RU2715080C1 - Method of monocrystalline layers of semiconductor structures growth - Google Patents
Method of monocrystalline layers of semiconductor structures growth Download PDFInfo
- Publication number
- RU2715080C1 RU2715080C1 RU2018144934A RU2018144934A RU2715080C1 RU 2715080 C1 RU2715080 C1 RU 2715080C1 RU 2018144934 A RU2018144934 A RU 2018144934A RU 2018144934 A RU2018144934 A RU 2018144934A RU 2715080 C1 RU2715080 C1 RU 2715080C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser radiation
- growth
- crystal
- substance
- forming substance
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 26
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
Область техники, к которой относится изобретениеFIELD OF THE INVENTION
Данное изобретение относится к способу наращивания слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методами эпитаксиального осаждения (как парофазной эпитаксией химическим осаждением, так и молекулярно-лучевой эпитаксией).This invention relates to a method of growing layers of semiconductor structures carried out by methods of epitaxial deposition (as vapor-phase epitaxy by chemical deposition, and molecular beam epitaxy).
Уровень техникиState of the art
В настоящее время процессы формирования полупроводниковых гомо- и гетероструктур методами эпитаксиальной технологии широко применяются для нужд различных отраслей электронного полупроводникового приборостроения. Известные способы проведения эпитаксиального наращивания содержат следующие этапы:At present, the processes of the formation of semiconductor homo- and heterostructures by epitaxial technology methods are widely used for the needs of various branches of electronic semiconductor instrument making. Known methods for carrying out epitaxial building contain the following steps:
- на пьедестале в герметичной химически стойкой камере (реакторе) располагают плоскую, цилиндрическую или сферическую подложку из монокристалла вещества с необходимыми физико-химическими и структурными параметрами;- on a pedestal in a sealed chemically resistant chamber (reactor) there is a flat, cylindrical or spherical substrate made of a single crystal of a substance with the necessary physicochemical and structural parameters;
- пьедестал с расположенной на нем подложкой нагревают до оптимальной температуры с целью термической активации ее поверхности;- the pedestal with the substrate located on it is heated to the optimum temperature in order to thermally activate its surface;
- пропускают над поверхностью нагреваемой подожки поток росто-образующего вещества (возможно, в газовой атмосфере) определенного химического состава с определенной скоростью;- a flow of growth-generating substance (possibly in a gaseous atmosphere) of a certain chemical composition is passed over a surface of the heated hog at a certain speed;
- выбирают время процесса в зависимости от требуемой толщины получаемых эпитаксиальных слоев.- choose the time of the process depending on the required thickness of the resulting epitaxial layers.
Скорости роста полупроводниковых слоев, формируемых за счет парофазной эпитаксии химическим осаждением, обычно не превышают долей микрона в минуту. Скорости роста полупроводниковых слоев, формируемых за счет молекулярно-лучевой эпитаксии, могут составлять один моноатомный слой в минуту в режиме послойного роста.The growth rates of semiconductor layers formed due to vapor-phase epitaxy by chemical deposition usually do not exceed fractions of a micron per minute. The growth rates of semiconductor layers formed due to molecular beam epitaxy can be one monoatomic layer per minute in a layer-by-layer growth mode.
Для интенсификации процесса эпитаксиального роста полупроводниковых слоев применяют облучение поверхности роста при помощи лазерного излучения (авторское свидетельство СССР №1671072, опубл. 27.09.2007; патент РФ №2629655, опубл. 30.08.2017; заявка Японии №07-66136, опубл. 10.03.1995).To intensify the process of epitaxial growth of semiconductor layers, irradiation of the growth surface using laser radiation is used (USSR author's certificate No. 1671072, publ. 09/27/2007; RF patent No. 2629655, publ. 30.08.2017; Japanese application No. 07-66136, publ. 10.03. 1995).
