RU2706265C1 - Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках - Google Patents

Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках Download PDF

Info

Publication number
RU2706265C1
RU2706265C1 RU2019109699A RU2019109699A RU2706265C1 RU 2706265 C1 RU2706265 C1 RU 2706265C1 RU 2019109699 A RU2019109699 A RU 2019109699A RU 2019109699 A RU2019109699 A RU 2019109699A RU 2706265 C1 RU2706265 C1 RU 2706265C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
area
optically transparent
dose
resistive layer
radiation
Prior art date
Application number
RU2019109699A
Other languages
English (en)
Inventor
Илья Анатольевич Родионов
Елена Владимировна Рыжова
Анастасия Александровна Пищимова
Николай Александрович Орликовский
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
Priority to RU2019109699A priority Critical patent/RU2706265C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2706265C1 publication Critical patent/RU2706265C1/ru

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области микро- и нанотехнологии и может быть использовано для изготовления массивов субмикронных структур, используемых в устройствах нанофотоники и наноплазмонной сенсорики для повышения уровня их чувствительности. Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках включает подготовку рабочей поверхности оптически прозрачной подложки, нанесение резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки, лучевое экспонирование, проявление с формированием маски в резистивном слое и физическое осаждение металла из газовой фазы. Формирование маски в резистивном слое осуществляют путем трехуровнего профилирования дозы облучения, включающего первый уровень облучения с дозой D1 области структуры с площадью S1, второй уровень облучения с дозой D2 области структуры с площадью S2 по периметру структуры с площадью S1 и третий уровень облучения с дозой D3 области структуры с площадью S3, превышающей площадь, равную сумме S1 и S2, при этом доза облучения D3 много меньше дозы облучения D1, a доза облучения D2 больше дозы D1. В частных случаях осуществления изобретения после нанесения резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки на резистивный слой наносят проводящий слой, который удаляют перед проявлением. Область структуры с площадью S1 много больше области структуры с площадью S2. Изготовление упомянутых структур осуществляют в условиях вакуума ниже 1×10-6 мбар. В качестве лучевого экспонирования проводят электронно-лучевое экспонирование. Осаждение металла проводят при температуре Т1 в диапазоне от 150 до 450 К со скоростью не более 5 нм/с. Обеспечивается уменьшение шероховатости края регулярных субмикронных металлических структур и повышение повторяемости изготавливаемых массивов указанных структур на оптически прозрачных подложках. 5 з.п. ф-лы, 6 ил., 1 пр.

