RU2643220C1 - Способ изготовления дифракционных решеток - Google Patents

Способ изготовления дифракционных решеток Download PDF

Info

Publication number
RU2643220C1
RU2643220C1 RU2016147784A RU2016147784A RU2643220C1 RU 2643220 C1 RU2643220 C1 RU 2643220C1 RU 2016147784 A RU2016147784 A RU 2016147784A RU 2016147784 A RU2016147784 A RU 2016147784A RU 2643220 C1 RU2643220 C1 RU 2643220C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
strokes
substrate
technological
angle
layer
Prior art date
Application number
RU2016147784A
Other languages
English (en)
Inventor
Ярослав Константинович Лукашевич
Михаил Юрьевич Знаменский
Original Assignee
Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО")
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО") filed Critical Акционерное общество "Научно-производственное объединение "Государственный институт прикладной оптики" (АО "НПО ГИПО")
Priority to RU2016147784A priority Critical patent/RU2643220C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2643220C1 publication Critical patent/RU2643220C1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1847Manufacturing methods
    • G02B5/1852Manufacturing methods using mechanical means, e.g. ruling with diamond tool, moulding
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1847Manufacturing methods
    • G02B5/1857Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams

Landscapes

  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

Способ изготовления дифракционных решеток включает в себя нанесение на подложку слоя материала, формирование в нем штрихов и удаление слоя материала посредством реактивного ионно-лучевого травления. Сформированные в слое материала штрихи используют в качестве технологических штрихов, которые полностью удаляют вместе с оставшейся толщиной слоя материала. Реактивное ионно-лучевое травление осуществляют под углом 90° к поверхности подложки, выполняя при этом в подложке формирование штрихов с заданным углом «блеска» и с заданным периодом решетки. В качестве материала технологических штрихов используют материал, скорость травления которого ниже скорости травления материала подложки. Технический результат - повышение качества изготовления дифракционных решеток и обеспечение возможности получения профиля штрихов, приближенного к идеальному треугольному, с углами «блеска» в пределах 80°-87°. 4 ил.