Однако во всех этих документах лазерное излучение используют для дополнительного нагрева (вплоть до расплавления) полупроводникового материала, для чего направляют это излучение на поверхность полупроводниковой подложки почти отвесно. Это приводит к увеличению числа дефектов в монокристаллической структуре наращиваемого слоя.However, in all these documents, laser radiation is used for additional heating (up to melting) of the semiconductor material, for which this radiation is directed almost vertically onto the surface of the semiconductor substrate. This leads to an increase in the number of defects in the single crystal structure of the growing layer.
В патенте США №6869865 (опубл. 22.03.2005) описан выбранный в качестве ближайшего аналога способ изготовления полупроводниковых устройств, в котором применяют лазерное излучение, вызывающее в объеме кристаллической структуры многофононную абсорбцию, благодаря чему сокращается количество дефектов. И хотя в данном способе не происходит расплавления полупроводника, мощность лазерного излучения должна быть достаточно большой, чтобы проникать внутрь кристаллической струтктуры, поскольку данный способ направлен в первую очередь на активацию примесей, внедренных в эту кристаллическую структуру. Как показано на Фиг. 24 упомянутого патента, падающее почти отвесно лазерное излучение возбуждает атомы примеси и атомы самой монокристаллической структуры практически во всех направлениях и на всю глубину этой структуры. В то же время, при наращивании полупроводниковых слоев важно возбуждать (активировать) атомы лишь поверхностного слоя монокристаллической структуры.US Pat. No. 6,869,865 (published March 22, 2005) describes a method of manufacturing semiconductor devices selected as the closest analogue in which laser radiation is used that causes multiphonon absorption in the bulk of the crystal structure, thereby reducing the number of defects. Although the semiconductor does not melt in this method, the laser radiation power must be large enough to penetrate the crystalline structure, since this method is primarily aimed at the activation of impurities embedded in this crystal structure. As shown in FIG. 24 of the aforementioned patent, the incident almost vertical laser radiation excites impurity atoms and atoms of the single-crystal structure itself in almost all directions and to the entire depth of this structure. At the same time, when building semiconductor layers, it is important to excite (activate) atoms of only the surface layer of a single-crystal structure.
Раскрытие изобретенияDisclosure of Invention
Задачей настоящего изобретения является разработка такого способа эпитаксиального наращивания полупроводниковых слоев, который обеспечивал бы повышение скорости наращивания монокристаллических слоев в полупроводниках без увеличения количества дефектов их структуры.The present invention is the development of such a method of epitaxial growth of semiconductor layers, which would provide an increase in the rate of growth of single-crystal layers in semiconductors without increasing the number of defects in their structure.
Для решения этой задачи с достижением указанного технического результата предложен способ наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых структур, осуществляемого методом эпитаксиального осаждения, заключающийся в следующем: пропускают поток ростообразующего вещества над поверхностью монокристаллической полупроводниковой подложки, нагретой до заданной температуры; активируют эту поверхность лазерным излучением, направленным под скользящим углом к поверхности и имеющим линейную поляризацию, при которой вектор Е электрического поля лежит в плоскости, практически перпендикулярной к плоскости, касательной к поверхности в точке падения лазерного излучения.To solve this problem with the achievement of the specified technical result, a method is proposed for growing single-crystal layers of semiconductor structures, carried out by the method of epitaxial deposition, which consists in the following: a stream of growth-forming substance is passed over the surface of a single-crystal semiconductor substrate heated to a given temperature; activate this surface by laser radiation directed at a sliding angle to the surface and having a linear polarization, in which the electric field vector E lies in a plane almost perpendicular to the plane tangent to the surface at the point of incidence of the laser radiation.
Особенность способа по настоящему изобретению состоит в том, что в качестве материала монокристаллической полупроводниковой подложки могут использовать вещество, выбранное из группы, включающей монокристаллический кремний, арсенид галлия, карбид кремния, нитрид алюминия, а в качестве ростообразующего вещества могут использовать вещество, выбранное из группы, включающей моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния, триметилгаллий, арсин, аммиак.A feature of the method of the present invention is that as a material of a single-crystal semiconductor substrate, a substance selected from the group consisting of single-crystal silicon, gallium arsenide, silicon carbide, aluminum nitride can be used, and a substance selected from the group can be used as a growth-forming substance. including monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride, trimethylgallium, arsine, ammonia.
