RU2657275C2 - Method of producing films of cadmium telluride by magnetron sputtering at a constant current - Google Patents
Method of producing films of cadmium telluride by magnetron sputtering at a constant current Download PDFInfo
- Publication number
- RU2657275C2 RU2657275C2 RU2016145156A RU2016145156A RU2657275C2 RU 2657275 C2 RU2657275 C2 RU 2657275C2 RU 2016145156 A RU2016145156 A RU 2016145156A RU 2016145156 A RU2016145156 A RU 2016145156A RU 2657275 C2 RU2657275 C2 RU 2657275C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- heater
- temperature
- magnetron
- cadmium telluride
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012549 training Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к отрасли получения тонких пленок и направлен на повышение эффективности процесса распыления пленок полупроводников магнетронами на постоянном токе.The invention relates to the industry for producing thin films and is aimed at improving the efficiency of the process of spraying semiconductor films with direct current magnetrons.
Принцип работы магнетрона на постоянном токе, предназначенного для распыления материалов с целью получения тонких пленок, основан на бомбардировке мишени ускоренными в постоянном магнитном поле ионами, которые возникают в плазме самостоятельного тлеющего разряда. Условием возбуждения самостоятельного тлеющего разряда является эффективная вторичная эмиссия электронов с поверхности катода, которая обеспечивается использованием в качестве катода материалов с низкой энергией работой выхода электрона. Поскольку металлы имеют низкую работу выхода электронов, то для них эффективна вторичная эмиссия электронов, реализуемая при достаточно низких напряжениях, прикладываемых между анодом и катодом, и давлениях рабочего газа. В результате это позволяет достигать плотностей ионного тока, достаточных для обеспечения скоростей роста, необходимых для реализации промышленных технологий получения тонких металлических пленок.The principle of operation of a direct current magnetron, designed to sputter materials to produce thin films, is based on the bombardment of a target by ions accelerated in a constant magnetic field, which arise in a plasma of an independent glow discharge. The condition for the excitation of an independent glow discharge is an effective secondary emission of electrons from the surface of the cathode, which is ensured by the use of materials with low energy electron work function as a cathode. Since metals have a low electron work function, secondary electron emission is effective for them, which is realized at fairly low voltages applied between the anode and cathode and the working gas pressures. As a result, this allows one to achieve ion current densities sufficient to ensure the growth rates necessary for the implementation of industrial technologies for the production of thin metal films.
Для материалов с высокой работой выхода электронов, к которым относятся большинство полупроводников и диэлектриков, характерна низкая эмиссия электронов. Соответственно при реализации метода распыления на постоянном токе для полупроводниковых материалов наблюдаются низкие плотности ионного тока, не позволяющие реализовать получение тонких пленок полупроводников в промышленных масштабах.Materials with high electron work function, which include most semiconductors and dielectrics, are characterized by low electron emission. Accordingly, when implementing the direct current sputtering method for semiconductor materials, low ion current densities are observed that do not allow the production of thin semiconductor films on an industrial scale.
Известно решение (патент США US 006365009B1 от 02.04.2002), обеспечивающее увеличение производительности магнетронного распыления за счет повышения скорости распыления полупроводниковых материалов, используется магнетрон специальной конструкции, в котором одновременно реализуется комбинация методов высокочастотного распыления и распыления на постоянном токе.A known solution (US patent US 006365009B1 dated 04/02/2002), which provides an increase in the performance of magnetron sputtering due to an increase in the sputtering rate of semiconductor materials, uses a magnetron of a special design, which simultaneously implements a combination of high-frequency sputtering and direct current sputtering.
Недостатком такого решения является его высокая стоимость, поскольку реализация метода высокочастотного магнетронного распыления требует применения сложных и дорогих импульсных источников питания. Кроме того, реализация двух существенно различающихся методов распыления в одном магнетроне существенно усложняет систему управления такой производственной установкой и снижает надежность работы системы в целом.The disadvantage of this solution is its high cost, since the implementation of the method of high-frequency magnetron sputtering requires the use of complex and expensive switching power supplies. In addition, the implementation of two significantly different spraying methods in one magnetron significantly complicates the control system of such a production plant and reduces the reliability of the system as a whole.