Description

Изобретение относится к области микро и нанотехнологии и может быть использовано для изготовления массивов субмикронных структур, используемых в устройствах нанофотоники и наноплазмонной сенсорике.
Лучевая литография на данный момент один из основных методов изготовления субмикронных структур для устройств электроники и фотоники. Лучевая литография как метод создания наноразмерных структур датируется 1960 годом, когда учеными из университета Тюбингена в Германии были получены линии шириной в полмикрона на коллодиевой 100 нм пленке. Несколькими годами позже был разработан один из первых и по сей день используемых электронных резистов - полиметилметакрилат (ПММА). В 70-ых электронно-лучевая литография (ЭЛЛ) начинает использоваться в микроэлектронном производстве за счет повышающегося уровня быстродействия таких систем и высокого разрешения. В 90-х годах ЭЛЛ становится основным инструментом изготовления субмикронных структур нанофотоники за счет достижения ультравысокого разрешения в единицы нанометров.
Известен способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках, включающий подготовку рабочей поверхности оптически прозрачной подложки, нанесение резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки, лучевое экспонирование, проявление с формированием маски в резистивном слое и физическое осаждение металла из газовой фазы. [Майер, Стефан А. "Плазмоника: теория и приложения". - Ижевск: НИЦ, Регулярная и хаотическая динамика, (2011), с. 91-94].
Недостаток этого способа заключается в низкой повторяемости размера изготовленных структур, связанном с тем, что в способе используется проводящий слой оксида титана на поверхности подложки, который невозможно удалить уже после формирования субмикронных металлических структур.
Известен также способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках, включающий подготовку рабочей поверхности оптически прозрачной подложки, нанесение резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки, лучевое экспонирование, проявление с формированием маски в резистивном слое и физическое осаждение металла из газовой фазы ["Geometrical and morphological optimizations of plasmonic nanoarrays for high-performance SERS detection".Li, W. Q., et al. // Nanoscale Vol.7.37-2015 - P.l5487-15494].
Недостаток этого способа заключается в том, что элементы структур изготавливают на кремниевых подложках, а не оптически прозрачных, что ограничивает их применение в оптике.
Известен также способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках, включающий подготовку рабочей поверхности оптически прозрачной подложки, нанесения резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки, лучевое экспонирование с одноуровневой дозой облучения, проявление с формированием маски в резистивном слое и физическое осаждение металла из газовой фазы ["Lasing at the band edges of plasmonic lattices". Schokker, A. Hinke, and A. Femius Koenderink. // Physical Review В Vol. 90.15 (2014): Р. 155452].
Этот способ выбран в качестве прототипа предложенного решения.
Недостаток этого способа заключается в высокой шероховатости края получаемых структур из-за экспонирования полигонов одной дозой, что приводит к снижению контраста и разрешения экспонируемого изображения.
Задача изобретения заключается в создании универсального способа изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур в диапазоне размеров менее 1000 нм.
Указанный технический результат изобретения заключается в уменьшении шероховатости края структур и повышении повторяемости изготавливаемых массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках.
Указанный технический результат достигается тем, что в способе изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках, включающем подготовку рабочей поверхности оптически прозрачной подложки, нанесения резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки, лучевое экспонирование, проявление с формированием маски в резистивном слое и физическое осаждение металла из газовой фазы, формирование маски в резистивном слое осуществляют путем трехуровнего профилирования дозы облучения, включающего первый уровень облучения с дозой D1 области структуры с площадью S1, второй уровень облучения с дозой D2 области структуры с площадью S2 по периметру структуры с площадью S1, и третий уровень облучения с дозой D3 области структуры с площадью S3, превышающей площадь, равной сумме S1 и S2, при этом D3<<D1, a D2>D1.
Существует вариант, в котором после нанесения резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки на резистивный слой наносят проводящий слой, который удаляют перед проявлением.
Существует также вариант, в котором S2<<S1.
Существует также вариант, в котором в качестве лучевого экспонирования используют электронно-лучевое экспонирование и осаждение металла осуществляют в условиях вакуума ниже 1×10-6 мбар.
Существует также вариант, в котором осаждение металла происходит при температуре Т1, находящейся в диапазоне от 150 до 450 К.
Существует также вариант, в котором осаждение металла осуществляют со скоростью не более 5 нм/с.
На фиг. 1 представлен вариант схемы устройства для изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках.
На фиг. 2 представлена схема экспонируемой топологии отдельного элемента массива регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках.
На фиг. 3 представлен технологический маршрут изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках, где:
a) подготовка и очистка подложки;
b) нанесение электронного резиста и токопроводящего полимера;
c) формирование резистивной маски;
d) осаждение металла из газовой фазы;
e) удаление резистивной маски.
На фиг. 4 представлено изображение со сканирующего электронного микроскопа (далее - СЭМ) полученного массива регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках (общий вид).
На фиг. 5 представлено СЭМ изображение полученного массива регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках полученного при скорости осаждения металла 2
Figure 00000001
(увеличенное изображение по сравнению с фиг.4).
На фиг. 6 представлено СЭМ изображение полученного массива регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках полученного при скорости осаждения металла 4
Figure 00000002
(увеличенное изображение по сравнению с фиг. 4).
Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках реализуется в предпочтительном варианте на устройстве электронно-лучевой литографии, которое состоит из вакуумной камеры 1, сопряженной со шлюзом 2. При этом, на вакуумной камере 1 расположена электронно-оптическая колонна 3 с оптической осью О1-О2. Остаточное давление в вакуумной камере 2 обеспечивают первым вакуумным насосом 4 и вторым вакуумным насосом 5, соединенными форвакуумной линией 6, которая содержит клапан 7 для обеспечения работы шлюза 2. Точное позиционирование столика 8 обеспечивается интерферометрическим блоком 9 контроля передвижения и пьезоприводами 10. На столике 8 устанавливают оптически прозрачную подложку 12, рабочей поверхностью 11 в сторону электронно-оптической колонны 3. В качестве материала оптически прозрачных подложек можно использовать, например, кварц или сапфир. Подробно устройство электронно-лучевой литографии описано в [«Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication.» P. Rai-Choudhury // Vol.lCh. 2, 1997 Р. 250].
