RU2633516C2 - Способ гомогенного нанесения покрытий hipims - Google Patents

Способ гомогенного нанесения покрытий hipims Download PDF

Info

Publication number
RU2633516C2
RU2633516C2 RU2014129572A RU2014129572A RU2633516C2 RU 2633516 C2 RU2633516 C2 RU 2633516C2 RU 2014129572 A RU2014129572 A RU 2014129572A RU 2014129572 A RU2014129572 A RU 2014129572A RU 2633516 C2 RU2633516 C2 RU 2633516C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
high power
generator
interval
pulses
partial
Prior art date
Application number
RU2014129572A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2014129572A (ru
Inventor
Зигфрид КРАССНИТЦЕР
Хельмут РУДИГИР
Original Assignee
Эрликон Серфиз Солюшинз Аг, Пфеффикон
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эрликон Серфиз Солюшинз Аг, Пфеффикон filed Critical Эрликон Серфиз Солюшинз Аг, Пфеффикон
Publication of RU2014129572A publication Critical patent/RU2014129572A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2633516C2 publication Critical patent/RU2633516C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies
    • H01J37/3467—Pulsed operation, e.g. HIPIMS
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3464—Sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3492—Variation of parameters during sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3417—Arrangements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Pretreatment Of Seeds And Plants (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к импульсному магнетронному распылению. Способ физического нанесения покрытия из газовой фазы путем распыления в вакуумированной камере для нанесения покрытий включает следующие этапы: a) подготовка генератора с заданной постоянной отдачей мощности, предпочтительно, по меньшей мере после подключения и по окончании интервала увеличения мощности, b) подключение генератора, c) присоединение первого частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на первый частичный катод, d) отсоединение генератора от первого частичного катода по окончании заданного первого интервала импульсов высокой мощности, соответствующего первому частичному катоду, e) присоединение второго частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на второй частичный катод, f) отсоединение генератора от второго частичного катода по окончании заданного второго интервала импульсов высокой мощности, соответствующего второму частичному катоду. Частичные катоды предусмотрены по высоте камеры для нанесения покрытий, а длительность первого интервала импульсов высокой мощности согласуют с длительностью другого интервала импульсов высокой мощности таким образом, чтобы слой, образующийся в результате нанесения покрытия, имел заданное распределение толщин слоев по высоте камеры для нанесения покрытий. Технический результат- повышение эффективности нанесения покрытия на деталь. 12 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Настоящее изобретение относится к способу HIPIMS, с помощью которого по высоте камеры для нанесения покрытий могут осаждаться гомогенные слои.
В случае способа HIPIMS (High Power Impulse Magnetron Sputtering - магнетронное распыление с помощью импульсов высокой мощности) речь идет о физическом способе нанесения покрытий из газовой фазы. Точнее говоря, это способ магнетронного распыления, при котором мишень, поставляющая распыляемый материал, подвергается действию разрядного тока очень большой плотности так, чтобы в плазме генерировалась высокая плотность электронов и большинство распыленных частиц ионизировалось. При этом используются плотности мощности между 250 и 2000 Вт/см2, а к генератору, поставляющему мощность, тем самым предъявляются особые требования. В частности, нельзя допускать воздействия такой мощности на мишень в течение длительного времени, поскольку она перегревается и тем самым получает повреждения. Поэтому мощность должна пульсировать. В пределах длительности импульса мощности достигаются очень большие желательные плотности разрядного тока, и мишень нагревается. Во время паузы между импульсами мишень может снова охлаждаться. Длительность импульса и пауза между импульсами должны быть согласованы друг с другом таким образом, чтобы средняя мощность, подаваемая на мишень, не превышала пороговой величины. Поэтому для способа HIPIMS необходимы генераторы, которые в состоянии выдавать при пульсации очень большую мощность.
Если для напыления покрытий на детали используется способ HIPIMS, то детали часто распределены по всей полезной высоте нанесения покрытия. Под деталями понимают как инструмент, так и другие компоненты. Во многих случаях покрытия на детали, независимо от того, расположены ли они вверху, в середине или внизу, важно наносить с одинаковой толщиной слоя и с одинаковыми слоями. В частности, если, как в способе HIPIMS, плазмы и их плотность имеют существенное влияние на скорость напыления покрытий, эта цель достигается с трудом. Это, в числе прочего, связано с тем, что сами плазмы подвержены воздействию окружающей их среды, вследствие чего по высоте камеры для нанесения покрытий могут возникать разные скорости нанесения покрытий. Обычно при ионно-плазменном нанесении покрытий на постоянном токе делаются попытки их выравнивания за счет подгонки магнитных полей по высоте. Однако вмешательство в магнитную систему может вызвать локальные изменения условий для плазмы, что, в свою очередь, ведет к различию в свойствах покрытия. Высокие требования к распределению толщин покрытия обуславливают ограниченность области использования (и тем самым уменьшение экономичности), поскольку эффективность упомянутого метода в отношении улучшения гомогенности толщины слоя ограничена. Другим методом коррекции распределения толщин слоя является использование масок, что, правда, если изменяется загрузка или геометрия детали, является мало практичным.