Другая особенность способа по настоящему изобретению состоит в том, что поверхность монокристаллической подложки могут выбирать плоской или выпуклой.Another feature of the method of the present invention is that the surface of the single crystal substrate can be selected flat or convex.
Еще одна особенность способа по настоящему изобретению состоит в том, что заданную температуру могут выбирать меньше той температуры, которая обычно необходима для обеспечения протекания с требуемой скоростью химической реакции на поверхности подложки между адсорбированными на ней атомами или молекулами ростообразующего вещества и атомами внешнего слоя этой поверхностиAnother feature of the method of the present invention is that the desired temperature can be chosen less than the temperature that is usually necessary to ensure that the chemical reaction on the surface of the substrate occurs between the atoms or molecules of the growth-forming substance adsorbed on it and the atoms of the outer layer of this surface
Еще одна особенность способа по настоящему изобретению состоит в том, что скользящий угол могут выбирать не превышающим 3°.Another feature of the method of the present invention is that the sliding angle can be selected not exceeding 3 °.
Еще одна особенность способа по настоящему изобретению состоит в том, что на поверхность подложки могут направлять дополнительное лазерное излучение с частотой, соответствующей максимуму поглощения в спектре молекулы или атома ростообразующего вещества, под углом к поверхности, не превышающим 3°.Another feature of the method of the present invention is that additional laser radiation can be directed onto the surface of the substrate with a frequency corresponding to the absorption maximum in the spectrum of the molecule or atom of the growth-generating substance, at an angle to the surface not exceeding 3 °.
Наконец, еще одна особенность способа по настоящему изобретению состоит в том, что могут выбирать удельную мощность (основного) лазерного излучения и (или) дополнительного лазерного излучения такой величины, при которой не происходит дополнительного нагрева поверхности.Finally, another feature of the method of the present invention is that they can choose the specific power of the (main) laser radiation and (or) additional laser radiation of a magnitude at which there is no additional heating of the surface.
Подробное описание вариантов осуществленияDetailed Description of Embodiments
На приложенном чертеже показана схема реализации способа, предложенного в настоящем изобретении.The attached drawing shows a diagram of the implementation of the method proposed in the present invention.
Ссылочная позиция 1 на этом чертеже обозначает монокристаллическую полупроводниковую подложку, на которой нужно наращивать слои полупроводника. В качестве материала этой монокристаллической полупроводниковой подложки 1 может использоваться любое вещество, к примеру, монокристаллический кремний, арсенид галлия, карбид кремния, нитрид алюминия. При этом сама монокристаллическая полупроводниковая подложка 1 может быть как плоской, так и выпуклой (в виде цилиндра или сферы).Reference numeral 1 in this figure denotes a single crystal semiconductor substrate on which layers of a semiconductor are to be grown. As the material of this single-crystal semiconductor substrate 1, any substance can be used, for example, single-crystal silicon, gallium arsenide, silicon carbide, aluminum nitride. In this case, the single-crystal semiconductor substrate 1 can be either flat or convex (in the form of a cylinder or sphere).