Также известно решение (патент Японии JP 2003-253440 от 10.09.2003), в котором для распыления полупроводниковых материалов используется источник плазмы на основе электронной пушки с горячим катодом, обеспечивающим ионизацию атомов рабочего газа за счет эффекта термоэлектронной эмиссии и не зависящим, таким образом, от материала распыляемой мишени, что позволяет эффективно распылять диэлектрические и полупроводниковые материалы.A solution is also known (Japanese patent JP 2003-253440 dated 09/10/2003), in which a plasma source based on an electron gun with a hot cathode is used to sputter semiconductor materials, which provides ionization of the working gas atoms due to the effect of thermionic emission and is thus independent from the material of the sprayed target, which allows efficiently spraying dielectric and semiconductor materials.
Недостатком такого решения является усложнение конструкции и, следовательно, удорожание установки для распыления за счет необходимости наличия в вакуумной камере дополнительного источника электронов, тогда как в случае магнетронного распыления эмиссия электронов для ионизации рабочего газа обеспечивается непосредственно из распыляемой мишени.The disadvantage of this solution is the complexity of the design and, consequently, the cost of the sputtering installation due to the need for an additional electron source in the vacuum chamber, whereas in the case of magnetron sputtering, electron emission for ionization of the working gas is provided directly from the sprayed target.
Прототипом, наиболее близким к предлагаемому решению, можно считать (патент США US 6454910 B1 от 24.09.2002) усовершенствованный способ магнетронного распыления, в котором для эффективного распыления полупроводниковых материалов магнетрон постоянного тока дополнен отдельным источником ионов, расположенным так, что пучок ионов, исходящий из него, направлен на распыляемую мишень. Наличие такого дополнительного источника ионов позволяет увеличить плотность тока разряда при магнетронном распылении и, следовательно, усилить интенсивность распыления мишени из полупроводникового или диэлектрического материала.The prototype closest to the proposed solution can be considered (US patent US 6454910 B1 dated 09.24.2002) an improved method of magnetron sputtering, in which for effective sputtering of semiconductor materials the DC magnetron is supplemented by a separate ion source located so that the ion beam emanating from him, aimed at the sprayed target. The presence of such an additional ion source makes it possible to increase the discharge current density during magnetron sputtering and, therefore, increase the intensity of sputtering of the target from a semiconductor or dielectric material.
Недостатком такого способа является наличие в вакуумной камере отдельного источника ионов, требующего отельной системы электропитания и управления, согласованной с аналогичными системами основного магнетрона, что усложняет конструкцию установки и увеличивает ее стоимость. Также расположение дополнительного источника ионов возле распыляемой мишени приводит к попаданию на элементы его конструкции распыляемого материала, что приводит к необходимости дополнительного технического обслуживания для очистки деталей источника ионов.The disadvantage of this method is the presence in the vacuum chamber of a separate ion source that requires a separate power supply and control system, consistent with similar systems of the main magnetron, which complicates the design of the installation and increases its cost. Also, the location of an additional ion source near the target being sprayed leads to spraying of material onto its structural elements, which leads to the need for additional maintenance to clean the parts of the ion source.
Задача, на решение которой направлен заявленный способ, заключается в увеличении плотности тока разряда при магнетронном распылении сульфида и теллурида кадмия на постоянном токе за счет использования явления термоэлектронной эмиссии, обеспечивающего усиление ионизации рабочего газа.The problem to be solved by the claimed method is aimed at increasing the discharge current density during magnetron sputtering of cadmium sulfide and cadmium telluride in direct current by using the phenomenon of thermionic emission, which enhances the ionization of the working gas.
