RU2727762C1 - Способ определения толщины тонких пленок - Google Patents

Способ определения толщины тонких пленок Download PDF

Info

Publication number
RU2727762C1
RU2727762C1 RU2020109639A RU2020109639A RU2727762C1 RU 2727762 C1 RU2727762 C1 RU 2727762C1 RU 2020109639 A RU2020109639 A RU 2020109639A RU 2020109639 A RU2020109639 A RU 2020109639A RU 2727762 C1 RU2727762 C1 RU 2727762C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thickness
film
substrate
titanium nitride
thin films
Prior art date
Application number
RU2020109639A
Other languages
English (en)
Inventor
Пётр Михайлович Корусенко
Сергей Николаевич Несов
Константин Николаевич Полещенко
Денис Андреевич Полонянкин
Александр Иосифович Блесман
Евгений Евгеньевич Тарасов
Виктор Викторович Федосов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ)
Priority to RU2020109639A priority Critical patent/RU2727762C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2727762C1 publication Critical patent/RU2727762C1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/02Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

Использование: для определения толщины тонких пленок. Сущность изобретения заключается в том, что осаждают тонкие пленки с различной толщиной слоя на подложку, измеряют толщину слоя методом атомно-силовой микроскопии, измеряют аналитический сигнал рентгеновской флуоресценции от элементов пленки и подложки, выполняют построение градуировочной зависимости, при этом аналитический сигнал рентгеновской флуоресценции регистрируют методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии при двух различных энергиях первичного электронного пучка от элемента-маркера, входящего только в состав подложки из различных титановых сплавов, на которую ионно-плазменным методом наносят пленку на основе нитрида титана, исходя из построенной градуировочной зависимости ослабления сигнала от элемента-маркера определяют фактическую толщину нанесенной пленки. Технический результат: обеспечение возможности получения данных о толщине пленокна основе нитрида титана толщиной до 100 нм без их разрушения и модифицирования. 2 табл., 10 ил.

