RU2671287C1 - Method of manufacturing air bridges - Google Patents
Method of manufacturing air bridges Download PDFInfo
- Publication number
- RU2671287C1 RU2671287C1 RU2017133047A RU2017133047A RU2671287C1 RU 2671287 C1 RU2671287 C1 RU 2671287C1 RU 2017133047 A RU2017133047 A RU 2017133047A RU 2017133047 A RU2017133047 A RU 2017133047A RU 2671287 C1 RU2671287 C1 RU 2671287C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resist
- bridge
- air bridge
- bridges
- areas
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004880 explosion Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000002360 explosive Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 210000001654 germ layer Anatomy 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технологии формирования воздушных мостов, предназначенных для электрического соединения контактных площадок полупроводниковых структур с большим перепадом рельефа поверхности (например, гребневых мезаполосков квантово-каскадных лазеров и контактных площадок с перепадом рельефа от 10 мкм и более). Данный способ позволяет устанавливать электрическое соединение между контактными площадками, которые имеют размеры менее 50×50 мкм, что является чрезвычайно сложной задачей для традиционной технологии сварки с использованием металлической проволоки (золотой, алюминиевой или другой). Кроме того, использование воздушного моста для электрического соединения соседних контактных площадок позволяет уменьшить паразитную емкость электродов, что актуально для высокочастотных полупроводниковых приборов.The invention relates to a technology for forming air bridges designed to electrically connect the contact pads of semiconductor structures with a large surface relief (for example, ridge meshes of quantum cascade lasers and contact pads with a surface drop of 10 μm or more). This method allows you to establish an electrical connection between the contact pads, which have dimensions less than 50 × 50 μm, which is extremely difficult for traditional welding technology using metal wire (gold, aluminum or other). In addition, the use of an air bridge for the electrical connection of adjacent contact pads can reduce the stray capacitance of the electrodes, which is important for high-frequency semiconductor devices.
Впервые способ формирования электрического соединения с помощью воздушного моста был представлен в работе [Gallium Arsenide - Materials, Devices and Circuits, John Wiley&Sons (1985)/ Chichecter, U.K., at page 485]. Данный способ включает в себя нанесение резиста на полупроводник с электродами, формирование окон в резисте в области электродов, осаждение металлизации с последующим снятием резиста. Данный способ не пригоден для работы с полупроводниковыми структурами, которые имеют глубину мезы более 1 мкм, что сильно ограничивает его применимость. Кроме того, к недостаткам данного способа можно отнести проблемы с разрывами металлизации, связанными с не идеальным заполнением мезы резистом, а также сложностью снятия резиста, который находится под воздушным мостом, что уменьшает надежность работы полупроводникового прибора из-за поглощения паров воды остатками резиста.For the first time, a method of forming an electrical connection using an air bridge was presented in [Gallium Arsenide - Materials, Devices and Circuits, John Wiley & Sons (1985) / Chichecter, U.K., at page 485]. This method includes applying a resist to a semiconductor with electrodes, forming windows in a resist in the region of the electrodes, depositing metallization, followed by removing the resist. This method is not suitable for working with semiconductor structures that have a mesa depth of more than 1 μm, which greatly limits its applicability. In addition, the disadvantages of this method include problems with metallization breaks associated with not perfect filling of the mesa with a resist, as well as the difficulty of removing the resist located under the air bridge, which reduces the reliability of the semiconductor device due to the absorption of water vapor by the residues of the resist.
Известен способ [US 5148260; H01L 23/50] изготовления механически более прочного воздушного моста за счет использования двух металлических слоев. Первый металлический слой воздушного моста состоит из металлов с большим модулем Юнга (W, Mo, Ru или Rh), а второй металлический слой содержит металлы с меньшим электрическим сопротивлением (Au, Аl или Сu). Таким образом, удается добиться одновременного увеличения механической прочности и уменьшения электрического сопротивления воздушного моста.The known method [US 5148260; H01L 23/50] the manufacture of a mechanically stronger air bridge through the use of two metal layers. The first metal layer of the air bridge consists of metals with a large Young's modulus (W, Mo, Ru or Rh), and the second metal layer contains metals with a lower electrical resistance (Au, Al or Cu). Thus, it is possible to achieve a simultaneous increase in mechanical strength and a decrease in the electrical resistance of the air bridge.