Над монокристаллической полупроводниковой подложкой 1 пропускают поток ростообразующего вещества. В качестве такого ростообразующего вещества можно использовать, например, моносилан, трихлорсилан, тетрахлорид кремния, триметилгаллий, арсин, аммиак и любые иные вещества, требуемые в зависимости от необходимости формирования конкретной многослойной структуры. Если наращивание осуществляется эпитаксией из парофазного состояния путем химического осаждения, это ростообразующее вещество подается в газовом потоке в заданной концентрации, как это известно специалистам. В случае молекулярно-лучевой эпитаксии ростообразующее вещество представляет собой поток атомов, поступающих на поверхность роста в вакуумной камере при остаточном давлении не выше 10-8 мм. рт.ст.Over the single crystal semiconductor substrate 1, a flow of growth-forming substance is passed. As such a growth-forming substance, for example, monosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride, trimethylgallium, arsine, ammonia and any other substances required depending on the need to form a specific multilayer structure can be used. If the build-up is carried out by epitaxy from a vapor-phase state by chemical deposition, this growth-generating substance is supplied in a gas stream in a given concentration, as is known to specialists. In the case of molecular beam epitaxy, the growth-generating substance is a stream of atoms entering the growth surface in a vacuum chamber with a residual pressure of no higher than 10 -8 mm. Hg
Ссылочными позициями 2 на приложенном чертеже обозначены первичные двумерные зародыши эпитаксиального роста на поверхности монокристаллической полупроводниковой подложки 1. Первичной точкой образования такого зародыша могут быть, например, ступени, террасы, изломы в поверхностном слое атомов подлежащего наращиванию полупроводника, а также атомно-гладкие участки его поверхности, атомы которых имеют неспаренные валентные электроны. Эти атомы активируются при нагревании монокристаллической полупроводниковой подложки 1, как и в известных способах. Однако в данном изобретении заданная температура нагрева монокристаллической полупроводниковой подложки 1 имеет пониженное значение по сравнению с известными способами-аналогами. Если, к примеру, для стабильного роста монокристаллического эпитаксиального слоя кремния из газовой фазы при использовании моносилана в качестве ростообразующего вещества в газовом потоке водорода диапазон обычно применяемых температур составляет 900-1200°С (при концентрации моносилана от 0,005% об. до 0,15% об., что обеспечивает скорости роста до 0,1-0,5 мкм/мин), то в настоящем изобретении заданная температура может быть на 30-50°С ниже в зависимости от требований конкретного технологического задания.Reference numerals 2 in the attached drawing indicate primary two-dimensional epitaxial growth nuclei on the surface of a single-crystal semiconductor substrate 1. The primary point of formation of such a nucleus can be, for example, steps, terraces, kinks in the surface layer of atoms of the semiconductor to be grown, and also atomically smooth sections of its surface whose atoms have unpaired valence electrons. These atoms are activated by heating a single-crystal semiconductor substrate 1, as in the known methods. However, in the present invention, the predetermined heating temperature of the single-crystal semiconductor substrate 1 has a reduced value in comparison with known analogous methods. If, for example, for the stable growth of a single-crystal epitaxial silicon layer from the gas phase when using monosilane as a growth-forming substance in a hydrogen gas stream, the range of commonly used temperatures is 900-1200 ° C (at a concentration of monosilane from 0.005% vol. To 0.15% vol., which provides a growth rate of up to 0.1-0.5 μm / min), then in the present invention, the set temperature can be 30-50 ° C lower depending on the requirements of a particular process task.
