RU2321156C1 - Широкополосный усилитель - Google Patents

Широкополосный усилитель Download PDF

Info

Publication number
RU2321156C1
RU2321156C1 RU2006135703/09A RU2006135703A RU2321156C1 RU 2321156 C1 RU2321156 C1 RU 2321156C1 RU 2006135703/09 A RU2006135703/09 A RU 2006135703/09A RU 2006135703 A RU2006135703 A RU 2006135703A RU 2321156 C1 RU2321156 C1 RU 2321156C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
output
input
collector
voltage
Prior art date
Application number
RU2006135703/09A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич Прокопенко (RU)
Николай Николаевич Прокопенко
Андрей Васильевич Хорунжий (RU)
Андрей Васильевич Хорунжий
ков Алексей Сергеевич Буд (RU)
Алексей Сергеевич Будяков
Сергей Владимирович Крюков (RU)
Сергей Владимирович Крюков
Original Assignee
ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС) filed Critical ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС)
Priority to RU2006135703/09A priority Critical patent/RU2321156C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2321156C1 publication Critical patent/RU2321156C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве входных, выходных и промежуточных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения (высокочастотных и сверхвысокочастотных усилителей, широкополосных операционных усилителей, быстродействующих непрерывных стабилизаторов напряжения, перемножителей сигналов и т.д.). Технический результат заключается в повышении верхней граничной частоты и максимальной скорости нарастания выходного напряжения при наличии емкостной нагрузки. Широкополосный усилитель (ШУ) содержит входной транзистор (Т) (1), база которого связана с источником сигнала, эмиттер подключен к коллектору первого вспомогательного Т (3), основному двухполюснику отрицательной обратной связи (ООС) (4) и потенциальному выходу широкополосного усилителя, а коллектор подключен к токовому выходу ШУ, причем база Т (3) соединена с базой второго вспомогательного Т (7), а эмиттеры Т (3, 7) связаны друг с другом и подключены к шине (8) источника питания. Введен согласующий повторитель напряжения (ПН) (9), имеющий вход (10), потенциальный (11) и токовый (12) выходы, причем потенциальный выход (11) ПН соединен с коллектором второго Т (7) и введенным дополнительным двухполюсником ООС (13), токовый выход (12) ПН подключен к объединенным базам Т (3, 7), а вход (10) ПН связан с источником сигнала. 4 з.п. ф-лы, 14 ил.

