RU2716700C1 - Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов - Google Patents
Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2716700C1 RU2716700C1 RU2019127024A RU2019127024A RU2716700C1 RU 2716700 C1 RU2716700 C1 RU 2716700C1 RU 2019127024 A RU2019127024 A RU 2019127024A RU 2019127024 A RU2019127024 A RU 2019127024A RU 2716700 C1 RU2716700 C1 RU 2716700C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- duration
- condensation
- carbon
- coating
- aluminum
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000011888 foil Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims abstract description 12
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 244000309464 bull Species 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001222 biopolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 241001474374 Blennius Species 0.000 description 1
- 241000199919 Phaeophyceae Species 0.000 description 1
- 241000206572 Rhodophyta Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000000277 atomic layer chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000011852 carbon nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035764 nutrition Effects 0.000 description 1
- 235000016709 nutrition Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
- H01G9/045—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material based on aluminium
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу модификации поверхности алюминиевой фольги для электролитического конденсатора, и может быть использовано в радиоэлектронной технике, где требуется миниатюризация аппаратуры. Увеличение удельной емкости и плотности запасаемой энергии электролитическим конденсатором является техническим результатом изобретения. Предложенный способ включает нанесение методом электронно-лучевого испарения в вакууме на металлическую фольгу покрытия, состоящего из смеси токопроводящего и диэлектрического материалов, при этом покрытие с открытой пористостью и фрактальными микро- и наноструктурами получают методом электронно-лучевого осаждения. Сначала проводят испарение углерода для его конденсации в кристаллической модификации графит, для чего проводят фотонную обработку поверхности, представляющую собой последовательность интервалов облучения с переменной длительностью, при этом значение мощности поступающего на подложку излучения составляет не менее 5 Вт/см2, длительность последующего интервала облучения равна корню квадратному из длительности предыдущего интервала, продолжительность между интервалами остается неизменной в течение всего времени конденсации углерода, после чего осаждают диэлектрик, в качестве которого используют алюминий, окисленный технологическим газом, который подают в зону конденсации. 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 пр.
Description
Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении электролитических конденсаторов.
Известно, что емкость конденсатора пропорциональна площади поверхности его электродов [1]. Экстенсивное увеличение габаритных размеров электродов (например, длины) приведет к росту диаметра конденсатора. Увеличить удельную емкость пластины можно путем нанесения соответствующего покрытия на электрод.
Известен способ получения композита, содержащего карбонизованные биополимеры и углеродные нанотрубки [2], в котором увеличение удельной емкости электродов достигается за счет композитов, содержащих углеродные нанотрубки и углеродистый материал, представляющий собой остаток карбонизации биополимера или морских водорослей.
Недостаток указанного способа заключается в необходимости использования дорогостоящих биополимеров, содержащихся в красных и коричневых водорослях, что существенно увеличивает себестоимость конечного продукта.
Известен способ получения пористого покрытия для модификации поверхности фольги электролитического конденсатора [3] в состав которого входят наночастицы углерода. Покрытие получают на проводящей подложке методом реактивного испарения алюминия в атмосфере окислителя.
Недостаток способа заключается в невозможности с высокой точностью контролировать и поддерживать на оптимальном уровне состав рабочей среды в вакуумной камере, следствием чего является нестабильное количественное соотношение фаз и электрофизических свойств полученных конденсатов.
Известен способ получения пленочного конденсатора [4], согласно которому на токосъемник (алюминиевую фольгу) наносится многослойное покрытие с целью получения развитой морфологии поверхности.
Недостатками способа являются: низкая технологичность, связанная с наличием большого количества последовательно нанесённых слоёв, что требует значительных временных затрат на изготовление; первый слой отличается от последующих по структуре и составу, что требует изменения режимов конденсации (температура, скорость осаждения), и как следствие перенастройку оборудования; первый слой соединен со следующим гетеропереходом из композитных наночастиц, количество и расположение которых в данном способе невозможно проконтролировать, что приводит к нестабильности электрических характеристик конденсаторов.
Известен способ получения наноструктурного электрода для псевдоемкостного накопления энергии [5], в котором предложена нанопористая матричная структура, представляющая собой подложку из анодированного оксида алюминия. Материал осаждают по боковым стенкам подложки путем атомно-слоевого осаждения, химического осаждения из паровой фазы и/или электрохимического осаждения с использованием слоя зародышеобразования. Подложку подвергают травлению, чтобы сформировать массив цилиндрических и структурно устойчивых нанотрубок.