Данная задача решается за счет интенсификации термоэлектронной эмиссии при предварительном нагреве поверхности мишени из теллурида кадмия до температуры 166°C и последующем поддержании ее в интервале от 156°C до 166°C, для которого увеличение тока разряда за счет термоэлектронной эмиссии превосходит эффект снижения тока разряда из-за роста вероятности упругих столкновений ионов рабочего газа с поверхностными атомами мишени, а нагрев мишени осуществляется с помощью нагревателя, размещаемого над поверхностью магнетрона с использованием автоматизированного устройства отрицательной обратной связи на основе микроконтроллера, управляющего нагревателем и обеспечивающего стабилизацию тока разряда с точностью ±2 мА при неизменном напряжении на магнетроне и давлении аргона.This problem is solved by intensifying thermionic emission during preliminary heating of the target surface from cadmium telluride to a temperature of 166 ° C and then maintaining it in the range from 156 ° C to 166 ° C, for which an increase in the discharge current due to thermionic emission exceeds the effect of reducing the discharge current due to the increase in the probability of elastic collisions of working gas ions with surface atoms of the target, and the target is heated using a heater placed above the magnetron surface using a automated negative feedback device based on a microcontroller that controls the heater and provides stabilization of the discharge current with an accuracy of ± 2 mA at a constant voltage on the magnetron and argon pressure.
Предложенный способ получения пленок теллурида кадмия магнетронным распылением на постоянном токе имеет следующие отличительные особенности:The proposed method for producing cadmium telluride films by direct current magnetron sputtering has the following distinctive features:
- для увеличения тока разряда используется ионизация рабочего газа за счет явления термоэлектронной эмиссии из распыляемой мишени;- to increase the discharge current, ionization of the working gas is used due to the phenomenon of thermionic emission from the sprayed target;
- интенсификация термоэлектронной эмиссии осуществляется путем предварительного нагрева поверхности распыляемой мишени до 166°C с помощью нагревателя, размещаемого над поверхностью распыляемой мишени;- intensification of thermionic emission is carried out by pre-heating the surface of the spray target to 166 ° C using a heater placed above the surface of the spray target;
- после предварительного нагрева температура поверхности распыляемой мишени теллурида кадмия поддерживается в интервале от 156°C до 166°C, для которого увеличение тока разряда за счет термоэлектронной эмиссии превосходит эффект снижения тока разряда из-за роста вероятности упругих столкновений ионов рабочего газа с поверхностными атомами мишени;- after preliminary heating, the surface temperature of the sputtered cadmium telluride target is maintained in the range from 156 ° C to 166 ° C, for which an increase in the discharge current due to thermionic emission exceeds the effect of a decrease in the discharge current due to an increase in the probability of elastic collisions of working gas ions with surface target atoms ;
- стабилизация тока разряда с точностью ±2 мА при неизменном напряжении на магнетроне и давлении аргона осуществляется за счет контроля интенсивности термоэлектронной эмиссии из распыляемой мишени по величине тока разряда путем включения и выключения нагревателя с помощью автоматизированного устройства отрицательной обратной связи на основе микроконтроллера;- stabilization of the discharge current with an accuracy of ± 2 mA at a constant voltage on the magnetron and argon pressure is carried out by controlling the intensity of thermionic emission from the sprayed target by the magnitude of the discharge current by turning the heater on and off using an automated negative feedback device based on the microcontroller;
- нагреватель до момента разогрева находится не над поверхностью мишени, а после достижения температуры нагревателя 200°C и тока разряда источника ионов до 4 мА нагреватель перемещается и устанавливается над поверхностью мишени теллурида кадмия на расстоянии 70 мм.- the heater is not located above the target surface until the moment of heating, but after reaching a heater temperature of 200 ° C and an ion source discharge current of up to 4 mA, the heater moves and is installed above the cadmium telluride target surface at a distance of 70 mm.
Для интенсификации явления термоэлектронной эмиссии при магнетронном распылении теллурида кадмия на постоянном токе для получения дополнительных электронов можно применить нагреваемый катод, который бы имитировал электроны в основном посредством термоэлектронной, а не вторичной эмиссии.To intensify the phenomenon of thermionic emission during direct current magnetron sputtering of cadmium telluride to obtain additional electrons, a heated cathode can be used to simulate electrons mainly by means of thermionic rather than secondary emission.