Было бы желательно обеспечить такой способ HIPIMS, с помощью которого можно было бы просто устанавливать скорость нанесения покрытий по высоте камеры для нанесения покрытий и тем самым, в частности, добиться нанесения гомогенного покрытия по всей высоте камеры без отрицательного воздействия плотности плазмы и ее отрицательных воздействий на свойства слоя.
В этом состоит задача настоящего изобретения.
Согласно новому способу подачи импульсов высокой мощности, защищаемому в рамках другой патентной заявки, предлагается применение распыляемого катода для осаждения покрытия из паровой фазы (PVD - physical vapour deposition), содержащего первый и второй частичные катоды, причем для частичных катодов задана максимальная средняя подача мощности и причем задается длительность интервалов импульсов высокой мощности, а способ включает следующие этапы:
a) подготовка генератора с заранее заданной, предпочтительно по меньшей мере после подключения и по окончании интервала увеличения мощности, постоянной отдачей мощности,
b) подключение генератора,
c) присоединение первого частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на первый частичный катод,
d) отсоединение генератора от первого частичного катода по окончании заданного первого интервала импульсов высокой мощности, соответствующего первому частичному катоду,
e) присоединение второго частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на второй частичный катод,
f) отделение генератора от второго частичного катода по окончании заданного второго интервала импульсов высокой мощности, соответствующего второму частичному катоду,
причем первый интервал импульсов высокой мощности по времени начинается и заканчивается раньше второго интервала импульсов высокой мощности и причем этапы d) и е) выполняются таким образом, чтобы первый и второй интервалы импульсов высокой мощности перекрывались по времени, а все интервалы импульсов высокой мощности вместе образовывали первую группу так, чтобы отдача мощности генератором оставалась постоянной без перерыва от начала первого и до конца второго интервала импульсов высокой мощности и чтобы дело не доходило до второго интервала увеличения мощности.
Если по высоте камеры для нанесения покрытий предусмотрены более двух частичных катодов, то группа может состоять из более чем двух интервалов импульсов высокой мощности. В этом случае в способе последовательно включаются столько групп, сколько можно потребовать от отдельных частичных катодов в отношении температурного вклада. Затем следует пауза. На фиг.1 показана соответствующая ситуация с 6 частичными катодами и 3 группами.
Согласно изобретению задача решается за счет того, что длительность отдельных интервалов импульсов высокой мощности выбирается индивидуально, и таким образом достигается желательный профиль толщины покрытия по высоте камеры для нанесения покрытий. Т.е. согласно изобретению для нанесения покрытий по высоте камеры регулируются не магнитные поля, как обычно, а длительность интервалов импульсов высокой мощности. Соответствующим образом это показано на фиг.1. Очевидно, что интервал импульсов высокой мощности, соотнесенный с первым частичным катодом, явно больше интервала импульсов высокой мощности, связанного с пятым частичным катодом. Вследствие большей длительности интервала импульсов высокой мощности средняя скорость напыления покрытий у частичного катода 1 больше, чем у частичного катода 5.
На практике можно поступить таким образом, что сначала интервалы импульсов высокой мощности всех частичных катодов выбираются одинаковой длительности, и при этом первое покрытие производится для калибровки. Затем измеряются толщины покрытий по высоте камеры для нанесения покрытий. Если обнаруживаются различия по толщине, то там, где слои по сравнению со средней толщиной слишком малы, интервалы импульсов высокой мощности несколько увеличиваются. Там, где слои по сравнению со средней толщиной слишком велики, интервалы импульсов высокой мощности несколько сокращаются. Благодаря этой операции достигается выравнивание, причем специалисту понятно, что для дальнейшего улучшения гомогенизации может производиться несколько шагов итерации.
Изобретение пояснялось на основе гомогенизации толщин слоев по высоте камеры для нанесения покрытий. Однако его следует также понимать таким образом, что если, в частности, достигнут профиль толщин слоев, отклоняющийся и от гомогенизации, то mutatis mutandis могут приниматься меры согласно изобретению.

