RU2646301C2 - Method for manufacturing round crystals with chamfer, device and blade tool for method implementation - Google Patents

Method for manufacturing round crystals with chamfer, device and blade tool for method implementation Download PDF

Info

Publication number
RU2646301C2
RU2646301C2 RU2016126882A RU2016126882A RU2646301C2 RU 2646301 C2 RU2646301 C2 RU 2646301C2 RU 2016126882 A RU2016126882 A RU 2016126882A RU 2016126882 A RU2016126882 A RU 2016126882A RU 2646301 C2 RU2646301 C2 RU 2646301C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
cutting edge
tool
chamfer
main
crystals
Prior art date
Application number
RU2016126882A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Юрий Николаевич Жуков
Игорь Николаевич Тихонов
Иван Викторович Юшков
Original Assignee
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" filed Critical Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина"
Priority to RU2016126882A priority Critical patent/RU2646301C2/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2646301C2 publication Critical patent/RU2646301C2/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
    • B26D3/00—Cutting work characterised by the nature of the cut made; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
    • B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
    • B26F3/00—Severing by means other than cutting; Apparatus therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Abstract

FIELD: instrument engineering.
SUBSTANCE: invention relates to the field of manufacturing power semiconductor devices and can be used to separate semiconductor wafers into round crystals. Method involves forming a chamfer by means of diamond blade tool and cutting crystals from the plate, which are performed by a single tool. In this case, the chamfer is formed by the main cutting edge of the tool disposed at an angle to the plate surface, turning the tool relative to the fixed top, setting the main cutting edge perpendicular to the plate surface and cutting the crystal with an auxiliary cutting edge. Main cutting edge is 2.00 mm long, the auxiliary cutting edge is 0.05–0.15 mm long and located at an angle of 90° to the main one, and the additional cutting edge is no more than 2.00 mm long and located at an angle of 120–170° to the auxiliary cutting edge.
EFFECT: invention is aimed at improving the quality and accuracy of crystals made with the help of one tool on a single machine.
2 cl, 3 dwg

Description

Заявляемая группа изобретений относится к области получения изделий электронной техники и предназначена для разделения полупроводниковых пластин на круглые кристаллы, которые используются для изготовления силовых полупроводниковых приборов.The claimed group of inventions relates to the field of production of electronic products and is intended for the separation of semiconductor wafers into round crystals, which are used for the manufacture of power semiconductor devices.

Из уровня техники известен способ изготовления круглых кристаллов фаской, заключающийся в том, что первоначально из пластины вырезают кристаллы круглой формы трубчатым алмазным сверлом на одном станке, например, на вертикально-сверлильном, а затем изготавливают фаску на каждом кристалле на другом станке с помощью алмазного плоского шлифовального круга вращением круга и кристалла. (В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов. Обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1988. стр. 103 и стр. 111).A method is known from the prior art for the manufacture of round chamfer crystals, which consists in the fact that initially round crystals are cut from a plate by a tubular diamond drill on one machine, for example, a vertical drill, and then a chamfer is made on each crystal on another machine using a diamond flat grinding wheel by rotation of the wheel and the crystal. (V.P. Zaporizhsky, B.A. Lapshinov. Processing of semiconductor materials. M: Higher school. 1988. p. 103 and p. 111).

В качестве прототипа выбран способ изготовления круглых кристаллов с фаской, включающий изготовление фаски алмазным лезвийным инструментом, а затем вырезку кристалла алмазным трубчатым сверлом. (А.С. №1424655, МПК H01L 21/78, дата регистрации 15.05.1987).As a prototype, a method for manufacturing round crystals with a chamfer was selected, including the manufacture of a chamfer with a diamond blade tool, and then cutting the crystal with a diamond tube drill. (A.S. No. 1424655, IPC H01L 21/78, registration date 05/15/1987).

Известно устройство для закрепления алмазного лезвийного инструмента, которое содержит корпус и держатель инструмента. (О.И. Бочкин, В.А. Брук, С.Н. Никифорова-Денисова. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1983. стр. 66).A device for fixing a diamond blade tool is known, which comprises a body and a tool holder. (O. I. Bochkin, V. A. Brook, S. N. Nikiforova-Denisova. Mechanical processing of semiconductor materials. M: Higher school. 1983. p. 66).

