RU2475942C1 - Широкополосный дифференциальный усилитель - Google Patents

Широкополосный дифференциальный усилитель Download PDF

Info

Publication number
RU2475942C1
RU2475942C1 RU2012103439/08A RU2012103439A RU2475942C1 RU 2475942 C1 RU2475942 C1 RU 2475942C1 RU 2012103439/08 A RU2012103439/08 A RU 2012103439/08A RU 2012103439 A RU2012103439 A RU 2012103439A RU 2475942 C1 RU2475942 C1 RU 2475942C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
output transistor
collector
current
emitter
Prior art date
Application number
RU2012103439/08A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко
Сергей Сергеевич Белич
Илья Викторович Пахомов
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС")
Priority to RU2012103439/08A priority Critical patent/RU2475942C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2475942C1 publication Critical patent/RU2475942C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и связи. Техническим результатом является обеспечение высокой стабильности статического режима дифференциального усилителя, повышение значения его коэффициента усиления по напряжению и верхней граничной частоты. Широкополосный дифференциальный усилитель содержит первый (1) входной каскад, первый (5) выходной транзистор, второй (8) выходной транзистор, первый (10) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором первого (5) выходного транзистора и первой (4) шиной источника питания, второй (11) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором второго (8) выходного транзистора и первой (4) шиной источника питания. Коллектор первого (5) выходного транзистора связан с первым (12) выходом устройства через первый (13) буферный усилитель, коллектор второго (8) выходного транзистора связан со вторым (14) выходом устройства через второй (15) буферный усилитель, между первым (12) и вторым (14) выходами устройства включены последовательно соединенные первый (16) и второй (17) дополнительные резисторы, общий узел которых связан с базами первого (5) и второго (8) выходных транзисторов через неинвертирующий каскад (18), первый (12) выход устройства соединен с эмиттером первого (5) выходного транзистора через первый (19) корректирующий конденсатор, а второй (14) выход устройства связан с эмиттером второго (8) выходного транзистора через второй (20) корректирующий конденсатор. 7 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве устройства усиления аналоговых сигналов, в структуре аналоговых микросхем различного функционального назначения например широкополосных усилителях, компараторах, мостовых усилителях мощности и т.п.
Известны схемы широкополосных дифференциальных усилителей (ДУ) на основе «перегнутого» каскода с парафазным (дифференциальным) выходом, которые стали основой многих серийных аналоговых микросхем [1-11].
Кроме того, ДУ данного класса активно применяются в структуре СВЧ-устройств, реализованных на базе SiGe-технологий. Это связано с возможностью построения на их основе активных RC-фильтров гигагерцового диапазона для современных и перспективных систем связи, мостовых усилителей мощности и т.п.
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является дифференциальный усилитель, описанный в патенте US 4.600.893, содержащий первый 1 входной каскад с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, общая эмиттерная цепь которого связана с первой 4 шиной источника питания, первый 5 выходной транзистор, эмиттер которого соединен со вторым 3 токовым выходом и через первый 6 резистор соединен со второй 7 шиной источника питания, второй 8 выходной транзистор, база которого подключена к базе первого 5 выходного транзистора, а эмиттер соединен с первым 2 токовым выходом и через второй 9 резистор соединен со второй 7 шиной источника питания, первый 10 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором первого 5 выходного транзистора и первой 4 шиной источника питания, второй 11 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором второго 8 выходного транзистора и первой 4 шиной источника питания.
Существенный недостаток известного ДУ состоит в том, что он не работоспособен из-за проблем со статическим режимом при высоких значениях коэффициента усиления по напряжению (Ку), зависящего от сопротивлений первого 10 (r10) и второго 11 (r11) токостабилизирующих двухполюсников, которые могут (для увеличения Ку) выполняться в виде источников тока. Кроме этого, при высоких r10, r11 известный ДУ имеет недостаточно широкий диапазон рабочих частот, что обусловлено постоянными времени:
Figure 00000001
Figure 00000002
где СΣ5, CΣ8 - эквивалентные постоянные времени, обусловленные паразитными емкостями на подложку элементов схемы 5, 10 и 8, 11. Если СΣ5Σ8≤0,5 пФ, а r10≈r11≈106 Ом, то τ58=510-7 с, что отрицательно сказывается на верхней граничной частоте
Figure 00000003
устройства.
Основная задача предлагаемого изобретения состоит в создании условий, при которых обеспечивается высокая стабильность статического режима ДУ, повышенные значения его коэффициента усиления по напряжению Ку и верхней граничной частоты fв (по уровню - 3 дБ).
Поставленная задача решается тем, что в дифференциальном усилителе фиг.1, содержащем первый 1 входной каскад с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, общая эмиттерная цепь которого связана с первой 4 шиной источника питания, первый 5 выходной транзистор, эмиттер которого соединен со вторым 3 токовым выходом и через первый 6 резистор соединен со второй 7 шиной источника питания, второй 8 выходной транзистор, база которого подключена к базе первого 5 выходного транзистора, а эмиттер соединен с первым 2 токовым выходом и через второй 9 резистор соединен со второй 7 шиной источника питания, первый 10 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором первого 5 выходного транзистора и первой 4 шиной источника питания, второй 11 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором второго 8 выходного транзистора и первой 4 шиной источника питания, предусмотрены новые элементы и связи - коллектор первого 5 выходного транзистора связан с первым 12 выходом устройства через первый 13 буферный усилитель, коллектор второго 8 выходного транзистора связан со вторым 14 выходом устройства через второй 15 буферный усилитель, между первым 12 и вторым 14 выходами устройства включены последовательно соединенные первый 16 и второй 17 дополнительные резисторы, общий узел которых связан с базами первого 5 и второго 8 выходных транзисторов через неинвертирующий каскад 18. Кроме того, в заявляемом ДУ первый 12 выход устройства соединен с эмиттером первого 5 выходного транзистора через первый 19 корректирующий конденсатор, а второй 14 выход устройства связан с эмиттером второго 8 выходного транзистора через второй 20 корректирующий конденсатор.