На Фиг. 1 изображена последовательность запуска процесса распыления мишени. На Фиг. 1А изображен исходный вид 1 - внешний нагреватель мишени (используется и для нагрева подложки); 2 - мишень теллурида кадмия. Охлаждение мишени осуществляется путем теплопроводности металлического корпуса и магнита, который непосредственно охлаждается водой.In FIG. 1 shows a sequence of starting a sputtering process of a target. In FIG. 1A shows the
На Фиг. 2 изображена зависимость тока разряда от времени после того, как разогретый нагреватель устанавливается над поверхностью мишени теллурида кадмия.In FIG. Figure 2 shows the dependence of the discharge current on time after the heated heater is installed above the surface of the cadmium telluride target.
Пример 1. При реализации режима одновременно с началом нагрева (Фиг. 1Б) подложки, которая находилась в стороне от магнетрона (Фиг. 1А) на магнетрон подавалось напряжение V=600 В при Рарг=2 Па (так называемая тренировка мишени). Температура предварительного нагрева мишени составляла 200°C, расстояние от мишени до нагревателя 70 мм. При достижении тока разряда до 4 мА без прерывания разряда магнетрона подложка была переведена в положение над мишенью (Фиг. 1В). Температура на нагревателе поддерживается постоянной до увеличения тока разряда 60 мА, что соответствует 156°C на поверхности мишени и считается началом процесса распыления (Фиг. 1Г). Дальнейшее увеличение тока разряда до 85 мА свидетельствует о достижении температуры 166°C. Далее процесс поддерживается в интервале токов разряда 60-85 мА (что соответствует интервалу 156-166°C) за счет включения и выключения нагревателя с помощью автоматизированного устройства отрицательной обратной связи на основе микроконтроллера (зависимость тока разряда от времени во время всего процесса продемонстрировано на Фиг. 2). Example 1. When the regime was implemented simultaneously with the start of heating (Fig. 1B) of the substrate, which was located away from the magnetron (Fig. 1A), the voltage V = 600 V was applied to the magnetron at P arg = 2 Pa (the so-called target training). The temperature of preheating the target was 200 ° C; the distance from the target to the heater was 70 mm. When the discharge current reached 4 mA without interrupting the discharge of the magnetron, the substrate was moved to a position above the target (Fig. 1B). The temperature at the heater is maintained constant until the discharge current increases to 60 mA, which corresponds to 156 ° C on the target surface and is considered the beginning of the sputtering process (Fig. 1G). A further increase in discharge current to 85 mA indicates a temperature of 166 ° C. Further, the process is supported in the range of discharge currents of 60-85 mA (which corresponds to an interval of 156-166 ° C) by turning the heater on and off using an automated negative feedback device based on a microcontroller (the dependence of the discharge current on time during the entire process is shown in FIG. . 2).
Работоспособность предлагаемого способа проверена в серии экспериментов.The performance of the proposed method is tested in a series of experiments.
Таким образом, данный способ позволяет увеличить плотность тока разряда при магнетронном распылении теллурида кадмия на постоянном токе без внесения существенных изменений в конструкцию типичных установок магнетронного распыления.Thus, this method allows to increase the discharge current density during magnetron sputtering of cadmium telluride at a constant current without making significant changes to the design of typical magnetron sputtering plants.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016145156A RU2657275C2 (en) | 2016-11-17 | 2016-11-17 | Method of producing films of cadmium telluride by magnetron sputtering at a constant current |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016145156A RU2657275C2 (en) | 2016-11-17 | 2016-11-17 | Method of producing films of cadmium telluride by magnetron sputtering at a constant current |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2016145156A3 RU2016145156A3 (en) | 2018-05-17 |
| RU2016145156A RU2016145156A (en) | 2018-05-17 |
| RU2657275C2 true RU2657275C2 (en) | 2018-06-09 |
Family
ID=62152114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016145156A RU2657275C2 (en) | 2016-11-17 | 2016-11-17 | Method of producing films of cadmium telluride by magnetron sputtering at a constant current |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2657275C2 (en) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0347958A (en) * | 1989-07-13 | 1991-02-28 | Nippon Steel Corp | Method for vapor deposition by sputtering |
