RU2727762C1 - Method to determine thickness of thin films - Google Patents

Method to determine thickness of thin films Download PDF

Info

Publication number
RU2727762C1
RU2727762C1 RU2020109639A RU2020109639A RU2727762C1 RU 2727762 C1 RU2727762 C1 RU 2727762C1 RU 2020109639 A RU2020109639 A RU 2020109639A RU 2020109639 A RU2020109639 A RU 2020109639A RU 2727762 C1 RU2727762 C1 RU 2727762C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
thickness
film
substrate
titanium nitride
thin films
Prior art date
Application number
RU2020109639A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Пётр Михайлович Корусенко
Сергей Николаевич Несов
Константин Николаевич Полещенко
Денис Андреевич Полонянкин
Александр Иосифович Блесман
Евгений Евгеньевич Тарасов
Виктор Викторович Федосов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ) filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет"(ОмГТУ)
Priority to RU2020109639A priority Critical patent/RU2727762C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2727762C1 publication Critical patent/RU2727762C1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B15/00Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons
    • G01B15/02Measuring arrangements characterised by the use of electromagnetic waves or particle radiation, e.g. by the use of microwaves, X-rays, gamma rays or electrons for measuring thickness
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/223Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence

Abstract

FIELD: measurement.SUBSTANCE: use: to determine thickness of thin films. Essence of the invention lies in the fact that thin films with different layer thickness are deposited on the substrate, thickness of the layer is measured by atomic force microscopy, measuring the analytical X-ray fluorescence signal from the film and substrate elements, constructing the calibration curve, wherein the analytical X-ray fluorescence signal is recorded by energy-dispersive X-ray spectroscopy at two different energies of the primary electron beam from the marker element which is included only in the substrate of different titanium alloys, on which titanium nitride-based film is applied by ion-plasma method, based on the constructed calibration curve of attenuation of the signal from the marker element, the actual thickness of the applied film is determined.EFFECT: possibility of obtaining data on thickness of films based on titanium nitride with thickness of up to 100 nm without their destruction and modification.1 cl, 2 tbl, 10 dwg

Description

Изобретение относится к области неразрушающего контроля и физико-химического анализа, а именно к способу определения толщины тонких (до 100 нм) пленок на основе нитрида титана, сформированных ионно-плазменными методами на подложках из различных титановых сплавов по данным рентгеновской флуоресценции, зарегистрированной методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. The invention relates to the field of non-destructive testing and physicochemical analysis, namely to a method for determining the thickness of thin (up to 100 nm) films based on titanium nitride, formed by ion-plasma methods on substrates of various titanium alloys according to X-ray fluorescence recorded by the energy dispersive X-ray method spectroscopy.

Известен способ определения толщины однородного покрытия (патент RU 2619133С1, опубликовано 12.05.2017, бюл. № 14) посредством вдавливания в поверхность материала цилиндрического индентора. Недостатком данного способа является то, что его применение к тонкому покрытию может привести к локальному разрушению покрытия, что в ряде случаев является нежелательным. Кроме того, этот способ дает большую величину погрешности измерения толщины покрытия на основе нитрида титана, нанесенного на подложку из титанового сплава вследствие высокой твердости исследуемой композиции.A known method for determining the thickness of a homogeneous coating (patent RU 2619133C1, published 05/12/2017, bulletin No. 14) by pressing a cylindrical indenter into the surface of the material. The disadvantage of this method is that its application to a thin coating can lead to local destruction of the coating, which in some cases is undesirable. In addition, this method gives a large error in measuring the thickness of the titanium nitride-based coating deposited on the titanium alloy substrate due to the high hardness of the investigated composition.

Известен способ определения толщины двухслойных материалов и составляющих их слоев с помощью импульсов упругих волн (патент RU 2625261С1, опубликовано 12.07.2017, бюл. № 20) путем регистрации и анализа времени прихода отраженных от поверхностей объекта контроля и границ его слоев акустических импульсов. Недостатками данного способа являются обязательное наличие четко выраженной границы покрытие-подложка и большая величина погрешности измерения тонкого покрытия, нанесенного на толстую подложку. There is a known method for determining the thickness of two-layer materials and their constituent layers using pulses of elastic waves (patent RU 2625261C1, published on 12.07.2017, bulletin No. 20) by registering and analyzing the time of arrival of acoustic pulses reflected from the surfaces of the test object and the boundaries of its layers. The disadvantages of this method are the obligatory presence of a clearly defined coating-substrate boundary and a large value of the measurement error for a thin coating applied to a thick substrate.