Description

Изобретение относится к области неразрушающего контроля и физико-химического анализа, а именно к способу определения толщины тонких (до 100 нм) пленок на основе нитрида титана, сформированных ионно-плазменными методами на подложках из различных титановых сплавов по данным рентгеновской флуоресценции, зарегистрированной методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии.
Известен способ определения толщины однородного покрытия (патент RU 2619133С1, опубликовано 12.05.2017, бюл. № 14) посредством вдавливания в поверхность материала цилиндрического индентора. Недостатком данного способа является то, что его применение к тонкому покрытию может привести к локальному разрушению покрытия, что в ряде случаев является нежелательным. Кроме того, этот способ дает большую величину погрешности измерения толщины покрытия на основе нитрида титана, нанесенного на подложку из титанового сплава вследствие высокой твердости исследуемой композиции.
Известен способ определения толщины двухслойных материалов и составляющих их слоев с помощью импульсов упругих волн (патент RU 2625261С1, опубликовано 12.07.2017, бюл. № 20) путем регистрации и анализа времени прихода отраженных от поверхностей объекта контроля и границ его слоев акустических импульсов. Недостатками данного способа являются обязательное наличие четко выраженной границы покрытие-подложка и большая величина погрешности измерения тонкого покрытия, нанесенного на толстую подложку.
Также известен способ измерения в режиме реального времени толщины пленки не содержащего хром покрытия на поверхности полосовой стали (патент RU 2498215С1, опубликовано 10.11.2013, бюл. № 31), основанный на построении корреляционной функции по данным рентгеновского излучения двух растворимых в воде химических веществ, не вступающих в реакцию с жидкостью для нанесения покрытия. Недостатком данного способа является использование двух химических элементов-маркеров, не входящих в состав пленки или подложки. Кроме того, данный метод применяется только при жидкостно-химических методах создания покрытия и не может быть использован при ионно-плазменных методах нанесения покрытий.
Наиболее близким по техническому решению, принятому за прототип, является способ оценки толщины микро- и наноразмерных пленок сульфида свинца [Абзалов Р.Ф., Сятынова А.В., Астафьева А.Г., Сидорова М.И., Сопин В.Ф. Методика оценки толщины слоя кристаллитов микро- и наноразмерных пленок PbS методом рентгеновской флуоресценции. Вестник технологического университета, 2015, Т.18, №19, С. 144–146], основанный на измерении аналитических сигналов от пленки и подложки с последующим построением градуировочных зависимостей отношений интенсивностей аналитических сигналов Pb(II) и Ni(II) от концентрации эталонных растворов Pb(II). Недостатком данного способа является трудоемкость, сложность в подготовке анализируемых образцов и проведении измерений. Кроме этого данный способ определения толщины покрытий является разрушающим, т.к. требуется отслоение и перевод пленки в раствор путем использования концентрированной азотной кислоты.
Задачей данного изобретения является разработка способа определения толщины тонких до 100 нм пленок на основе нитрида титана без их разрушения и модифицирования, основанного на анализе данных рентгеновской флуоресценции, зарегистрированной с различной глубины методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии.
Для решения данной задачи предложен способ, который заключается в осаждении пленок на подложки, измерении их толщины методом атомно-силовой микроскопии (АСМ), регистрации аналитических сигналов от элементов пленки и подложки, построении градуировочной зависимости ослабления сигнала от элемента-маркера, входящего только в состав подложки, от толщины нанесенной пленки (Фиг. 1). Для построения градуировочной зависимости измеряют энергодисперсионные рентгеновские спектры подложки S (Фиг. 1а), а также образцов с пленками C известной толщины d1 (Фиг. 1б) и d2 (Фиг. 1в) при двух различных энергиях первичного электронного пучка (10 и 20 кВ). На градуировочном графике по оси абсцисс откладывают толщину пленки, а по оси ординат соответствующее ему отношение атомной концентрации элемента-маркера, которую определяют из энергодисперсионных рентгеновских спектров, и измеряют при использовании различной энергии возбуждающего излучения.
Способ позволяет получить данные о толщине пленок на основе нитрида титана толщиной до 100 нм без их разрушения и модифицирования. Применяя данный технический результат, можно избежать трудоемких и длительных способов определения толщины пленок, основанных на использовании поверхностно-чувствительных методов анализа.
Ниже приведен пример осуществления изобретения, позволяющий оценить толщину пленки на основе нитрида титана, нанесенной ионно-плазменным методом на подложку титанового сплава марки ВТ-5. В качестве элемента-маркера выбран алюминий, который входит в состав сплава марки ВТ-5. В качестве образцов используют образец сплава без пленки, а также образцы сплава с пленками, толщина которых составляла 37 и 91 нм, соответственно. Толщина пленок аттестована методом АСМ на микроскопе MFP-3D SA (Asylum Research) путем измерения перепада высот между напыленной пленкой и подложкой [Шупенев А.Е., Панкова Н.С., Коршунов И.С., Григорьянц А.Г. Анализ разрушающих методов измерения и контроля толщины тонких пленок. Известия высших учебных заведений. Машиностроение, 2019, № 3, С. 31–39, doi: 10.18698/0536-1044-2019-3-31-39]. Подготовка образца для исследования методом АСМ заключается в формировании резкой ступеньки на границе пленка–подложка путем травления части покрытия ионами аргона со средней энергией 1 кэВ до подложки ВТ-5. Другая часть образца закрывается неподвижной маской, выполненной из нержавеющей стали, и позволяющей снизить вероятность повреждения пленки. На Фиг. 2 приведено АСМ изображение поверхности пленки из нитрида титана толщиной 91 нм на подложке марки ВТ-5 после ионного травления. Пленка из нитрида титана имеет четкое разделение между темной (травленной) и светлой (нетравленой) областями на поверхности образца. Построение профиля изменения высоты пленки от пройденного зондом расстояния осуществлено поперек границы между травленной и нетронутой областями по профилю 1 на Фиг. 2.
На Фиг. 3 приведен профиль изменения высот между напыленной пленкой из нитрида титана и подложкой марки ВТ-5 после ионного травления по данным АСМ. Оценка толщины пленки заключается в определении максимального и минимального значений высот и нахождении их разности. В данном случае толщина пленки составляет 91 нм. Энергодисперсионные рентгеновские спектры измеряются при использовании возбуждающего излучения с энергией 10 и 20 кВ. В качестве контрольного образца используют образец с толщиной пленки 64 нм.
Нормированные энергодисперсионные рентгеновские спектры для подложки марки ВТ-5 представлены на Фиг. 4 (энергия электронного пучка 10 кВ) и Фиг. 5 (энергия электронного пучка 20 кВ).
Энергодисперсионные рентгеновские спектры, зарегистрированные на пленке из нитрида титана толщиной 37 нм, сформированной на подложке марки ВТ-5, представлены на Фиг. 6 (энергия электронного пучка 10 кВ) и Фиг. 7 (энергия электронного пучка 20 кВ).
Энергодисперсионные рентгеновские спектры, зарегистрированные на пленке из нитрида титана толщиной 91 нм, сформированной на подложке марки ВТ-5, представлены на Фиг. 8 (энергия электронного пучка 10 кВ) и Фиг. 9 (энергия электронного пучка 20 кВ).
На фиг. 4 - 9 видно, что интенсивность элемента-маркера алюминия для всех образцов возрастает при переходе с энергии электронного пучка 10 кВ на 20 кВ. С увеличением толщины пленки наблюдается значительное ослабление сигнала от алюминия при использовании энергии электронного пучка 10 кВ.
Данные энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, которые были использованы для построения градуировочной зависимости, представлены в таблице 1.
Таблица 1
ВТ-5 (без пленки)
Энергия [Al], ат. % [Al]20/[Al]10
20 кВ 8.5 1.3
10 кВ 6.5
ВТ-5 с пленкой толщиной 37 нм
Энергия [Al], ат. % [Al]20/[Al]10
20 кВ 6.0 2.6
10 кВ 2.3
ВТ-5 с пленкой толщиной 91 нм
Энергия [Al], ат. % [Al]20/[Al]10
20 кВ 3.2 5.3
10 кВ 0.6
Данные энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии для контрольного образца представлены в таблице 2.
Таблица 2
ВТ-5 с пленкой толщиной 64 нм (контрольный образец)
Энергия [Al], ат. % [Al]20/[Al]10
20 кВ 4.1 3.7
10 кВ 1.1
На Фиг. 10 представлен график, а также точка 2, соответствующая контрольному образцу. Видно, что результаты для контрольного образца хорошо согласуются с полученной градуировочной зависимостью, что свидетельствует о возможности использования предлагаемого способа для оценки толщины тонких пленок.
Применимость данного способа ограничивается значениями толщины пленки, при которой атомная концентрация элемента-маркера в энергодисперсионных рентгеновских спектрах будет снижаться до нулевого значения. Однако полученные результаты показывают, что способ может быть применим в интервале ~37-91 нм значений толщины пленки.
Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет проводить оценку толщины пленки на основе нитрида титана без его разрушения и модифицирования путем измерения рентгеновской флуоресценции, зарегистрированной методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, и построения градуировочной зависимости ослабления сигнала от элемента-маркера, входящего в состав подложки, от толщины нанесенной пленки. Для построения градуировочной зависимости необходимо измерить энергодисперсионные рентгеновские спектры образцов подложки без пленки, а также как минимум двух образцов с пленкой известной толщины, аттестованных методом АСМ, при двух различных энергиях первичного электронного пучка 10 и 20 кВ. Данный способ позволяет избежать применения трудоемких и длительных способов определения толщины пленок, основанных на использовании поверхностно-чувствительных методов анализа.