На чертеже фиг.1 показана схема ДУ-прототипа с выходным каскадом на p-n-p транзисторах.
На чертеже фиг.2 показан ДУ фиг.1 с выходным каскадом на n-p-n транзисторах.
На чертеже фиг.3 приведена схема заявляемого устройства в соответствии с формулой изобретения.
На чертеже фиг.4 представлена схема фиг.3 с конкретным выполнением буферных усилителей 15 и 13, а также неинвертирующего каскада 18.
На чертеже фиг.5 приведена схема заявляемого ДУ фиг.4 в среде компьютерного моделирования PSpice на моделях интегральных транзисторов ФГУП НПП «Пульсар».
На чертеже фиг.6 показана частотная зависимость коэффициента усиления по напряжению ДУ фиг.5 при разных значениях емкостей корректирующих конденсаторов С2 (20) и С3 (19).
На чертеже фиг.7 показана зависимость выходных напряжений ДУ при входном синусоидном сигнале Uin1=1 мВ.
Широкополосный дифференциальный усилитель фиг.2 содержит первый 1 входной каскад с первым 2 и вторым 3 токовыми выходами, общая эмиттерная цепь которого связана с первой 4 шиной источника питания, первый 5 выходной транзистор, эмиттер которого соединен со вторым 3 токовым выходом и через первый 6 резистор соединен со второй 7 шиной источника питания, второй 8 выходной транзистор, база которого подключена к базе первого 5 выходного транзистора, а эмиттер соединен с первым 2 токовым выходом и через второй 9 резистор соединен со второй 7 шиной источника питания, первый 10 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором первого 5 выходного транзистора и первой 4 шиной источника питания, второй 11 токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором второго 8 выходного транзистора и первой 4 шиной источника питания. Коллектор первого 5 выходного транзистора связан с первым 12 выходом устройства через первый 13 буферный усилитель, коллектор второго 8 выходного транзистора связан со вторым 14 выходом устройства через второй 15 буферный усилитель, между первым 12 и вторым 14 выходами устройства включены последовательно соединенные первый 16 и второй 17 дополнительные резисторы, общий узел которых связан с базами первого 5 и второго 8 выходных транзисторов через неинвертирующий каскад 18, первый 12 выход устройства соединен с эмиттером первого 5 выходного транзистора через первый 19 корректирующий конденсатор, а второй 14 выход устройства связан с эмиттером второго 8 выходного транзистора через второй 20 корректирующий конденсатор.
В схемах фиг.3, фиг.4 входной дифференциальный каскад 1 выполнен на транзисторах 21 и 22 и источнике опорного тока 23. В дифференциальном усилителе фиг.4, соответствующем чертежу фиг.3, буферный усилитель 13 реализован на транзисторе 25 и источнике тока 33, а буферный усилитель 15 содержит соответственно транзистор 24 и источник опорного тока 32. Кроме этого неинвертирующий каскад 18 реализован здесь на транзисторе 26, резисторах 27, 29 и p-n переходе 28. Конденсаторы 30 и 31 моделируют эквивалентные емкости в соответствующих высокоимпедансных узлах, которые обусловлены емкостями на подложку элементов 5, 10, 8, 11, а также емкостями коллектор-база транзисторов 5, 25 и 8, 24.
Рассмотрим работу ДУ фиг.3.
Статический режим по току транзисторов предлагаемого ДУ фиг.3 устанавливается токостабилизирующими двухполюсниками 10, 11 и 23, причем коллекторные (Iкi) токи транзисторов схемы:
Figure 00000004
Figure 00000005
,
где I0 - заданное значение опорного тока, например 1 мА.
Статические напряжения на выходах ДУ 14 и 12 при нулевом входном сигнале (uвх=0) близко к нулю, что обеспечивается неинвертирующим каскадом 18:
Figure 00000006
При этом синфазная нестабильность или технологические изменения токов I10, I11 передаются на выходы 12 и 14 и вызывают «подстройку» коллекторных токов транзисторов 5 и 8, что в конечном итоге стабилизирует статический режим схемы.
Таким образом, статический режим транзисторов схемы фиг.3 не зависит от дифференциальных сопротивлений (ri=r10=r11) токостабилизирующих двухполюсников 10, 11, которые для повышения Ку до уровня 60÷70 дБ (фиг.6) могут выполняться в виде источников тока. В ДУ-прототипе фиг.1 такое исполнение элементов 10, 11 не приемлемо из-за проблем с устойчивостью статического режима. Повышенные значения ri=r10=r11 позволяют получить в схеме фиг.3 повышенные значения Ку.
Замечательная особенность заявляемого ДУ состоит в том, что за счет введения корректирующих конденсаторов 19 и 20 более чем на порядок расширяется диапазон рабочих частот ДУ (фиг.6) - верхняя граничная частота fв увеличивается от 4,3 мГц до 48,3 мГц. Данный эффект объясняется взаимной компенсацией эквивалентной емкости на подложку С3031) емкостью корректирующего конденсатора 20 (19). При этом эффективные емкости С30.эф, С31.эф уменьшаются до величины:
Figure 00000007
где α8≈α5≈0,9÷0,99 - коэффициент усиления по току эмиттера транзисторов 8 и 5.
В результате эквивалентные постоянные времени в высокоимпедансных узлах (коллекторах транзисторов 8 и 5) уменьшаются, что повышает более чем на порядок верхнюю граничную частоту fв ДУ (фиг.6).
Результаты компьютерного моделирования схемы фиг.5 показывают (фиг.6, фиг.7), что на основе предлагаемого ДУ (фиг.3) реализуются широкополосные драйверы дифференциальных линий связи, усилители мощности, фазорасщепители с повышенным коэффициентом усиления и т.п.
БИБЛИОГРАФИЧЕСКИЙ СПИСОК
1. Патент US №4.406.990, fig.4
2. Патент US №4.600.893
3. Патент US №5.557.238
4. Патент US №5.734.296, fig.3
5. Патент US №5.420.540
6. Патент US №3.879.689, fig.3
7. Ежков Ю.С. Справочник по схемотехнике усилителей. Изд. 2-е. М.: Радиософт, 2002. - стр.87, рис.5.20.
8. Патентная заявка US №2005/0206454, fig.4
9. Патент US №6.710.654
10. Патент US №6.300.831
11. Патент US №5.422.600