Также известен способ измерения в режиме реального времени толщины пленки не содержащего хром покрытия на поверхности полосовой стали (патент RU 2498215С1, опубликовано 10.11.2013, бюл. № 31), основанный на построении корреляционной функции по данным рентгеновского излучения двух растворимых в воде химических веществ, не вступающих в реакцию с жидкостью для нанесения покрытия. Недостатком данного способа является использование двух химических элементов-маркеров, не входящих в состав пленки или подложки. Кроме того, данный метод применяется только при жидкостно-химических методах создания покрытия и не может быть использован при ионно-плазменных методах нанесения покрытий.There is also a known method for measuring in real time the thickness of a film of a chromium-free coating on the surface of a strip steel (patent RU 2498215C1, published on November 10, 2013, bull. No. 31), based on the construction of a correlation function according to X-ray data of two water-soluble chemicals, not reacting with the coating fluid. The disadvantage of this method is the use of two chemical marker elements that are not part of the film or substrate. In addition, this method is used only for liquid-chemical methods of coating and cannot be used for ion-plasma coating methods.

Наиболее близким по техническому решению, принятому за прототип, является способ оценки толщины микро- и наноразмерных пленок сульфида свинца [Абзалов Р.Ф., Сятынова А.В., Астафьева А.Г., Сидорова М.И., Сопин В.Ф. Методика оценки толщины слоя кристаллитов микро- и наноразмерных пленок PbS методом рентгеновской флуоресценции. Вестник технологического университета, 2015, Т.18, №19, С. 144–146], основанный на измерении аналитических сигналов от пленки и подложки с последующим построением градуировочных зависимостей отношений интенсивностей аналитических сигналов Pb(II) и Ni(II) от концентрации эталонных растворов Pb(II). Недостатком данного способа является трудоемкость, сложность в подготовке анализируемых образцов и проведении измерений. Кроме этого данный способ определения толщины покрытий является разрушающим, т.к. требуется отслоение и перевод пленки в раствор путем использования концентрированной азотной кислоты. The closest technical solution adopted as a prototype is a method for assessing the thickness of micro- and nanoscale films of lead sulfide [Abzalov RF, Syatynova AV, Astafieva AG, Sidorova MI, Sopin VF ... A technique for evaluating the thickness of the crystallite layer of micro- and nanosized PbS films by X-ray fluorescence. Bulletin of Technological University, 2015, V.18, No. 19, pp. 144–146], based on the measurement of analytical signals from the film and the substrate, followed by the construction of calibration dependences of the ratio of the intensities of the analytical signals Pb (II) and Ni (II) on the concentration of the reference Pb (II) solutions. The disadvantage of this method is the complexity, complexity in the preparation of analyzed samples and measurements. In addition, this method for determining the thickness of coatings is destructive, because peeling and transfer of the film into solution is required by using concentrated nitric acid.

Задачей данного изобретения является разработка способа определения толщины тонких до 100 нм пленок на основе нитрида титана без их разрушения и модифицирования, основанного на анализе данных рентгеновской флуоресценции, зарегистрированной с различной глубины методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии. The objective of this invention is to develop a method for determining the thickness of up to 100 nm thin films based on titanium nitride without their destruction and modification, based on the analysis of X-ray fluorescence data recorded at different depths by energy dispersive X-ray spectroscopy.

Для решения данной задачи предложен способ, который заключается в осаждении пленок на подложки, измерении их толщины методом атомно-силовой микроскопии (АСМ), регистрации аналитических сигналов от элементов пленки и подложки, построении градуировочной зависимости ослабления сигнала от элемента-маркера, входящего только в состав подложки, от толщины нанесенной пленки (Фиг. 1). Для построения градуировочной зависимости измеряют энергодисперсионные рентгеновские спектры подложки S (Фиг. 1а), а также образцов с пленками C известной толщины d1 (Фиг. 1б) и d2 (Фиг. 1в) при двух различных энергиях первичного электронного пучка (10 и 20 кВ). На градуировочном графике по оси абсцисс откладывают толщину пленки, а по оси ординат соответствующее ему отношение атомной концентрации элемента-маркера, которую определяют из энергодисперсионных рентгеновских спектров, и измеряют при использовании различной энергии возбуждающего излучения.To solve this problem, a method is proposed that consists in depositing films on substrates, measuring their thickness by atomic force microscopy (AFM), recording analytical signals from film and substrate elements, plotting a calibration dependence of signal attenuation from a marker element, which is only a part of substrate, on the thickness of the applied film (Fig. 1). To plot the calibration dependence, the energy-dispersive X-ray spectra of the substrate S (Fig.1a), as well as samples with films C of known thickness d1 (Fig.1b) and d2 (Fig.1c) are measured at two different energies of the primary electron beam (10 and 20 kV) ... On the calibration graph, the film thickness is plotted along the abscissa axis, and the corresponding ratio of the atomic concentration of the marker element, which is determined from the energy dispersive X-ray spectra, is plotted along the ordinate axis, and is measured using different energies of exciting radiation.

