RU98993U1 - Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке - Google Patents
Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU98993U1 RU98993U1 RU2010128089/28U RU2010128089U RU98993U1 RU 98993 U1 RU98993 U1 RU 98993U1 RU 2010128089/28 U RU2010128089/28 U RU 2010128089/28U RU 2010128089 U RU2010128089 U RU 2010128089U RU 98993 U1 RU98993 U1 RU 98993U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- layered
- crystal
- magnetostriction
- sapphire
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке, состоящая из монокристаллической подложки с нанесенными нанослоями сегнетоэлектрика и феррита, отличающаяся тем, что подложка выполнена из монокристаллического сапфира, имеющего тетрагональную симметрию.
Description
Полезная модель относится к области радиоэлектроники, ее новому направлению - наноэлектронике, в частности, к материалам для изготовления компонентов наноэлектронных приборов, таких как электрически перестраиваемые фильтры СВЧ, линии задержки СВЧ, фазовращатели др., где необходимо наличие магнитоэлектрического (МЭ) эффекта. МЭ эффект заключается в намагничивании материала при воздействии на него внешнего электрического поля и появлении электрической поляризации при воздействии внешнего магнитного поля. Возможность взаимного преобразования полей делает такой материал перспективным для построения различных устройств наноэлектроники на его основе.
Известна структура - кремний на сапфире, в которой микро- или нанослои кремния, нанесены на подложку из монокристаллического сапфира. В данной структуре используется подложка из монокристаллического сапфира, обладающего кубической кристаллической структурой. Поскольку слой кремния имеет также кубическую симметрию, в результате получается слоистая структура с совершенными характеристиками. Кремний на сапфире широко используется в радиоэлектронике для изготовления полупроводниковых микро- и нанострукур. (см. http://www.psemi.com/articles/History_SOS_73-0020-02.pdf).
Наиболее близким по техническому решению, принятому за прототип, является МЭ нанокомпозиционная структура, содержащая монокристаллическую подложку с нанесенными на нее нанослоями сегнетоэлектрика и феррита.
(см. V.M.Petrov, G.Srinivasan, M.I.Bichurin, A.Gupta Theory of Magnetoelectric Effects in Ferrite Piezoelectric Nanocomposites // Phys. Rev. B 75, 224407 (2007). - прототип.
Недостатком прототипа является использование подложки, обладающей кубической симметрией, что приводит к несоответствию постоянных кристаллических решеток подложки и наносимых нанослоев.
Задачей полезной модели является создание слоистых композиционных магнитострикционно-пьезоэлектрических наноструктур на монокристаллической сапфировой подложке, обладающей тетрагональной структурой с целью получения качественных монокристаллических пленок, свойства которых будут сравнимы со свойствами объемных монокристаллов, и это приведет к увеличению МЭ эффекта.
Для решения данной задачи предложена магнитострикционно-пьезоэлектрическая структура (см. Фиг.1 - схема магнитострикционно-пьезоэлектрической структуры), состоящая из монокристаллической сапфировой подложки (1) с нанесенными слоями сегнетоэлектрика (2) и феррита (3).
Осуществление полезной модели основано на использовании в качестве подложки монокристалла сапфира, обладающего тетрагональной симметрией, поскольку широко известные сегнетоэлектрики с высокими пьезоэлектрическими свойствами обладают тетрагональной симметрией.
Более удобна для получения монокристаллического сапфира технология Степанова. Рост пластин по методу Степанова осуществляется преимущественно в плоскости монокристалла, обладающей тетрагональной симметрией. Такие подложки технологически наиболее оптимальные для последующего формирования на их рабочей поверхности сегнетоэлектрических пленок, кристаллическая структура которых близка к тетрагональной структуре сапфировых подложек. В этом случае уменьшается эффект несоответствия постоянных кристаллических решеток подложки и сегнетоэлектрика, что приводит к уменьшению искажений кристаллической структуры сегнетоэлектрика, улучшению качества наноструктур и увеличению величины МЭ эффекта.