Claims (1)

  1. Способ определения толщины тонких пленок, включающий их осаждение с различной толщиной слоя на подложку, измерение толщины слоя методом атомно-силовой микроскопии, измерение аналитического сигнала рентгеновской флуоресценции от элементов пленки и подложки, построение градуировочной зависимости, отличающийся тем, что аналитический сигнал рентгеновской флуоресценции регистрируют методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии при двух различных энергиях первичного электронного пучка от элемента-маркера, входящего только в состав подложки из различных титановых сплавов, на которую ионно-плазменным методом наносят пленку на основе нитрида титана, исходя из построенной градуировочной зависимости ослабления сигнала от элемента-маркера определяют фактическую толщину нанесенной пленки.
RU2020109639A 2020-03-05 2020-03-05 Способ определения толщины тонких пленок RU2727762C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020109639A RU2727762C1 (ru) 2020-03-05 2020-03-05 Способ определения толщины тонких пленок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020109639A RU2727762C1 (ru) 2020-03-05 2020-03-05 Способ определения толщины тонких пленок

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2727762C1 true RU2727762C1 (ru) 2020-07-23

Family

ID=71741363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020109639A RU2727762C1 (ru) 2020-03-05 2020-03-05 Способ определения толщины тонких пленок

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2727762C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2808538C1 (ru) * 2022-12-26 2023-11-29 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Способ определения толщины слоев неорганических веществ с помощью фотоколориметрического метода