В качестве прототипа выбрано устройство для закрепления алмазного лезвийного инструмента, содержащее корпус с размещенным в нем держателем для закрепления инструмента. (В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов. Обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1988. стр. 90-91).As a prototype, a device for securing a diamond blade tool is selected, comprising a housing with a holder therein for securing the tool. (V.P. Zaporizhsky, B.A. Lapshinov. Processing of semiconductor materials. M: Higher school. 1988. pp. 90-91).

Известен лезвийный инструмент для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы квадратной формы на основе усеченной четырехгранной пирамиды алмаза, который имеет четыре грани и четыре режущие кромки-ребра пирамиды (О.И. Бочкин, В.А. Брук, С.Н. Никифорова-Денисова. Механическая обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1983. стр. 67-70).Known blade tool for separating semiconductor wafers into square crystals based on a truncated tetrahedral diamond pyramid, which has four faces and four cutting edges-edges of the pyramid (O.I. Bochkin, V.A. Brook, S.N. Nikiforova-Denisova. Mechanical Processing of Semiconductor Materials (Moscow: Vysshaya Shkola, 1983. p. 67-70).

В качестве прототипа выбран лезвийный инструмент для разделения полупроводниковых пластин на кристаллы квадратной формы на основе четырехгранной или трехгранной пирамиды алмаза, который имеет четыре грани с двумя режущими кромками-ребрами пирамиды одинаковой длины и вершину пирамиды. (В.П. Запорожский, Б.А. Лапшинов. Обработка полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1988. стр. 87-88).As a prototype, a blade tool for separating semiconductor wafers into square crystals based on a tetrahedral or trihedral pyramid of diamond, which has four faces with two cutting edges and edges of the pyramid of the same length and the top of the pyramid, was chosen. (V.P. Zaporizhsky, B.A. Lapshinov. Processing of semiconductor materials. M: Higher school. 1988. p. 87-88).

Существенные недостатки прототипов:Significant disadvantages of the prototypes:

- относительно низкая производительность способа - большую долю времени при изготовлении одного кристалла с фаской занимают настроечные работы на смену инструмента или на смену станка;- relatively low productivity of the method - a large proportion of the time in the manufacture of a single crystal with a bevel is occupied by tuning work to change the tool or to change the machine;

- используются два инструмента: один - алмазный лезвийный инструмент для изготовления фаски, а другой - трубчатое сверло для вырезки кристалла из пластины;- two tools are used: one is a diamond blade tool for making a chamfer, and the other is a tubular drill for cutting a crystal from a plate;

- затруднено центрирование трубчатого сверла относительно оси кристалла, что обусловлено сменой инструмента, если операция выполняется на одном станке, и переносом пластины при выполнении вырезки на другом станке;- it is difficult to center the tubular drill relative to the axis of the crystal, which is due to the change of the tool if the operation is performed on one machine, and the transfer of the plate when cutting on another machine;

- устройства для закрепления алмазного лезвийного инструмента не позволяют известными инструментами на основе трех- или четырехгранной алмазной пирамиды выполнять фаски и вырезку круглых кристаллов из пластины.- devices for fixing a diamond blade tool do not allow known tools based on a triangular or tetrahedral diamond pyramid to perform chamfers and cutting round crystals from a plate.

Техническая задача, на решение которой направлена заявляемая группа изобретений, - повышение производительности и точности изготовления круглых кристаллов с фаской.The technical problem to be solved by the claimed group of inventions is to increase the productivity and accuracy of manufacturing round crystals with a bevel.

Технический результат, на достижение которого направлена заявляемая группа изобретений, - изготовление круглых кристаллов с фаской одним алмазным лезвийным инструментом и на одном станке при использовании одной настройки инструмента и станка, повышающее качество и точность кристаллов.The technical result, to which the claimed group of inventions is directed, is the manufacture of round crystals with a facet with one diamond blade tool and on one machine using the same tool and machine settings, which improves the quality and accuracy of the crystals.

Сущность заявляемого способа изготовления круглых кристаллов с фаской заключается в следующем.The essence of the proposed method for the manufacture of round crystals with a bevel is as follows.

