RU2690369C1 - Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения - Google Patents
Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2690369C1 RU2690369C1 RU2018137587A RU2018137587A RU2690369C1 RU 2690369 C1 RU2690369 C1 RU 2690369C1 RU 2018137587 A RU2018137587 A RU 2018137587A RU 2018137587 A RU2018137587 A RU 2018137587A RU 2690369 C1 RU2690369 C1 RU 2690369C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrodes
- ultraviolet radiation
- zinc oxide
- film
- sensitive element
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 11
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- RBDQNPIAJHOCEH-UHFFFAOYSA-N 9-(2-methyloxiran-2-yl)carbazole Chemical compound CC1(CO1)n1c2ccccc2c2ccccc12 RBDQNPIAJHOCEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000086 high toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229940103067 oxygen 60 % Drugs 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
Использование: для регистрации ультрафиолетового излучения. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения заключается в напылении тонкой пленки оксида цинка между двумя электродами, согласно изобретению на подложки из стекла марки КУ-1 толщиной 1,5 мм наносят тонкую пленку алюминия с подслоем хрома общей толщиной 550 нм, затем методом контактной фотолитографии на поверхности пленки формируют встречно-штыревые электроды с расстоянием между электродами 5 мкм, на электроды с помощью магнетронной распылительной системы с дополнительной магнитной системой с обратной полярностью магнитов напыляют пленку оксида цинка толщиной 600 нм, после этого элемент отжигают в атмосфере при температуре 250°C в течение 120 минут. Технический результат: обеспечение возможности повышения интегральной чувствительности фотодиэлектрического чувствительного элемента в диапазоне длин волн λ=200-400 нм. 2 ил.
Description
Изобретение относится к технологиям изготовления информационно - измерительных приборов, и предназначено для создания фотодиэлектрического чувствительного элемента ультрафиолетового излучения. Изобретение может быть использовано для создания информационно-измерительных фотоприборов ультрафиолетового диапазона длин волн (λ=200-400 нм).
Среди способов детектирования и измерения ультрафиолетового излучения основное место занимают фоторезистивный и фотоэлектрический эффекты. Относительные недостатки таких способов связаны с высокой зависимостью выходных параметров от температуры, сложностью получения высокой чистоты i-области в pin-фотодиодах и высокой токсичностью производства материалов для фотоэлементов (кремния, полупроводников, содержащих кадмий, мышьяк, селен, теллур и т.д.).
В последние годы наметились пути преодоления этих недостатков, связанные с использованием новых ионно-плазменных технологий, в том числе магнетронного распыления, использования тонких пленок широкозонных полупроводников и принципиально новых способов получения фотоприемников.
Известен способ по патенту США №3844843, кл. Н01L15/02, 1975 изготовления тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей «сэндвичевой» структуры, которые включают нанесение фоточувствительного слоя из органического вещества на подложку и размещение его между двумя электродами. Однако, авторам не удалось добиться высокой надежности монтажа контактов к структуре.
Известен способ по патенту РФ №1806424, кл. Н01L31/04 1993, изготовления твердотельного фотогальванического элемента для преобразования световой энергии в электрическую, включающий нанесение фоточувствительного слоя органического полупроводника на полупроводниковую подложку и размещение ее между электродами. Способ заключается в том, что на подложку из полупроводника n-типа (CdTe) наносят слой органического полупроводника поли-N-эпоксипропилкарбазола, а на него - металлический электрод. Однако известный способ дает невысокую чувствительность полученного элемента.
Известен способ изготовления фотодетектора с ограниченным диапазоном спектральной чувствительности на основе массива наностержней оксида цинка по патенту РФ № 2641504, H01L31/08, 2018, который является наиболее близким по назначению и технической сущности к заявляемому объекту. Сущность его основана на том, что на формируемый массив наностержней оксида цинка наносятся высокопроводящие эпоксидные контактные слои. Недостатками данного способа является то, что этот прибор проявляет чувствительность только к диапазону А (315-400 нм) ультрафиолетового излучения, а также образование нестехиометрического цинка в тонкой пленке, который является донорной примесью для оксида цинка, что отражается на чувствительности и адекватности показаний прибора.
Задачей изобретения является изготовление фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения, который позволяет повысить интегральную чувствительность при детектировании всего спектра ультрафиолетового диапазона (л=200-400 нм), упрощение технологии изготовления чувствительных элементов, исключение необходимости использования золота, индия, платины, палладия, графена в элементах конструкции фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения.
Технический результат – повышение интегральной чувствительности фотодиэлектрического чувствительного элемента в диапазоне длин волн λ=200-400 нм, за счет обеспечения достаточного потока ионов кислорода на подложку во время формирования пленки методом магнетронного распыления.
