RU2718467C1 - Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания - Google Patents
Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания Download PDFInfo
- Publication number
- RU2718467C1 RU2718467C1 RU2018139628A RU2018139628A RU2718467C1 RU 2718467 C1 RU2718467 C1 RU 2718467C1 RU 2018139628 A RU2018139628 A RU 2018139628A RU 2018139628 A RU2018139628 A RU 2018139628A RU 2718467 C1 RU2718467 C1 RU 2718467C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- bismuth
- films
- molecular layering
- temperature
- production
- Prior art date
Links
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 16
- 229910000529 magnetic ferrite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 5
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 16
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N precursor Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 102000014961 Protein Precursors Human genes 0.000 abstract description 5
- 108010078762 Protein Precursors Proteins 0.000 abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N Abietic acid Chemical compound C([C@@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-ONCXSQPRSA-N 0.000 description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910017135 Fe—O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N AI2O3 Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-HNBVOPMISA-N Abietic acid Natural products C([C@H]12)CC(C(C)C)=CC1=CC[C@@H]1[C@]2(C)CCC[C@@]1(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-HNBVOPMISA-N 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N Ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940082569 Selenite Drugs 0.000 description 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 description 1
- JDIBGQFKXXXXPN-UHFFFAOYSA-N bismuth(3+) Chemical compound [Bi+3] JDIBGQFKXXXXPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M buffer Substances [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010192 crystallographic characterization Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N iso-propanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-L selenite(2-) Chemical compound [O-][Se]([O-])=O MCAHWIHFGHIESP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- CUYORGNTEMJARP-UHFFFAOYSA-N tris[(1-methoxy-2-methylpropan-2-yl)oxy]bismuthane Chemical compound COCC(C)(C)O[Bi](OC(C)(C)COC)OC(C)(C)COC CUYORGNTEMJARP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
- C04B41/4529—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application applied from the gas phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/4505—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application
- C04B41/455—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application the coating or impregnating process including a chemical conversion or reaction
- C04B41/4554—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements characterised by the method of application the coating or impregnating process including a chemical conversion or reaction the coating or impregnating material being an organic or organo-metallic precursor of an inorganic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
- C04B41/5036—Ferrites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
Abstract
Изобретение относится к тонкопленочной технологии получения мультиферроиков, а именно к получению наноразмерных пленок феррита висмута, которые обладают свойствами мультиферроика при комнатной температуре, и может быть использовано в производстве устройств записи, хранения и обработки информации, в том числе устройств спинтроники. Сущность способа включает получение пленки феррита висмута на поверхности r-плоскости сапфировой подложки методом молекулярного наслаивания с использованием металлоорганических соединений висмутсодержащего и железосодержащего прекурсоров с последующим отжигом в атмосфере воздуха при температуре 630-670°C в течение 1 часа при нормальном атмосферном давлении. Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии молекулярного наслаивания наноразмерных эпитаксиальных слоев мультиферроика BiFeO3 и улучшении качества получаемых пленок. 1 пр., 3 ил.
Description
Изобретение относится к тонкопленочной технологии получения мультиферроиков, а именно получению наноразмерных пленок феррита висмута, которые обладают свойствами мультиферроика при комнатной температуре и может быть использовано в производстве устройств записи, хранения и обработки информации, в том числе устройств спинтроники.
Сущность способа включает получение пленки феррита висмута на поверхности r – плоскости сапфировой подложки методом молекулярного наслаивания с использованием металлоорганических соединений висмутсодержащего и железосодержащего прекурсоров с последующим отжигом в атмосфере воздуха при температуре 630 - 670°C в течении 1 часа при нормальном атмосферном давлении.
Технический результат изобретения заключается в упрощении технологии молекулярного наслаивания наноразмерных эпитаксиальных слоев мультиферроика BiFeO3 и улучшении совершенства получаемых пленок.
Известен способ получения RU 2616305 где раствор смеси абиетата висмута и абиетата железа в органическом растворителе с концентрацией 0,05-1,5 мг/г в равномольном их соотношении наносят на подложку, например стеклянную, сушат, нагревают до температуры обжига и обжигают при температуре 500-600°С. Абиетаты железа (III) и висмута (III) получают взаимодействием нитратов висмута и железа с абиетиновой кислотой в расплаве.
Недостатками данного способа являются сложность избавления от остаточных примесей продуктов реакции в пленке, сложность получения ультра тонких слоев феррита висмута со свойством ферромагнетика. Плохая адгезия с подложечным материалом.
В работе авторами Zhen-Zheng Jiang et al. (Epitaxial growth of BiFeO3 films on SrRuO3/SrTiO3, Materials Characterization 131 (2017) 217 – 223) использован метод лазерной абляции, именуемый в зарубежной литературе как Pulsed laser deposition (PLD), где получены тонкие пленки феррита висмута на подложке SrTiO3 (001) с буферным слоем SrRuO3.