Недостатком представленного способа является высокая стоимость производства таких материалов, что ограничивает их широкое применение в компактных электронных устройствах.
Известен способ получения катодной фольги [6], заключающийся в нанесении в вакуумной камере на алюминиевую основу пористого слоя вентильного металла методом электронно-лучевого испарения при непрерывном перемещении алюминиевой основы над испарителем в реактивной атмосфере смеси газов. Испарение проводят одновременно из, по меньшей мере, двух испарителей, а конденсация пористого слоя происходит при комбинированной подаче технологических газов, представляющих собой смесь азота и кислорода, в зону конденсации по каналам постоянного расхода и подачи газов в объем вакуумной камеры.
Недостатки такого способа: необходимость использования в составе покрытия дорогостоящих металлов - титана, а также не все полученные поры подложки являются открытыми, следовательно, не ко всем из них имеет доступ электролит, что приводит к нестабильности электростатической емкости от партии к партии (в описываемом способе электростатическая емкость фольги изменяется в широких пределах от 400 до 3000 мкФ/см).
Наиболее близким по технической сущности к заявляемому является способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов [7], принятый за прототип. В этом способе на металлическую фольгу в вакуумной инертной среде наносят покрытие из смеси токопроводящего и диэлектрического материалов методом высокочастотного магнетронного распыления из составной мишени.
Недостатком этого способа является низкая рабочая площадь подложки при использовании магнетронного распыления. Для получения одинаковой по толщине пленки необходимо трудоемкий подбор правильной геометрии распылительной системы и мишени, а также условий осаждения. Если увеличить размер подложки, толщина полученного покрытия на разных участках будет различной, что влияет на электрические характеристики конечного продукта из чего следует, что данный способ является низко технологичным и обладает слабой производительностью.
Технической задачей, на решение которой направлено настоящее изобретение, является создание нового способа модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов, характеризующееся развитой поверхностью покрытия в виде открытой пористости и фрактальными микро- и наноструктурами, растущими перпендикулярно поверхности, представляющими собой графитовые стержни, покрытые оксидом алюминия, а также обладающего высокой технологичностью.
Задачей изобретения является создание простой и производительной технологии нанесения покрытия на металлическую фольгу в виде смеси токопроводящего и диэлектрического материала, имеющего более развитую морфологию, чем на предыдущем уровне техники.
Техническим результатом изобретения является увеличение удельной емкости и плотности запасаемой энергии конденсатора, повышение стабильности процесса производства и воспроизводимости электротехнических характеристик получаемого продукта, что способствует миниатюризации элементной базы радиоэлектронной аппаратуры.
Для решения поставленной задачи в известном способе модификации поверхности фольги, включающем нанесение в высоком вакууме на металлическую фольгу покрытия, состоящего из смеси токопроводящего и диэлектрического материалов, согласно изобретению, создают покрытие с открытой пористостью и фрактальными микро- и наноструктурами методом электронно-лучевого испарения в высоком вакууме, последовательно, сначала проводника, в качестве которого используют углерод, создают условия для его конденсации в кристаллической модификации графит, для чего в течение времени конденсации углерода проводят фотонную обработку поверхности, представляющей собой последовательность интервалов облучения с переменной длительностью, а затем диэлектрика, в качестве которого используют алюминий, окисленный технологическим газом, который подают в зону конденсации.
Длительность последующего интервала облучения при фотонной обработке равна корню квадратному из длительности предыдущего интервала, при этом продолжительность между интервалами остается неизменной в течении всего времени конденсации углерода.
Мощность поступающего на подложку излучения при фотонной обработке составляет не менее 5 Вт/см2.
В качестве технологического газа используют чистый кислород.
В предлагаемом изобретении представлен новый способ модификации поверхности алюминиевой фольги путем выращивания на пористой поверхности конденсированной пленки филаментарных структур (фиг. 1), представляющих собой совокупность нитевидных микро- и нанокристаллов графита в аморфной алюминиевой матрице.
В результате экспериментальных исследований было установлено, что наибольшую удельную емкость на алюминиевой подложке обеспечивает покрытие с открытыми порами и фрактальными микро- и наноструктурами между ними. Нами предложен способ, при котором углерод в ходе электронно-лучевого испарения образует сложные пространственные структуры в виде фракталов, размер которых на разных уровнях самоорганизации варьируется от нескольких десятков микрометров до нескольких нанометров; при этом морфология поверхности оказывается более развита, чем в способе [3]. Для этого в вакууме (10-3 – 10-5 Па) последовательно проводят электронно-лучевое испарение не менее двух различных мишеней, одна из которых состоит из графита, вторая из чистого алюминия.