Технический результат достигается тем, что способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения, заключающийся в напылении тонкой пленки оксида цинка между двумя электродами, согласно изобретения, на подложки из стекла марки КУ-1 толщиной 1,5 мм, наносят тонкую пленку алюминия с подслоем хрома, общей толщиной 550 нм, затем методом контактной фотолитографии на поверхности пленки формируют встречно-штыревые электроды с расстоянием между электродами 5 мкм, на электроды, с помощью магнетронной распылительной системы с дополнительной магнитной системой с обратной полярностью магнитов, напыляют пленку оксида цинка толщиной 600 нм, после этого элемент отжигают в атмосфере при температуре 250℃, в течение 120 минут.
Сущность изобретения поясняется чертежами магнетронной распылительной системы.
На фиг. 1. показана магнетронная распылительная система, на фиг. 2 приведена схема регистрации изменения емкости чувствительного элемента под действием света.
1 - магнетрон, 2-магнитная система магнетрона, 3-корпус вакуумной камеры, 4-изоляторы, магнетрон 1, с помощью изоляторов 4, крепится к корпусу вакуумной камеры 3, 5-подложкодержатель, 6-подложка, 7-дополнительная магнитная система с обратной полярностью магнитов обеспечивает достаточный поток ионов кислорода на подложку 6, что препятствует образованию нестехиометричного Zn, который является донорной примесью, для оксида цинка.
На подложке 6 из стекла марки КУ1 8, расположена тонкая пленка оксида цинка 9, заполняющая зазор между встречно-штыревыми электродами 10, которые можно рассмотреть, как обкладки плоского конденсатора, к электродам 10 подключены проводящие выводы 11, которые соединены с измерителем иммитанса Е7-20 12, (напряжение измерительного сигнала 1В и частота 500кГц). При воздействии ультрафиолетового излучения на пленку оксида цинка 9, изменяется ее диэлектрическая проницаемость, вследствие чего изменяется и емкость чувствительного элемента, которая регистрируется измерителем 12 иммитанса Е7-20.
Осуществление изобретения достигается следующим образом:
1) Подложки 6 из стекла марки КУ-1 без собственного поглощения в интервале длин волн 200-400 нм толщиной 1,5 мм, промывают в парах ацетона в течение 15 минут.
2) На промытые подложки методом магнетронного распыления наносят тонкую пленку алюминия с подслоем хрома, суммарная толщина металлических пленок составляла 500-550 нм. Мишени распыляют при рабочем давлении аргона 1 Па, мощности магнетрона 0,8 кВт и нагреве подложки 150 ± 3 °C.
3) Методом контактной фотолитографии с использованием селективных травителей, на поверхности пленки формируют встречно-штыревые электроды 10. Расстояние между штырями встречно-штыревых электродов равно 5 мкм, количество штырей 29.
4) На встречно-штыревую структуру методом реактивного магнетронного распыления напыляют поликристаллическую пленку оксида цинка 9 толщиной 600 нм, при следующих технологических параметрах: рабочее давление 1 Па, мощность магнетрона 0,35 кВт, нагрев подложки 120±3℃, состав газовой смеси аргон 40% / кислород 60%. Особенностью магнетронной распылительной системы является наличие дополнительной магнитной системы 7 с обратной полярностью магнитов, расположенной за подложкой напротив магнетрона с мишенью.
5) С целью увеличения удельного сопротивления, пленки оксида цинка отжигают в атмосфере при температуре 250℃, в течение 120 минут.