Description

Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в качестве входных, выходных и промежуточных каскадов аналоговых микросхем различного функционального назначения (высокочастотных и сверхвысокочастотных усилителей, широкополосных операционных усилителей, быстродействующих непрерывных стабилизаторов напряжения, перемножителей сигналов и т.д.).
Известны широкополосные усилители (ШУ) (фиг.1) на основе каскадов с включением транзистора по схеме «общий эмиттер» [1, 2], которые стали основой построения современных аналоговых микросхем [3-16]. Такие ШУ применяются, во-первых, в качестве эмиттерных повторителей сигнала, работающих на нагрузку (двухполюсник местной отрицательной обратной связи), которая включает емкостную составляющую Сн, соединенную с потенциальным выходом ШУ (Вых.u). В частных случаях Сн может быть емкостью на подложку Сп транзистора 3, устанавливающего статический режим ШУ, емкостью соединительных кабелей или емкостью, обусловленной физическими процессами в нагрузке (например, в пьезокерамических излучателях).
Во-вторых, ШУ фиг.1 часто применяется в качестве преобразователя «напряжение-ток», когда его выходной сигнал снимается в коллекторной цепи (Вых.i), а его величина на низких частотах определяется активным сопротивлением двухполюсника отрицательной обратной связи 4:
Figure 00000002
Figure 00000003
Такое применение ШУ фиг.1 характерно для аналоговых перемножителей сигнала. Однако частотный диапазон ШУ в этом случае будет существенно зависеть от величины емкости на подложку Сп транзистора 3, устанавливающего статический режим ШУ.
Действительно, одной из проблем построения широкополосных (высокочастотных) усилителей и преобразователей «напряжение-ток» является минимизация влияния на амплитудно-частотные характеристики паразитных емкостей Сп источников опорного тока, устанавливающих статический режим входного транзистора ШУ. Данная задача решается в патентах фирмы «Gennum Corporation» (US 5.420.524) и «Analog Devices» (US 5.434.446) - путем введения следящего питания и специальной конструкции транзисторов ШУ, а также в патентах US 6.765.441, US 6.922.108, US 5.603.508, в которых для уменьшения влияния Сп вводится индуктивная коррекция в эмиттерную цепь входных транзисторов. Для уменьшения влияния емкости на подложку транзисторов источников опорного тока применяются также специальные резистивные делители сигнала (патент US 5.602.508), «изолирующие» паразитную емкость Сп источников опорного тока от узла подключения источника сигнала.
Задача компенсации нелинейностей емкостей на подложку транзисторов решается также в патентах фирмы RCA Comporation US №4.240.042.
Таким образом, проблема расширения частотного диапазона ШУ фиг.1 (верхней граничной частоты fв, зависящей от паразитной емкости в эмиттерной цепи ШУ) относится к числу одной из актуальных проблем современной аналоговой микросхемотехники.
Ближайшим прототипом (фиг.1) заявляемого устройства является классический широкополосный усилитель (ШУ), описанный в [16] (а также в патентах US 6.396.346, 4.573,022 и др.), содержащий входной транзистор 1, база которого связана с источником сигнала 2, эмиттер подключен к коллектору первого вспомогательного транзистора 3, основному двухполюснику отрицательной обратной связи 4, который иногда выполняет роль нагрузки ШУ, и потенциальному выходу широкополосного усилителя 5, а коллектор - подключен к токовому выходу 6 широкополосного усилителя, причем база первого вспомогательного транзистора 3 соединена с базой второго вспомогательного транзистора 7, а эмиттер первого 3 и второго 7 вспомогательных транзисторов связаны друг с другом и подключены к шине источника питания 8.
Известный ШУ имеет три следующих взаимосвязанных недостатка, которые проявляются в зависимости от точки съема сигнала - использовании потенциального или токового выходов, а также вида входного сигнала и свойств нагрузки.
1. Первый недостаток проявляется в том случае, когда ШУ использует потенциальный выход 5, т.е. сигнал снимается с эмиттера транзистора 1, а нагрузка (являющаяся основным двухполюсником отрицательной обратной связи) имеет емкостной характер. Этот недостаток состоит в уменьшении верхней граничной частоты коэффициента усиления по напряжению ωв=2πfв и наиболее заметен при наличии емкостной составляющей Сн. Так, верхняя граничная частота ШУ фиг.1 ωв≈(Снrэ)-1, где rэ - сопротивление эмиттерного перехода транзистора. Если Сн=100 пФ, rэ=25 Ом, получается, что
Figure 00000004
. Если rэ=250 Ом, то fв=6 МГц, что недостаточно для большинства применений ШУ.
2. Второй недостаток проявляется в режиме большого сигнала ШУ, когда входной импульсный сигнал измеряется единицами вольт, а у ШУ используется потенциальный выход 5 с емкостной нагрузкой Сн, т.е. сигнал снимается с эмиттера транзистора 1. (Это наиболее часто встречающийся вариант использования усилителей данного класса, когда нагрузка, например, пьезокерамический преобразователь, имеет емкостную составляющую). Этот недостаток состоит в низком быстродействии ШУ (малых значениях максимальной скорости нарастания выходного напряжения ϑвых) при отработке импульсного сигнала, который запирает транзистор 1. Действительно, максимальная скорость нарастания выходного напряжения ШУ для отрицательного фронта входного напряжения
Figure 00000005
где I3 - статический ток эмиттера транзистора 3;
Сн - емкость нагрузки, которая используется в качестве основного двухполюсника отрицательной обратной связи.
Так при I3=1 мА, Сн=100 пФ крутизна отрицательного фронта uвых
Figure 00000006
В большинстве случаев этого недостаточно.