Предлагаемое изобретение поясняется с помощью следующих чертежей.
На фиг. 1 представлены изображения свободной поверхности пленочной гетеросистемы С-Al2O3, синтезированной по предлагаемому способу при последовательном осаждении углерода и алюминия, полученные с помощью растровой электронной микроскопии, увеличение 1000 раз. На поверхности наблюдаются филаменты (нитевидные образования) первого уровня самоорганизации.
На фиг. 2а представлены профильные изображения свободной поверхности одной из филамент первого уровня самоорганизации пленочной гетеросистемы С-Al2O3, при последовательном осаждении углерода, затем алюминия в атмосфере кислорода, увеличение 2·104 раз. Цифрами обозначены:
1 – филаменты первого уровня самоорганизации;
2 – филаменты второго уровня самоорганизации;
3 – филаменты третьего уровня самоорганизации.
На фиг. 2б представлен фрагмент микрофотографии, полученной методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ). Из нее видно, что каждая филамента представляет собой графитовый стержень, покрытый аморфоным оксидом алюминия.
В область подложки по технологическим каналам направляют технологические газы, основным из которых является кислород, который вступает в реактивное взаимодействие с атомами алюминия, образуя оксид алюминия AlOx, который осаждается на поверхности полученного покрытия. Использование электронно-лучевого испарения вместо магнетронного, а также разделение камер, в одной из которых имеется испаряемые вещества, а в другой – подложка, позволило довести содержание кислорода в смеси технологических газов до 100%. Это, в свою очередь, позволило получить оксид алюминия в стехиометрии корунда (Al2O3), диэлектрические свойства которого выше, чем оскидов с другой стехиометрией. Покрытие, полученное по предлагаемому способу, представляет собой пористый слоистый композит из углерода в виде графита (токопроводящий материал) и оксида алюминия, который является диэлектриком.
Морфология поверхности полученного конденсата представляет собой совокупность открытых пор, между которыми хаотично расположены филаменты (фиг. 1). При этом каждая филамента при произвольном увеличении обнаруживает на своей поверхности фракталы - приближенно самоподобные структурные образования (фиг. 2а). Такие образования дополнительно увеличивают площадь контакта электролита с покрытием, заполняют имеющиеся полости между филаментами, не затрудняя доступ к соседним наноструктурам. Филаменты, растущие на подложке (алюминиевой фольге) назовем филаментами первого уровня самоорганизации; филаменты, растущие на боковой поверхности филаменты первого уровня назовем филаментами второго уровня самоорганизации и т.д.
Филаменты представляют собой неполые внутри (твердотельные) нити из углерода, покрытые аморфным оксидом алюминия (фиг. 2б). В заявляемом способе увеличение площади поверхности фольги и удельной емкости обеспечено не только высокой открытой пористостью конденсата, но также благодаря формированию многочисленных филамент.
Представленный способ позволяет управлять длиной филамент. Способ не ограничивает количество уровней самоорганизации фрактальной структуры, однако эксперимент показывает, что каждый следующий уровень уменьшает вклад в удельную емкость конечного продукта, и получение структур выше третьего уровня, как правило, нецелесообразно. Кроме того, необходимо добиться, чтобы филаменты следующего уровня были бы короче и тоньше предыдущего, в противном случае полученные структуры перекроют открытые поры, затруднив в них доступ электролита при изготовлении конденсатора. Предложенный способ дает возможность получить филаменты высокого уровня, длина которых не превышает несколько десятков нанометров.
Для управления зарождением и ростом филамент используют фотонную обработку подложки. Известно [8] что облучение подложки увеличивает подвижность адсорбированных атомов (адатомов). В момент воздействия на подложку мощного фотонного излучения атомам углерода становится энергетически выгоднее расти в направлении, перпендикулярном подложке. У каждой образовавшейся в случайном месте филаменты (предположительно в месте выхода дислокаций, точечного или иного дефекта) на поверхности кристаллического углерода образуется зона питания в несколько периодов решетки, попав в которую атом углерода диффундирует вдоль растущей филаменты, пристраиваясь к его вершине. Его подвижность слишком высока, чтобы задержаться до достижения вершины. Однако, как только фотонное воздействие прекращается, коэффициент диффузии адатомов уменьшается, они не успевают достичь вершины существующей филаменты и участвуют в формировании новой филаменты, более высокого уровня самоорганизации, расположенной на боковой поверхности существующей. Таким образом, в промежутках между фотонными воздействиями происходит формирование филамент следующего уровня, а в момент действия фотонной обраотки их рост. Поскольку, как было отмечено ранее, для получения максимальной удельной емкости полученной фольги необходимо, чтобы филаменты разных порядков были различной длины, следовательно, длительность воздействия для филамент разного порядка также должна быть различной. Экспериментально установлено, что для получения фольги с максимальной удельной емкостью длительность последующего интервала облучения равна корню квадратному из длительности предыдущего интервала, при этом продолжительность между интервалами остается неизменной в течении всего времени конденсации углерода.