Claims (20)

1. Способ физического нанесения покрытия из газовой фазы путем распыления в вакуумированной камере для нанесения покрытий, включающий следующие этапы:
a) подготовка генератора с заданной постоянной отдачей мощности, предпочтительно, по меньшей мере после подключения и по окончании интервала увеличения мощности,
b) подключение генератора,
c) присоединение первого частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на первый частичный катод,
d) отсоединение генератора от первого частичного катода по окончании заданного первого интервала импульсов высокой мощности, соответствующего первому частичному катоду,
e) присоединение второго частичного катода к генератору так, чтобы мощность генератора подавалась на второй частичный катод,
f) отсоединение генератора от второго частичного катода по окончании заданного второго интервала импульсов высокой мощности, соответствующего второму частичному катоду,
причем упомянутые частичные катоды предусмотрены по высоте камеры для нанесения покрытий, а длительность первого интервала импульсов высокой мощности согласуют с длительностью другого интервала импульсов высокой мощности таким образом, чтобы слой, образующийся в результате нанесения покрытия, имел заданное распределение толщин слоев по высоте камеры для нанесения покрытий.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что покрытие наносят с помощью процесса магнетронного распыления импульсами высокой мощности (HIPIMS).
3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что покрываемые детали распределены по полезной высоте нанесения покрытия.
4. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что в качестве заданного распределения толщин слоев выбирают гомогенное распределение толщины слоев.
5. Способ по любому из пп. 1-3, отличающийся тем, что первый интервал импульсов высокой мощности по времени начинают и заканчивают раньше второго интервала импульсов высокой мощности, причем этапы d) и е) выполняют таким образом, чтобы первый и второй интервалы импульсов высокой мощности перекрывались по времени, а все интервалы импульсов высокой мощности вместе образовывали первую группу так, чтобы отдача мощности генератором оставалась постоянной без перерыва от начала первого и до конца второго интервала импульсов высокой мощности, без применения второго интервала увеличения мощности.
6. Способ по п. 4, отличающийся тем, что первый интервал импульсов высокой мощности по времени начинают и заканчивают раньше второго интервала импульсов высокой мощности, причем этапы d) и е) выполняют таким образом, чтобы первый и второй интервалы импульсов высокой мощности перекрывались по времени, а все интервалы импульсов высокой мощности вместе образовывали первую группу так, чтобы отдача мощности генератором оставалась постоянной без перерыва от начала первого и до конца второго интервала импульсов высокой мощности, без применения второго интервала увеличения мощности.
7. Способ по любому из пп. 1-3 или 6, отличающийся тем, что используют более двух частичных катодов, причем этапы с)-f) применяют к ним аналогично.
8. Способ по п. 4, отличающийся тем, что используют более двух частичных катодов, причем этапы с)-f) применяют к ним аналогично.
9. Способ по п. 5, отличающийся тем, что используют более двух частичных катодов, причем этапы c)-f) применяют к ним аналогично.
10. Способ по любому из пп. 1-3, 6, 8 или 9, отличающийся тем, что по меньшей мере относительную длительность интервалов импульсов высокой мощности определяют путем калибровочного напыления, предшествующего напылению.
11. Способ по п. 4, отличающийся тем, что по меньшей мере относительную длительность интервалов импульсов высокой мощности определяют путем калибровочного напыления, предшествующего напылению.
12. Способ по п. 5, отличающийся тем, что по меньшей мере относительную длительность интервалов импульсов высокой мощности определяют путем калибровочного напыления, предшествующего напылению.
13. Способ по п. 7, отличающийся тем, что по меньшей мере относительную длительность интервалов импульсов высокой мощности определяют путем калибровочного напыления, предшествующего напылению.
RU2014129572A 2011-12-21 2012-11-23 Способ гомогенного нанесения покрытий hipims RU2633516C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011121770.7 2011-12-21
DE102011121770A DE102011121770A1 (de) 2011-12-21 2011-12-21 Homogenes HIPIMS-Beschichtungsverfahren
PCT/EP2012/004847 WO2013091761A1 (de) 2011-12-21 2012-11-23 Homogenes hipims-beschichtungsverfahren