Способ позволяет получить данные о толщине пленок на основе нитрида титана толщиной до 100 нм без их разрушения и модифицирования. Применяя данный технический результат, можно избежать трудоемких и длительных способов определения толщины пленок, основанных на использовании поверхностно-чувствительных методов анализа. The method allows you to obtain data on the thickness of the films based on titanium nitride with a thickness of up to 100 nm without their destruction and modification. Applying this technical result, it is possible to avoid laborious and time-consuming methods for determining the thickness of films based on the use of surface-sensitive analysis methods.

Ниже приведен пример осуществления изобретения, позволяющий оценить толщину пленки на основе нитрида титана, нанесенной ионно-плазменным методом на подложку титанового сплава марки ВТ-5. В качестве элемента-маркера выбран алюминий, который входит в состав сплава марки ВТ-5. В качестве образцов используют образец сплава без пленки, а также образцы сплава с пленками, толщина которых составляла 37 и 91 нм, соответственно. Толщина пленок аттестована методом АСМ на микроскопе MFP-3D SA (Asylum Research) путем измерения перепада высот между напыленной пленкой и подложкой [Шупенев А.Е., Панкова Н.С., Коршунов И.С., Григорьянц А.Г. Анализ разрушающих методов измерения и контроля толщины тонких пленок. Известия высших учебных заведений. Машиностроение, 2019, № 3, С. 31–39, doi: 10.18698/0536-1044-2019-3-31-39]. Подготовка образца для исследования методом АСМ заключается в формировании резкой ступеньки на границе пленка–подложка путем травления части покрытия ионами аргона со средней энергией 1 кэВ до подложки ВТ-5. Другая часть образца закрывается неподвижной маской, выполненной из нержавеющей стали, и позволяющей снизить вероятность повреждения пленки. На Фиг. 2 приведено АСМ изображение поверхности пленки из нитрида титана толщиной 91 нм на подложке марки ВТ-5 после ионного травления. Пленка из нитрида титана имеет четкое разделение между темной (травленной) и светлой (нетравленой) областями на поверхности образца. Построение профиля изменения высоты пленки от пройденного зондом расстояния осуществлено поперек границы между травленной и нетронутой областями по профилю 1 на Фиг. 2.Below is an example of implementation of the invention, allowing to estimate the thickness of a film based on titanium nitride deposited by the ion-plasma method on a substrate of a titanium alloy of VT-5 grade. Aluminum, which is part of the VT-5 grade alloy, was selected as a marker element. The samples used are a sample of an alloy without a film, as well as samples of an alloy with films, the thickness of which was 37 and 91 nm, respectively. The thickness of the films was certified by the AFM method on the MFP-3D SA microscope (Asylum Research) by measuring the height difference between the sprayed film and the substrate [Shupenev AE, Pankova NS, Korshunov IS, Grigoryants A.G. Analysis of destructive methods for measuring and controlling the thickness of thin films. Proceedings of higher educational institutions. Mechanical engineering, 2019, No. 3, pp. 31–39, doi: 10.18698 / 0536-1044-2019-3-31-39]. The preparation of a sample for AFM investigation consists in the formation of a sharp step at the film – substrate interface by etching a part of the coating with argon ions with an average energy of 1 keV to the VT-5 substrate. The other part of the sample is covered with a fixed stainless steel mask to reduce the likelihood of damage to the film. FIG. 2 shows an AFM image of the surface of a titanium nitride film with a thickness of 91 nm on a VT-5 substrate after ion etching. The titanium nitride film has a clear separation between the dark (etched) and light (non-etched) regions on the sample surface. The construction of the profile of the change in the height of the film from the distance traveled by the probe was carried out across the boundary between the etched and untouched regions along the profile 1 in Fig. 2.