3. Третий недостаток проявляется в том случае, когда используется токовый выход 6, т.е. сигнал снимается с коллектора транзистора 1. В данном режиме ШУ характеризуется сравнительно высокой неравномерностью амплитудно-частотной характеристики крутизны преобразования входного напряжения (uвх) в выходной ток (i6) S=i6/uвх, и как следствие, невысокими значениями верхней граничной частоты крутизны ωs=2πfs. Данный недостаток наблюдается, например, при использовании заявляемого устройства в качестве преобразователя «напряжение-ток» широкодиапазонных аналоговых перемножителей сигналов, в схемах автоматической регулировки усиления [10, 11, 12, 13, 14, 15], когда величина сопротивления основного двухполюсника отрицательной обратной связи измеряется единицами килоом.
Основная цель (устранение первого и второго недостатков) состоит в повышении верхней граничной частоты широкополосного усилителя fв и максимальной скорости нарастания выходного напряжения ϑвых для потенциального выхода 5 при наличии емкостной нагрузки Сн.
Дополнительная цель предлагаемого изобретения (устранение третьего недостатка) состоит в повышении верхней граничной частоты усилителя fs за счет одновременной минимизации влияния на fs паразитных параметрах - емкости на подложку (Сп) транзистора 3, которая для микросхем с изоляцией p-n-переходом лежит в пределах 2-5 пФ, и емкости коллекторного перехода транзистора 3 (Ск1=0,5÷2 пФ).
Поставленная цель достигается тем, что в широкополосном усилителе (фиг.1), содержащем входной транзистор 1, база которого связана с источником сигнала 2, эмиттер подключен к коллектору первого вспомогательного транзистора 3, основному двухполюснику отрицательной обратной связи 4 и потенциальному выходу широкополосного усилителя 5, а коллектор подключен к токовому выходу 6 широкополосного усилителя, причем база первого вспомогательного транзистора 3 соединена с базой второго вспомогательного транзистора 7, а эмиттер первого 3 и второго 7 вспомогательных транзисторов связаны друг с другом и подключены к шине источника питания 8, предусмотрены новые элементы и связи - в схему введен согласующий повторитель напряжения 9, имеющий первый вход 10, потенциальный 11 и токовый 12 выходы, а также дополнительный двухполюсник отрицательной обратной связи 13, причем потенциальный 11 выход согласующего повторителя напряжения 9 соединен с коллектором второго вспомогательного транзистора 7 и дополнительным двухполюсником отрицательной обратной связи 13, токовый выход 12 согласующего повторителя напряжения 9 подключен к объединенным базам первого 3 и второго 7 вспомогательных транзисторов, а первый вход 10 согласующего повторителя напряжения 9 связан с источником сигнала 2.
На фиг.2 показана схема заявляемого устройства в соответствии с п.1 и п.2 формулы изобретения, причем структура и параметры элементов дополнительного двухполюсника отрицательной обратной связи 7 подобны (или идентичны) структуре и параметрам элементов основного двухполюсника отрицательной обратной связи.
На фиг.3, 4 изображены частные случаи выполнения согласующего повторителя напряжения 9.
На фиг.5 показаны переменные токи и напряжения в схеме заявляемого широкополосного усилителя фиг.2 при выполнении согласующего повторителя напряжения 9 в соответствии со схемой фиг.3, а также при подключении основной нагрузки к потенциальному выходу 5 (п.3 формулы изобретения).
На фиг.6 показаны токи и напряжения в схеме заявляемого ШУ, соответствующей п.4 формулы изобретения, когда нагрузка 14 широкополосного усилителя подключена к токовому выходу 6, а также при выполнении согласующего повторителя напряжения 9 в соответствии с фиг.3.
На фиг.7 изображена схема широкополосного преобразователя «напряжение-ток», реализованного на основе двух заявляемых широкополосных усилителей фиг.2 при построении их согласующих повторителей напряжения 9 в соответствии с фиг.3 и использовании токовых выходов 6.
На фиг.8 изображены схемы заявляемого (фиг.8а) и известного (фиг.8б) устройств в среде PSpice, а на фиг.9 - частотная зависимость их коэффициентов усиления по напряжению Ку≈1 при разных значениях емкости
Figure 00000007
, входящей в структуру дополнительного двухполюсника отрицательной обратной связи 13. Данная зависимость показывает, что в заявляемом устройстве частотный диапазон (по уровню - 3 дБ) расширяется в 3-4 раза.
Временная зависимость выходного напряжения предлагаемой схемы и схемы ШУ-прототипа (фиг.8) при отработке импульсного сигнала большой амплитуды, запирающей транзистор 1 (Uвх=±7B), показана на фиг.10. Из этого графика следует, что заявляемый ШУ в этом режиме имеет более чем на порядок лучшие значения максимальной скорости нарастания выходного напряжения.
На фиг.11 и фиг.12 показаны схемы известного (фиг.11) и заявляемого (фиг.12) широкополосных усилителей в среде PSpice для оценки влияния емкостей на подложку транзисторов 3 (Q6) на паразитную передачу входного напряжения к токовому выходу 6.
На фиг.13 приведены результаты компьютерного моделирования частотной зависимости предельной крутизны S схем фиг.8 и фиг.12. Эти графики показывают, что верхняя граничная частота по крутизне S, измеряемая по уровню +3 дБ, увеличивается в схеме фиг.12 более чем на порядок. При этом выигрыш по величине низкочастотной паразитной передачи сигнала превышает 27 дБ.
Для иллюстрации возможностей ШУ предлагаемого класса на фиг.14 показана схема усилителя мощности, который соответствует фиг.2. Его особенность, которая реализуется благодаря новым признакам - двухтактная структура класса АВ, которая реализована на однотипных транзисторах. Здесь резистор
Figure 00000008
моделирует характеристики нагрузки Rн и подобен по свойствам Rн.
В соответствии с п.5 формулы изобретения здесь площадь эмиттерного перехода первого вспомогательного транзистора 3 в Ns≥1-раз больше, чем площадь эмиттерного перехода транзистора 7, что увеличивает кпд ШУ.
