RU2683502C1 - Операционный усилитель с токовой обратной связью - Google Patents

Операционный усилитель с токовой обратной связью Download PDF

Info

Publication number
RU2683502C1
RU2683502C1 RU2018120509A RU2018120509A RU2683502C1 RU 2683502 C1 RU2683502 C1 RU 2683502C1 RU 2018120509 A RU2018120509 A RU 2018120509A RU 2018120509 A RU2018120509 A RU 2018120509A RU 2683502 C1 RU2683502 C1 RU 2683502C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
collector
base
conductivity
type
Prior art date
Application number
RU2018120509A
Other languages
English (en)
Inventor
Анатолий Алексеевич Лебедев
Евгений Матвеевич Савченко
Ирина Игоревна Ляхчилина
Николай Михайлович Клоков
Алексей Сергеевич Будяков
Original Assignee
Анатолий Алексеевич Лебедев
Евгений Матвеевич Савченко
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Анатолий Алексеевич Лебедев, Евгений Матвеевич Савченко filed Critical Анатолий Алексеевич Лебедев
Priority to RU2018120509A priority Critical patent/RU2683502C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2683502C1 publication Critical patent/RU2683502C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02K—DYNAMO-ELECTRIC MACHINES
    • H02K3/00—Details of windings
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26—Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00—Gain control in amplifiers or frequency changers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронным устройствам, в частности к усилителям. Техническим результатом заявляемого изобретения является увеличение трансимпеданса, повышение коэффициента усиления по напряжению и повышение устойчивости усилителя без увеличения емкости корректирующего конденсатора. Технический результат достигается за счёт двухтактного операционного усилителя с токовой обратной связью с повышенным коэффициентом усиления и расширенной полосой пропускания, который содержит основной блок усиления, нагрузкой которого являются два отражателя тока Вильсона, содержащий активные цепи частотно-фазовой коррекции на конденсаторах. Дополнительно в него введены два управляемых источника тока на транзисторах VT4 и VT8 для задания режима пониженной потребляемой мощности нагрузочных транзисторов VT3 (VT5) в статическом режиме. Дальнейшее расширение полосы пропускания в режиме малого сигнала обеспечивается путем введения двух пассивных частотно-корректирующих цепей R2-R3-C3 и R5-R6-C4, которые дополнительно убирают выброс на фазочастотной характеристике. 1 ил.