В предлагаемом способе графит выступает в качестве проводника, а в качестве диэлектрика используют оксид алюминия. Оксидная пленка диэлектрика препятствует росту филамент. Если осуществлять конденсацию двух материалов (углерода и алюминия) одновременно из составной мишени, как, например, в аналоге [6], оксид алюминия покроет графитовые стержни со всех сторон, и формирование филамент высокого (выше 1-го) уровня самоорганизации станет невозможным даже под воздействием фотонной обработки. Поэтому конденсацию проводят последовательно: сначала используют углеродную мишень, при этом конденсацию проводят методом электронно-лучевого испарения совместно с фотонной обработкой с разной длительностью интервалов облучения, затем осуществляют конденсацию алюминия (также методом электронно-лучевого испарения) с одновременной подачей технологического газа (кислорода) по специальным каналам в зону конденсации. Это позволяет сформировать на всей поверхности внутри открытых пор и на поверхностях филамент всех порядков равномерный слой оксида алюминия.
Предлагаемый способ может быть осуществлен с помощью известных в технике средств, в частности, он может быть реализован с помощью устройства, включающего следующие технические средства:
1 – средство для проведения электронно-лучевого испарения в высоком вакууме, например, установка Е-400-L [9], которая имеет две независимые камеры. Первая камера выполняет функцию изоляции электронно-лучевого испарителя, а вторая камера используется для загрузки образцов. Таким образом, материал для испарения всегда остается в вакуумной камере даже в процессе загрузки образцов и не контактирует с технологическим газом, подаваемым в зону подложки;
2 – средство для проведения фотонной обработки, например, установка УОЛП-1, используемая, например, в [10];
3 – реле времени, например, серии РВВ [11], которое посылает сигнал окончания работы средству для проведения электронно-лучевого испарения по достижении нужных значений толщин проводящего и диэлектрического материала покрытия.
Конечным этапом получения покрытия с открытой пористостью и фрактальными структурами может быть отжиг. Однако эксперимент показывает, что наибольшая удельная емкость фольги по настоящему способу (20 ) достигается, когда оксид алюминия на поверхности находится в аморфном состоянии. При этом эксперимент показывает, что аморфная фаза стабильна даже при высоких температурах (до 500 ºС).
Пример. Пленку С-Al2O3 получили на алюминиевой фольге последовательно электронно-лучевым испарением сначала углерода, затем алюминия. Установка для нанесения покрытия имела две камеры, в одной из которых создавали вакуум (1-2×10-4Па), во вторую подавали чистый кислород. Весь процесс конденсации продолжался 2400 с, из которых осаждение углерода составило 1800 с. За это время конденсации толщина пористой пленки углерода составила около 3 мкм (при скорости конденсации около 2 нм×с-1). Толщина оксидной пленки алюминия определяется рабочим напряжением, на которое рассчитан конечный продукт - электролитический конденсатор, в данном случае толщина Al2O3 составила около 1 мкм. Осаждение углерода сопровождалось фотонной обработкой подложки с помощью ксеноновых ламп в вакууме на установке УОЛП-1 при мощности поступающего на подложку излучения 10 Вт/см2, в три этапа переменной длительности:
1 этап – 1296 с, промежуток между облучением 231 с;
2 этап – 36 с, промежуток между облучением 231 с;
3 этап – 6 с.
Далее следует этап осаждения алюминия без ФО, при этом в камеру с подложкой подают чистый кислород.
В результате описанных действий были получены филаменты первого уровня самоорганизации длиной до 20 мкм и диаметром 0,2-0,4 мкм, (фиг. 1), на их поверхности обнаружены филаменты второго уровня самоорганизации, длина которых от 150 до 250 нм, а диаметр от 20 до 50 нм (фиг. 2а), и филаменты третьего уровня самоорганизации длиной несколько десятков нанометров.