На Фиг. 3 приведен профиль изменения высот между напыленной пленкой из нитрида титана и подложкой марки ВТ-5 после ионного травления по данным АСМ. Оценка толщины пленки заключается в определении максимального и минимального значений высот и нахождении их разности. В данном случае толщина пленки составляет 91 нм. Энергодисперсионные рентгеновские спектры измеряются при использовании возбуждающего излучения с энергией 10 и 20 кВ. В качестве контрольного образца используют образец с толщиной пленки 64 нм.FIG. 3 shows the profile of the change in the heights between the deposited titanium nitride film and the VT-5 substrate after ion etching according to AFM data. Evaluation of the film thickness consists in determining the maximum and minimum values of heights and finding their difference. In this case, the film thickness is 91 nm. Energy dispersive X-ray spectra are measured using 10 and 20 kV exciting radiation. A sample with a film thickness of 64 nm is used as a control sample.

Нормированные энергодисперсионные рентгеновские спектры для подложки марки ВТ-5 представлены на Фиг. 4 (энергия электронного пучка 10 кВ) и Фиг. 5 (энергия электронного пучка 20 кВ). The normalized energy dispersive X-ray spectra for the VT-5 grade substrate are shown in FIG. 4 (electron beam energy 10 kV) and FIG. 5 (electron beam energy 20 kV).

Энергодисперсионные рентгеновские спектры, зарегистрированные на пленке из нитрида титана толщиной 37 нм, сформированной на подложке марки ВТ-5, представлены на Фиг. 6 (энергия электронного пучка 10 кВ) и Фиг. 7 (энергия электронного пучка 20 кВ).The energy dispersive X-ray spectra recorded on a 37 nm thick titanium nitride film formed on a VT-5 grade substrate are shown in FIG. 6 (electron beam energy 10 kV) and FIG. 7 (electron beam energy 20 kV).

Энергодисперсионные рентгеновские спектры, зарегистрированные на пленке из нитрида титана толщиной 91 нм, сформированной на подложке марки ВТ-5, представлены на Фиг. 8 (энергия электронного пучка 10 кВ) и Фиг. 9 (энергия электронного пучка 20 кВ).The energy dispersive X-ray spectra recorded on a titanium nitride film with a thickness of 91 nm formed on a VT-5 grade substrate are shown in FIG. 8 (electron beam energy 10 kV) and FIG. 9 (electron beam energy 20 kV).

На фиг. 4 - 9 видно, что интенсивность элемента-маркера алюминия для всех образцов возрастает при переходе с энергии электронного пучка 10 кВ на 20 кВ. С увеличением толщины пленки наблюдается значительное ослабление сигнала от алюминия при использовании энергии электронного пучка 10 кВ.FIG. 4 - 9 it can be seen that the intensity of the aluminum marker element for all samples increases with the transition from the electron beam energy of 10 kV to 20 kV. With increasing film thickness, a significant attenuation of the signal from aluminum is observed when using an electron beam energy of 10 kV.

Данные энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, которые были использованы для построения градуировочной зависимости, представлены в таблице 1.The data of energy dispersive X-ray spectroscopy, which were used to construct the calibration dependence, are presented in Table 1.

Таблица 1Table 1

ВТ-5 (без пленки)VT-5 (without film) ЭнергияEnergy [Al], ат. %[Al], at. % [Al]20/[Al]10[Al] 20 / [Al] 10 20 кВ20 kV 8.58.5 1.31.3 10 кВ10 kV 6.56.5 ВТ-5 с пленкой толщиной 37 нмVT-5 with 37 nm film ЭнергияEnergy [Al], ат. %[Al], at. % [Al]20/[Al]10[Al] 20 / [Al] 10 20 кВ20 kV 6.06.0 2.62.6 10 кВ10 kV 2.32.3 ВТ-5 с пленкой толщиной 91 нмVT-5 with 91 nm film ЭнергияEnergy [Al], ат. %[Al], at. % [Al]20/[Al]10[Al] 20 / [Al] 10 20 кВ20 kV 3.23.2 5.35.3 10 кВ10 kV 0.60.6

Данные энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии для контрольного образца представлены в таблице 2.Energy dispersive X-ray spectroscopy data for the control sample are presented in Table 2.

