RU98993U1 - Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке - Google Patents

Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке Download PDF

Info

Publication number
RU98993U1
RU98993U1 RU2010128089/28U RU2010128089U RU98993U1 RU 98993 U1 RU98993 U1 RU 98993U1 RU 2010128089/28 U RU2010128089/28 U RU 2010128089/28U RU 2010128089 U RU2010128089 U RU 2010128089U RU 98993 U1 RU98993 U1 RU 98993U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
layered
crystal
magnetostriction
sapphire
Prior art date
Application number
RU2010128089/28U
Other languages
English (en)
Inventor
Мирза Имамович Бичурин
Александр Алексеевич Семенов
Геннадий Алексеевич Семенов
Андрей Вячеславович Филиппов
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "Мэйпик"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "Мэйпик" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "Мэйпик"
Priority to RU2010128089/28U priority Critical patent/RU98993U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU98993U1 publication Critical patent/RU98993U1/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке, состоящая из монокристаллической подложки с нанесенными нанослоями сегнетоэлектрика и феррита, отличающаяся тем, что подложка выполнена из монокристаллического сапфира, имеющего тетрагональную симметрию.

Description

Полезная модель относится к области радиоэлектроники, ее новому направлению - наноэлектронике, в частности, к материалам для изготовления компонентов наноэлектронных приборов, таких как электрически перестраиваемые фильтры СВЧ, линии задержки СВЧ, фазовращатели др., где необходимо наличие магнитоэлектрического (МЭ) эффекта. МЭ эффект заключается в намагничивании материала при воздействии на него внешнего электрического поля и появлении электрической поляризации при воздействии внешнего магнитного поля. Возможность взаимного преобразования полей делает такой материал перспективным для построения различных устройств наноэлектроники на его основе.
Известна структура - кремний на сапфире, в которой микро- или нанослои кремния, нанесены на подложку из монокристаллического сапфира. В данной структуре используется подложка из монокристаллического сапфира, обладающего кубической кристаллической структурой. Поскольку слой кремния имеет также кубическую симметрию, в результате получается слоистая структура с совершенными характеристиками. Кремний на сапфире широко используется в радиоэлектронике для изготовления полупроводниковых микро- и нанострукур. (см. http://www.psemi.com/articles/History_SOS_73-0020-02.pdf).
Наиболее близким по техническому решению, принятому за прототип, является МЭ нанокомпозиционная структура, содержащая монокристаллическую подложку с нанесенными на нее нанослоями сегнетоэлектрика и феррита.
(см. V.M.Petrov, G.Srinivasan, M.I.Bichurin, A.Gupta Theory of Magnetoelectric Effects in Ferrite Piezoelectric Nanocomposites // Phys. Rev. B 75, 224407 (2007). - прототип.
Недостатком прототипа является использование подложки, обладающей кубической симметрией, что приводит к несоответствию постоянных кристаллических решеток подложки и наносимых нанослоев.
Задачей полезной модели является создание слоистых композиционных магнитострикционно-пьезоэлектрических наноструктур на монокристаллической сапфировой подложке, обладающей тетрагональной структурой с целью получения качественных монокристаллических пленок, свойства которых будут сравнимы со свойствами объемных монокристаллов, и это приведет к увеличению МЭ эффекта.
Для решения данной задачи предложена магнитострикционно-пьезоэлектрическая структура (см. Фиг.1 - схема магнитострикционно-пьезоэлектрической структуры), состоящая из монокристаллической сапфировой подложки (1) с нанесенными слоями сегнетоэлектрика (2) и феррита (3).
Осуществление полезной модели основано на использовании в качестве подложки монокристалла сапфира, обладающего тетрагональной симметрией, поскольку широко известные сегнетоэлектрики с высокими пьезоэлектрическими свойствами обладают тетрагональной симметрией.
Более удобна для получения монокристаллического сапфира технология Степанова. Рост пластин по методу Степанова осуществляется преимущественно в плоскости монокристалла, обладающей тетрагональной симметрией. Такие подложки технологически наиболее оптимальные для последующего формирования на их рабочей поверхности сегнетоэлектрических пленок, кристаллическая структура которых близка к тетрагональной структуре сапфировых подложек. В этом случае уменьшается эффект несоответствия постоянных кристаллических решеток подложки и сегнетоэлектрика, что приводит к уменьшению искажений кристаллической структуры сегнетоэлектрика, улучшению качества наноструктур и увеличению величины МЭ эффекта.
Предлагаемая полезная модель позволяет получить следующий технический результат. Разработанная наноструктура обладает малым эффектом несоответствия кристаллических решеток, что позволит получать качественные монокристаллические пленки, свойства которых будут сравнимы со свойствами объемных монокристаллов, и это приведет к увеличению МЭ эффекта.