Существует проблема разрушения воздушных мостов при резке полупроводниковой пластины на кристаллы. Это связано с тем, что центральная область воздушного моста имеет высоту на несколько микрометров больше, чем остальные области полупроводникового прибора, что приводит к концентрации механических сил в центральной области воздушного моста при разделении пластины на кристаллы. Для решения данной проблемы в способе [US 4916520; H01L 23/48] изготовления воздушного моста было предложено создавать дополнительные области, высота которых будет сопоставима с высотой воздушного моста. В данном случае часть механических сил перераспределится на специально созданные дополнительные области, что улучшит надежность воздушных мостов.There is a problem of destruction of air bridges when cutting a semiconductor wafer into crystals. This is due to the fact that the central region of the air bridge has a height of several micrometers greater than the remaining areas of the semiconductor device, which leads to the concentration of mechanical forces in the central region of the air bridge when the plate is divided into crystals. To solve this problem in the method [US 4916520; H01L 23/48] manufacturing an air bridge, it was proposed to create additional areas, the height of which will be comparable to the height of the air bridge. In this case, part of the mechanical forces will be redistributed to specially created additional areas, which will improve the reliability of air bridges.
Существуют способы изготовления воздушных мостов, когда вначале формируется металлизация воздушного моста, а после этого осуществляется травление мезы, которая разделяет контактную площадку и активный элемент. К примеру, известен способ [US 5308440; В44С 1/22] изготовления воздушного моста с помощью бокового сухого травления при использовании металлического слоя в качестве маски для вытравливания полупроводника под воздушным мостом. В данном способе вначале с помощью сухого травления в металлическом слое формируется маска для травления полупроводника. После этого проводится второе сухое травление, которое позволяет травить полупроводниковый материал не только в глубину, но и с боковым подтравом. Благодаря подбору смеси газов и режимов сухого травления (времени травления, напряжения смещения на высокочастотном электроде, давления в камере травления и др.) удается вытравить полупроводник под воздушным мостом. К недостаткам данного способа можно отнести нежелательное боковое травления активного элемента, к которому подводится питание. Особенно это актуально в случае необходимости создания широких воздушных мостов для более равномерного растекания тока по активному элементу.There are methods for manufacturing air bridges, when the metallization of the air bridge is first formed, and then the mesa is etched, which separates the contact area and the active element. For example, a method is known [US 5308440; B44C 1/22] manufacturing an air bridge using lateral dry etching using a metal layer as a mask for etching a semiconductor under an air bridge. In this method, a mask for etching a semiconductor is first formed by dry etching in a metal layer. After this, a second dry etching is carried out, which allows etching the semiconductor material not only in depth, but also with side etching. Thanks to the selection of a mixture of gases and dry etching modes (etching time, bias voltage at the high-frequency electrode, pressure in the etching chamber, etc.), it is possible to etch the semiconductor under the air bridge. The disadvantages of this method include unwanted side etching of the active element, to which the power is supplied. This is especially true if it is necessary to create wide air bridges for more uniform spreading of current along the active element.
Известен способ [US 5179567; P01S 3/19] изготовления воздушного моста с помощью жидкостного анизотропного травления. В данном способе вначале формируется металлическая маска для травления. Далее подбирается жидкостной травитель, который обеспечит боковой подтрав в одном из кристаллографических направлений. При проектировании топологии прибора необходимо подобрать ориентацию воздушного моста таким образом, чтобы анизотропный травитель осуществлял боковой подтрав под воздушным мостом. При этом бокового травления активного элемента, который ориентирован ортогонально воздушному мосту, не будет.The known method [US 5179567;
При создании современных полупроводниковых монолитных интегральных схем (МИС) необходимо использовать воздушные мосты со сложным профилем. Это связано с особенностями топологий МИС, в том числе со сложной геометрией Т-образного затвора полевого транзистора. В данном случае активно используется многоступенчатое нанесение резиста и других вспомогательных слоев на поверхность МИС, чтобы сформировать воздушный мост с необходимым профилем. Известен способ [US 8962443; H01L 21/76] изготовления воздушного моста для полупроводниковой МИС с последовательным нанесением двух слоев резиста. Первый слой резиста необходим для заполнения области транзистора, которая не будет контактировать с металлическими слоями воздушного моста (область Т-образного затвора). С помощью операций проявления или травления вскрываются окна в первом слое резиста в области контактных площадок стока и истока. Далее на сформированную маску из резиста осаждается зародышевый слой для гальванического метода нанесения металла воздушного моста. Для создания разрыва металла воздушного моста в области Т-образного затвора наносится второй слой резиста, который закрывает область зародышевого слоя, где необходим разрыв металла.When creating modern semiconductor monolithic integrated circuits (MIS), it is necessary to use air bridges with a complex profile. This is due to the peculiarities of MIS topologies, including the complex geometry of the T-shaped gate of a field effect transistor. In this case, multistage deposition of resist and other auxiliary layers on the MIS surface is actively used to form an air bridge with the necessary profile. The known method [US 8962443; H01L 21/76] manufacturing an air bridge for a semiconductor MIS with the sequential application of two layers of resist. The first resist layer is necessary to fill the area of the transistor, which will not be in contact with the metal layers of the air bridge (the area of the T-shaped shutter). Using the development or etching operations, windows are opened in the first resist layer in the region of the contact areas of the drain and the source. Next, the germ layer is deposited on the formed mask from the resist for the galvanic method of applying the metal of the air bridge. To create a rupture of the metal of the air bridge in the area of the T-shaped shutter, a second resist layer is applied, which covers the region of the germ layer, where rupture of the metal is necessary.