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014129572A RU2014129572A (ru) 2016-02-10
RU2633516C2 true RU2633516C2 (ru) 2017-10-13

Family

ID=47520875

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014129572A RU2633516C2 (ru) 2011-12-21 2012-11-23 Способ гомогенного нанесения покрытий hipims

Country Status (13)

Country Link
US (1) US10982321B2 (ru)
EP (1) EP2795658A1 (ru)
JP (1) JP6180431B2 (ru)
KR (1) KR101934141B1 (ru)
CN (1) CN104160470B (ru)
BR (1) BR112014014793B1 (ru)
CA (1) CA2859747C (ru)
DE (1) DE102011121770A1 (ru)
MX (1) MX341506B (ru)
PH (1) PH12014501435B1 (ru)
RU (1) RU2633516C2 (ru)
SG (1) SG11201403396SA (ru)
WO (1) WO2013091761A1 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011117177A1 (de) * 2011-10-28 2013-05-02 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Verfahren zur Bereitstellung sequenzieller Leistungspulse
US11473189B2 (en) 2019-02-11 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Method for particle removal from wafers through plasma modification in pulsed PVD

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006017382A1 (de) * 2005-11-14 2007-05-16 Itg Induktionsanlagen Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder zur Behandlung von Oberflächen
DE102006021565A1 (de) * 2005-12-20 2007-06-28 Itg Induktionsanlagen Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Magnetfeldsystems
US20070181417A1 (en) * 2004-08-13 2007-08-09 Zond, Inc. Plasma Source With Segmented Magnetron
DE102010007516A1 (de) * 2010-02-11 2011-08-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Großflächige Kathode für Plasmaprozesse mit hohem Ionisierungsgrad

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4515668A (en) * 1984-04-25 1985-05-07 Honeywell Inc. Method of forming a dielectric layer comprising a gettering material
JPS6141766A (ja) * 1984-08-06 1986-02-28 Hitachi Ltd スパツタリング方法およびスパツタ−装置
DE3700633C2 (de) * 1987-01-12 1997-02-20 Reinar Dr Gruen Verfahren und Vorrichtung zum schonenden Beschichten elektrisch leitender Gegenstände mittels Plasma
JPH07116596B2 (ja) * 1989-02-15 1995-12-13 株式会社日立製作所 薄膜形成方法、及びその装置
DE19651615C1 (de) * 1996-12-12 1997-07-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern
US20050103620A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Zond, Inc. Plasma source with segmented magnetron cathode
US7718042B2 (en) * 2004-03-12 2010-05-18 Oc Oerlikon Balzers Ag Method for manufacturing sputter-coated substrates, magnetron source and sputtering chamber with such source
JP2006124753A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Bridgestone Corp Ｃｕ２Ｏ膜、その成膜方法及び太陽電池
US7691544B2 (en) * 2006-07-21 2010-04-06 Intel Corporation Measurement of a scattered light point spread function (PSF) for microelectronic photolithography
WO2008050618A1 (fr) * 2006-10-24 2008-05-02 Ulvac, Inc. Procédé de fabrication d'un film mince et dispositif de fabrication d'un film mince
US20080197015A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-21 Terry Bluck Multiple-magnetron sputtering source with plasma confinement
JP5037475B2 (ja) * 2008-11-11 2012-09-26 株式会社神戸製鋼所 スパッタ装置
DE202010001497U1 (de) * 2010-01-29 2010-04-22 Hauzer Techno-Coating B.V. Beschichtungsvorrichtung mit einer HIPIMS-Leistungsquelle
DE102010007515A1 (de) * 2010-02-11 2011-08-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Verfahren zum Betreiben einer großflächigen Kathode für Plasmaprozesse mit hohem Ionisierungsgrad
DE102011117177A1 (de) * 2011-10-28 2013-05-02 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Verfahren zur Bereitstellung sequenzieller Leistungspulse
DE102011018363A1 (de) * 2011-04-20 2012-10-25 Oerlikon Trading Ag, Trübbach Hochleistungszerstäubungsquelle