Такая пониженная температура является следствием того, что в настоящем изобретении дополнительную энергию для протекания реакции эпитаксии с необходимой скоростью обеспечивается за счет активации атомов внешнего слоя поверхности монокристаллической полупроводниковой подложки 1 лазерным излучением 3, направленным под скользящим углом к поверхности подложки 1. Это лазерное излучение имеет линейную поляризацию, условно показанную на приложенном чертеже в виде отрезка синусоиды. При этом вектор Е электрического поля данного лазерного излучения 3 лежит в плоскости, практически перпендикулярной к поверхности монокристаллической полупроводниковой подложки 1. В случае, когда эта поверхность имеет выпуклую форму, плоскость поляризации лазерного излучения 3 должна быть практически перпендикулярна плоскости, касательной к поверхности подложки 1 в точке падения лазерного излучения 3.Such a reduced temperature is due to the fact that in the present invention, additional energy for the epitaxy reaction to occur at the necessary speed is provided by the activation of atoms of the outer layer of the surface of a single-crystal semiconductor substrate 1 by
Ссылочной позицией 4 на приложенном чертеже обозначен скользящий угол а, под которым лазерное излучение 3 падает на поверхность монокристаллической полупроводниковой подложки 1. Этот угол в предпочтительном варианте осуществления настоящего изобретения не превышает 3°. При этом мощность лазерного излучения 3 выбирают такой величины, при которой не происходит дополнительного нагрева поверхности.Reference numeral 4 in the attached drawing denotes a sliding angle a at which
Благодаря воздействию лазерного излучения 3 атомы двумерных зародышей 2 в поверхностном слое монокристаллической полупроводниковой подложки 1 приобретают дополнительную активацию, тогда как «внутренние» атомы подложки 1 остаются менее активированными благодаря более низкой температуре нагрева всей подложки 1. Вследствие этого в поверхностном слое эпитаксиального роста полупроводника не появляются дополнительные дефекты, обычно вызываемые высоким нагревом этой поверхности.Due to the action of
Для повышения скорости роста эпитаксиального слоя на поверхность монокристаллической полупроводниковой подложки 1 можно направлять дополнительное лазерное излучение (не показано) с частотой, соответствующей максимуму поглощения в спектре молекулы или атома используемого ростообразующего вещества. При этом данное дополнительное лазерное излучение направляют под скользящим углом к поверхности, предпочтительно не превышающим 3°.To increase the growth rate of the epitaxial layer, additional laser radiation (not shown) can be directed to the surface of the single-crystal semiconductor substrate 1 with a frequency corresponding to the absorption maximum in the spectrum of the molecule or atom of the used growth-forming substance. In this case, this additional laser radiation is directed at a sliding angle to the surface, preferably not exceeding 3 °.
Воздействие этого дополнительного лазерного излучения приводит к тому, что в молекулах ростообразующего вещества происходит разрыв связей атомов, образующих эти молекулы. В результате большее число атомов может осаждаться на поверхность эпитаксиального роста монокристаллической полупроводниковой подложки 1, что дает повышение скорости наращивания слоев полупроводника. Мощность дополнительного лазерного излучения, как и мощность основного лазерного излучения 3, предпочтительно выбирают такой, чтобы не происходило дополнительного нагрева поверхности подложки 1.The effect of this additional laser radiation leads to the fact that in the molecules of the growth-generating substance, the bonds of the atoms forming these molecules break. As a result, a larger number of atoms can be deposited on the epitaxial growth surface of a single crystal semiconductor substrate 1, which gives an increase in the growth rate of the semiconductor layers. The power of the additional laser radiation, as well as the power of the
Таким образом, применение данного изобретения позволяет повысить скорость наращивания слоев полупроводника без увеличения количества дефектов в его монокристаллической структуре.Thus, the use of this invention allows to increase the rate of growth of the layers of the semiconductor without increasing the number of defects in its single crystal structure.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018144934A RU2715080C1 (en) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | Method of monocrystalline layers of semiconductor structures growth |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018144934A RU2715080C1 (en) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | Method of monocrystalline layers of semiconductor structures growth |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2715080C1 true RU2715080C1 (en) | 2020-02-25 |
Family
ID=69630862