Предлагаемая полезная модель позволяет получить следующий технический результат. Разработанная наноструктура обладает малым эффектом несоответствия кристаллических решеток, что позволит получать качественные монокристаллические пленки, свойства которых будут сравнимы со свойствами объемных монокристаллов, и это приведет к увеличению МЭ эффекта.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010128089/28U RU98993U1 (ru) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010128089/28U RU98993U1 (ru) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU98993U1 true RU98993U1 (ru) | 2010-11-10 |
Family
ID=44026352
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2010128089/28U RU98993U1 (ru) | 2010-07-06 | 2010-07-06 | Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU98993U1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2718467C1 (ru) * | 2018-11-12 | 2020-04-08 | Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ" | Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания |
-
2010
- 2010-07-06 RU RU2010128089/28U patent/RU98993U1/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2718467C1 (ru) * | 2018-11-12 | 2020-04-08 | Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ" | Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Bitla et al. | MICAtronics: A new platform for flexible X-tronics | |
Yan et al. | Review of magnetoelectric perovskite–spinel self-assembled nano-composite thin films | |
He et al. | Dielectric and piezoelectric properties of Pb [(Mg1/3Nb2/3) 0.52 (Yb1/2Nb1/2) 0.15 Ti0. 33] O3 single-crystal rectangular plate and beam mode transducers poled by alternate current poling | |
Fakhri et al. | Annealing temperature effect on structural and morphological properties of nano photonic LiNbO 3 | |
Liu et al. | Flexible oxide epitaxial thin films for wearable electronics: Fabrication, physical properties, and applications | |
Zhang et al. | Piezostrain-enhanced photovoltaic effects in BiFeO3/La0. 7Sr0. 3MnO3/PMN–PT heterostructures | |
Zheng et al. | van der Waals epitaxy for highly tunable all-inorganic transparent flexible ferroelectric luminescent films | |
Kim et al. | High‐performance (Na0. 5K0. 5) NbO3 thin film piezoelectric energy Harvester | |
Deng et al. | Three-dimensional phases-connectivity and strong magnetoelectric response of self-assembled feather-like CoFe2O4–BaTiO3 nanostructures | |
Li et al. | Strain and interface effects in a novel bismuth-based self-assembled supercell structure | |
CN102071399B (zh) | 全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜 | |
Cheng et al. | Enhanced piezoelectric coefficient and the piezoelectric nanogenerator output performance in Y-doped ZnO thin films | |
Gong et al. | Significant Suppression of Cracks in Freestanding Perovskite Oxide Flexible Sheets Using a Capping Oxide Layer | |
Bitla et al. | Development of magnetoelectric nanocomposite for soft technology | |
Ji et al. | A review on recent advances in fabricating freestanding single-crystalline complex-oxide membranes and its applications | |
Shelke et al. | The role of SrRuO3 bottom layer in strain relaxation of BiFeO3 thin films deposited on lattice mismatched substrates | |
Han et al. | Freestanding perovskite oxide membranes: a new playground for novel ferroic properties and applications | |
RU98993U1 (ru) | Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке | |
Xue et al. | Structural, optical and magnetic properties of BiFe1− xCoxO3 thin films | |
Zheng et al. | Epitaxial growth and interface strain coupling effects in manganite film/piezoelectric-crystal multiferroic heterostructures | |
Zhao et al. | Metastable Tetragonal BiFeO3 Stabilized on Anisotropic a-Plane ZnO | |
Gong et al. | Strong strain modulation on magneto-resistance of La0. 85Sr0. 15MnO3 film via converse piezoelectric effect | |
Zhou et al. | Effect of interface coupling on magnetoelectric response of Pb (Zr 0.52 Ti 0.48) O 3/La 0.67 Sr 0.33 MnO 3 thin film under different strain states | |
Vivek et al. | Magnetoelectric coupling in strained strontium titanate and Metglas based magnetoelectric trilayer | |
CN103276360A (zh) | 一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20140707 |