Предлагаемый широкополосный усилитель (фиг.2) содержит входной транзистор 1, база которого связана с источником сигнала 2, эмиттер подключен к коллектору первого вспомогательного транзистора 3, основному двухполюснику отрицательной обратной связи 4 и потенциальному выходу широкополосного усилителя 5, а коллектор подключен к токовому выходу 6 широкополосного усилителя, причем база первого вспомогательного транзистора 3 соединена с базой второго вспомогательного транзистора 7, а эмиттер первого 3 и второго 7 вспомогательных транзисторов связаны друг с другом и подключены к шине источника питания 8. В схему введен согласующий повторитель напряжения 9, имеющий первый вход 10, потенциальный 11 и токовый 12 выходы, а также дополнительный двухполюсник отрицательной обратной связи 13, причем потенциальный 11 выход согласующего повторителя напряжения 9 соединен с коллектором второго вспомогательного транзистора 7 и дополнительным двухполюсником отрицательной обратной связи 13, токовый выход 12 согласующего повторителя напряжения 9 подключен к объединенным базам первого 3 и второго 7 вспомогательных транзисторов, а первый вход 10 согласующего повторителя напряжения 9 связан с источником сигнала 2.
Согласующий повторитель напряжения фиг.3 содержит первый дополнительный транзистор 15, коллектор которого соединен с первым 16 дополнительным источником опорного тока и через цепь смещения потенциала 17, показанную в виде источника эдс, связан с токовым выходом 12.
В согласующем повторителе напряжения фиг.4 коллектор первого дополнительного транзистора 15 связан с токовым выходом 12 через усилительный каскад на транзисторе 18, включенном по схеме с общей базой. Статический потенциал транзистора 18 устанавливается источником смещения Ec1 (19).
Рассмотрим работу заявляемого устройства на примере анализа схемы фиг.5.
Предположим, что в ШУ фиг.5 используется потенциальный выход 5, т.е. ШУ применяется в качестве эмиттерного повторителя, работающего на емкостную нагрузку Сн, устранить которую невозможно. Покажем, что за счет введения новых связей путем рационального выбора емкости
Figure 00000007
, входящей в двухполюсник 13, можно увеличить верхнюю граничную частоту коэффициента передачи по напряжению fв. Анализ проведем для случая, когда активная составляющая Rн двухполюсников 4 и 13 достаточно велика (Rн=∞,
Figure 00000009
).
Наличие отрицательной обратной связи, охватывающей транзисторы 5 и 7 через цепь смещения 17, приводит к тому, что в широком диапазоне частот и амплитуд входного сигнала коллекторный ток транзистора 15 и его напряжение эмиттер-база не изменяются
Figure 00000010
uэб.15≈0). При этом все приращения тока в емкости
Figure 00000011
обеспечивается транзистором 7:
Figure 00000012
где
Figure 00000013
- комплексное сопротивление
Figure 00000014
.
Так как эмиттерно-базовые переходы транзисторов 7 и 3 включены параллельно, то изменения тока коллектора транзистора 3 повторяют изменения тока коллектора транзистора 7:
Figure 00000015
Напряжение на потенциальном выходе 5 можно найти методом наложения как сумму двух составляющих
Figure 00000016
и
Figure 00000017
обусловленных влиянием источника эдс. Uвх и источника тока
Figure 00000018
:
Figure 00000019
где
Figure 00000020
Figure 00000021
где
Figure 00000022
rэ1 - сопротивление эмиттерного перехода транзистора 1.
После преобразований (6) с учетом (7), (8) и (5) можно получить, что
Figure 00000023
где
Figure 00000024
передачи по напряжению ШУ.
Следовательно, уравнение амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) коэффициента передачи по напряжению ШУ фиг.5:
Figure 00000025
Из (11) следует, что при идентичных значениях емкостей
Figure 00000026
в схеме фиг.5 наблюдается увеличение полосы пропускания. Так для широкого диапазона частот
Figure 00000027
Если
Figure 00000028
, то АЧХ имеет подъем.
Уравнение (11) справедливо в диапазоне частот, для которого влиянием других инерционностей транзисторов можно пренебречь.
На очень низких частотах в предлагаемой схеме уменьшается влияние выходной проводимости транзистора 3, обусловленной эффектом Эрли.
В режиме большого положительного импульсного сигнала на входе ШУ фиг.5 емкость Сн достаточно быстро заряжается через сопротивление rэ1 транзистора 1. При этом транзисторы 7 и 3 запираются и не влияют на работу схемы.
Если на вход ШУ подается отрицательное напряжение большой амплитуды, то это приводит к увеличению тока коллектора транзистора 7 и, следовательно, тока коллектора транзистора 3, что создает достаточно большой ток разряда емкости Сн. В целом это существенно увеличивает быстродействие ШУ. Более подробно этот режим работы показан в схеме двухтактного усилителя мощности (класс АВ) на фиг.14.
Таким образом в заявляемом ШУ;
- расширяется диапазон рабочих частот как для потенциального (фиг.9), так и для токового (фиг.13) выходов;
- повышается быстродействие для запирающей (входной транзистор) полярности импульсного сигнала большой амплитуды.
Кроме этого, на основе предлагаемой схемы реализуются двухтактные эмиттерные повторители класса АВ (фиг.14), что позволяет использовать данное техническое решение при построении усилителей мощности на однотипных n-p-n транзисторах, например, по новейшей технологии немецкой фирмы IHP (техпроцесс SGB 25V - «германий на кремнии»).
Компьютерное моделирование всех частных вариантов заявляемого устройства, выполненное в среде PSpice с использованием моделей транзисторов ФГУП НПП «Пульсар», подтверждает эффективность рассмотренных схемотехнических решений.
Источники информации
1. Алексеенко А.Г. Основы микросхемотехники. Элементы морфологии микроэлектронной аппаратуры / А.Г.Алексеенко. - Изд. 2-е, перераб. и доп. - М., Сов. радио, 1977. - 408 с.
2. Проектирование и применение операционных усилителей / Под ред. Дж.Грэма, Дж.Тоби, Л.Хьюлсмана // Пер. с англ. В.И.Левина и И.М.Хейфеца под. ред. к.т.н. И.Н.Теплюка. - М.: Мир, 1974.
3. Патент США №3401351, кл. 330/69.
4. Патент США №3401351, кл. H 03 f.
5. Патент Англии 1271517.
6. Патент ФРГ №1487485.
7. Патент США №3323070.
8. Патент США №3693108.
9. Патент Японии №47-34775.
10. Патент Англии №1446214.
11. Патент Англии №1436627.
12. Патент Англии №1445363.
13. Патент Англии №1461483.
14. Патент Англии №1453564.
15. Авт. свид. СССР №853776.
16. М.Херпи. Аналоговые интегральные схемы. - М., Радио и связь, 1983. - С.108. - Рис.4.46б.