Description

Изобретение относится к электронным устройствам, в частности к усилителям, и может применяться для построения интегральных схем.
Известное техническое решение [Filanovsky, I.M. A New Method of Frequency Compensation for Bipolar Wilson Current Mirror // IEEE Trans. On Circuits and Systems - 2: Analog and Digital Signal Processing, vol. 46, NO. 5, May 1999], в котором авторы описывают схему частотной компенсации (частотно-фазовой коррекции) отражателя тока Вильсона, который может быть использован для исключения нежелательного выброса на частотной характеристике операционного усилителя, по варианту Fig. 4. (b), включив между транзистором Q2 и Q3 резистор R, причем база транзистора Q2 соединена с эмиттером Q3, а эмиттер транзистора Q2 через второй резистор R соединен с эмиттером транзистора Q1 и землей, а также включением транзистора Q4, эмиттер которого подключен к базе транзистора Q3 и к одному из концов источника тока Iin, второй конец которого подключен к положительному источнику питания Vcc, его коллектор соединен с коллектором транзистора Q1, а база с базой транзистора Q1. Во втором варианте Fig.4. (с) используется цепь частотно-фазовой коррекции, образованной конденсатором С, соединенным с базами транзисторов Q1 и Q2, с резистором R, и эмиттером транзистора Q4, при этом второй конец резистора R и эмиттеры транзисторов QIh Q2 подключены к шине земля, а второй конец конденсатора соединен с источником Iin и с базами транзисторов Q3 и Q4, а коллектор транзистора Q4 и второй конец источника подключены к шине питания Vcc.
Однако, недостатком схемы (с) является наличие двух резисторов R малой величины, имеющими большой технологический разброс, влияющий на величину и расположение выброса на частотной характеристике, ухудшающего устойчивость усилителя при охвате его общей отрицательной обратной связи.
Наиболее близким техническим решением, т.е. прототипом, является операционный усилитель с токовой обратной связью (current feedback amplifier - CFA) [Sergio Franco, Analytical Foundations of current - feedback amplifiers // СA 94132 USA], содержащий два входных эмиттерных повторителя напряжения, выполненных на транзисторах Q6 и Q10 и двух источников постоянного тока I1 и I2 соответственно и основную усилительную пару транзисторов Q1 и Q2 первого и второго типов проводимости со связанными между собой эмиттерами, которые являются входным буфером для отражателей тока Вильсона первого и второго типа проводимости, при этом база транзистора Q1 подключена к эмиттеру транзистора Q3 и одному из концов источника постоянного тока I1, другой конец которого подключен к шине положительного источника питания Еп +, а база транзистора Q2 подключена к одному из концов источника постоянного тока 12, другой конец которого подключен к шине отрицательного источника Еп -, а базы транзисторов Q3 и Q4 объединены между собой и подключены к шине Вх(+), а коллектор транзистора Q1 подключен к коллектору транзистора Q7 и к базе транзистора Q5, а его эмиттер подключен к базам транзисторов Q6 и Q7, эмиттеры которых подключены к шине положительного напряжения Еп +, а коллектор транзистора Q2 подключен к коллектору транзистора Q9 и к базе транзистора Q10, а его эмиттер подключен к базам транзисторов Q8 и Q9, а их эмиттеры - к шине отрицательного напряжения Еп -, а коллекторы транзисторов соединены между собой и подключены ко входу выходного буфера (+1), а его выход ВЫХ подключен через резистор Roc к инвертирующему входу усилителя Вх (-), а также подключены активные частотно-корректирующие цепи: ускоряющий конденсатор С1, подключенный к эмиттерам транзисторов Q1 и Q2 и к инвертирующему входу входного буфера, а вторым концом подключенного к шине земли; а конденсатор С2 подключен одним концом к шине земли, а вторым концом - к коллекторам транзисторов Q5 и Q6 и ко входу (+) выходного буфера. Коллекторы транзисторов Q1 и Q2 являются выходами 1, 2 входного буфера для отражателей Вильсона первого и второго типа проводимости соответственно.
Недостатком прототипа является недостаточно высокий коэффициент усиления (трансимпеданс), и ограничение полосы пропускания в режиме единичного усиления из-за выброса на амплитудно-частотной характеристике на высоких частотах и необходимость введения корректирующего конденсатора С1 большой величины для обеспечения устойчивости усилителя в области высоких частот (для исключения выброса), что также приводит к увеличению площади кристалла чипа.
Задачей заявляемого изобретения является повышение коэффициента усиления (трансимпеданса) и расширения полосы пропускания усилителя.
Техническим результатом заявляемого изобретения является увеличение трансимпеданса, и как следствие, повышение коэффициента усиления по напряжению. Это позволяет расширить в (1,5÷2) раза полосу пропускания единичного усиления без увеличения потребляемой мощности схемы усилителя-прототипа, повысить устойчивость усилителя без увеличения емкости корректирующего конденсатора и площади кристалла чипа.