Description

Изобретение относится к оптическому приборостроению, в частности, к технологии изготовления матриц дифракционных решеток-эшелле, которые применяют в ультрафиолетовой, видимой и ближней инфракрасной областях спектра в высоких порядках, как правило, в приборах со скрещенной дисперсией.
Известен способ изготовления дифракционных решеток, по которому на полированную подложку из оптического стекла наносят слой пластичного материала и формируют в нем штрихи с помощью алмазного резца на делительной машине с системой интерференционного управления (Герасимов Ф.М., Яковлев Э.А. Дифракционные решетки // Современные тенденции в технике спектроскопии. - Новосибирск, «Наука», 1982, с. 68-71, с. 76-81).
В результате получают оригинальную решетку-матрицу, которую используют для получения реплик дифракционных решеток. При таком способе изготовления нарезных дифракционных решеток заданная геометрия профиля штрихов определяется в основном формой используемого для этого алмазного резца, а также пластичными свойствами материала, в котором формируют штрихи.
Основным недостатком известного способа является низкая дифракционная эффективность реплик дифракционных решеток, получаемых с матрицы решетки-эшелле, в спектральном диапазоне коротких длин волн, обусловленная тем, что угол «блеска», который определяет область максимальной дифракционной эффективности решетки, равен 63,5° при частоте штрихов типовых решеток-эшелле 300, 75 и 37,5 штр./мм (Герасимов Ф.М., Яковлев Э.А. Дифракционные решетки // Современные тенденции в технике спектроскопии. - Новосибирск, «Наука», 1982, с. 29).
Кроме того, в процессе формирования штрихов алмазным резцом неизбежно возникает «навал» над нерабочей гранью штриха, являющийся причиной паразитного рассеянного излучения.
Для повышения дифракционной эффективности в указанном диапазоне нарезных дифракционных решеток необходимо увеличивать угол «блеска».
Однако практический максимальный угол заточки алмазного резца правильной геометрии (угол наклона его рабочей грани примерно равен углу «блеска» решетки) не превышает 70°. Увеличение этого угла является очень сложной, трудоемкой и не всегда выполнимой задачей. Кроме того, форма профиля штрихов не является идеально треугольной.
Известен также способ изготовления дифракционных решеток, в частности матрицы дифракционных решеток-эшелле, по которому на полированную подложку из оптического стекла наносят слой пластичного материала, формируют в нем с помощью алмазного резца штрихи заданного профиля и производят удаление слоя пластичного материала, корректируя при этом профиль штрихов посредством ионно-лучевого травления под углом к поверхности подложки (Гужов В.Ю. Ионно-лучевая технология травления в производстве оптических элементов // Оптический журнал, т. 69, №9, 2002 г., с. 99).
В данном способе изготовления дифракционных решеток коррекцию профиля штрихов осуществляют посредством ионно-лучевого травления «навала» над нерабочей гранью штриха, являющегося причиной паразитного рассеянного излучения.
Основным недостатком данного способа является невозможность изменения геометрии профиля штрихов, а именно приближение профиля штрихов к идеальному треугольному.
Прототипом является способ изготовления дифракционных решеток, включающий нанесение на подложку слоя материала, формирование в нем штрихов и удаление слоя материала посредством реактивного ионно-лучевого травления, причем сформированные в слое материала штрихи используют в качестве технологических штрихов, которые полностью удаляют вместе с оставшейся толщиной слоя материала, реактивное ионно-лучевое травление осуществляют под углом 90° к поверхности подложки, выполняя при этом в подложке формирование штрихов с заданным углом «блеска» и с заданным периодом решетки, а в качестве материала технологических штрихов используют материал, скорость травления которого ниже скорости травления материала подложки (патент Японии JP Н 047504 А, опубл. 10.01.1992).
Основным недостатком прототипа является невозможность получения требуемой геометрии профиля штрихов с углами «блеска» в пределах 80°-87° при заданных периоде решетки и материале подложки из-за отсутствия комплекса взаимно связанных технологических параметров и режимов осуществления процесса изготовления дифракционных решеток высокого разрешения, в частности решеток-эшелле с указанными углами «блеска», что обуславливает низкое качество изготовления дифракционных решеток.
Задачей изобретения является разработка способа изготовления дифракционных решеток, в котором устранены основные недостатки аналогов и прототипа.
Техническим результатом изобретения является повышение качества изготовления дифракционных решеток за счет обеспечения возможности получения профиля штрихов, приближенного к идеальному треугольному, с углами «блеска» в пределах 80°-87°.
Технический результат достигается тем, что в способе изготовления дифракционных решеток, включающем нанесение на подложку слоя материала, формирование в нем штрихов и удаление слоя материала посредством реактивного ионно-лучевого травления, причем сформированные в слое материала штрихи используют в качестве технологических штрихов, которые полностью удаляют вместе с оставшейся толщиной слоя материала, реактивное ионно-лучевое травление осуществляют под углом 90° к поверхности подложки, выполняя при этом в подложке формирование штрихов с заданным углом «блеска» и с заданным периодом решетки, а в качестве материала технологических штрихов используют материал, скорость травления которого ниже скорости травления материала подложки, согласно настоящему изобретению на подложку, выполненную из полированного оптического стекла, наносят слой пластичного материала толщиной, равной 0,017-0,053 от заданного периода решетки, при этом технологические штрихи формируют в виде трапецеидального профиля высотой, равной 0,014-0,044 от заданного периода решетки, и углом наклона крутой грани к поверхности подложки, равным 65°-70°, а соотношение скоростей травления технологических штрихов и подложки выбирают в пределах от 0,14 до 0,38.