Claims (5)

1. Широкополосный усилитель, содержащий входной транзистор, база которого связана с источником сигнала, эмиттер подключен к коллектору первого вспомогательного транзистора, основному двухполюснику отрицательной обратной связи и потенциальному выходу широкополосного усилителя, а коллектор подключен к токовому выходу широкополосного усилителя, причем база первого вспомогательного транзистора соединена с базой второго вспомогательного транзистора, а эмиттеры первого и второго вспомогательных транзисторов связаны друг с другом и подключены к шине источника питания, отличающийся тем, что в схему введен согласующий повторитель напряжения, имеющий первый вход, потенциальный и токовый выходы, а также дополнительный двухполюсник отрицательной обратной связи, причем потенциальный выход согласующего повторителя напряжения соединен с коллектором второго вспомогательного транзистора и дополнительным двухполюсником отрицательной обратной связи, токовый выход согласующего повторителя напряжения подключен к объединенным базам первого и второго вспомогательных транзисторов, а первый вход согласующего повторителя напряжения связан с источником сигнала.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что структура и параметры элементов дополнительного двухполюсника отрицательной обратной связи подобны структуре и параметрам элементов основного двухполюсника отрицательной обратной связи.
3. Устройство по п.1, отличающееся тем, что основная нагрузка широкополосного усилителя связана с его токовым выходом.
4. Устройство по п.1, отличающееся тем, что основная нагрузка широкополосного усилителя связана с его потенциальным выходом.
5. Устройство по п.1, отличающееся тем, что площадь эмиттерного перехода первого вспомогательного транзистора в Ns≥1 раз больше площади эмиттерного перехода второго вспомогательного транзистора.
RU2006135703/09A 2006-10-09 2006-10-09 Широкополосный усилитель RU2321156C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006135703/09A RU2321156C1 (ru) 2006-10-09 2006-10-09 Широкополосный усилитель