Эксперимент проводили при «комнатной» температуре - заявленный способ не требует обязательного подогрева поверхности, поскольку активация диффузионных процессов происходит в основном за счет фотонной обработки с разной длительностью на разных этапах конденсации.
Благодаря разветвленной структуре филамент такие параметры, как площадь поверхности и захват электролита, превышают соответствующие значения при использовании традиционных нанотрубок.
Предлагаемое изобретение позволяет получить конденсаторы с большим значением удельной емкости, чем это было возможно ранее, а также с точным соответствием электротехнических параметров заявленным характеристикам.
Источники информации:
1. Айсберг Е.Н. Радио и телевидение – это очень просто / Е.Н. Айсберг. – М.: Энергия, 1979. – 232 с.
2. Патент на изобретение RU 2447531 «Композит, содержащий карбонизованные биополимеры и углеродные нанотрубки», H01G9/058 опубл. 10.04.2012, Бюл. № 10
3. Патент на изобретение RU 2123738 «Пористое покрытие для модификации поверхности фольги электролитического конденсатора», H01G9/00, H01G9/04 опубл. 20.12.1998, Бюл. № 35
4. Патент на изобретение RU 2525825 «Пленочный конденсатор», опубл. 20.08.2014, Бюл. № 23
5. Патент на изобретение RU 2521083 «Наноструктурный электрод для псевдоемкостного накопления энергии», H01G9/045 опубл. 27.06.2014, Бюл. № 18
6. Патент на изобретение RU 2400851 «Способ получения катодной фольги и катодная фольга электролитических конденсаторов», H01G9/058, H01LG9.045, опубл. 27.09.2010, Бюл. № 27
7. Патент на изобретение RU 2109362 «Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов», H01G9/00, опубл. 20.04.1998
8. Патент на изобретение RU 2657094 «Способ получения твердотельных регулярно расположенных нитевидных кристаллов», C30B 29/62, C30B 23/00, C30B 23/06, C30B 30/00, B82B 3/00, B82Y 40/00, опубл. 08.06.2018, Бюл. № 15
9. Установки электронно-лучевого напыления ЕВ-450 и Е-400L/ - Электрон. дан. – Режим доступа: https://www.dipaul.ru/catalog/vakuumnoe-napylenie/ustanovki-elektronno-luchevogo-napyleniya-eb-450-i-e-400l-/. – 12.03.2019
10. Патент на изобретение RU 2341847 «Способ синтеза пленок карбида кремния на кремниевой подложке», H01L 21/26, опубл. 20.12.2008, Бюл. № 35
11. ЗАО «ТАУ» - реле времени серии «РВВ». – Электрон.дан. – Режим доступа: http://www.tau-spb.ru/rvv.htm. – 02.06.2019
Claims (4)
1. Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов, включающий нанесение в высоком вакууме на металлическую фольгу покрытия, состоящего из смеси токопроводящего и диэлектрического материалов, отличающийся тем, что создают покрытие с открытой пористостью и фрактальными микро- и наноструктурами методом электронно-лучевого испарения в высоком вакууме последовательно сначала проводника, в качестве которого используют углерод, для чего создают условия для его конденсации в кристаллической модификации графит, при этом в течение времени конденсации углерода проводят фотонную обработку поверхности, представляющую собой последовательность интервалов облучения с переменной длительностью, а затем диэлектрика, в качестве которого используют алюминий, окисленный технологическим газом, который подают в зону конденсации.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что длительность последующего интервала облучения при фотонной обработке равна корню квадратному из длительности предыдущего интервала, при этом продолжительность между интервалами остается неизменной в течение всего времени конденсации углерода.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что мощность поступающего на подложку излучения при фотонной обработке составляет не менее 5 Вт/см2.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве технологического газа используют чистый кислород.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019127024A RU2716700C1 (ru) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019127024A RU2716700C1 (ru) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2716700C1 true RU2716700C1 (ru) | 2020-03-16 |
Family