Сущность изобретения поясняется чертежами, на которых схематично показаны этапы технологического процесса изготовления дифракционной решетки.
На фиг. 1 - заготовка дифракционной решетки с нанесенным на полированную подложку из оптического стекла слоем пластичного материала.
На фиг. 2 - заготовка дифракционной решетки с технологическими штрихами трапецеидального профиля, сформированными в слое пластичного материала.
На фиг. 3 - заготовка дифракционной решетки при стравливании технологических штрихов в процессе реактивного ионно-лучевого травления (промежуточная стадия выполнения штрихов на подложке дифракционной решетки, стрелками показано направление потока ионов).
На фиг. 4 схематично изображена дифракционная решетка, изготовленная согласно предлагаемому способу.
Способ изготовления дифракционных решеток включает в себя нанесение на подложку 1 слоя 2 материала толщиной Нп (фиг. 1), формирование в нем штрихов 3 высотой Нш, профиль которых имеет крутую грань 4 (фиг. 2), и удаление слоя 2 материала посредством реактивного ионно-лучевого травления (фиг. 3).
Сформированные в слое 2 материала штрихи 3 используют в качестве технологических штрихов, которые полностью удаляют вместе с оставшейся толщиной h (фиг. 2) слоя 2 материала.
Реактивное ионно-лучевое травление осуществляют под углом 90° к поверхности подложки 1 (фиг. 3), выполняя при этом в подложке 1 формирование штрихов 5 (фиг. 4) с заданным углом «блеска» αБ и с заданным периодом d решетки, причем в качестве материала технологических штрихов 3 используют материал, скорость V2 травления которого ниже скорости травления V1 материала подложки 1.
Отличием предлагаемого способа изготовления дифракционных решеток является то, что на подложку 1, выполненную из полированного оптического стекла, наносят слой 2 пластичного материала толщиной Нп, равной 0,017-0,053 от заданного периода d решетки, при этом технологические штрихи 3 (фиг. 2) в слое 2 пластичного материала формируют в виде трапецеидального профиля высотой Нш, равной 0,014-0,044 от заданного периода d решетки, и углом αШ наклона крутой грани 4 (фиг. 2) к поверхности подложки 1, равным 65°-70°, а соотношение V2:V1 скоростей травления технологических штрихов 3 и подложки 1 выбирают в пределах от 0,14 до 0,38.
Нанесение на полированную подложку 1 слоя 2 пластичного материала толщиной Нп, равной, для углов «блеска» αБ в пределах 87°-80°, соответственно 0,017-0,053 от заданного периода d решетки, обусловлено условиями последующего формирования алмазным резцом технологических штрихов 3 в слое 2 пластичного материала и последующего формирования в подложке 1 штрихов 5 с заданным периодом d решетки (фиг. 4) посредством реактивного ионно-лучевого травления.
В толщину Нп слоя 2 пластичного материала входит также, помимо расчетной глубины (высоты Нш) технологических штрихов 3, припуск на глубину (толщину h пластичного материала 2), предназначенный для сохранения алмазного резца от сколов при неконтролируемом его соприкосновении с материалом подложки 1, установленный опытным путем и составляющий приблизительно 0,2 от глубины (высоты Нш) технологических штрихов 3.
Определение толщины Нп основано на расчетном значении глубины (высоты НР), равной, для углов «блеска» αБ в пределах 87°-80°, соответственно 0,052-0,17 от заданного периода d штрихов 5 дифракционной решетки, на расчетном значении припуска (толщины h материала 2) на неконтролируемое заглубление алмазного резца, а также соотношении V2:V1 скоростей травления технологических штрихов 3 и подложки 1.
Увеличение толщины Нп слоя 2 пластичного материала выше 0,053 от заданного периода d решетки нежелательно из-за увеличения времени травления, приводящего к искажению поверхности штрихов 5 дифракционной решетки, а уменьшение толщины Нп слоя 2 пластичного материала ниже 0,017 от заданного периода d решетки создает угрозу скола алмазного резца при нарезке технологических штрихов 3 решетки.
Определение высоты Нш технологических трапецеидальных штрихов 3 (фиг. 2) в слое 2 пластичного материала, равной, для углов «блеска» αБ в пределах 87°-80°, соответственно 0,014-0,044 от заданного периода d решетки, также основано на расчетном значении глубины (высоты НР), на расчетном значении припуска (толщины h пластичного материала 2) на неконтролируемое заглубление алмазного резца, а также соотношении V2:V1 скоростей травления технологических штрихов 3 и подложки 1.
Увеличение высоты Нш свыше 0,044 от заданного периода d решетки нежелательно из-за увеличения времени травления, приводящего к искажению поверхности штрихов 5, а уменьшение высоты Нш ниже 0,014 от заданного периода d решетки создает угрозу скола алмазного резца при нарезке технологических штрихов 3 решетки.
Выбор оптимального предела формирования угла αШ наклона крутой грани 4 технологических штрихов к поверхности подложки 1, равного 65°-70° (фиг. 2) при указанной толщине Нп, обусловлен максимальным углом заточки алмазного резца и необходимостью изготовления дифракционных решеток с углами «блеска» αБ, равными соответственно 80°-87°.
При угле αШ наклона технологических штрихов 3 менее 65° достаточно применение известного способа нарезания штрихов с помощью алмазного резца.
Увеличение указанного угла αШ наклона технологических штрихов 3 ограничено предельно достижимым углом заточки граней алмазного резца, равным 70°.