Claims (1)

  1. Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке, состоящая из монокристаллической подложки с нанесенными нанослоями сегнетоэлектрика и феррита, отличающаяся тем, что подложка выполнена из монокристаллического сапфира, имеющего тетрагональную симметрию.
    Figure 00000001
RU2010128089/28U 2010-07-06 2010-07-06 Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке RU98993U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010128089/28U RU98993U1 (ru) 2010-07-06 2010-07-06 Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010128089/28U RU98993U1 (ru) 2010-07-06 2010-07-06 Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU98993U1 true RU98993U1 (ru) 2010-11-10

Family

ID=44026352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010128089/28U RU98993U1 (ru) 2010-07-06 2010-07-06 Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU98993U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2718467C1 (ru) * 2018-11-12 2020-04-08 Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ" Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2718467C1 (ru) * 2018-11-12 2020-04-08 Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ" Способ получения эпитаксиальных пленок феррита висмута методом молекулярного наслаивания

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Bitla et al. MICAtronics: A new platform for flexible X-tronics
Yan et al. Review of magnetoelectric perovskite–spinel self-assembled nano-composite thin films
He et al. Dielectric and piezoelectric properties of Pb [(Mg1/3Nb2/3) 0.52 (Yb1/2Nb1/2) 0.15 Ti0. 33] O3 single-crystal rectangular plate and beam mode transducers poled by alternate current poling
Fakhri et al. Annealing temperature effect on structural and morphological properties of nano photonic LiNbO 3
Liu et al. Flexible oxide epitaxial thin films for wearable electronics: Fabrication, physical properties, and applications
Zhang et al. Piezostrain-enhanced photovoltaic effects in BiFeO3/La0. 7Sr0. 3MnO3/PMN–PT heterostructures
Zheng et al. van der Waals epitaxy for highly tunable all-inorganic transparent flexible ferroelectric luminescent films
Kim et al. High‐performance (Na0. 5K0. 5) NbO3 thin film piezoelectric energy Harvester
Deng et al. Three-dimensional phases-connectivity and strong magnetoelectric response of self-assembled feather-like CoFe2O4–BaTiO3 nanostructures
Li et al. Strain and interface effects in a novel bismuth-based self-assembled supercell structure
CN102071399B (zh) 全钙钛矿多铁性磁电复合薄膜
Cheng et al. Enhanced piezoelectric coefficient and the piezoelectric nanogenerator output performance in Y-doped ZnO thin films
Gong et al. Significant Suppression of Cracks in Freestanding Perovskite Oxide Flexible Sheets Using a Capping Oxide Layer
Bitla et al. Development of magnetoelectric nanocomposite for soft technology
Ji et al. A review on recent advances in fabricating freestanding single-crystalline complex-oxide membranes and its applications
Shelke et al. The role of SrRuO3 bottom layer in strain relaxation of BiFeO3 thin films deposited on lattice mismatched substrates
Han et al. Freestanding perovskite oxide membranes: a new playground for novel ferroic properties and applications
RU98993U1 (ru) Слоистая магнитострикционно-пьезоэлектрическая наноструктура на подложке
Xue et al. Structural, optical and magnetic properties of BiFe1− xCoxO3 thin films
Zheng et al. Epitaxial growth and interface strain coupling effects in manganite film/piezoelectric-crystal multiferroic heterostructures
Zhao et al. Metastable Tetragonal BiFeO3 Stabilized on Anisotropic a-Plane ZnO
Gong et al. Strong strain modulation on magneto-resistance of La0. 85Sr0. 15MnO3 film via converse piezoelectric effect
Zhou et al. Effect of interface coupling on magnetoelectric response of Pb (Zr 0.52 Ti 0.48) O 3/La 0.67 Sr 0.33 MnO 3 thin film under different strain states
Vivek et al. Magnetoelectric coupling in strained strontium titanate and Metglas based magnetoelectric trilayer
CN103276360A (zh) 一种磁性纳米线阵列薄膜及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20140707