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018144934A RU2715080C1 (en) | 2018-12-18 | 2018-12-18 | Method of monocrystalline layers of semiconductor structures growth |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2715080C1 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3532944A (en) * | 1966-11-04 | 1970-10-06 | Rca Corp | Semiconductor devices having soldered joints |
| US4843029A (en) * | 1987-04-06 | 1989-06-27 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a heteroepitaxial compound semiconductor device using photo smoothing between layer growth |
| RU2038646C1 (en) * | 1991-07-18 | 1995-06-27 | Новочеркасский политехнический институт | Process of molecular-beam epitaxy |
| RU2462786C2 (en) * | 2005-02-28 | 2012-09-27 | Зульцер Метко Аг | Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor |
| RU2524509C1 (en) * | 2013-04-25 | 2014-07-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | METHOD OF PRODUCING THIN EPITAXIAL LAYERS OF β-SIC ON MONOCRYSTALLINE SILICON |
| RU2593633C1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-08-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" | Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates |
| US9613800B2 (en) * | 2014-02-20 | 2017-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing semiconductor devices including an oxide layer |
-
2018
- 2018-12-18 RU RU2018144934A patent/RU2715080C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3532944A (en) * | 1966-11-04 | 1970-10-06 | Rca Corp | Semiconductor devices having soldered joints |
| US4843029A (en) * | 1987-04-06 | 1989-06-27 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a heteroepitaxial compound semiconductor device using photo smoothing between layer growth |
| RU2038646C1 (en) * | 1991-07-18 | 1995-06-27 | Новочеркасский политехнический институт | Process of molecular-beam epitaxy |
| RU2462786C2 (en) * | 2005-02-28 | 2012-09-27 | Зульцер Метко Аг | Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor |
| RU2524509C1 (en) * | 2013-04-25 | 2014-07-27 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) | METHOD OF PRODUCING THIN EPITAXIAL LAYERS OF β-SIC ON MONOCRYSTALLINE SILICON |
| US9613800B2 (en) * | 2014-02-20 | 2017-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of manufacturing semiconductor devices including an oxide layer |
| RU2593633C1 (en) * | 2015-05-14 | 2016-08-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный федеральный университет" | Method of forming ordered structures on surface of semiconductor substrates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9903046B2 (en) | Reduction of carrot defects in silicon carbide epitaxy | |
| US5363800A (en) | Process for the controlled growth of single-crystal films of silicon carbide polytypes on silicon carbide wafers | |
| US5760426A (en) | Heteroepitaxial semiconductor device including silicon substrate, GaAs layer and GaN layer #13 | |
| CN1988109B (en) | Process for producing a free-standing III-N layer, and free-standing III-N substrate | |
| KR102551587B1 (en) | Underlayer substrate for diamond film-forming and method for preparing diamond substrate using the same | |
| US5279701A (en) | Method for the growth of silicon carbide single crystals | |
| US4865659A (en) | Heteroepitaxial growth of SiC on Si | |
| US20210404089A1 (en) | Ground substrate and method for producing same | |
| KR20140055338A (en) | Epitaxial wafer and method for fabricating the same | |
| JP2014181178A (en) | Low-carbon group iii nitride crystal | |
| JP3728464B2 (en) | Method for manufacturing substrate for vapor phase synthesis of single crystal diamond film | |
| RU2715080C1 (en) | Method of monocrystalline layers of semiconductor structures growth | |
| von Känel et al. | Defect reduction in epitaxial 3C-SiC on Si (001) and Si (111) by deep substrate patterning | |
| Vikharev et al. | Combined single-crystalline and polycrystalline CVD diamond substrates for diamond electronics | |
| Hassan et al. | Fast growth rate epitaxy on 4 off-cut 4-inch diameter 4H-SiC wafers | |
| Qin et al. | Deposition and properties of highly c-oriented of InN films on sapphire substrates with ECR-plasma-enhanced MOCVD | |
| JPH02180796A (en) | Production of silicon carbide single crystal | |
| CN105140106B (en) | A kind of method of the epitaxial silicon carbide on the substrate of zero bias angle | |
| KR102401334B1 (en) | A method for bandgap engineering of diamond by hybridization with graphene | |
| JP7439117B2 (en) | Underlying substrate and its manufacturing method | |
| JP3728466B2 (en) | Method for producing single crystal diamond film | |
| KR102399813B1 (en) | SILICON CARBIDE EPITAXIAl WAFER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME | |
| Li et al. | Epitaxial of III-Nitride LED Materials | |
| JPS6325914A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH04214099A (en) | Manufacture of silicon carbide single crystal |