Таблица 2table 2

ВТ-5 с пленкой толщиной 64 нм (контрольный образец)VT-5 with a film with a thickness of 64 nm (control sample) ЭнергияEnergy [Al], ат. %[Al], at. % [Al]20/[Al]10[Al] 20 / [Al] 10 20 кВ20 kV 4.14.1 3.73.7 10 кВ10 kV 1.11.1

На Фиг. 10 представлен график, а также точка 2, соответствующая контрольному образцу. Видно, что результаты для контрольного образца хорошо согласуются с полученной градуировочной зависимостью, что свидетельствует о возможности использования предлагаемого способа для оценки толщины тонких пленок.FIG. 10 shows a graph, as well as point 2, corresponding to the control sample. It can be seen that the results for the control sample are in good agreement with the obtained calibration dependence, which indicates the possibility of using the proposed method for assessing the thickness of thin films.

Применимость данного способа ограничивается значениями толщины пленки, при которой атомная концентрация элемента-маркера в энергодисперсионных рентгеновских спектрах будет снижаться до нулевого значения. Однако полученные результаты показывают, что способ может быть применим в интервале ~37-91 нм значений толщины пленки.The applicability of this method is limited by the values of the film thickness at which the atomic concentration of the marker element in the energy dispersive X-ray spectra will decrease to zero. However, the results obtained show that the method can be applied in the range of ~ 37-91 nm of film thickness values.

Таким образом, предлагаемое изобретение позволяет проводить оценку толщины пленки на основе нитрида титана без его разрушения и модифицирования путем измерения рентгеновской флуоресценции, зарегистрированной методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии, и построения градуировочной зависимости ослабления сигнала от элемента-маркера, входящего в состав подложки, от толщины нанесенной пленки. Для построения градуировочной зависимости необходимо измерить энергодисперсионные рентгеновские спектры образцов подложки без пленки, а также как минимум двух образцов с пленкой известной толщины, аттестованных методом АСМ, при двух различных энергиях первичного электронного пучка 10 и 20 кВ. Данный способ позволяет избежать применения трудоемких и длительных способов определения толщины пленок, основанных на использовании поверхностно-чувствительных методов анализа.Thus, the proposed invention makes it possible to evaluate the thickness of a film based on titanium nitride without destroying it and modifying it by measuring X-ray fluorescence recorded by energy dispersive X-ray spectroscopy and constructing a calibration dependence of signal attenuation from a marker element included in the substrate on the thickness of the applied film ... To plot the calibration dependence, it is necessary to measure the energy dispersive X-ray spectra of the substrate samples without a film, as well as at least two samples with a film of known thickness, certified by the AFM method, at two different energies of the primary electron beam of 10 and 20 kV. This method avoids the use of laborious and time-consuming methods for determining the thickness of the films based on the use of surface-sensitive methods of analysis.

Claims (1)

Способ определения толщины тонких пленок, включающий их осаждение с различной толщиной слоя на подложку, измерение толщины слоя методом атомно-силовой микроскопии, измерение аналитического сигнала рентгеновской флуоресценции от элементов пленки и подложки, построение градуировочной зависимости, отличающийся тем, что аналитический сигнал рентгеновской флуоресценции регистрируют методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии при двух различных энергиях первичного электронного пучка от элемента-маркера, входящего только в состав подложки из различных титановых сплавов, на которую ионно-плазменным методом наносят пленку на основе нитрида титана, исходя из построенной градуировочной зависимости ослабления сигнала от элемента-маркера определяют фактическую толщину нанесенной пленки.A method for determining the thickness of thin films, including their deposition with different layer thicknesses on a substrate, measuring the layer thickness by atomic force microscopy, measuring the analytical signal of X-ray fluorescence from the elements of the film and the substrate, plotting a calibration dependence, characterized in that the analytical signal of X-ray fluorescence is recorded by the method energy dispersive X-ray spectroscopy at two different energies of the primary electron beam from a marker element, which is only a part of a substrate made of various titanium alloys, on which a titanium nitride-based film is applied by the ion-plasma method, based on the constructed calibration dependence of the signal attenuation from the marker element, determine actual applied film thickness.
RU2020109639A 2020-03-05 2020-03-05 Method to determine thickness of thin films RU2727762C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020109639A RU2727762C1 (en) 2020-03-05 2020-03-05 Method to determine thickness of thin films

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020109639A RU2727762C1 (en) 2020-03-05 2020-03-05 Method to determine thickness of thin films