Выбор оптимального соотношения V2:V1 скоростей травления технологических штрихов 3 и подложки 1 в пределах от 0,14 до 0,38 обусловлен тем, что при соотношении V2:V1 более 0,38 достижение заданного угла «блеска» αБ посредством ионно-лучевого травления невозможно, а при соотношении V2:V1 менее 0,14 увеличение заданного угла «блеска» αБ происходит неконтролируемо.
Рассмотрим осуществление предлагаемого способа изготовления дифракционных решеток на конкретном примере.
Необходимо изготовить дифракционную решетку, имеющую следующие технические характеристики:
1. Назначение и тип решетки: плоская решетка-эшелле для использования в эшелле-спектрометрах для УФ области спектра.
2. Количество штрихов на 1 мм: 75 штр./мм.
3. Заданный период d штрихов: 13,33 мкм.
4. Угол «блеска» αБ штрихов: 87°.
5. Материал подложки: кварцевое стекло марки КВ.
6. Размеры заготовки, мм: 120×60×25.
7. Размеры заштрихованной поверхности, мм: 115×55.
8. Рабочая область спектра: ультрафиолетовая, с длиной волны «блеска» 121,6 нм.
9. Рабочий порядок спектра с максимальной дифракционной эффективностью: 219.
10. Дифракционная эффективность: более 0,3 (с учетом того что при такой конструкции штрихов решетки дифракционная эффективность копий с ее использованием увеличивается до значения более 0,6).
11. Разрешающая способность: не менее 1888875.
Дифракционную решетку-эшелле (фиг. 4) с углом «блеска» αБ, равным 87°, и с заданным периодом d решетки, равным 13,33 мкм, изготавливают, согласно предлагаемому способу, в следующей последовательности.
Предварительно определяют толщину Нп слоя 2 пластичного материала (фиг. 1), в котором необходимо сформировать технологические штрихи 3, исходя из значения периода dШ технологических штрихов 3, равного периоду решетки d, и значения угла αШ наклона технологических штрихов 3 (фиг. 2).
В качестве пластичного материала 2 для формования технологических штрихов 3 выбираем алюминий чистотой, равной 0,999, так как скорость V2 травления алюминия ниже скорости V1 травления материала подложки 1 - кварцевого стекла марки КВ.
В результате для угла наклона αШ=70°, периода dШ=13,33 мкм, а также с учетом припуска (толщины h пластичного материала 2) на неконтролируемое заглубление алмазного резца толщина Нп слоя 2 пластичного материала составляет 0,23 мкм. Вакуумным напылением в установке ВУ-1А на отполированную подложку 1 из кварцевого стекла марки КВ наносим слой 2 алюминия (фиг. 1) толщиной Нп, равной 0,23 мкм. Необходимо отметить, что в известных способах для изготовления решеток-эшелле на полированную подложку из оптического стекла наносят слой пластичного материала толщиной 25 мкм, что приводит к нежелательному увеличению его светорассеяния (Герасимов Ф.М., Яковлев Э.А. Дифракционные решетки // Современные тенденции в технике спектроскопии. - Новосибирск, «Наука», 1982, с. 77).
Устанавливаем заготовку на делительную машину для нарезания дифракционных решеток и в слое 2 алюминия формируем технологические штрихи 3 трапецеидального профиля с крутой гранью 4 (фиг. 2): угол наклона αШ=70°, период dШ=13,33 мкм, высота Нш=0,19 мкм, посредством нарезания алмазным резцом бицилиндрической формы с углом заточки рабочей грани, равным 70°, и углом при вершине, равным 90°.
Далее выполняем последующее формирование в подложке 1 штрихов 5 (фиг. 4) дифракционной решетки глубиной НР с заданным углом «блеска» αБ, равным 87°, заданным периодом d решетки, равным 13,33 мкм, и глубиной НР, равной 0,69 мкм (0,052 от заданного периода d штрихов 5 дифракционной решетки), посредством реактивного ионно-лучевого травления, которое осуществляем под углом 90° к поверхности подложки 1 (фиг. 2, фиг. 3), до полного удаления технологических штрихов 3 и оставшейся толщины h пластичного материала 2, равной 0,04 мкм, при этом скорость V2 травления слоя 2 пластичного материала (алюминия) ниже скорости V1 травления материала подложки 1 - кварцевого стекла марки КВ.
Скорости V2 и V1 реактивного ионно-лучевого травления технологических штрихов 3 и подложки 1 в среде «Хладон 14» (CF4) определены экспериментальным путем и равны соответственно 0,0136 мкм/мин и 0,0525 мкм/мин.
Соотношение V2:V1 скоростей травления, равное 0,26, соответствует указанному соотношению V2:V1 от 0,14 до 0,38 скоростей травления технологических штрихов 3 и подложки 1.
Формирование в подложке 1 штрихов 5 дифракционной решетки с заданным углом «блеска» αБ, равным 87°, и с заданным периодом d решетки, равным 13,33 мкм, осуществляют в камере вакуумной установки ВУ-1А, оснащенной источником ионов типа «МИР-100», ориентируя заготовку дифракционной решетки таким образом, чтобы направление травления в среде «Хладон 14» (CF4) было нормально к поверхности подложки 1, при следующих режимах и условиях: напряжение разряда 2,5 кВ, ток разряда 200 мА, рабочее давление 3×10-2 Па.
Получаем дифракционную решетку с заданным углом «блеска» αБ, равным 87°, заданным периодом d решетки, равным 13,33 мкм, глубиной НР, равной 0,69 мкм (фиг. 4).
Для получения аналогичной дифракционной решетки с заданным углом «блеска» αБ, равным 80°, заданным периодом d решетки, равным 13,33 мкм, глубиной НР, равной 2,27 мкм (фиг. 4), на отполированную подложку 1 из кварцевого стекла марки КВ наносят слой 2 алюминия толщиной Нп, равной 0,71 мкм, формируют технологические штрихи 3 трапецеидального профиля с крутой гранью 4: угол наклона αШ=65°, период dШ=13,33 мкм, высота Нш=0,59 мкм, и производят реактивное ионно-лучевое травление в среде «Хладон 14» (CF4) с указанными выше режимами.
Таким образом, использование предлагаемого способа позволит повысить качество изготовления дифракционных решеток и обеспечит возможность получения требуемой геометрии профиля штрихов решетки-матрицы с углами «блеска» в пределах 80°-87° при заданных периоде решетки и материале подложки, что, в свою очередь, позволит изготавливать реплики дифракционных решеток-эшелле, имеющих высокую дифракционную эффективность.