Способ изготовления круглых кристаллов с фаской, включающий формирование фаски алмазным лезвийным инструментом и вырезку его из пластины. В отличие от прототипа фаску на кристалле и вырезку его из пластины выполняют одним инструментом, причем фаску формируют главной режущей кромкой инструмента, наклоненной к поверхности пластины под углом наклона фаски, а затем поворачивают инструмент относительно неподвижной его вершины с целью установки главной режущей кромки перпендикулярно поверхности пластины и выполнения вырезки кристалла вспомогательной режущей кромкой. При этом способ осуществляется использованием устройства для закрепления инструмента и инструмента для реализации способа.A method of manufacturing round crystals with a chamfer, comprising forming a chamfer with a diamond blade tool and cutting it out of the plate. Unlike the prototype, a chamfer on a crystal and cutting it out of the plate is performed with one tool, and the chamfer is formed by the main cutting edge of the tool inclined to the surface of the plate at an angle of the chamfer, and then the tool is rotated relative to its fixed vertex in order to set the main cutting edge perpendicular to the surface of the plate and performing crystal cutting with an auxiliary cutting edge. In this case, the method is carried out using a device for fixing a tool and a tool for implementing the method.

Сущность заявляемого устройства для изготовления круглых кристаллов с фаской заключается в следующем.The essence of the claimed device for the manufacture of round crystals with a facet is as follows.

Устройство для осуществления способа содержит корпус и держатель для закрепления инструмента. В отличие от прототипа держатель для закрепления инструмента имеет круговую каретку, установленную в круговых направляющих корпуса, и зубчатый сектор, имеющий общий центр поворота с круговой направляющей и взаимодействующий с зубчатым колесом, закрепленным на валу электродвигателя, размещенного в корпусе устройства.A device for implementing the method includes a housing and a holder for securing the tool. Unlike the prototype, the holder for securing the tool has a circular carriage mounted in the circular guides of the housing, and a gear sector having a common center of rotation with a circular guide and interacting with a gear mounted on the shaft of an electric motor housed in the housing of the device.

Сущность лезвийного инструмента для изготовления круглых кристаллов с фаской заключается в следующем.The essence of the blade tool for the manufacture of round crystals with a facet is as follows.

Лезвийный инструмент для реализации способа содержит четырех- или трехгранную пирамиду алмаза, в отличие от прототипа рабочая грань пирамиды алмаза содержит главную режущую кромку длиной более 2,0 мм, вспомогательную режущую кромку длиной 0,05÷0,15 мм, расположенную под углом 90° к главной и дополнительную режущую кромку длиной более 2,0 мм, расположенную под углом 120÷170° к вспомогательной, и вершину инструмента - точку пересечения главной и вспомогательной режущих кромок.The blade tool for implementing the method contains a four- or trihedral diamond pyramid, in contrast to the prototype, the working face of the diamond pyramid contains a main cutting edge with a length of more than 2.0 mm, an auxiliary cutting edge with a length of 0.05 ÷ 0.15 mm, located at an angle of 90 ° to the main and additional cutting edges with a length of more than 2.0 mm, located at an angle of 120 ÷ 170 ° to the auxiliary, and the top of the tool is the intersection point of the main and auxiliary cutting edges.

Заявляемая группа изобретений характеризуется рядом общих существенных признаков, в частности:The claimed group of inventions is characterized by a number of common essential features, in particular:

- использование одного лезвийного инструмента для изготовления фаски круглого кристалла и последующей его вырезки из пластины позволяет резко сократить время настройки станка и инструмента, и, следовательно, повысить производительность процесса и точность получаемых кристаллов;- the use of a single blade tool for the manufacture of a bevel of a round crystal and its subsequent cutting from the plate can dramatically reduce the setup time of the machine and tool, and, therefore, increase the productivity of the process and the accuracy of the resulting crystals;

- использование инструмента, содержащего главную и вспомогательную режущие кромки разной длины с углом между ними, равным 90°, и устройства для закрепления и поворота инструмента относительно вершины инструмента позволяет сократить время настройки инструмента до минимума - равному времени установки вершины инструмента в точку его поворота устройством, которая выполняется один раз для всей группы вырезаемых кристаллов.- the use of a tool containing the main and auxiliary cutting edges of different lengths with an angle between them equal to 90 °, and a device for fixing and turning the tool relative to the top of the tool allows you to reduce the setup time of the tool to a minimum - equal to the installation time of the top of the tool at the point of rotation of the device, which is performed once for the entire group of cut crystals.

Вышеуказанное позволяет сделать вывод о соответствии заявляемой группы изобретений критериям патентоспособности «новизна» и «изобретательский уровень».The above allows us to conclude that the claimed group of inventions meets the patentability criteria of “novelty” and “inventive step”.