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0348574A2 (en) * 1988-06-28 1990-01-03 Kawasaki Steel Corporation Method of simultaneously measuring thickness and composition of film and apparatus therefor
RU1835486C (ru) * 1990-06-29 1993-08-23 Московский Институт Электронного Машиностроения Способ определени толщин тонкопленочных структур
RU2087861C1 (ru) * 1995-07-13 1997-08-20 Товарищество с ограниченной ответственностью "Фрактал" Способ контроля параметров пленочного покрытия в процессе изменения толщины пленки на подложке и устройство для его осуществления
US20090074137A1 (en) * 2004-12-22 2009-03-19 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Accurate measurement of layer dimensions using xrf

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0348574A2 (en) * 1988-06-28 1990-01-03 Kawasaki Steel Corporation Method of simultaneously measuring thickness and composition of film and apparatus therefor
RU1835486C (ru) * 1990-06-29 1993-08-23 Московский Институт Электронного Машиностроения Способ определени толщин тонкопленочных структур
RU2087861C1 (ru) * 1995-07-13 1997-08-20 Товарищество с ограниченной ответственностью "Фрактал" Способ контроля параметров пленочного покрытия в процессе изменения толщины пленки на подложке и устройство для его осуществления
US20090074137A1 (en) * 2004-12-22 2009-03-19 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Accurate measurement of layer dimensions using xrf

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Абзалов Р.Ф., Сятынова А.В., Астафьева А.Г., Сидорова М.И., Сопин В.Ф. Методика оценки толщины слоя кристаллитов микро- и наноразмерных пленок PbS методом рентгеновской флуоресценции, Вестник технологического университета, 2015, т. 18, N 19, с. 144-146;. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2808538C1 (ru) * 2022-12-26 2023-11-29 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Способ определения толщины слоев неорганических веществ с помощью фотоколориметрического метода

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Naudon et al. New apparatus for grazing X-ray reflectometry in the angle-resolved dispersive mode
IT1090530B (it) Scala micrometrica per microscopio di scansione elettronica e metodo per la sua fabbricazione
Orsilli et al. AR-XRF measurements and data treatment for the evaluation of gilding samples of cultural heritage
RU2727762C1 (ru) Способ определения толщины тонких пленок
Greene et al. A technique for detecting critical loads in the scratch test for thin film adhesion
JP2005098923A (ja) 薄膜の厚さ及び厚さ分布の評価方法
KR100955434B1 (ko) 측정된 기초 스펙트럼을 사용하거나 및/또는 획득된스펙트럼에 기초한 박막의 비파괴적 특성화
Mahjoub et al. XPS combined with MM-EPES technique for in situ study of ultra thin film deposition: Application to an Au/SiO2/Si structure
Renkó et al. Analysis of structural and chemical inhomogeneity of thin films developed on ferrite grains by color etching with Beraha-I type etchant with spectroscopic ellipsometry and XPS
EP3828534B1 (en) X-ray fluorescence imaging for determining layer thicknesses
RU2231040C2 (ru) Способ оценки микротвердости
JP4513425B2 (ja) 亜鉛系めっき鋼板のプレス成形性評価方法
JPH01189544A (ja) 極微小硬度計
Kupreenko et al. Determination of thickness of ultrathin surface films in nanostructures from the energy spectra of reflected electrons
Mazzeo et al. Development of the prism-coupler model for the design of a biosensor based on SPR technology for fast diagnostics
Brown et al. Methods for quantitative electron probe microanalysis of small particles and thin films
RU2107894C1 (ru) Способ измерения толщины покрытия на подложке
Scherer Auger Electron Spectroscopy (AES): A Versatile Microanalysis Technique in the Analyst's Toolbox
Cocco et al. How Surface Analysis Can Contribute to an Understanding of the Preventive Conservation of Brass Instruments
Fei et al. Imaging defects in thin DLC coatings using high frequency scanning acoustic microscopy
RU2154807C2 (ru) Способ измерения толщины покрытия на подложке
Paatsch et al. Development of reference materials for surface technology in the micrometer and nanometer range
Goeminne et al. Non‐destructive characterization of chromium phosphate coated aluminium with SE and FTIRS correlated to surface analytical analyses by AES and TEM
RU2310183C2 (ru) Способ определения остаточных напряжений
Cimpoesu et al. Methods and Equipment’s for Disks Brake Investigations