Claims (1)

  1. Широкополосный дифференциальный усилитель, содержащий первый (1) входной каскад с первым (2) и вторым (3) токовыми выходами, общая эмиттерная цепь которого связана с первой (4) шиной источника питания, первый (5) выходной транзистор, эмиттер которого соединен со вторым (3) токовым выходом и через первый (6) резистор соединен со второй (7) шиной источника питания, второй (8) выходной транзистор, база которого подключена к базе первого (5) выходного транзистора, а эмиттер соединен с первым (2) токовым выходом и через второй (9) резистор соединен со второй (7) шиной источника питания, первый (10) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором первого (5) выходного транзистора и первой (4) шиной источника питания, второй (11) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между коллектором второго (8) выходного транзистора и первой (4) шиной источника питания, отличающийся тем, что коллектор первого (5) выходного транзистора связан с первым (12) выходом устройства через первый (13) буферный усилитель, коллектор второго (8) выходного транзистора связан со вторым (14) выходом устройства через второй (15) буферный усилитель, между первым (12) и вторым (14) выходами устройства включены последовательно соединенные первый (16) и второй (17) дополнительные резисторы, общий узел которых связан с базами первого (5) и второго (8) выходных транзисторов через неинвертирующий каскад (18), первый (12) выход устройства соединен с эмиттером первого (5) выходного транзистора через первый (19) корректирующий конденсатор, а второй (14) выход устройства связан с эмиттером второго (8) выходного транзистора через второй (20) корректирующий конденсатор.
RU2012103439/08A 2012-02-01 2012-02-01 Широкополосный дифференциальный усилитель RU2475942C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012103439/08A RU2475942C1 (ru) 2012-02-01 2012-02-01 Широкополосный дифференциальный усилитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2012103439/08A RU2475942C1 (ru) 2012-02-01 2012-02-01 Широкополосный дифференциальный усилитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2475942C1 true RU2475942C1 (ru) 2013-02-20