Поставленная задача достигается тем, что в операционный усилитель с токовой обратной связью, содержащий входной буфер, нагрузкой которого являются два отражателя тока Вильсона первого типа проводимости и второго типа проводимости, выходной буфер, при этом инвертирующий вход входного буфера соединен с одним концом первого конденсатора, а второй конец конденсатора подключен к шине земля, причем второй выход входного буфера подключен к коллектору первого транзистора второго типа проводимости, база которого подключена к базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине положительного питания и к эмиттеру первого транзистора, а коллектор второго транзистора подключен к базе второго транзистора и к эмиттеру третьего транзистора второго типа проводимости, база которого подключена ко второму выходу входного буфера, а коллектор третьего транзистора подключен к коллектору пятого транзистора первого типа проводимости, к входу второго буфера и к одному из концов второго конденсатора, второй конец которого подключен к шине земля, а выход второго буфера является выходом усилителя, при этом эмиттер пятого транзистора подключен к коллектору шестого транзистора первого типа проводимости, и к базам шестого и седьмого первого типа проводимости транзисторов, эмиттеры которых соединены между собой и с шиной отрицательного питания, а коллектор седьмого транзистора подключен к первому выходу входного буфера и к базе пятого транзистора, дополнительно введены два динамических токоотвода, а в каждый отражатель тока Вильсона дополнительно введены частотно-корректирующие цепи, при этом первый динамический токоотвод образован четвертым транзистором второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к одному из концов резистора R1, второй конец которого подключен к шине положительного питания, база четвертого транзистора подключена к коллектору и базе второго транзистора, подключенной к одному из концов резисторов R2 и R3, при этом второй конец резистора R2 подключен к шине положительного питания, а второй конец резистора R3 подключен к одному из концов конденсатора С3, второй конец которого подключен к второму выходу входного буфера, а коллектор четвертого транзистора подключен к базе восьмого транзистора первого типа проводимости второго динамического токоотвода, коллектор которого подключен к базе четвертого транзистора, а эмиттер подключен к одному из концов резистора R4, второй конец которого подключен к шине отрицательного питания, при этом база восьмого транзистора подключена к эмиттеру пятого транзистора, к коллектору и базе шестого транзистора, к одному из концов резисторов R5 и R6, при этом второй конец резистора R6 подключен к шине отрицательного питания, а второй конец резистора R5 подключен к одному из концов конденсатора С4, второй конец которого подключен к первому выходу входного буфера и к базе пятого транзистора.
Данное изобретение поясняется чертежом.
На фиг. 1 показана принципиальная схема операционного усилителя с токовой обратной связью.
Операционный усилитель с токовой обратной связью (см. фиг. 1), содержит входной буфер (1), нагрузкой которого являются два отражателя тока Вильсона первого типа проводимости (2) и второго типа проводимости (3), при этом инвертирующий вход входного буфера соединен с одним концом первого конденсатора С1 (4), а второй конец конденсатора С1 (4) подключен к шине земля, причем второй выход входного буфера (1) подключен к коллектору первого транзистора второго типа проводимости VT1 (5), база которого подключена к базе второго транзистора в VT2 (6) второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине положительного питания и к эмиттеру первого транзистора VT1 (5), а коллектор второго транзистора VT2 (6) подключен к базе второго транзистора VT2 (6) и к эмиттеру третьего транзистора VT3 (7) второго типа проводимости, база которого подключена ко второму выходу входного буфера (1), а коллектор третьего транзистора VT3 (7) подключен к коллектору пятого транзистора VT5 (9) первого типа проводимости, к входу второго буфера (10) и к одному из концов второго конденсатора С2 (11), второй конец которого подключен к шине земля, а выход второго буфера (10) является выходом усилителя, при этом эмиттер пятого транзистора VT5 (9) подключен к коллектору шестого транзистора VT6 (12) первого типа проводимости, и к базам шестого VT6 (12) и седьмого VT7 (13) первого типа проводимости транзисторов, эмиттеры которых соединены между собой и с шиной отрицательного питания, а коллектор седьмого транзистора VT7 (13) подключен к первому выходу входного буфера (1) и к базе пятого транзистора VT5 (9), в него дополнительно введены два динамических токоотвода, а в каждый отражатель тока Вильсона (2,3) дополнительно введены частотно-корректирующие цепи, при этом первый динамический токоотвод образован четвертым транзистором VT4 (8) второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к одному из концов резистора R1 (16), второй конец которого подключен к шине положительного питания, база четвертого транзистора VT4 (8) подключена к коллектору и базе второго транзистора VT2 (6), подключенной к одному из концов резисторов R2 (17) и R3 (18), при этом второй конец резистора R2 (17) подключен к шине положительного питания, а второй конец резистора R3 (18) подключен к одному из концов конденсатора С3 (19), второй конец которого подключен ко второму выходу входного буфера (1), а коллектор четвертого транзистора VT4 (8) подключен к базе восьмого транзистора VT8 (14) первого типа проводимости второго динамического токоотвода, коллектор которого подключен к базе четвертого транзистора VT4 (8), а эмиттер подключен к одному из концов резистора R4 (15), второй конец которого подключен к шине отрицательного питания, при этом база восьмого транзистора VT8 (14) подключена к эмиттеру пятого транзистора VT5 (9), к коллектору и базе шестого транзистора VT6 (12), к одному из концов резисторов R5 (20) и R6 (21), при этом второй конец резистора R6 (21) подключен к шине отрицательного питания, а второй конец резистора R5 (20) подключен к одному из концов конденсатора С4 (22), второй конец которого подключен к первому выходу входного буфера (1) и к базе пятого транзистора VT5 (20).