Заявляемая группа изобретений может быть успешно реализована на известном оборудовании, например, на вертикально-сверлильных станках и координатно-сверлильных станках с числовым программным управлением, работающих после настройки в автоматическом режиме, что позволяет сделать вывод о соответствии группы изобретений критерию патентоспособности «промышленная применяемость».The inventive group of inventions can be successfully implemented on well-known equipment, for example, vertical-boring machines and coordinate-boring machines with numerical control, working after tuning in automatic mode, which allows us to conclude that the group of inventions meets the patentability criterion of "industrial applicability".

Заявляемый способ изготовления круглых кристаллов с фаской, устройство и лезвийный инструмент для осуществления способа связаны между собой единым изобретательским замыслом, заключающимся в использовании одного лезвийного инструмента для изготовления фаски круглого кристалла и его вырезки, повышающим производительность процесса, причем инструмента, содержащего главную и вспомогательную режущие кромки, выполняющие каждая последовательно изготовление фаски и вырезку кристалла с одной настройки инструмента вершиной в точку поворота относительно устройства, что увеличивает точность получаемых кристаллов и производительность процесса.The inventive method of manufacturing round crystals with a chamfer, a device and a blade tool for implementing the method are interconnected by a single inventive concept, which consists in using one blade tool for making a bevel of a round crystal and its cutting, increasing the productivity of the process, and the tool containing the main and auxiliary cutting edges each performing successively chamfering and crystal cutting from one tool setting with a vertex to a rotation point and relative to the device, which increases the accuracy of the resulting crystals and the performance of the process.

Заявляемая группа изобретений поясняется следующими чертежами (фиг. 1÷3).The claimed group of inventions is illustrated by the following drawings (Fig. 1 ÷ 3).

На фиг.1а и фиг.1б положение инструмента и его геометрия при формообразовании фаски (фиг. 1а) и вырезки кристалла (фиг. 1б) в процессе осуществления способа.On figa and figb position of the tool and its geometry during the formation of the chamfer (Fig. 1A) and crystal cutting (Fig. 1b) in the process.

На фиг. 2а, фиг. 2б и фиг. 3 - устройство для закрепления инструмента и изменения его положения при осуществлении способа изготовления круглых кристаллов с фаской.In FIG. 2a, FIG. 2b and FIG. 3 - a device for fixing the tool and changing its position when implementing the method of manufacturing round crystals with a bevel.

Принцип работы устройства и инструмента по способу изготовления круглых кристаллов с фаской.The principle of operation of the device and tool according to the method of manufacturing round crystals with a bevel.

Поверхность 1 полупроводниковой пластины, на которой формируется фаска 2 главной режущей кромкой инструмента 3 (фиг. 1а). Инструмент повернут (фиг. 1б) - главная режущая кромка 3 располагается под углом 90° к поверхности пластины 1, а вспомогательная режущая кромка 4, расположенная под углом 90° по отношению к главной, устанавливается параллельно поверхности пластины 1. Поворот инструмента осуществляется устройством относительно точки поворота 5 держателя 6 (фиг. 2а), в котором располагается вершина 7 инструмента.The surface 1 of the semiconductor wafer on which the chamfer 2 is formed by the main cutting edge of the tool 3 (Fig. 1A). The tool is rotated (Fig. 1b) - the main cutting edge 3 is located at an angle of 90 ° to the surface of the plate 1, and the auxiliary cutting edge 4, located at an angle of 90 ° with respect to the main one, is installed parallel to the surface of the plate 1. The tool is rotated by the device relative to the point rotation 5 of the holder 6 (Fig. 2A), in which the tip 7 of the tool is located.

Дополнительная режущая кромка 8 инструмента наклонена к вспомогательной 4 под углом 120°÷170°. Держатель инструмента 6 (фиг. 2а) устройства для реализации способа имеет круговую каретку 9, установленную в круговых направляющих 10 корпуса 11, и зубчатый сектор 12, который взаимодействует с зубчатым колесом 13, установленным на валу 14 электродвигателя 15 его поворота. При включении двигателя 15 зубчатое колесо 13 поворачивает зубчатый сектор 12 держателя инструмента 6 в круговых направляющих 10 корпуса 11 относительно центра поворота 5, в котором расположена вершина инструмента 7. Одно из положений инструмента позволяет формировать фаску кристалла, другое - его вырезку из пластины.The additional cutting edge 8 of the tool is inclined to the auxiliary 4 at an angle of 120 ° ÷ 170 °. The tool holder 6 (Fig. 2a) of the device for implementing the method has a circular carriage 9 installed in the circular guides 10 of the housing 11, and a gear sector 12, which interacts with the gear 13 mounted on the shaft 14 of its rotation motor 15. When the engine 15 is turned on, the gear 13 rotates the gear sector 12 of the tool holder 6 in the circular guides 10 of the housing 11 relative to the center of rotation 5, at which the top of the tool 7 is located. One of the positions of the tool allows you to form a chamfer of the crystal, the other - its cut from the plate.