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2727762C1 true RU2727762C1 (en) 2020-07-23

Family

ID=71741363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020109639A RU2727762C1 (en) 2020-03-05 2020-03-05 Method to determine thickness of thin films

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2727762C1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2808538C1 (en) * 2022-12-26 2023-11-29 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Method for determining thickness of layers of inorganic substances using photocolorimetric method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0348574A2 (en) * 1988-06-28 1990-01-03 Kawasaki Steel Corporation Method of simultaneously measuring thickness and composition of film and apparatus therefor
RU1835486C (en) * 1990-06-29 1993-08-23 Московский Институт Электронного Машиностроения Determination method for thin-film structuresъ thicknesses
RU2087861C1 (en) * 1995-07-13 1997-08-20 Товарищество с ограниченной ответственностью "Фрактал" Method testing parameters of film coat in process of change of film thickness on backing and device for its implementation
US20090074137A1 (en) * 2004-12-22 2009-03-19 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Accurate measurement of layer dimensions using xrf

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0348574A2 (en) * 1988-06-28 1990-01-03 Kawasaki Steel Corporation Method of simultaneously measuring thickness and composition of film and apparatus therefor
RU1835486C (en) * 1990-06-29 1993-08-23 Московский Институт Электронного Машиностроения Determination method for thin-film structuresъ thicknesses
RU2087861C1 (en) * 1995-07-13 1997-08-20 Товарищество с ограниченной ответственностью "Фрактал" Method testing parameters of film coat in process of change of film thickness on backing and device for its implementation
US20090074137A1 (en) * 2004-12-22 2009-03-19 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Accurate measurement of layer dimensions using xrf

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Абзалов Р.Ф., Сятынова А.В., Астафьева А.Г., Сидорова М.И., Сопин В.Ф. Методика оценки толщины слоя кристаллитов микро- и наноразмерных пленок PbS методом рентгеновской флуоресценции, Вестник технологического университета, 2015, т. 18, N 19, с. 144-146;. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2808538C1 (en) * 2022-12-26 2023-11-29 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Method for determining thickness of layers of inorganic substances using photocolorimetric method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Greczynski et al. X-ray photoelectron spectroscopy of thin films
Naudon et al. New apparatus for grazing X-ray reflectometry in the angle-resolved dispersive mode
IT1090530B (en) MICROMETRIC SCALE FOR ELECTRONIC SCANNING MICROSCOPE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
RU2727762C1 (en) Method to determine thickness of thin films
Orsilli et al. AR-XRF measurements and data treatment for the evaluation of gilding samples of cultural heritage
Greene et al. A technique for detecting critical loads in the scratch test for thin film adhesion
KR100955434B1 (en) Nondestructive characterization of thin films using measured basis spectra and/or based on acquired spectrum
EP3828534B1 (en) X-ray fluorescence imaging for determining layer thicknesses
Mahjoub et al. XPS combined with MM-EPES technique for in situ study of ultra thin film deposition: Application to an Au/SiO2/Si structure
JP4513425B2 (en) Evaluation method of press formability of galvanized steel sheet
Kupreenko et al. Determination of thickness of ultrathin surface films in nanostructures from the energy spectra of reflected electrons
JPH01189544A (en) Extremely small hardness meter
WO2007034570A1 (en) Method of evaluating press formability of zinc-based plated steel sheet
RU2231040C2 (en) Microhardness estimation method
Brown et al. Methods for quantitative electron probe microanalysis of small particles and thin films
RU2310183C2 (en) Method of determining residual stress
Federica et al. How Surface Analysis Can Contribute to an Understanding of the Preventive Conservation of Brass Instruments
Scherer Auger Electron Spectroscopy (AES): A Versatile Microanalysis Technique in the Analyst's Toolbox
RU2154807C2 (en) Process measuring thickness of coat on substrate
Fei et al. Imaging defects in thin DLC coatings using high frequency scanning acoustic microscopy
Skoupy et al. Beam Energy Dependent Calibration of STEM and BSE Detectors for Thin Film Thickness Estimation
Paatsch et al. Development of reference materials for surface technology in the micrometer and nanometer range
Cimpoesu et al. Methods and Equipment’s for Disks Brake Investigations
RU2107894C1 (en) Method for measurement of coating thickness on substrate
lamri et al. Failure mechanisms of thin hard coatings submitted to repeated impacts: Influence of the film thickness