Уменьшение топологических норм в современной электронике приводит к тому, что необходимо разрабатывать новые способы формирования активных и пассивных элементов электронных приборов. Известен способ [US 6268262; H01L 29/00] изготовления воздушного моста с использованием слоев аморфного карбида кремния. Данный способ заключает в себе нанесение аморфного карбида кремния на поверхность полупроводника с электродами, литографию и травление аморфного карбида кремния, нанесение диэлектрического слоя (SiO2, Si3N4 или др.), повторное нанесение аморфного карбида кремния с последующей литографией и травлением, осаждении металлизации воздушного моста и травление диэлектрического слоя под воздушным мостом.A decrease in topological standards in modern electronics leads to the fact that it is necessary to develop new methods for the formation of active and passive elements of electronic devices. The known method [US 6268262; H01L 29/00] manufacturing an air bridge using layers of amorphous silicon carbide. This method involves the deposition of amorphous silicon carbide on the surface of a semiconductor with electrodes, lithography and etching of amorphous silicon carbide, the deposition of a dielectric layer (SiO 2 , Si 3 N 4 or others), the repeated deposition of amorphous silicon carbide with subsequent lithography and etching, deposition metallization of the air bridge and etching of the dielectric layer under the air bridge.
Стоит отметить, что перечисленные выше способы изготовления воздушного моста не позволяют работать с полупроводниковыми структурами, на поверхности которых сформированы контактные площадки с большим перепадом рельефа поверхности (от 10 мкм и более).It is worth noting that the above methods of manufacturing an air bridge do not allow working with semiconductor structures on the surface of which contact pads are formed with a large difference in surface relief (from 10 μm or more).
Известен способ [Fathololoumi S. Terehertz quantum cascade lasers: towards high performance operation: thesis requirement for the degree of doctor of philosophy in electrical and computer engineering / Fathololoumi Saeed. - Canada, 2010. - 228 p. - References: p. 211-228], принятый за прототип, изготовления воздушного моста, заключающий в себе планаризацию поверхности структуры с большим перепадом рельефа за счет нанесения толстого слоя фоторезиста, литографию воздушного моста и напыление металлизации под «взрыв». Недостатками данного способа является технологическая сложность планаризации поверхности с глубиной мезы от 10 мкм и более. Для этого необходимо многократно наносить слои резиста, что с одной стороны усложняет контроль данного технологического процесса, а с другой стороны приводит к большой толщине резиста, который находится на контактных площадках.The known method [Fathololoumi S. Terehertz quantum cascade lasers: towards high performance operation: thesis requirement for the degree of doctor of philosophy in electrical and computer engineering / Fathololoumi Saeed. - Canada, 2010 .-- 228 p. - References: p. 211-228], adopted as a prototype for manufacturing an air bridge, comprising planarization of the surface of the structure with a large difference in relief due to the deposition of a thick layer of photoresist, lithography of the air bridge and the spraying of metallization under the "explosion". The disadvantages of this method is the technological complexity of planarization of the surface with a mesa depth of 10 μm or more. For this, it is necessary to repeatedly apply resist layers, which on the one hand complicates the control of this technological process, and on the other hand leads to a large thickness of the resist, which is located on the contact pads.
Техническим результатом изобретения является воспроизводимая и легко контролируемая на каждом этапе технология формирования воздушного моста, благодаря чему обеспечивается электрическое соединение контактных площадок полупроводниковых структур и улучшаются характеристики разрабатываемого прибора, в частности, появляется возможность создания качественного электрического контакта к узким гребневым мезаполоскам квантово-каскадного лазера с шириной менее 50 мкм.The technical result of the invention is reproducible and easily controlled at each stage, the technology of forming an air bridge, which ensures electrical connection of the contact pads of semiconductor structures and improves the characteristics of the developed device, in particular, it becomes possible to create high-quality electrical contact to narrow ridge messtripes of a quantum cascade laser with a width less than 50 microns.