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070181417A1 (en) * 2004-08-13 2007-08-09 Zond, Inc. Plasma Source With Segmented Magnetron
DE102006017382A1 (de) * 2005-11-14 2007-05-16 Itg Induktionsanlagen Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten und/oder zur Behandlung von Oberflächen
DE102006021565A1 (de) * 2005-12-20 2007-06-28 Itg Induktionsanlagen Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Magnetfeldsystems
DE102010007516A1 (de) * 2010-02-11 2011-08-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Großflächige Kathode für Plasmaprozesse mit hohem Ionisierungsgrad

Also Published As

Publication number Publication date
PH12014501435A1 (en) 2014-09-22
CN104160470A (zh) 2014-11-19
PH12014501435B1 (en) 2014-09-22
JP2015508448A (ja) 2015-03-19
CA2859747A1 (en) 2013-06-27
US10982321B2 (en) 2021-04-20
MX2014007668A (es) 2014-11-25
KR20140116102A (ko) 2014-10-01
RU2014129572A (ru) 2016-02-10
MX341506B (es) 2016-08-22
CN104160470B (zh) 2017-01-18
BR112014014793B1 (pt) 2021-08-10
DE102011121770A1 (de) 2013-06-27
EP2795658A1 (de) 2014-10-29
SG11201403396SA (en) 2014-12-30
JP6180431B2 (ja) 2017-08-16
KR101934141B1 (ko) 2018-12-31
US20150001063A1 (en) 2015-01-01
CA2859747C (en) 2019-12-31
BR112014014793A2 (pt) 2017-06-13
WO2013091761A1 (de) 2013-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5015493A (en) Process and apparatus for coating conducting pieces using a pulsed glow discharge
RU2596818C2 (ru) Способ обеспечения последовательных импульсов мощности
CN104246967B (zh) 用于提供顺序的功率脉冲的方法
RU2633672C2 (ru) Слои hipims
US11049702B2 (en) Rate enhanced pulsed DC sputtering system
TW201442077A (zh) 用於處理基底的系統與方法
JP2010065240A (ja) スパッタ装置
RU2633516C2 (ru) Способ гомогенного нанесения покрытий hipims
US20070009670A9 (en) Sputter method or device for the production of natural voltage optimized coatings
KR102539816B1 (ko) 레이트 강화된 펄스형 dc 스퍼터링 시스템
RU2741614C2 (ru) Компоновочная схема и способ ионно-плазменного распыления для оптимизированного распределения потока энергии
KR102294551B1 (ko) 저온 아크 이온 플레이팅 코팅
RU2711065C1 (ru) Способ ионной очистки в скрещенных электрических и магнитных полях перед вакуумной ионно-плазменной обработкой
Oskirko et al. Packet-pulse dual magnetron sputtering
Chingsungnoen et al. Synthesis of Novel DLC Films
US20020144889A1 (en) Burn-in process for high density plasma PVD chamber
Valente-Feliciano A New generation of films deposition techniques for SRF applications [J]
Strauss et al. Plasma investigation of PVD processes operating in dc continuous and/or dc pulsed mode
PL211397B1 (pl) Sposób otrzymywania warstw za pomocą impulsowego procesu rozpylania magnetronowego

Legal Events

Date Code Title Description
HZ9A Changing address for correspondence with an applicant