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2006135703/09A RU2321156C1 (ru) 2006-10-09 2006-10-09 Широкополосный усилитель

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2321156C1 true RU2321156C1 (ru) 2008-03-27

Family

ID=39366486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006135703/09A RU2321156C1 (ru) 2006-10-09 2006-10-09 Широкополосный усилитель

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2321156C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014168518A3 (ru) * 2013-04-08 2015-05-14 Владимир Петрович ФЕДОСОВ Однотактный усилитель с цифровым входом, его цифро-аналоговый преобразователь и повторитель напряжения
RU2579127C1 (ru) * 2014-11-25 2016-03-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Широкополосный преобразователь n-токовых входных сигналов в напряжение на основе операционного усилителя
EA028383B1 (ru) * 2013-04-08 2017-11-30 Владимир Петрович ФЕДОСОВ Цифроаналоговый преобразователь однотактного усилителя с цифровым входом

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014168518A3 (ru) * 2013-04-08 2015-05-14 Владимир Петрович ФЕДОСОВ Однотактный усилитель с цифровым входом, его цифро-аналоговый преобразователь и повторитель напряжения
EA025282B1 (ru) * 2013-04-08 2016-12-30 Владимир Петрович ФЕДОСОВ Однотактный усилитель с цифровым входом и его повторитель напряжения
EA028383B1 (ru) * 2013-04-08 2017-11-30 Владимир Петрович ФЕДОСОВ Цифроаналоговый преобразователь однотактного усилителя с цифровым входом
RU2579127C1 (ru) * 2014-11-25 2016-03-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту) Широкополосный преобразователь n-токовых входных сигналов в напряжение на основе операционного усилителя

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2419197C1 (ru) Дифференциальный усилитель с повышенным коэффициентом усиления по напряжению
US8279003B2 (en) Differential RF amplifier
RU2393627C1 (ru) Широкополосный операционный усилитель с дифференциальным выходом
RU2364020C1 (ru) Дифференциальный усилитель с отрицательной обратной связью по синфазному сигналу
CN113162561B (zh) 用于对放大器的线性度进行补偿的前置补偿器
JP2019057837A (ja) 電力増幅回路
RU2428786C1 (ru) Каскодный усилитель
RU2321156C1 (ru) Широкополосный усилитель
RU2421880C1 (ru) Широкополосный усилитель
US20230033265A1 (en) Radio-frequency differential amplifying circuit and radio-frequency module
RU2380824C1 (ru) Усилитель переменного тока с управляемым усилением
CN110995182B (zh) 功率放大电路
RU2396697C2 (ru) Высокочастотный дифференциальный усилитель
RU2460206C1 (ru) Каскодный свч-усилитель с малым напряжением питания
RU2421888C1 (ru) Дифференциальный усилитель
RU2390910C1 (ru) Быстродействующий буферный усилитель
RU2321159C1 (ru) Каскодный дифференциальный усилитель
RU2320078C1 (ru) Комплементарный дифференциальный усилитель
RU2422981C1 (ru) Дифференциальный усилитель переменного тока
RU2432667C1 (ru) Дифференциальный операционный усилитель с малым напряжением питания
Prokopenko et al. Circuit design of classical stages with bandwidth enhancement technique
RU2475942C1 (ru) Широкополосный дифференциальный усилитель
Huang et al. A 67 dBm $ OIP_ {3} $ multistacked junction varactor
RU2475941C1 (ru) Дифференциальный усилитель с комплементарным входным каскадом
RU2439694C1 (ru) Аналоговый перемножитель напряжений

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20111010