RU2671361C1 - Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова - Google Patents
Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова Download PDFInfo
- Publication number
- RU2671361C1 RU2671361C1 RU2018111570A RU2018111570A RU2671361C1 RU 2671361 C1 RU2671361 C1 RU 2671361C1 RU 2018111570 A RU2018111570 A RU 2018111570A RU 2018111570 A RU2018111570 A RU 2018111570A RU 2671361 C1 RU2671361 C1 RU 2671361C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- matrix
- tin dioxide
- porous
- porous crystalline
- mwcnt
- Prior art date
Links
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010405 anode material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000003349 gelling agent Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G19/00—Compounds of tin
- C01G19/02—Oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/15—Nano-sized carbon materials
- C01B32/158—Carbon nanotubes
- C01B32/168—After-treatment
- C01B32/174—Derivatisation; Solubilisation; Dispersion in solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способам формирования пористого оксидного материала и может быть использовано для разработки анодных материалов литий-ионных батарей и суперконденсаторов нового поколения, чувствительных элементов газовых сенсоров. Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова включает создание композита на основе матрицы, в качестве которой используют слои многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ). Композит формируют путем магнетронного нанесения на матрицу нестехиометрического аморфного оксида олова (МУНТ/SnO). Затем проводят удаление матрицы посредством термической обработки на воздухе при температуре 400-700°С в течение 15-45 минут. Изобретение позволяет повысить чистоту пленок пористого кристаллического диоксида олова, в котором отсутстуют нежелательные примеси. 1 ил., 1 табл., 1 пр.
Description
Изобретение относится к способам формирования пористого оксидного материала и может быть использовано для разработки анодных материалов литий-ионных батарей и суперконденсаторов нового поколения, чувствительных элементов газовых сенсоров.
Известны методы получения наноматериалов, основанные на использовании газофазного синтеза, плазмохимии, осаждений из полученных растворов и т.д. [1]. Они планируют получение высокодисперсных нанокристаллических порошков твердой среды, в частности оксидов с последующим компактированием, в том числе осаждением на подложку (патент США №6036774).
Известен способ получения высоко дисперсного порошка диоксида олова (А. с. СССР №1696390), который основан окисление металлического олова кислородом при температуре 1700-3200°С при определенных углах подачи струи кислорода в реакционную зону.
Рассмотренные методы в своей основе предполагают использование уже высокодисперсных порошков металла, либо реализацию синтеза оксида при высоких температурах, давлениях и других энергетически затратных условиях. С использованием данных методов после компактирования получают беспористые или малопористые консолидированные наноматериалы. В то время как для определенных сфер применения, например, аноды литий-ионных батарей, электроды суперконденсаторов и чувствительные элементы газовых сенсоров, использование пористых наноматериалов с чрезвычайно высокой удельной поверхностью позволит значительно улучшить эксплуатационные характеристики изделий.
Одним из наиболее распространенных и перспективных способов получения пористых наноматериалов является золь-гель метод. Получаемые с его использованием материалы обладают рядом уникальных свойств: высокая химическая однородность получаемых продуктов, позволяющая существенно снизить температуру и продолжительность термообработки, возможность контролировать размер частиц и структуру пор материалов на разных стадиях синтеза. Достоинством золь-гель метода является то, что механические свойства золей и гелей позволяют применять их для получения волокон, пленок и композитов путем нанесения золя на подложку или пропитки пористого материала. Но у этого метода есть серьезные недостатки: он не обеспечивает монодисперсности частиц; не позволяет получать двумерные и одномерные наноструктуры и контролировать их параметры анизотропии; этим методом нельзя синтезировать пространственно-упорядоченные структуры, состоящие из наночастиц, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга, или параллельных нанопластин с прослойками инертной матрицы; получение требуемых систем невозможно из-за химического взаимодействия прекурсоров или продуктов синтеза с гелеобразующим агентом. К недостаткам также можно отнести многостадийность и высокую продолжительность процесса, использование небезопасных экологически вредных химических реактивов.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности является способ получения тонких пленок, содержащих наноструктурированный диоксид олова (патент РФ №2379784), который заключается в получении однородных упорядоченных структур диоксида олова. Предварительно посредством электрохимического анодного окисления в растворах кислот на алюминии формируется пористая оксидная пленка с регулярной наноструктурой в виде одинаковых пористых ячеек с диаметром пор 10-30 нм и плотностью (10-70)⋅109 частиц на см2, расположенных ортогонально поверхности алюминия. Затем поры в ячейках наноструктурированного оксида алюминия электрохимически заполняют металлическим оловом, после чего окисляют олово на воздухе при температуре 250-450°С в течение 40-90 минут. В результате образуются тонкие пленки, содержащие наноструктурированный диоксид олова.
К недостаткам данного метода следует отнести то, что в сформированных пленках помимо однородных упорядоченных структур наноструктурированного диоксида олова (что является целью метода) сохраняется исходная матрица пористого оксида алюминия, которая может затруднять или делать менее эффективным практическое использование полученных пленок.
Целью изобретения является создание технологичного метода получения пленок пористого кристаллического диоксида олова, в которых отсутствуют нежелательные примеси.