Claims (1)

  1. Способ изготовления дифракционных решеток, включающий нанесение на подложку слоя материала, формирование в нем штрихов и удаление слоя материала посредством реактивного ионно-лучевого травления, причем сформированные в слое материала штрихи используют в качестве технологических штрихов, которые полностью удаляют вместе с оставшейся толщиной слоя материала, реактивное ионно-лучевое травление осуществляют под углом 90° к поверхности подложки, выполняя при этом в подложке формирование штрихов с заданным углом «блеска» и с заданным периодом решетки, а в качестве материала технологических штрихов используют материал, скорость травления которого ниже скорости травления материала подложки, отличающийся тем, что на подложку, выполненную из полированного оптического стекла, наносят слой пластичного материала толщиной, равной 0,017-0,053 от заданного периода решетки, при этом технологические штрихи формируют в виде трапецеидального профиля высотой, равной 0,014-0,044 от заданного периода решетки, и углом наклона крутой грани к поверхности подложки, равным 65°-70°, а соотношение скоростей травления технологических штрихов и подложки выбирают в пределах от 0,14 до 0,38.
RU2016147784A 2016-12-06 2016-12-06 Способ изготовления дифракционных решеток RU2643220C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016147784A RU2643220C1 (ru) 2016-12-06 2016-12-06 Способ изготовления дифракционных решеток