Таким образом, отличительными признаками предлагаемого изобретения является введение в него дополнительно двух динамических токоотводов на транзисторах VT4 (8) и VT8 (14) и резисторах R1 (16) и R4 (15) соответственно, а в каждый отражатель тока Вильсона дополнительно введены частотно-корректирующие цепи R2-R3-C3 и R5-R6-C4 соответственно, что дает возможность в (3+5) раза повысить выходное сопротивление (трансимпеданс) транзисторов VT3 (7) и VT5 (9) соответственно, расширить в (1,5÷2) раза полосу пропускания единичного усиления без увеличения потребляемой мощности схемы усилителя-прототипа и площади кристалла.
Эффект повышения коэффициента усиления (трансимпеданса) достигается тем, что транзистор VT5 (9) в статическом режиме работает в активном режиме с пониженной потребляемой мощностью, определяемой разностью токов транзисторов VT2 (6) и VT8 (14) первого токоотвода, при этом ток основного нагрузочного транзистора VT3 (7) меньше в (3+5) раз тока токоотвода транзистора VT8 (14), поэтому в статическом режиме крутизна транзистора VT3 (7) меньше в (3÷5) раз крутизны входного транзистора VT1 (5) и VT2 (6). В динамическом режиме при подаче на вход (+), например, положительной полуволны синусоидального сигнала, эмиттер транзистора VT3 (7) имеет такую же крутизну, что и эмиттеры входных транзисторов VT1 (5) и VT2 (6), поэтому по переменному сигналу весь ток передается в эмиттер транзистора VT3 (7) и на вход выходного буфера (+1) (10).
Коэффициент усиления (трансимпеданс) будет определяться следующим выражением: KR=Кпрототипа×n, где n=(3÷5);
Figure 00000001
где gm2 и gm3 - крутизны транзисторов VT2 (VT3) в статическом режиме. Для отрицательной входного сигнала эффект повышения коэффициента усиления определяется отношением крутизны транзисторов VT5 и VT6.
Устройство работает следующим образом.
В схеме прототипа коэффициент усиления определяется, в основном, выходным сопротивлением параллельно включенных транзисторов VT3 и VT5. Таким образом, подавая на вход входного буфера синусоидальный сигнал напряжения, который преобразуется входным буфером в пропорциональный ему ток. Этот ток отражается отражателями Вильсона, который поступает на вход выходного буфера, назначение которого преобразовать ток в напряжение на выходе. При этом частотные характеристики в режиме малого сигнала, как уже указывалось выше, определяются выходным сопротивлением (трансимпедансом) транзисторов VT3 (7), VT5 (9) и емкостью частотно-фазовой коррекции С2 (11). Для повышения коэффициента усиления необходимо повысить выходное сопротивление параллельно включенных транзисторов, которое можно обеспечить только одним путем, а именно, уменьшить коллекторные токи этих транзисторов в 3-5 раз, но при этом уменьшается полоса пропускания за счет снижения частотных свойств этих транзисторов и необходимостью в частотно-корректирующего конденсатора С2 (И). Для расширения полосы пропускания необходимо увеличить режимные токи, при этом для обеспечения устойчивости усилителя при охвате его цепи отрицательной связью необходимо увеличить номинал конденсатора С2 (11), что приводит к увеличению потребляемой мощности. Данная задача решается введением двух автоматически управляемых отражателей тока, которые обеспечивают повышенное выходное сопротивление, параллельно включенных транзисторов VT3 (7) и VT5 (9) в статическом режиме за счет перераспределения токов между транзисторами VT3 (7) и VT8 (VT5) (14 (9)) и VT6 (12)). В динамическом режиме приращение токов в транзисторах VT1 (5), VT2 (6) полностью передается транзистору VT3 (7), благодаря тому, что приращение токов в динамический токоотвод не может поступать из-за большого коллекторного сопротивления транзистора VT8 (VT4) (14 (8)). Следовательно, усиление в статическом режиме определяется повышенным выходным сопротивлением VT3 (VT5) (7 (9)) за счет принудительного ответвления коллекторного тока транзистора VT2 (6) в коллекторную цепь транзистора VT8 (14), что и приводит к повышению коэффициента усиления. В динамическом режиме схема работает как обычный отражатель тока Вильсона, обеспечивая большой ток в нагрузку и при одновременном уменьшении корректирующего конденсатора С2 (11). Одновременно в динамическом режиме происходит расширение полосы пропускания и скорости нарастания выходного сигнала в режиме повторителя. Дальнейшее расширение полосы пропускания в режиме малого сигнала обеспечивается путем введения двух пассивных частотно-корректирующих цепей R2-R3-C3 и R5-R6-C4, которые дополнительно убирают выброс на фазо-частотной характеристике, повышая запас по фазе и тем самым, обеспечивая устойчивость усилителя при охвате его отрицательной обратной связи.
Таким образом, в предлагаемом изобретении одновременно повышены коэффициент усиления, расширена полоса пропускания в режиме малого сигнала и повышена скорость нарастания выходного сигнала в режиме большого сигнала без существенного увеличения корректирующих конденсаторов, без увеличения потребляемой мощности схемы прототипа и без увеличения площади кристалла. Достигнуты высокие частотные и скоростные характеристики усилителя с токовой обратной связью, которые осуществлены в отражателе Вильсона с помощью введения динамических токоотводов, позволяющих обеспечить столь высокие характеристики без повышения потребляемой мощности за счет перераспределения токов по сравнению со схемой прототипа.