| JPH03215664A (en) * | 1990-01-18 | 1991-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film forming device |
| JPH07197257A (en) * | 1994-01-10 | 1995-08-01 | Hitachi Ltd | Thin film forming method and device therefor |
| SU751166A1 (en) * | 1979-03-30 | 1996-05-20 | Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции | Device for cathode spraying of ferroelectrics in vacuum |
| JP3047958B2 (en) * | 1995-06-16 | 2000-06-05 | 横河電機株式会社 | Sheet quality display device |
| JP3215664B2 (en) * | 1998-05-22 | 2001-10-09 | 美津濃株式会社 | Midsole structure for sports shoes |
| US6454910B1 (en) * | 2001-09-21 | 2002-09-24 | Kaufman & Robinson, Inc. | Ion-assisted magnetron deposition |
| WO2012143087A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | High-power sputtering source |
-
2016
- 2016-11-17 RU RU2016145156A patent/RU2657275C2/en active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU751166A1 (en) * | 1979-03-30 | 1996-05-20 | Киевский Политехнический Институт Им.50-Летия Великой Октябрьской Социалистической Революции | Device for cathode spraying of ferroelectrics in vacuum |
| JPH0347958A (en) * | 1989-07-13 | 1991-02-28 | Nippon Steel Corp | Method for vapor deposition by sputtering |
| JPH03215664A (en) * | 1990-01-18 | 1991-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film forming device |
| JPH07197257A (en) * | 1994-01-10 | 1995-08-01 | Hitachi Ltd | Thin film forming method and device therefor |
| JP3047958B2 (en) * | 1995-06-16 | 2000-06-05 | 横河電機株式会社 | Sheet quality display device |
| JP3215664B2 (en) * | 1998-05-22 | 2001-10-09 | 美津濃株式会社 | Midsole structure for sports shoes |
| US6454910B1 (en) * | 2001-09-21 | 2002-09-24 | Kaufman & Robinson, Inc. | Ion-assisted magnetron deposition |
| WO2012143087A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | High-power sputtering source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2016145156A3 (en) | 2018-05-17 |
| RU2016145156A (en) | 2018-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2557078C2 (en) | Electronic beam generator | |
| US5015493A (en) | Process and apparatus for coating conducting pieces using a pulsed glow discharge | |
| CN109913799B (en) | Arc electron source enhanced glow discharge surface activation process for PVD (physical vapor deposition) coating | |
| US20110011737A1 (en) | High-power pulse magnetron sputtering apparatus and surface treatment apparatus using the same | |
| JP2006506521A (en) | High deposition rate sputtering | |
| TWI730642B (en) | Indirectly heated cathode ion source and method of operating the same | |
| KR20130058625A (en) | Ion bombardment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same | |
| KR20170058428A (en) | Deposition method and sputtering device | |
| US9211570B2 (en) | Ion bombardment treatment apparatus and method for cleaning of surface of base material using the same | |
| JP6113743B2 (en) | Reactive sputtering process | |
| JP2010168662A (en) | Source for vacuum treatment process | |
| Bleykher et al. | Surface erosion of hot Cr target and deposition rates of Cr coatings in high power pulsed magnetron sputtering | |
| EP0544831B1 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method of improving ion flux distribution uniformity on a substrate | |
| RU2657275C2 (en) | Method of producing films of cadmium telluride by magnetron sputtering at a constant current | |
| RU2311492C1 (en) | Device for high-speed magnetron sputtering | |
| RU2607398C2 (en) | Method of coatings application by plasma spraying and device for its implementation | |
| RU2510428C1 (en) | Arc evaporator of metal and alloys | |
| KR101027471B1 (en) | Plasma processing method and processing apparatus | |
| RU2801364C1 (en) | Method for generating solid state ion fluxes | |
| CN109791865A (en) | Axial electron gun | |
| RU2711067C1 (en) | Method of ion nitriding in crossed electric and magnetic fields | |
| CN109786203B (en) | Multi-channel ion source generating device | |
| JP2019176017A (en) | Placement table and plasma processing apparatus | |
| JP5959409B2 (en) | Film forming apparatus and method of operating film forming apparatus | |
| JP2016085963A (en) | Method and device for generating electrical discharge |