PRESSURIZED ATOMS DIFFUSION BY DIRECT FACE-TO-FACE CONTACT OF HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTING LAYERS AND RECOVERING SUPERCONDUCTIVITY BY OXYGENATION ANNEALING |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA3073891C (en) | 2021-01-12 |
US20200194909A1 (en) | 2020-06-18 |
KR20200130804A (ko) | 2020-11-20 |
CA3073891A1 (en) | 2019-02-28 |
EP3673520A1 (en) | 2020-07-01 |
US10840616B2 (en) | 2020-11-17 |
GB201713683D0 (en) | 2017-10-11 |
JP6872668B2 (ja) | 2021-05-19 |
GB2565839A (en) | 2019-02-27 |
JP2020533731A (ja) | 2020-11-19 |
KR102340155B1 (ko) | 2021-12-16 |
EP3673520B1 (en) | 2021-09-22 |
WO2019038528A1 (en) | 2019-02-28 |
CN111226322A (zh) | 2020-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2738320C1 (ru) | СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СТЫК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОТСЛОЕННОГО ReBCO | |
US8716188B2 (en) | Structure to reduce electroplated stabilizer content | |
CA2622384C (en) | High temperature superconducting wires and coils | |
US5280013A (en) | Method of preparing high temperature superconductor films on opposite sides of a substrate | |
JP5663312B2 (ja) | Hts物品を形成する方法 | |
JP2009503794A (ja) | 高温超電導体ワイヤのためのアーキテクチャ | |
US5521150A (en) | Method of joining Y-based oxide superconductors | |
JP3836299B2 (ja) | 酸化物超電導導体の接続方法 | |
US20050016759A1 (en) | High temperature superconducting devices and related methods | |
US20200343652A1 (en) | Joined superconducting tape | |
US20180061542A1 (en) | Improved Superconductor Compositions | |
KR20160040383A (ko) | Rebco 초전도층 간 rebco 물질 삽입을 통한 2세대 고온 초전도체 영구전류모드 접합 방법 | |
Tomita et al. | Development of Bi-2212 coils applying dip-coating and melt-solidification process | |
JPH09249498A (ja) | 酸化物超電導体多層膜 |