Claims (1)

  1. Операционный усилитель с токовой обратной связью, содержащий входной буфер, нагрузкой которого являются два отражателя тока Вильсона первого типа проводимости и второго типа проводимости, выходной буфер, при этом инвертирующий вход входного буфера соединен с одним концом первого конденсатора С1, а второй конец конденсатора С1 подключен к шине «земля», причем второй выход входного буфера подключен к коллектору первого транзистора второго типа проводимости, база которого подключена к базе второго транзистора второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к шине положительного питания и к эмиттеру первого транзистора, а коллектор второго транзистора подключен к базе второго транзистора и к эмиттеру третьего транзистора второго типа проводимости, база которого подключена ко второму выходу входного буфера, а коллектор третьего транзистора подключен к коллектору пятого транзистора первого типа проводимости, к входу второго буфера и к одному из концов второго конденсатор С2, второй конец которого подключен к шине «земля», а выход второго буфера является выходом усилителя, при этом эмиттер пятого транзистора подключен к коллектору шестого транзистора первого типа проводимости и к базам шестого и седьмого первого типа проводимости транзисторов, эмиттеры которых соединены между собой и с шиной отрицательного питания, а коллектор седьмого транзистора подключен к первому выходу входного буфера и к базе пятого транзистора, отличающийся тем, что в него дополнительно введены два динамических токоотвода, а в каждый отражатель тока Вильсона дополнительно введены частотно-корректирующие цепи, при этом первый динамический токоотвод образован четвертым транзистором второго типа проводимости, эмиттер которого подключен к одному из концов резистора R1, второй конец которого подключен к шине положительного питания, база четвертого транзистора подключена к коллектору и базе второго транзистора, подключенной к одному из концов резисторов R2 и R3, при этом второй конец резистора R2 подключен к шине положительного питания, а второй конец резистора R3 подключен к одному из концов конденсатора С3, второй конец которого подключен ко второму выходу входного буфера, а коллектор четвертого транзистора подключен к базе восьмого транзистора первого типа проводимости второго динамического токоотвода, коллектор которого подключен к базе четвертого транзистора, а эмиттер подключен к одному из концов резистора R4, второй конец которого подключен к шине отрицательного питания, при этом база восьмого транзистора подключена к эмиттеру пятого транзистора, к коллектору и базе шестого транзистора, к одному из концов резисторов R5 и R6, при этом второй конец резистора R6 подключен к шине отрицательного питания, а второй конец резистора R5 подключен к одному из концов конденсатора С4, второй конец которого подключен к первому выходу входного буфера и к базе пятого транзистора.
RU2018120509A 2018-06-04 2018-06-04 Операционный усилитель с токовой обратной связью RU2683502C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018120509A RU2683502C1 (ru) 2018-06-04 2018-06-04 Операционный усилитель с токовой обратной связью