Формирование маски в резистивном слое (см. ниже) осуществляют путем трехуровнего профилирования дозы облучения, включающего первый уровень облучения (фиг. 2) с дозой D1 области структуры 13 с площадью S1. После этого осуществляют второй уровень облучения с дозой D2 структуры 14, имеющей площадь S2 по периметру структуры с площадью S1. Далее следует третий уровень облучения с дозой D3 элемента 15 с площадью S3, превышающей суммарную площадь, равной сумме S1 и S2. Элементы 13 и 15 на фиг. 2 имеют круглую форму. Возможны и другие варианты выполнения элементов 13 и 15, например, в виде квадратов или прямоугольников. При этом D3<<D1, a D2>D1: 100 мкКл/см2<D1<1000 мкКл/см2, 300 пКл/см<D2<2000 пКл/см; 10 мкКл/см2<D3<200 мкКл/см2
Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках включает подготовку и очистку рабочей поверхности 11 (фиг. 3) оптически прозрачной подложки 12. Нанесение подслоя 17, резистивного слоя (электронного резиста) 18. Далее следует электронно-лучевое экспонирование, проявление с формированием маски в резистивном слое 18 и физическое осаждение металла 20 из газовой фазы. Завершает способ удаление резистивной маски с остатками металла на ней. Указанные технологические операции и оборудование для них подробно описаны в [Моро У. Микролитография. - М.: Мир, 1990. - Т. 1, 2. - 1240 с.].
Существует вариант, в котором после нанесения резистивного слоя 18 (фиг. 3) на рабочую поверхность 11 оптически прозрачной подложки 12 на резистивный слой 18 наносят проводящий слой 19, который удаляют перед проявлением. В качестве проводящего слоя 19 можно использовать токопроводящий полимерный слой марки All Resist Electra92, его толщина может составлять 30-50 нм.
Существует вариант, в котором S2<<S1. Например, S1 находится в диапазоне 1800-2200 нм2, a S2 находится в диапазоне 100-200 нм2. При этом S3 (см. выше) должно находиться в диапазоне 3000-6000 нм2, обеспечивая соотношение S1+S2<S3.
Существует вариант, в котором электронно-лучевую литографию осуществляют в условиях вакуума ниже 1×10-6 мбар, что обеспечивается первым насосом 4 и вторым насосом 5.
Существует вариант, в котором осаждение металла происходит при температуре Т1, находящейся в диапазоне от 150 К до 450 К. Наиболее предпочтительное значение величины температуры Т1 может быть 293 К для осаждаемого металла золота.
Существует вариант, в котором осаждение металла 20 осуществляют со скоростью не более 50
Figure 00000003
. Наиболее предпочтительное значение величины скорости может быть 2
Figure 00000004
. В качестве осаждаемого металла можно использовать серебро.
То, что в способе изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках, включающем подготовку рабочей поверхности оптически прозрачной подложки, нанесение резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки, лучевое экспонирование, проявление с формированием маски в резистивном слое и физическое осаждение металла из газовой фазы, формирование маски в резистивном слое осуществляют путем трехуровнего профилирования дозы облучения, включающего первый уровень облучения с дозой D1 области структуры с площадью S1, второй уровень облучения с дозой D2 области структуры с площадью S2 по периметру структуры с площадью S1, и третий уровень облучения с дозой D3 элемента с площадью S3, превышающей площадь, равной сумме S1 и S2, при этом D3<<D1, а D2>D1, приводит к улучшению шероховатости края и повышению повторяемости изготавливаемых субмикронных структур. А происходит это благодаря тому, что суммарная поглощенная доза снижается, при этом повышая дозу экспонирования по краю, что приводит к увеличению контраста экспонируемых структур.
То, что после нанесения резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки на резистивный слой наносят проводящий слой, который удаляют перед проявлением, приводит к минимизации искажений формы литографируемых структур, за счет экранирования создаваемого в подложке заряда, что улучшает повторяемость получаемых структур.
То, что S2<<S1 приводит к высокой повторяемости получаемых структур. Это обеспечивается повышением контраста литографируемого изображения.
То, что в качестве лучевого экспонирования используют электроннолучевое экспонирование и осаждения металла осуществляют в условиях вакуума ниже 1×10-6 мбар, приводит к возможности получения размеров меньше 100 нм каждого элемента структуры. Это происходит из-за уменьшения рассеяния электронов в условиях более высокого вакуума.
То, что осаждение металла происходит при температуре Т1, находящейся в диапазоне от 150 К до 450 К приводит к улучшению качества изготавливаемых структур, так как при использовании более высокой температуры происходит разрушение структур и маски, а при более низкой - пленка металла при осаждении из газовой фазы осаждается неравномерно и не сплошной приводя к малой повторяемости получаемых субмикронных металлических структур.
То, что осаждение металла осуществляют со скоростью не более 5 нм/с, приводит повышению повторяемости изготавливаемых структур, так как при осаждении при более высокой скорости пленка формируется мелкокристаллической и обладает высокой шероховатостью.
Пример реализации способа.
Для изготовления массива регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках на предварительно очищенную оптически прозрачную подложку 12 (фиг. 3) наносят резистивные слой 18 с подслоем 17 и проводящий слой 19 методом центрифугирования. После чего оптически прозрачную подложку 12 помещают в установку электронно-лучевой литографии (фиг. 1), где проводят в условиях вакуума ниже 1×10-6 мбар облучение резистивного слоя 18, с применением трехуровнего профилирования дозы (фиг. 2) облучения, включающего первый уровень облучения с дозой D1=500 мкКл/см2 области структуры с площадью S1=1300 нм2, второй уровень облучения с дозой D2=900 пКл/см структуры с площадью S2=150 нм2 по периметру структуры с площадью S1, и третий уровень облучения с дозой D3=100 мкКл/см2 элемента с площадью S3=40000 нм2. Перед проявлением удаляют токопроводящий слой 19 (фиг. 3). После проявления через сформированную резистивную маску осаждают металл (серебро) со скоростью 2
Figure 00000005
при температуре подложки 293 К толщиной 30-50 нм, после чего оптически прозрачную подложку 12 помещают в растворитель для удаления резистивной маски вместе с остатками используемого металла, осажденного на резист. На фиг. 4 приведено изображение, полученное в СЭМ полученных структур 21 в общем виде. На фиг. 5 и фиг. 6 приведены увеличенные изображения, полученные в СЭМ изготовленных структур 22 при скорости 2
Figure 00000006
и - структур 23 при скорости 4
Figure 00000007
. Видно, что структуры 22 и 23 имеют низкую шероховатость, что определяется повторяемостью каждого элемента в пределах 5% и общей высокой повторяемостью от образца к образцу, полученной за счет профилирования дозы облучения.