ID=69898550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019127024A RU2716700C1 (ru) | 2019-08-28 | 2019-08-28 | Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2716700C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117220378A (zh) * | 2023-09-21 | 2023-12-12 | 深圳先屹科技有限公司 | 基于超级电容的户外移动电源供应系统 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2109362C1 (ru) * | 1996-05-30 | 1998-04-20 | Воронежский государственный технический университет | Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов |
RU2400851C1 (ru) * | 2009-10-07 | 2010-09-27 | Закрытое акционерное общество "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро КАСКАД" (ЗАО "СКТБ КАСКАД") | Способ получения катодной фольги и катодная фольга электролитических конденсаторов |
US20120057273A1 (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-08 | International Business Machines Corporation | Nanostructure electrode for pseudocapacitive energy storage |
RU2525825C1 (ru) * | 2012-11-02 | 2014-08-20 | Владимир Владимирович Слепцов | Пленочный конденсатор |
CN206480512U (zh) * | 2016-11-18 | 2017-09-08 | 天津普兰能源科技有限公司 | 一种铝箔层打孔的电极片 |
CN110098059A (zh) * | 2019-04-01 | 2019-08-06 | 扬州宏远电子股份有限公司 | 长寿命高稳定性固态电极箔及其生产方法 |
-
2019
- 2019-08-28 RU RU2019127024A patent/RU2716700C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2109362C1 (ru) * | 1996-05-30 | 1998-04-20 | Воронежский государственный технический университет | Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов |
RU2400851C1 (ru) * | 2009-10-07 | 2010-09-27 | Закрытое акционерное общество "Специальное Конструкторско-Технологическое Бюро КАСКАД" (ЗАО "СКТБ КАСКАД") | Способ получения катодной фольги и катодная фольга электролитических конденсаторов |
US20120057273A1 (en) * | 2010-09-07 | 2012-03-08 | International Business Machines Corporation | Nanostructure electrode for pseudocapacitive energy storage |
RU2525825C1 (ru) * | 2012-11-02 | 2014-08-20 | Владимир Владимирович Слепцов | Пленочный конденсатор |
CN206480512U (zh) * | 2016-11-18 | 2017-09-08 | 天津普兰能源科技有限公司 | 一种铝箔层打孔的电极片 |
CN110098059A (zh) * | 2019-04-01 | 2019-08-06 | 扬州宏远电子股份有限公司 | 长寿命高稳定性固态电极箔及其生产方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117220378A (zh) * | 2023-09-21 | 2023-12-12 | 深圳先屹科技有限公司 | 基于超级电容的户外移动电源供应系统 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6525461B1 (en) | Narrow titanium-containing wire, process for producing narrow titanium-containing wire, structure, and electron-emitting device | |
KR100437982B1 (ko) | 나노구조방출기를갖는전계방출장치 | |
US20060103286A1 (en) | Process to make nano-structurated emitters for incandescence light sources | |
KR20050121426A (ko) | 탄소나노튜브 제조용 촉매의 제조 방법 | |
CN110574132B (zh) | 用于片上超级电容器的蚀刻的硅上的沉积的碳膜 | |
JPH0715864B2 (ja) | 電解コンデンサの電極用シート及びその製造方法 | |
JP2004193523A (ja) | ナノ構造体、電子デバイス、及びその製造方法 | |
Jeong et al. | Fabrication of the aligned and patterned carbon nanotube field emitters using the anodic aluminum oxide nano-template on a Si wafer | |
US7736724B1 (en) | Fabrication of nanobaskets by sputter deposition on porous substrates and uses thereof | |
RU2716700C1 (ru) | Способ модификации поверхности фольги для электролитических конденсаторов | |
US8574744B1 (en) | Nanoscale three-dimensional battery architecture | |
JPH11246300A (ja) | チタンナノ細線、チタンナノ細線の製造方法、構造体及び電子放出素子 | |
JP4245438B2 (ja) | 炭素薄膜ならびにそれを用いた電界放出電子源および作用電極 | |
RU2484548C1 (ru) | Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии | |
Stoica et al. | Hybrid nanomaterial architectures: combining layers of carbon nanowalls, nanotubes, and particles | |
US6444256B1 (en) | Formation of nanometer-size wires using infiltration into latent nuclear tracks | |
GB2056503A (en) | Porous metal films | |
Gupta et al. | Field emission properties of highly ordered low-aspect ratio carbon nanocup arrays | |
JP5154801B2 (ja) | 支持体上への材料層の製造方法 | |
JP2004524686A (ja) | 電解コンデンサーおよびその作製方法 | |
KR102324147B1 (ko) | 금속-그래핀-미세 다공성 흑연질 탄소 복합체 제조 방법, 금속-그래핀-다공성 탄소 복합체 및 이를 포함하는 수소 센서 장치 | |
JPH0750229A (ja) | 固体電解コンデンサー及びその製造方法 | |
JPH076933A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
JP2004277201A (ja) | カーボンナノチューブ | |
KR101855161B1 (ko) | 태양광 물분해 수소생산 전극용 탄소 필름, 이의 제조방법, 및 이를 포함하는 태양광 물분해 수소생산 전극 |