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016147784A RU2643220C1 (ru) 2016-12-06 2016-12-06 Способ изготовления дифракционных решеток

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2643220C1 true RU2643220C1 (ru) 2018-01-31

Family

ID=61173409

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016147784A RU2643220C1 (ru) 2016-12-06 2016-12-06 Способ изготовления дифракционных решеток

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2643220C1 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047504A (ja) * 1990-04-25 1992-01-10 Omron Corp 回折格子の作製方法
JPH11305023A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Shimadzu Corp シリコン回折格子の製造方法
US20160259098A1 (en) * 2013-10-07 2016-09-08 Shimadzu Corporation Blazed diffraction grating and method for producing blazed diffraction grating

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH047504A (ja) * 1990-04-25 1992-01-10 Omron Corp 回折格子の作製方法
JPH11305023A (ja) * 1998-04-24 1999-11-05 Shimadzu Corp シリコン回折格子の製造方法
US20160259098A1 (en) * 2013-10-07 2016-09-08 Shimadzu Corporation Blazed diffraction grating and method for producing blazed diffraction grating

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Гужов В.Ю. Ионно-лучевая технология травления в производстве оптических элементов, Оптический журнал, т. 69, N 9, 2002 г. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11404278B2 (en) Optical component having variable depth gratings and method of formation
CN112888986A (zh) 具有深度调制的角度光栅的光学元件及其形成方法
EP4166270B1 (de) Verfahren zum abtrennen durch laserbestrahlung einer festkörperschicht von einem festkörper
Forsberg et al. High aspect ratio optical gratings in diamond
US8328371B2 (en) Anti-reflection structure body, method of producing the same and method of producing optical member
KR102022732B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2014160817A5 (ru)
CN107841711B (zh) 一种减小光学窗口用四面体非晶碳膜残余应力的方法
US10353119B2 (en) Method for manufacturing mold or optical element
RU2643220C1 (ru) Способ изготовления дифракционных решеток
CN106405701A (zh) 未达到精度要求的中阶梯光栅闪耀角再次精密加工方法
JP6074560B2 (ja) 光学素子の製造方法及び光学素子用成型型の製造方法
US11978642B2 (en) Method for producing plastic element provided with fine surface roughness
US10214835B2 (en) Post-synthesis processing of diamond and related super-hard materials
RU2642139C1 (ru) Способ изготовления дифракционных решеток
KR102491093B1 (ko) 패턴 형성 방법
Galyautdinov et al. Formation of a periodic diffractive structure based on poly (methyl methacrylate) with ion-implanted silver nanoparticles
KR20130033114A (ko) 레이저 가공방법
RU2615020C1 (ru) Способ изготовления дифракционной решетки
CA2315674A1 (en) Process for producing a porous layer by an electrochemical etching process
EP0987966A1 (de) Schmuckstein
JP6954613B2 (ja) ブレーズド回折格子の製造方法
Guzhov Ion-beam etching technology in the production of optical elements
CN220064417U (zh) 光栅结构、扩瞳结构、耦出结构、衍射光波导
CN116184546A (zh) 闪耀光栅及加工闪耀光栅的方法