Предлагаемый способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова включает создание композита на основе матрицы и отличается тем, что в качестве матрицы используют слои многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ), композит формируют путем магнетронного нанесения на матрицу нестехиометрического аморфного оксида олова (МУНТ/SnOx), с последующим удалением матрицы посредством термической обработки на воздухе при температуре 400-700°С в течение 15-45 минут.
На Фиг. 1 представлены сканирующие электронно-микроскопические (СЭМ) изображения: а - поверхность слоя МУНТ; b - поверхность композита MУHT/SnOx; с - поверхность пленки пористого кристаллического диоксида олова; d - торцевой скол пористого SnO2 на подложке SiO2/Si.
Композиты МУНТ/SnOx (Фиг. 1 b) были сформированы по ранее отработанной методике [2, 3] методом магнетронного распыления оловянной мишени (Sn 99.9%) в аргон-кислородной плазме на слоях МУНТ (Фиг. 1 а) толщиной 10-20μm, выращенных методом CVD (Chemical Vapor Deposition) при пиролизе смеси ацетонитрила и ферроцена (100:2) на подложках SiO2/Si. Для удаления МУНТ и формирования пленки пористого SnO2 использовался отжиг на воздухе. Посредством варьирования режимов отжига удалось добиться положительного результата при нагреве композита МУНТ/SnOx от 400 до 700°С в течение 15-45 минут (Фиг. 1 с, d).
СЭМ изображение (Фиг. 1 b), а также результаты ранее проведенных исследований [2, 3] показывают, что для композитов МУНТ/SnOx, сформированных методом магнетронного напыления, наблюдается достаточно равномерное распределение металлоксидного слоя по всей поверхности углеродных трубок. После отжига на воздухе формируется пленка в виде однородного слоя толщиной порядка 5 μm, состоящего из сферических частиц со средним размером ~ 0.1 μm. Анализ элементного состава, выполненный по трем точкам посредством EDX (energy-dispersive X-ray spectroscopy), показал отсутствие углерода в отожженном образце, преобладающего в исходном композите (таблица). Отношение атомных концентраций кислорода и олова для отожженного образца свидетельствует о формировании диоксида олова. Сформированные пленки состоят только из упорядоченных структур нанокристаллического диоксида олова и не содержат исходной матрицы. Помимо этого, в нашем случае структура состоит из связанных между собой кластеров кристаллического диоксида олова с высокой удельной поверхностью устойчиво закрепленных на подложке SiO2/Si. Данные факторы делают полученный материал весьма перспективным для изготовления анодов литий-ионных батарей, суперконденсаторов и чувствительных элементов газовых сенсоров.
Пример осуществления способа.
Слои МУНТ получены методом газофазного осаждения при пиролизе смеси ацетилонитрила и ферроцена (100:1) на подложках из монокристаллического кремния с поверхностным термическим оксидом толщиной 100 нм. Синтез МУНТ проведен в реакторе при температуре 800°С в течение 12 минут. Толщина выращенного слоя МУНТ составила ~ 15 μm.
Композиты МУНТ/SnOx сформированы методом магнетронного распыления оловянной мишени (Sn 99.9%) в аргон-кислородной плазме на слоях МУНТ при давлении в камере ~ 7.5⋅10-6 Торр. Парциальное давление кислорода составляет ~ 1.5⋅10-5 Торр. Ток разряда составляет 100 мА при напряжении 500 В.
Для удаления МУНТ и формирования пленки пористого кристаллического диоксида олова проводят отжиг на воздухе при температуре 500°С в течение 30 минут. Посредством этого удалось создать однородную пленку пористого кристаллического диоксида олова на подложке SiO2/Si с характерным размером частиц олова ~ 0.1 μm (Фиг. 1, с) и толщиной ~ 5 μm (Фиг. 1, d).
Источники информации
1. А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. М.: Физматлит, 2007, с. 416
2. Болотов В.В., Кан В.Е., Корусенко П.М., Несов С.Н., Поворознюк С.Н., Пономарева И.В., Росликов В.Е., Стенькин Ю.А., Шелягин Р.В., Князев Е.В. Механизмы формирования слоев нанокомпозитов на основе многостенных углеродных нанотрубок и нестехеометрического оксида олова. ФТТ. 2012. Т. 54. Вып. 1. С. 154-161.
3. Несов С.Н., Болотов В.В., Корусенко П.М., Поворознюк С.Н., Вилков О.Ю. Межфазное взаимодействие в композите на основе многостенных углеродных нанотрубок и аморфного оксида олова. ФТТ. 2016. Т. 58. Вып. 5. С. 966-971.