Технический результат достигается за счет уменьшения перепада рельефа при нанесении нескольких слоев планаризующего резиста. В данном способе достаточно частично уменьшить перепад рельефа, а не полностью планаризовать поверхность структуры, что было предложено в прототипе. Степень заполнения мезы планаризующим резистом будет определять глубину провисания моста. Для вскрытия окон в планаризующем резисте в областях контактов металла мостов с контактными площадками необходимо провести экспонирование и проявление соответствующего рисунка. Формирование металлизации воздушного моста осуществляется с помощью «взрывной» литографии.The technical result is achieved by reducing the difference in relief when applying several layers of planarizing resist. In this method, it is enough to partially reduce the relief drop, and not to completely planarize the surface of the structure, which was proposed in the prototype. The degree of filling of the mesa with a planarizing resist will determine the sagging depth of the bridge. To open the windows in the planarizing resist in the contact areas of the metal of the bridges with the contact pads, it is necessary to exhibit and develop the corresponding pattern. The formation of the metallization of the air bridge is carried out using "explosive" lithography.
Способ позволяет формировать воздушный мост с контролируемыми параметрами геометрии, такими как глубина провисания, кривизна вблизи опор (контактов). Способ отличается простотой за счет использования ограниченного количества видов технологических операций, в которые входят только стандартные процессы литографии и напыление металлов.The method allows you to form an air bridge with controlled geometry parameters, such as the depth of sag, curvature near the supports (contacts). The method is simple due to the use of a limited number of types of technological operations, which include only standard lithography processes and metal deposition.
Суть изготовления воздушного моста для полупроводниковых структур заключается в частичном уменьшении перепада рельефа поверхности за счет нанесения нескольких слоев планаризующего резиста, формировании литографической маски и вскрытии окон в планаризующем резисте в областях контакта металла мостов с контактными площадками с последующим нагревом для оплавления верхнего слоя резиста (формирующего профиль моста). После этого наносится двухслойная система резистов для взрывной литографии с последующим экспонированием и проявлением областей моста. Последняя операция по формированию металлизации воздушного моста включает в себя напыление металла, его взрыв в соответствующем растворителе и растворение планаризующих слоев под мостами, если этого не происходит в растворителе для взрыва.The essence of manufacturing an air bridge for semiconductor structures is to partially reduce the surface relief by applying several layers of planarizing resist, forming a lithographic mask and opening windows in the planarizing resist in the contact areas of the bridge metal with the contact pads, followed by heating to melt the upper layer of the resist (forming the profile bridge). After that, a two-layer system of resistes for explosive lithography is applied, followed by exposure and development of the bridge areas. The last operation to form the metallization of the air bridge involves the deposition of metal, its explosion in an appropriate solvent and the dissolution of planarizing layers under the bridges, if this does not happen in the solvent for the explosion.
Фиг. 1-8. Схематическое изображение, иллюстрирующее способ изготовления воздушного моста согласно примеру 1.FIG. 1-8. A schematic illustration illustrating a method of manufacturing an air bridge according to example 1.
Фиг. 9 и 10. Снимки растрового электронного микроскопа воздушного моста, изготовленного согласно примеру 1.FIG. 9 and 10. Images of a scanning electron microscope of an air bridge manufactured according to example 1.
ПРИМЕР 1EXAMPLE 1
Предлагаемый способ позволяет надежно сформировать воздушный мост для электрического соединения контактных площадок полупроводниковых структур с большим перепадом рельефа и включает в себя следующую последовательность операций.The proposed method allows you to reliably form an air bridge for electrical connection of the contact pads of semiconductor structures with a large difference in relief and includes the following sequence of operations.
1. На полупроводниковую структуру 1, на поверхности которой сформированы контактные площадки 2, последовательно наносится несколько слоев резиста 3, например PMGI, с промежуточным нагревом для сушки и планаризации (оплавления). Количество слоев и степень оплавления выбирается исходя из параметров рисунка топологии для уменьшения перепадов рельефа и минимизации асимметрии распределения толщины резиста на краях ступенек топографии.1. On the
2. Наносится слой резиста 4, например РММА, для формирования литографической маски окон к контактам.2. A
3. Экспонирование и проявление рисунка для вскрытия окон 5 в планаризующем слое в областях контакта металла мостов с контактными площадками.3. Exposure and development of a pattern for opening
4. Оплавление (рефлоу) верхнего слоя резиста для устранения вертикальных или обратных профилей границ проявленного резиста 6, чтобы избежать разрывов металлизации мостов при напылении.4. Reflowing (reflow) the upper layer of the resist to eliminate vertical or reverse profiles of the boundaries of the developed resist 6, in order to avoid breaks in the metallization of bridges during spraying.