Claims (6)

1. Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках, включающий подготовку рабочей поверхности оптически прозрачной подложки, нанесение резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки, лучевое экспонирование, проявление с формированием маски в резистивном слое и физическое осаждение металла из газовой фазы, отличающийся тем, что формирование маски в резистивном слое осуществляют путем трехуровнего профилирования дозы облучения, включающего первый уровень облучения с дозой D1 области структуры с площадью S1, второй уровень облучения с дозой D2 области структуры с площадью S2 по периметру структуры с площадью S1 и третий уровень облучения с дозой D3 области структуры с площадью S3, превышающей площадь, равную сумме S1 и S2, при этом D3<<D1, a D2>D1.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что после нанесения резистивного слоя на рабочую поверхность оптически прозрачной подложки на резистивный слой наносят проводящий слой, который удаляют перед проявлением.
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что S2<<S1.
4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что изготовление упомянутых структур осуществляют в условиях вакуума ниже 1×10-6 мбар, при этом в качестве лучевого экспонирования проводят электронно-лучевое экспонирование.
5. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение металла проводят при температуре Т1 в диапазоне от 150 до 450 К.
6. Способ по п. 1, отличающийся тем, что осаждение металла осуществляют со скоростью не более 5 нм/с.
RU2019109699A 2019-04-02 2019-04-02 Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках RU2706265C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019109699A RU2706265C1 (ru) 2019-04-02 2019-04-02 Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2019109699A RU2706265C1 (ru) 2019-04-02 2019-04-02 Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2706265C1 true RU2706265C1 (ru) 2019-11-15