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2018120509A RU2683502C1 (ru) 2018-06-04 2018-06-04 Операционный усилитель с токовой обратной связью

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2683502C1 true RU2683502C1 (ru) 2019-03-28

Family

ID=66089638

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2018120509A RU2683502C1 (ru) 2018-06-04 2018-06-04 Операционный усилитель с токовой обратной связью

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2683502C1 (ru)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675656A (en) * 1994-07-15 1997-10-07 Peavey Electronics Corporation Power amplifier with clipping level control
US20010050592A1 (en) * 1999-07-13 2001-12-13 Wright Andrew S. Amplifier measurement and modeling processes for use in generating predistortion parameters
US6587514B1 (en) * 1999-07-13 2003-07-01 Pmc-Sierra, Inc. Digital predistortion methods for wideband amplifiers
US20130214865A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 International Business Machines Corporation Capacitive level-shifting circuits and methods for adding dc offsets to output of current-integrating amplifier
RU2615066C1 (ru) * 2015-10-13 2017-04-03 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Операционный усилитель

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5675656A (en) * 1994-07-15 1997-10-07 Peavey Electronics Corporation Power amplifier with clipping level control
US20010050592A1 (en) * 1999-07-13 2001-12-13 Wright Andrew S. Amplifier measurement and modeling processes for use in generating predistortion parameters
US6587514B1 (en) * 1999-07-13 2003-07-01 Pmc-Sierra, Inc. Digital predistortion methods for wideband amplifiers
US20130214865A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 International Business Machines Corporation Capacitive level-shifting circuits and methods for adding dc offsets to output of current-integrating amplifier
RU2615066C1 (ru) * 2015-10-13 2017-04-03 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Операционный усилитель

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3497824A (en) Differential amplifier
US20100301940A1 (en) Negative capacitance synthesis for use with differential circuits
JP2007053794A (ja) 制御可能なフィルタ装置
CN104426523A (zh) 具有减小的抖动的波形转换电路
US2958046A (en) Distributed amplifier
RU2683502C1 (ru) Операционный усилитель с токовой обратной связью
CN103368506A (zh) 宽带可变增益放大器
CN1107374C (zh) 互阻抗函数的产生方法及集成电路
RU2626667C1 (ru) Многоканальный быстродействующий операционный усилитель
RU2321159C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2744648C1 (ru) Генератор гиперхаотических колебаний
KR920005457A (ko) 고속의 저파워 dc 옵셋 회로
US6861909B1 (en) High voltage-wide band amplifier
RU2396698C1 (ru) Дифференциальный усилитель
US6958650B1 (en) Push-pull buffer/amplifier
RU2460206C1 (ru) Каскодный свч-усилитель с малым напряжением питания
RU2475942C1 (ru) Широкополосный дифференциальный усилитель
RU2193273C2 (ru) Двухтактный операционный усилитель
US4816773A (en) Non-inverting repeater circuit for use in semiconductor circuit interconnections
RU2444114C1 (ru) Операционный усилитель с низкоомной нагрузкой
JP3047204B2 (ja) 帰還形増幅回路
SU1665497A1 (ru) Широкополосный усилитель
SU1088098A1 (ru) Операционный усилитель
RU2432666C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением питания
RU164172U1 (ru) Интегральный усилитель с расширенным динамическим диапазоном

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200605