Недостатками данного способа являются трудоемкая аппаратура для реализации процесса получения, неравномерность толщин получаемых пленок на подложечном материале, неконтролируемость процессом послойного образования наноразмерных пленок BiFeO3.
Наиболее близким к предлагаемому способу является способ авторов Andrew R. Akbashev et. al (A Facile Route for Producing Single-Crystalline Epitaxial Perovskite Oxide Thin Films, Nano Lett. 2014, 14, 44−49). В данной работе сообщается как процесс низковакуумного давления, сопровождаемый несколькими минутами отжига, обеспечивает эпитаксиальные тонкие пленки BiFeO3(001) на подложке SrTiO3(001) при температуре примерно на 450°C ниже, чем у методов осаждения металлорганических соединений из газовой фазы, именуемый в зарубежной литературе как Metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). В работе оспаривается, что метод молекулярного наслаивания именуемый в зарубежное литературе как Atomic Layer Deposition (ALD), не подходит для получения высококачественных химически сложных оксидных пленок на перовскитных подложках.
Недостатком способа является формирование паразитной фазы муллита при температуре обжига до 675°C и селенита при температуре обжига до 740°C при использовании в процессе подложек перовскитной структуры.
Цель настоящего изобретения - получение наноразмерных пленок мультиферроика BiFeO3 высокого качества при температуре обжига до 670°C и без паразитных фаз.
Поставленная цель достигается тем, что в предлагаемом способе получения композиции Bi-Fe-O при молекулярном наслаивании прекурсоров с содержанием атомов Bi и Fe на полированной r–плоскости поверхности сапфировой монокристаллической подложки образует слой BiFeO3 стехиометрического состава. Использование подложки сапфира с r-плоскостью к поверхности (другое обозначение данной кристаллографической плоскости [1-102] (Jie-Jun Wu et al. Journal of Crystal Growth 311 (2009) 4473–4477)) позволяет получить предельно резкую границу пленка-подложка. Требуемая толщина пленки регулируется количеством циклов в процессе молекулярного наслаивания. После полученную структуру помещают в печь и отжигают в атмосфере воздуха при температуре 630-670°C в течение до одного часа. На фигурах 1 и 2 показана полученная кристаллографически упорядоченная структура эпитаксиально наращенной пленки BiFeO3 на подложке r-Al2O3.
Сущность способа включает получение пленки феррита висмута на поверхности r–плоскости сапфировой подложки методом молекулярного наслаивания с использованием металлоорганических соединений висмут содержащегося и железосодержащего прекурсоров с последующим отжигом в атмосфере воздуха при температуре 630 - 670°C в течении до 1 часа при нормальном атмосферном давлении.
Пример конкретного выполнения.
Осаждение проводилось на установке ALD CERAM ML-200. Подготовленные подложки из оксида алюминия помещают в вакуумную камеру. Подложки полированные с одной стороны и имеют r–плоскость к поверхности. Подложки были очищены ацетоном, изопропанолом и высушены потоком высокочистого проточного азота. Предварительный вакуум в камере составляет 10-3 Па. Подложку нагревают до температуры 250°C.
Для получения композиции Bi-Fe-O в качестве прекурсора для Bi используется Bi(mmp)3 трис(1-метокси-2-метил-2-пропокси) висмут, контейнер с которым нагревают до температуры 140°C. В качестве железосодержащего прекурсора используют ферроцен (Fe(C5H5)2, контейнер с которым нагревают до температуры 90°C. В промежутке между напуском прекурсора в камеру подается озон в течении 5 сек. Далее производится продувка газом носителем N2 чистотой 99,999%. Отношение между временами действия соответствующих импульсов держат в промежутке NFe:NBi ≈ 5:3. Впускные газопроводы, транспортирующие прекурсоры, находятся под температурой 150°C. В совокупности было осуществлено 220 циклов молекулярного наслаивания. Далее после окончания процесса образцы оставляют в камере до охлаждения. После вытаскиваем и кладем в печь для обжига при температуре 650оС. Время обжига составляет 60 мин.
На фигуре 1 показан скол структуры BiFeO3/r-Al2O3, изображение получено просвечивающей электронной микроскопией.
На фигуре 2 показан скол структуры BiFeO3/r-Al2O3 в более увеличенном масштабе участка границы раздела пленка-подложка фигуры 1.
На фигуре 3 показана электронограмма от пленки BiFeO3, полученная на поверхности подложки r-Al2O3. Из фигуры 3 видно, что рефлексы проявляются в ромбоэдрической R3c фазе.