Claims (1)
- Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова, включающий создание композита на основе матрицы, отличающий тем, что в качестве матрицы используют слои многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ), композит формируют путем магнетронного нанесения на матрицу нестехиометрического аморфного оксида олова (МУНТ/SnOx) с последующим удалением матрицы посредством термической обработки на воздухе при температуре 400-700°С в течение 15-45 минут.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018111570A RU2671361C1 (ru) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018111570A RU2671361C1 (ru) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2671361C1 true RU2671361C1 (ru) | 2018-10-30 |
Family
ID=64103264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018111570A RU2671361C1 (ru) | 2018-03-30 | 2018-03-30 | Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2671361C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2711386C1 (ru) * | 2019-10-02 | 2020-01-17 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ нанесения покрытия SnO2 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2379784C1 (ru) * | 2008-12-02 | 2010-01-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" | Способ получения тонких пленок, содержащих наноструктурированный диоксид олова |
RU2446233C1 (ru) * | 2010-07-16 | 2012-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ГОУ ВПО КубГУ) | Способ получения тонких пленок диоксида олова |
CN103342384A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-09 | 天津大学 | 利用自支撑碳纳米管膜制备碳纳米管/金属氧化物同轴结构的方法 |
RU2528032C2 (ru) * | 2012-09-18 | 2014-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ изготовления чувствительного элемента датчиков газов с углеродными нанотрубками |
RU2530495C1 (ru) * | 2013-07-18 | 2014-10-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский (Приволжский) Федеральный Университет" (ФГАОУ ВПО КФУ) | Упрочняющее теплоотражающее просветляющее покрытие |
-
2018
- 2018-03-30 RU RU2018111570A patent/RU2671361C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2379784C1 (ru) * | 2008-12-02 | 2010-01-20 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" | Способ получения тонких пленок, содержащих наноструктурированный диоксид олова |
RU2446233C1 (ru) * | 2010-07-16 | 2012-03-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ГОУ ВПО КубГУ) | Способ получения тонких пленок диоксида олова |
RU2528032C2 (ru) * | 2012-09-18 | 2014-09-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ изготовления чувствительного элемента датчиков газов с углеродными нанотрубками |
CN103342384A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-09 | 天津大学 | 利用自支撑碳纳米管膜制备碳纳米管/金属氧化物同轴结构的方法 |
RU2530495C1 (ru) * | 2013-07-18 | 2014-10-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский (Приволжский) Федеральный Университет" (ФГАОУ ВПО КФУ) | Упрочняющее теплоотражающее просветляющее покрытие |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2711386C1 (ru) * | 2019-10-02 | 2020-01-17 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ нанесения покрытия SnO2 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10953467B2 (en) | Porous materials comprising two-dimensional nanomaterials | |
CN108698849B (zh) | 通过在悬浮的非负载型石墨烯纳米片上生长氧化锌纳米棒或微米棒获得的石墨烯基复合纳米结构的生产 | |
KR101801789B1 (ko) | 다공성 탄소 재료 및 이의 제조 방법 | |
US20190210345A1 (en) | Graphene Paper Having High Through-Plane Conductivity and Production Process | |
Kondo et al. | Porous boron-doped diamond electrodes fabricated via two-step thermal treatment | |
WO2010143585A1 (ja) | カーボンナノチューブおよびその製造方法 | |
Ayuk et al. | A review on synthetic methods of nanostructured materials | |
AU2021201413A1 (en) | Graphene electrode | |
Eskizeybek et al. | Structural and optical properties of CdO nanowires synthesized from Cd (OH) 2 precursors by calcination | |
Zhang et al. | In situ synthesis of MoS 2/graphene nanosheets as free-standing and flexible electrode paper for high-efficiency hydrogen evolution reaction | |
US20210010132A1 (en) | Method for preparing surface-active onion-like carbon nanospheres based on vapor deposition | |
Hosseini et al. | Synthesis of carbon nanotubes, nano fibbers and nano union by electric arc discharge method using NaCl accuse as solution and Fe and Ni particles and catalysts | |
Wang et al. | Single crystal TiO2 nanorods: Large-scale synthesis and field emission | |
RU2671361C1 (ru) | Способ получения пленок пористого кристаллического диоксида олова | |
He et al. | Growth of vertical MoS2 nanosheets on carbon materials by chemical vapor deposition: Influence of substrates | |
KR20040079226A (ko) | 전이금속산화물/탄소나노튜브 합성물 제작방법 | |
Yin et al. | Postgrowth processing of carbon nanotube arrays-enabling new functionalities and applications | |
Fan et al. | In Situ crystallization to zinc aluminate films with controlled surface microstructure and anticorrosion performance | |
Xu et al. | Morphology and growth mechanism of amorphous silicon carbide sputtered on anodic aluminum template by radio frequency magnetron sputtering | |
Yang et al. | Effect of oxygen vacancies on the surface morphology and structural properties of WO3–x nanoparticles | |
KR101269407B1 (ko) | 탄소피막이 형성된 구리분말의 제조방법 | |
Perillo et al. | Formation of TiO2 nanopores by anodization of Ti-Films | |
Klochko et al. | Nanoscale tin dioxide films and zinc oxide hierarchical nanostructures for gas sensing applications | |
KR101383821B1 (ko) | 금속지지체 상에 유도된 금속간화합물 나노촉매를 이용한 탄소나노튜브의 합성방법 및 이에 의하여 합성된 탄소나노튜브 구조체 | |
Xie et al. | Facile synthesis of carbon nanotubes on nickel foam by decomposition of acetylene in chemical vapor deposition |