Claims (1)
- Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения, заключающийся в напылении тонкой пленки оксида цинка между двумя электродами, отличающийся тем, что на подложки из стекла марки КУ-1 толщиной 1,5 мм наносят тонкую пленку алюминия с подслоем хрома общей толщиной 550 нм, затем методом контактной фотолитографии на поверхности пленки формируют встречно-штыревые электроды с расстоянием между электродами 5 мкм, на электроды с помощью магнетронной распылительной системы с дополнительной магнитной системой с обратной полярностью магнитов напыляют пленку оксида цинка толщиной 600 нм, после этого элемент отжигают в атмосфере при температуре 250°C в течение 120 минут.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137587A RU2690369C1 (ru) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018137587A RU2690369C1 (ru) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2690369C1 true RU2690369C1 (ru) | 2019-06-03 |
Family
ID=67037726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018137587A RU2690369C1 (ru) | 2018-10-25 | 2018-10-25 | Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2690369C1 (ru) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093576A (en) * | 1991-03-15 | 1992-03-03 | Cree Research | High sensitivity ultraviolet radiation detector |
| RU2178601C1 (ru) * | 2001-04-12 | 2002-01-20 | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет | Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения |
| US7470940B2 (en) * | 2005-04-15 | 2008-12-30 | The Hong Kong Polytechnic University | Ultraviolet detector |
| RU2392693C1 (ru) * | 2009-04-14 | 2010-06-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" CПбГЭТУ | Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе нитрида алюминия и способ его изготовления |
| RU140587U1 (ru) * | 2013-12-30 | 2014-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Фотодиод для ультрафиолетового сенсора |
| RU2641504C1 (ru) * | 2016-10-24 | 2018-01-17 | Закрытое акционерное общество "Межрегиональное производственное объединение технического комплектования "ТЕХНОКОМПЛЕКТ" (ЗАО "МПОТК "ТЕХНОКОМПЛЕКТ") | Способ изготовления фотодетектора с ограниченным диапазоном спектральной чувствительности на основе массива наностержней оксида цинка |
-
2018
- 2018-10-25 RU RU2018137587A patent/RU2690369C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5093576A (en) * | 1991-03-15 | 1992-03-03 | Cree Research | High sensitivity ultraviolet radiation detector |
| RU2178601C1 (ru) * | 2001-04-12 | 2002-01-20 | Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет | Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения |
| US7470940B2 (en) * | 2005-04-15 | 2008-12-30 | The Hong Kong Polytechnic University | Ultraviolet detector |
| RU2392693C1 (ru) * | 2009-04-14 | 2010-06-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" CПбГЭТУ | Полупроводниковый датчик ультрафиолетового излучения на основе нитрида алюминия и способ его изготовления |
| RU140587U1 (ru) * | 2013-12-30 | 2014-05-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина) | Фотодиод для ультрафиолетового сенсора |
| RU2641504C1 (ru) * | 2016-10-24 | 2018-01-17 | Закрытое акционерное общество "Межрегиональное производственное объединение технического комплектования "ТЕХНОКОМПЛЕКТ" (ЗАО "МПОТК "ТЕХНОКОМПЛЕКТ") | Способ изготовления фотодетектора с ограниченным диапазоном спектральной чувствительности на основе массива наностержней оксида цинка |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107507876B (zh) | 一种β-Ga2O3基日盲紫外光电探测器阵列及其制备方法 | |
| Kim et al. | Al-doped ZnO/Ag/Al-doped ZnO multilayer films with a high figure of merit | |
| Zeng et al. | High-detectivity organic photodetectors based on a thick-film photoactive layer using a conjugated polymer containing a naphtho [1, 2-c: 5, 6-c] bis [1, 2, 5] thiadiazole unit | |
| RU2641504C1 (ru) | Способ изготовления фотодетектора с ограниченным диапазоном спектральной чувствительности на основе массива наностержней оксида цинка | |
| CN105280749A (zh) | 基于石墨烯薄膜的光电探测器及其制备方法 | |
| RU2690369C1 (ru) | Способ изготовления фотодиэлектрического чувствительного элемента для регистрации ультрафиолетового излучения | |
| Saleem et al. | Cu (II) 5, 10, 15, 20-tetrakis (4′-isopropylphenyl) porphyrin based surface-type resistive–capacitive multifunctional sensor | |
| CN105355701A (zh) | 一种新型的光电导探测器 | |
| Patel et al. | Preparation and characterization of SnO2 thin film coating using rf-plasma enhanced reactive thermal evaporation | |
| RU2426144C1 (ru) | Многоспектральный фотоприемник | |
| Samarasekara et al. | High photo-voltage zinc oxide thin films deposited by dc sputtering | |
| CN106206829A (zh) | 一种基于锰掺杂氮化铜薄膜的可见光探测器 | |
| CN104143586A (zh) | 基于合金半导体纳米结构集成基片的光电探测器的制作 | |
| CN103180963B (zh) | 光检测元件和该光检测元件的制造方法 | |
| RU184584U1 (ru) | Фотодиэлектрический чувствительный элемент для регистрации оптического излучения | |
| TWI727275B (zh) | 光電探測裝置及光電轉換方法 | |
| RU2338284C1 (ru) | Сегнетоэлектрический элемент для запоминающего устройства с оптическим считыванием информации | |
| CN113113499A (zh) | 一种pn结型氧化镓基自供电紫外探测器及其制备方法 | |
| CN105006521B (zh) | 一种基于PFH/n‑SiC有机‑无机异质结构的紫外光电探测器件 | |
| Wei et al. | Highly sensitive UV sensors based on SMR oscillators | |
| CN116314377A (zh) | 一种凹槽结构金刚石紫外探测器及其制备方法 | |
| RU2758150C1 (ru) | Способ изготовления поляризационно-чувствительной нанокомпозитной плёнки на основе селенида меди | |
| US11949029B2 (en) | Transparent multi-layer assembly and production method | |
| Markakis et al. | Comparison of transparent conducting electrodes on mercuric iodide photocells | |
| Tsizh et al. | Aging and degradation of transparent copper iodide thin film electrodes for functional electronic devices |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20201026 |