5. Нанесение двухслойной системы резистов 7 для взрывной литографии, например PMGI/PMMA.5. The application of a two-layer system of
6. Экспонирование областей мостов 8 и их проявление в проявителе, не взаимодействующем с планаризующими слоями 3 (см. п. 1).6. Exposure of the areas of
7. Напыление металла моста 9, например, термическим способом, и его взрыв в соответствующем растворителе, например, н-метилпирролидоне.7. The metal spraying of the
8. Растворение планаризующих слоев под мостами (может быть совмещено с п. 7).8. Dissolution of planarizing layers under bridges (can be combined with paragraph 7).
ПРИМЕР 2EXAMPLE 2
Отличается от примера 1 тем, что в пункте 1 используется планаризуемый резист, рисунок в котором можно проэкспонировать и проявить без использования дополнительного слоя литографического резиста, тем самым исключив пункт 2.It differs from example 1 in that in
ПРИМЕР 3EXAMPLE 3
Отличается от примеров 1 и 2 тем, что после пункта 8 производится операция гальванического осаждения металла на поверхности моста и контактных площадок, для чего необходимо включить в исходную топологию шину, электрически соединяющую все мосты через контактные площадки, к которой в дальнейшем присоединяется катод гальванической ванны.It differs from examples 1 and 2 in that after
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017133047A RU2671287C1 (en) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | Method of manufacturing air bridges |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017133047A RU2671287C1 (en) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | Method of manufacturing air bridges |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2671287C1 true RU2671287C1 (en) | 2018-10-30 |
Family
ID=64103282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017133047A RU2671287C1 (en) | 2017-09-22 | 2017-09-22 | Method of manufacturing air bridges |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2671287C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857481A (en) * | 1989-03-14 | 1989-08-15 | Motorola, Inc. | Method of fabricating airbridge metal interconnects |
| US5686743A (en) * | 1996-07-10 | 1997-11-11 | Trw Inc. | Method of forming airbridged metallization for integrated circuit fabrication |
| RU2216818C1 (en) * | 2003-01-28 | 2003-11-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб" | Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants ) |
| CN101561628A (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | Method for manufacturing air bridge |
| US8962443B2 (en) * | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
-
2017
- 2017-09-22 RU RU2017133047A patent/RU2671287C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4857481A (en) * | 1989-03-14 | 1989-08-15 | Motorola, Inc. | Method of fabricating airbridge metal interconnects |
| US5686743A (en) * | 1996-07-10 | 1997-11-11 | Trw Inc. | Method of forming airbridged metallization for integrated circuit fabrication |
| RU2216818C1 (en) * | 2003-01-28 | 2003-11-20 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб" | Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants ) |
| CN101561628A (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-21 | 中国科学院微电子研究所 | Method for manufacturing air bridge |
| US8962443B2 (en) * | 2011-01-31 | 2015-02-24 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Fathololoumi S. Terehertz quantum cascade lasers. Thesis requirement for the degree of doctor of philosophy in electrical and computer engineering. Canada, 2010, p.89. * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE112011102124T9 (en) | Microelectromechanical system | |
| US20060234138A1 (en) | Hard mask arrangement | |
| US10636758B2 (en) | Expanded head pillar for bump bonds | |
| KR940001889B1 (en) | Semiconductor device having a planarized surface | |
| KR20020001619A (en) | Method of forming a pattern | |
| JPS5815250A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH04229618A (en) | Integrated circuit device contact and formation method thereof | |
| RU2671287C1 (en) | Method of manufacturing air bridges | |
| JPH10321634A (en) | Manufacture of bump electrode | |
| TW501265B (en) | Method to produce a dielectric anti-fuse structure | |
| KR20040009753A (en) | Method for forming mim capacitor | |
| KR101865446B1 (en) | Micro Probe Tip Structure and Method of manufacturing the same | |
| KR100720519B1 (en) | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device | |
| JPH09507968A (en) | Spacer-based antifuse structure for low capacitance and high reliability and method of manufacturing the same | |
| JPH10135239A (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| US20080157277A1 (en) | Mim capacitor | |
| JP2514744B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| KR100645459B1 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
| DE102004026232B4 (en) | A method of forming a semiconductor integrated circuit device | |
| JP2001196380A (en) | Semiconductor device and producing method therefor | |
| JPH05243217A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS63204742A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| DE102020101520A1 (en) | SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD | |
| JPS5874037A (en) | Preparation of semiconductor device | |
| JPH04174522A (en) | Manufacture of bump formation plating of semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200923 |