Family

ID=68579682

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2019109699A RU2706265C1 (ru) 2019-04-02 2019-04-02 Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2706265C1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4566937A (en) * 1984-10-10 1986-01-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Electron beam enhanced surface modification for making highly resolved structures
RU1575829C (ru) * 1988-10-12 1994-08-15 Научно-исследовательский институт "Пульсар" Способ формирования линейных субмикронных структур в полупроводниковых и диэлектрических пластинах
SU1517663A1 (ru) * 1988-02-11 1996-01-20 Е.А. Алейникова Способ изготовления субмикронных структур
RU2145156C1 (ru) * 1999-02-09 2000-01-27 Нижегородский государственный технический университет Способ формирования структур в микроэлектронике
WO2014108772A1 (en) * 2013-01-10 2014-07-17 Indian Institute Of Technology Kanpur Fabrication of binary masks with isolated features

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4566937A (en) * 1984-10-10 1986-01-28 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Electron beam enhanced surface modification for making highly resolved structures
SU1517663A1 (ru) * 1988-02-11 1996-01-20 Е.А. Алейникова Способ изготовления субмикронных структур
RU1575829C (ru) * 1988-10-12 1994-08-15 Научно-исследовательский институт "Пульсар" Способ формирования линейных субмикронных структур в полупроводниковых и диэлектрических пластинах
RU2145156C1 (ru) * 1999-02-09 2000-01-27 Нижегородский государственный технический университет Способ формирования структур в микроэлектронике
WO2014108772A1 (en) * 2013-01-10 2014-07-17 Indian Institute Of Technology Kanpur Fabrication of binary masks with isolated features

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6093520A (en) High aspect ratio microstructures and methods for manufacturing microstructures
US20080192347A1 (en) High Aspect-Ratio X-Ray Diffractive Structure Stabilization Methods and Systems
JP2003534651A (ja) テンプレートの製作に関する方法およびその方法で製作されるテンプレート
EP2144117A1 (en) Process and system for fabrication of patterns on a surface
US20070003839A1 (en) $M(c)method for producing inclined flank patterns by photolithography
JPH08190190A (ja) 低ストレスの多層フィルムを備えたマスクおよび多層フィルムのストレスを制御するためのプロセス
JP7167158B2 (ja) 定められたバールトップトポグラフィを有するリソグラフィサポート
RU2706265C1 (ru) Способ изготовления массивов регулярных субмикронных металлических структур на оптически прозрачных подложках
JPH09330864A (ja) 複合圧電物質製造方法及び複合圧電物質製造用マスク
Achenbach et al. Polymer-based X-ray masks patterned by direct laser writing
JPS59161031A (ja) 感光性ウエハ上に画像を形成するための投影装置で使用する薄膜カバ−ユニツトの製法
JPH1172606A (ja) ＳｉＣのパターンエッチング方法
JPS63170917A (ja) 微細パタ−ンの形成方法
Poletaev Laser ablation of thin films of molybdenum for the fabrication of contact masks elements of diffractive optics with high resolution
KR101385070B1 (ko) 레이저간섭 노광을 이용한 대면적 미세패턴 제작 방법, 상기 방법을 이용하여 제작된 미세패턴의 비평면적 전사 방법 및 이를 이용하여 미세 패턴을 전사한 물품
US6387578B1 (en) Post-exposure heat treatment to reduce surface roughness of PMMA surfaces formed by radiation lithography
Cuisin et al. Fabrication of three-dimensional microstructures by high resolution x-ray lithography
Wisitsoraat et al. Low-cost and high-resolution x-ray lithography utilizing a lift-off sputtered lead film mask on a Mylar substrate
US6238826B1 (en) Apparatus for transferring structures
EP2851749B1 (en) X-ray mask structure and method for preparing the same
US20030049545A1 (en) Methods for manufacturing reticles and reticle blanks exhibiting reduced warp and resist stress for use in charged-particle-beam microlithography
WO2005015308A2 (en) Fabrication process for high resolution lithography masks using evaporated or plasma assisted electron sensitive resists with plating image reversal
RU2808137C1 (ru) Наноэлектромеханический резонатор и способ его изготовления
KR100323693B1 (ko) 미세 구조물 제조방법
JP2008227337A (ja) 近接場露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210403

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20211215