Family

ID=49121181

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012103439/08A RU2475942C1 (ru) 2012-02-01 2012-02-01 Широкополосный дифференциальный усилитель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2475942C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2527202C1 (ru) * 2013-04-16 2014-08-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Широкополосный усилитель мощности
RU2534972C1 (ru) * 2013-04-12 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Широкополосный неинвертирующий усилитель с малым уровнем нелинейных искажений и шумов
RU2802051C1 (ru) * 2023-04-26 2023-08-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Быстродействующий выходной каскад операционного усилителя

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4A (en) * 1836-08-10 Stock
US4600893A (en) * 1983-10-24 1986-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Differential amplifier with improved dynamic range
EP0244973A2 (en) * 1986-04-23 1987-11-11 Texas Instruments Incorporated Broadband differential amplifier
SU1584075A1 (ru) * 1987-10-05 1990-08-07 Специальное Конструкторское Технологическое Бюро "Модуль" Винницкого Политехнического Института Широкополосный усилитель
RU2307454C1 (ru) * 2006-04-10 2007-09-27 Сергей Всеволодович Шпак Усилитель с высоким кпд

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4A (en) * 1836-08-10 Stock
US4600893A (en) * 1983-10-24 1986-07-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Differential amplifier with improved dynamic range
EP0244973A2 (en) * 1986-04-23 1987-11-11 Texas Instruments Incorporated Broadband differential amplifier
SU1584075A1 (ru) * 1987-10-05 1990-08-07 Специальное Конструкторское Технологическое Бюро "Модуль" Винницкого Политехнического Института Широкополосный усилитель
RU2307454C1 (ru) * 2006-04-10 2007-09-27 Сергей Всеволодович Шпак Усилитель с высоким кпд

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534972C1 (ru) * 2013-04-12 2014-12-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Широкополосный неинвертирующий усилитель с малым уровнем нелинейных искажений и шумов
RU2527202C1 (ru) * 2013-04-16 2014-08-27 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС") Широкополосный усилитель мощности
RU2802049C1 (ru) * 2023-03-24 2023-08-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Быстродействующий дифференциальный усилитель
RU2802051C1 (ru) * 2023-04-26 2023-08-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ) Быстродействующий выходной каскад операционного усилителя

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2419197C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления по напряжению
RU2393627C1 (ru) Широкополосный операционный усилитель с дифференциальным выходом
RU2428786C1 (ru) Каскодный усилитель
RU2475942C1 (ru) Широкополосный дифференциальный усилитель
RU2536672C1 (ru) Составной транзистор с малой выходной емкостью
RU2460206C1 (ru) Каскодный свч-усилитель с малым напряжением питания
RU2475941C1 (ru) Дифференциальный усилитель с комплементарным входным каскадом
RU2421888C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2321156C1 (ru) Широкополосный усилитель
RU2468502C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2286005C2 (ru) Широкополосный усилитель
RU2446554C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с парафазным выходом
RU2419187C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с повышенной стабильностью нулевого уровня
RU2422981C1 (ru) Дифференциальный усилитель переменного тока
RU2439780C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2479113C1 (ru) Широкополосный дифференциальный усилитель с парафазным выходом
RU2432666C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением питания
RU2421881C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2411636C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель с малым напряжением смещения нуля
RU2459348C1 (ru) Операционный усилитель с цепью коррекции коэффициента усиления
RU2320078C1 (ru) Комплементарный дифференциальный усилитель
RU2589323C1 (ru) Биполярно-полевой операционный усилитель
RU2568316C1 (ru) Дифференциальный усилитель с расширенным частотным диапазоном
RU2469465C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2668985C1 (ru) Быстродействующий буферный усилитель

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140202