С целью апробации заявляемых изобретений были созданы опытные образцы инструмента и устройства для реализации способа изготовления круглых кристаллов с фаской. При этом использовался координатно-сверлильный станок с числовым программным управлением, который можно использовать и при осуществлении прототипа заявленного способа. Были изготовлены партии кристаллов диаметром от 3 до 8 мм из кремниевых пластин толщиной от 0,3 до 0,6 мм с углом наклона фаски к поверхности кристалла пластины 30°÷60°. Во всех партиях полученных кристаллов качество поверхностей фасок и поверхностей отделения кристалла от пластины, а также отклонение оси кристалла и оси фаски отвечали заданным техническим условиям. Брак на операции не зафиксирован.In order to test the claimed inventions, prototypes of the instrument and device for implementing the method of manufacturing round crystals with a bevel were created. In this case, a coordinate-drilling machine with numerical control was used, which can be used in the implementation of the prototype of the claimed method. A batch of crystals with a diameter of 3 to 8 mm was made of silicon wafers with a thickness of 0.3 to 0.6 mm with an angle of inclination of the chamfer to the surface of the crystal of the wafer 30 ° ÷ 60 °. In all batches of the obtained crystals, the quality of the surfaces of the chamfers and the surfaces of the separation of the crystal from the plate, as well as the deviation of the axis of the crystal and the axis of the bevel, met the specified specifications. The marriage for the operation is not fixed.

Claims (2)

1. Способ изготовления круглых кристаллов с фаской для силовых полупроводниковых приборов на сверлильном станке, включающий формирование на поверхности полупроводниковой пластины фаски круглого кристалла и вырезку кристалла из полупроводниковой пластины, отличающийся тем, что формирование фаски и вырезку кристалла осуществляют одним алмазным лезвийным инструментом, выполненным с главной и вспомогательной режущими кромками, расположенными с образованием вершины между ними, и дополнительной режущей кромкой, причем фаску на поверхности полупроводниковой пластины формируют главной режущей кромкой алмазного лезвийного инструмента, которую наклоняют к поверхности полупроводниковой пластины под углом наклона фаски, а затем поворачивают алмазный лезвийный инструмент относительно его вершины, устанавливают главную режущую кромку перпендикулярно поверхности полупроводниковой пластины и вырезают кристалл из полупроводниковой пластины вспомогательной режущей кромкой.1. A method of manufacturing round crystals with a chamfer for power semiconductor devices on a drilling machine, comprising forming on the surface of the semiconductor wafer a bevel of a round crystal and cutting a crystal from a semiconductor wafer, characterized in that the formation of the chamfer and the crystal is carried out with one diamond blade tool made with the main and auxiliary cutting edges located to form a vertex between them, and an additional cutting edge, with a chamfer on the surface The semiconductor wafer is formed by the main cutting edge of the diamond blade tool, which is tilted to the surface of the semiconductor wafer at an angle of the chamfer, and then the diamond blade tool is turned relative to its top, the main cutting edge is perpendicular to the surface of the semiconductor wafer and the crystal is cut from the semiconductor wafer by the auxiliary cutting edge. 2. Устройство для изготовления круглых кристаллов с фаской для силовых полупроводниковых приборов на сверлильном станке, содержащее корпус, держатель инструмента и алмазный лезвийный инструмент, отличающееся тем, что оно снабжено двигателем с закрепленным на его валу зубчатым колесом и круговыми направляющими, держатель инструмента имеет зубчатый сектор, расположенный в контакте с упомянутым зубчатым колесом, и каретку, установленную в круговых направляющих, при этом алмазный лезвийный инструмент выполнен в форме пирамиды и имеет главную и вспомогательную режущую кромки, расположенные с образованием вершины между ними, и дополнительную режущую кромку, при этом упомянутые главная, вспомогательная и дополнительная режущие кромки образуют одну из рабочих граней алмазного лезвийного инструмента, главная режущая кромка выполнена длиной 2,00 мм, вспомогательная режущая кромка – длиной 0,05-0,15 мм и расположена под углом 90° к главной режущей кромке, а дополнительная режущая кромка имеет длину не более 2,00 мм и расположена под углом 120-170° к вспомогательной режущей кромке. 2. A device for manufacturing round crystals with a chamfer for power semiconductor devices on a drilling machine, comprising a housing, a tool holder and a diamond blade tool, characterized in that it is equipped with a motor with a gear wheel and circular guides fixed to its shaft, the tool holder has a gear sector located in contact with said gear wheel and a carriage mounted in circular guides, wherein the diamond blade tool is made in the shape of a pyramid and has an eye the main and auxiliary cutting edges located with the formation of a vertex between them, and an additional cutting edge, while the said main, auxiliary and additional cutting edges form one of the working faces of the diamond blade tool, the main cutting edge is 2.00 mm long, the auxiliary cutting edge - 0.05-0.15 mm long and located at an angle of 90 ° to the main cutting edge, and the additional cutting edge has a length of not more than 2.00 mm and is located at an angle of 120-170 ° to the auxiliary cutting edge.
RU2016126882A 2016-07-04 2016-07-04 Method for manufacturing round crystals with chamfer, device and blade tool for method implementation RU2646301C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016126882A RU2646301C2 (en) 2016-07-04 2016-07-04 Method for manufacturing round crystals with chamfer, device and blade tool for method implementation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016126882A RU2646301C2 (en) 2016-07-04 2016-07-04 Method for manufacturing round crystals with chamfer, device and blade tool for method implementation