Claims (1)
- Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания из источников металлоорганических соединений висмута и железа, отличающийся тем, что в качестве подложечного материала используют сапфировую подложку с r-плоскостью к поверхности, на которую наращивается фаза феррита висмута с последующим отжигом полученной структуры при температуре 635-670°C в течение 1 часа при нормальном атмосферном давлении.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018139628A RU2718467C1 (ru) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018139628A RU2718467C1 (ru) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2718467C1 true RU2718467C1 (ru) | 2020-04-08 |
Family
ID=70156430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018139628A RU2718467C1 (ru) | 2018-11-12 | 2018-11-12 | Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2718467C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU189902A1 (ru) * | В. Н. Бородулин Московский энергетический институт | Способ получения диэлектрических пленок | ||
| US20100208005A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Takamichi Fujii | Film formation method, film formation device, piezoelectric film, piezoelectric device and liquid discharge device |
| RU98993U1 (ru) * | 2010-07-06 | 2010-11-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Мэйпик" | Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке |
| US7869335B2 (en) * | 2007-10-09 | 2011-01-11 | Seagate Technology Llc | Multiple ferroelectric films |
| US20150104575A1 (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Multi-metal films, alternating film multilayers, formation methods and deposition system |
| RU2013148506A (ru) * | 2013-10-30 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Способ получения нанопорошков на основе феррита висмута |
-
2018
- 2018-11-12 RU RU2018139628A patent/RU2718467C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU189902A1 (ru) * | В. Н. Бородулин Московский энергетический институт | Способ получения диэлектрических пленок | ||
| US7869335B2 (en) * | 2007-10-09 | 2011-01-11 | Seagate Technology Llc | Multiple ferroelectric films |
| US20100208005A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Takamichi Fujii | Film formation method, film formation device, piezoelectric film, piezoelectric device and liquid discharge device |
| RU98993U1 (ru) * | 2010-07-06 | 2010-11-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Мэйпик" | Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке |
| US20150104575A1 (en) * | 2013-10-16 | 2015-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Multi-metal films, alternating film multilayers, formation methods and deposition system |
| RU2013148506A (ru) * | 2013-10-30 | 2015-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" | Способ получения нанопорошков на основе феррита висмута |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| AKBASHEV A.R. et al. "A Facile Route for Production Single-Crystalline Epitaxial Perovskite Oxide Thin Films", Nano Letters, 2014, 14, p.44-49. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Photoluminescence of ZnO films prepared by rf sputtering on different substrates | |
| Khranovskyy et al. | Morphology engineering of ZnO nanostructures | |
| CN110373718B (zh) | 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法 | |
| Yokoyama et al. | Molecular beam epitaxial growth of ZnS on a (100)-oriented Si substrate | |
| KR20140052517A (ko) | 육방정계 질화붕소 시트, 그의 제조방법 및 이를 구비하는 전기소자 | |
| Nunn et al. | A review of molecular-beam epitaxy of wide bandgap complex oxide semiconductors | |
| Lee et al. | Effects of the deposition condition on the microstructure and properties of ZnO thin films deposited by metal organic chemical vapor deposition with ultrasonic nebulization | |
| Chen et al. | Structure and stimulated emission of a high-quality zinc oxide epilayer grown by atomic layer deposition on the sapphire substrate | |
| KR101459258B1 (ko) | １３족 원소 질화물 결정의 제조 방법 및 융액 조성물 | |
| RU2718467C1 (ru) | Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания | |
| Madapu et al. | Effect of strain relaxation and the Burstein–Moss energy shift on the optical properties of InN films grown in the self-seeded catalytic process | |
| Wessler et al. | Textured ZnO thin films on (0001) sapphire produced by chemical solution deposition | |
| Okimura et al. | Epitaxial growth of V2O3 thin films on c-plane Al2O3 in reactive sputtering and its transformation to VO2 films by post annealing | |
| WO2020194763A1 (ja) | 半導体膜 | |
| JP3895410B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物結晶膜を備えた素子、およびその製造方法 | |
| Shen et al. | Structural and optical properties of ZnO films on Si substrates using a γ-Al2O3 buffer layer | |
| Prakash et al. | Molecular beam epitaxy for oxide electronics | |
| Tse et al. | ZnO thin films produced by filtered cathodic vacuum arc technique | |
| KR100455070B1 (ko) | 원자층 증착법을 이용한 ｃ축 배향 ＺｎＯ 박막 제조방법및 이를 이용한 광소자 | |
| JP3657036B2 (ja) | 炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層基板の製造方法 | |
| Bhole et al. | Deposition of non-polar a-axis nanocrystalline ZnO thin films for light emitting applications | |
| CN100422085C (zh) | 一种极性MgO有序薄膜的制备方法 | |
| KR100191737B1 (ko) | 규소 기질 위에 질화갈륨 막을 형성하는 방법 | |
| CN109980054A (zh) | 一种GaN纳米柱的制备方法以及一种LED器件 | |
| Abduev et al. | Preferred oriented ZnO films growth on nonoriented substrates by CVD |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201113 |