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2646301C2 true RU2646301C2 (en) 2018-03-02

Family

ID=61568516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016126882A RU2646301C2 (en) 2016-07-04 2016-07-04 Method for manufacturing round crystals with chamfer, device and blade tool for method implementation

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2646301C2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305695A1 (en) * 1983-02-18 1984-08-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Apparatus for slicing semiconductor material
RU2008746C1 (en) * 1991-10-18 1994-02-28 Производственное объединение "Фотон" Process of manufacture of crystal with diffusion p - n junction
RU2385218C1 (en) * 2008-12-08 2010-03-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Method to separate solid-state plates with two-sided thin-film coat into crystals

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3305695A1 (en) * 1983-02-18 1984-08-23 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Apparatus for slicing semiconductor material
RU2008746C1 (en) * 1991-10-18 1994-02-28 Производственное объединение "Фотон" Process of manufacture of crystal with diffusion p - n junction
RU2385218C1 (en) * 2008-12-08 2010-03-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" Method to separate solid-state plates with two-sided thin-film coat into crystals

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102174875B1 (en) METHOD OF MACHINING SiC WAFER
KR102305371B1 (en) SLICING METHOD OF SiC INGOT
KR20170021731A (en) Processing method of wafer
KR20160002740A (en) Beveling method
CN104551894A (en) Processing method of L-shaped ZnSe (zinc selenide) turning prism
CN101543901A (en) Method for preparing micro cutter based on focused ion beam technology
KR20160088793A (en) Multi-point diamond tools
CN103418820A (en) Milling device and method for inner-hole oil grooves
RU2646301C2 (en) Method for manufacturing round crystals with chamfer, device and blade tool for method implementation
JP6476892B2 (en) Multipoint diamond tools
US20150177428A1 (en) Diffraction grating and diffraction grating producing method
JP2015209350A (en) Method for manufacturing scribing tool, scribing tool, scribing apparatus and scribing method
JP6284440B2 (en) Cutting apparatus and edge trimming method
RU2604742C2 (en) Cutting multi-facet plate
JP2006289871A (en) Method for manufacturing ring zone optical element and method for manufacturing mold for ring zone optical element
KR102486869B1 (en) Dressing method, dressing device, grindstone and grinding machine
CN107553759B (en) Multi-edge diamond cutter and manufacturing method thereof
JP2014230053A (en) Method of forming piezoelectric wafer
KR200486119Y1 (en) Knife blade storage board arrangement structure of spring manufacturing machinery
US10930513B1 (en) Method of producing silicon elements and integrated circuits
JP2020171971A (en) Grinding device
JP2004148454A (en) Method and device for grinding forming die of micro lens array
JP6061830B2 (en) Lens processing apparatus and lens processing method
JP2016010916A (en) Multipoint diamond tool
RU1815695C (en) Method of cutting grooves in semiconductor plates

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180705