RU2627130C1 - Method for producing multilayer high-temperature superconducting material - Google Patents
Method for producing multilayer high-temperature superconducting material Download PDFInfo
- Publication number
- RU2627130C1 RU2627130C1 RU2016139977A RU2016139977A RU2627130C1 RU 2627130 C1 RU2627130 C1 RU 2627130C1 RU 2016139977 A RU2016139977 A RU 2016139977A RU 2016139977 A RU2016139977 A RU 2016139977A RU 2627130 C1 RU2627130 C1 RU 2627130C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- oxide
- temperature
- epitaxial
- buffer layer
- superconducting material
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000008131 herbal destillate Substances 0.000 abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical group 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005184 irreversible process Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0772—Processes including the use of non-gaseous precursors
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области технологий получения эпитаксиальных оксидных сверхпроводящих покрытий на металлической подложке, предварительно покрытой биаксиально текстурированным оксидным слоем и буферными оксидными слоями, или на биаксиально текстурированной металлической подложке, предварительно покрытой оксидными буферными слоями, и может быть использовано для получения сверхпроводящих проводников второго поколения (ВТСП-2 проводников).The invention relates to the field of technologies for producing epitaxial oxide superconducting coatings on a metal substrate precoated with a biaxially textured oxide layer and buffer oxide layers, or on a biaxially textured metal substrate precoated with oxide buffer layers, and can be used to produce second-generation superconducting conductors (HTSC -2 conductors).
Известен способ получения многослойного сверхпроводника второго поколения методом химического осаждения металлоорганических соединений из паровой фазы в трубчатом реакторе химического осаждения, который заключается в том, что сначала в трубчатом реакторе осаждают из паров металлорганических соединений буферный слой при температуре 350-850°C, а затем, в указанном реакторе, на нанесенный буферный слой осаждают из паров металлоорганических соединений сверхпроводящий слой при температуре 650-850°C, при этом нагрев трубчатого реактора осуществляют с помощью нагревательных элементов, расположенных вдоль внешней поверхности трубчатого реактора, давление в трубчатом реакторе поддерживают равным 0,1-100 Мбар, металлоорганические соединения предварительно испаряют в испарителе при температуре 150-300°C и газом-носителем подают в зону осаждения трубчатого реактора (Самойленков С.В., Кауль А.Р., Горбенко О.Ю., Корсаков И.Е., Амеличев В.А, Патент RU 2386732 С1).A known method of producing a second-generation multilayer superconductor by chemical vapor deposition of organometallic compounds in a tubular chemical deposition reactor, which consists in the fact that the buffer layer is deposited from the vapor of organometallic compounds in a tubular reactor at a temperature of 350-850 ° C, and then the specified reactor, a superconducting layer is deposited from the vapor of organometallic compounds on a deposited buffer layer at a temperature of 650-850 ° C, while the tubular reactor is heated they are injected using heating elements along the outer surface of the tubular reactor, the pressure in the tubular reactor is maintained at 0.1-100 Mbar, organometallic compounds are pre-evaporated in the evaporator at a temperature of 150-300 ° C and the carrier gas is fed into the deposition zone of the tubular reactor ( Samoilenkov S.V., Kaul A.R., Gorbenko O.Yu., Korsakov I.E., Amelichev V.A., Patent RU 2386732 C1).
Техническим результатом способа является получение многослойного сверхпроводника второго поколения.The technical result of the method is to obtain a multilayer superconductor of the second generation.
Недостатком способа являются высокие капитальные затраты на оборудование и использование дорогостоящих органических растворителей и органических соединений-предшественников, а также недостаточное совершенство кристаллической структуры и морфологии получаемых эпитаксиальных буферных слоев.The disadvantage of this method is the high capital cost of equipment and the use of expensive organic solvents and organic precursor compounds, as well as the insufficient perfection of the crystal structure and morphology of the resulting epitaxial buffer layers.
Известен способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий нанесение на текстурированную металлическую подложку с помощью растворного метода MOD (metal organic decomposition), основанного на использовании металлорганических комплексов и органических растворителей, буферных покрытий для последующего нанесения сверхпроводящего слоя (Paranthaman, М.Р., Qiu, X., List, F.A., Kim, K., Applied Superconductivity, IEEE Transactions, Volume: 21, Issue: 3, Page 3059, June 2011, ISSN: 1051-8223, DOI: 10.1109/TASC.2010.2092731).A known method for producing a multilayer high-temperature superconducting material, including applying to a textured metal substrate using the MOD (metal organic decomposition) solution method, based on the use of organometallic complexes and organic solvents, buffer coatings for the subsequent deposition of a superconducting layer (Paranthaman, MR, Qiu , X., List, FA, Kim, K., Applied Superconductivity, IEEE Transactions, Volume: 21, Issue: 3, Page 3059, June 2011, ISSN: 1051-8223, DOI: 10.1109 / TASC.2010.2092731).
Техническим результатом является получение многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала.The technical result is to obtain a multilayer high-temperature superconducting material.
Недостатком способа является недостаточное совершенство кристаллической структуры и морфологии получаемых эпитаксиальных буферных слоев, что снижает совершенство кристаллической структуры нанесенного сверхпроводящего покрытия и, как следствие, уменьшает плотность критического сверхпроводящего тока. К недостаткам способа относится также использование дорогостоящих органических растворителей и органических соединений-предшественников, для удаления которых из целевой оксидной пленки требуется дополнительная стадия низкотемпературного обжига.The disadvantage of this method is the insufficient perfection of the crystal structure and morphology of the resulting epitaxial buffer layers, which reduces the perfection of the crystal structure of the applied superconducting coating and, as a result, reduces the density of the critical superconducting current. The disadvantages of the method also include the use of expensive organic solvents and organic precursor compounds, the removal of which from the target oxide film requires an additional stage of low-temperature firing.
Известен способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий нанесение по меньшей мере одного эпитаксиального оксидного буферного слоя на гибкую металлическую текстурированную подложку и его термообработку, нанесение на буферный слой по меньшей мере одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку, отличающийся тем, что нанесение эпитаксиального слоя осуществляют из прекурсора, получаемого из гидрозоля оксида-гидроксида выбранного элемента или нерастворимой соли выбранного элемента в водном растворе температурно-зависимого полимера путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера на 5-30 градусов (Патент RU 2387050, H01L 39/24, В82В 3/00, опубл. 20.04.2010). Способ принят за прототип.A known method of producing a multilayer high-temperature superconducting material, comprising applying at least one epitaxial oxide buffer layer to a heat-treated metal textured substrate and applying it to a buffer layer of at least one epitaxial layer of superconducting material and heat treating it, characterized in that the epitaxial layer is applied carried out from a precursor obtained from a hydrosol of an oxide-hydroxide of a selected element or insoluble oli selected element in a temperature-dependent aqueous polymer solution by heating at a temperature above the phase transition temperature of the temperature-dependent polymer by 5-30 degrees (Patent RU 2387050, H01L 39/24, V82V 3/00, publ. 20.04.2010). The method adopted for the prototype.
Техническим результатом является получение многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала.The technical result is to obtain a multilayer high-temperature superconducting material.
Недостатком этого способа является недостаточное совершенство кристаллической структуры и морфологии получаемых эпитаксиальных буферных слоев.The disadvantage of this method is the lack of perfection of the crystal structure and morphology of the resulting epitaxial buffer layers.
Известен способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводникового материала, который включает нанесение на гибкую металлическую текстурированную подложку или на металлическую подложку, покрытую промежуточным биаксиально текстурированным оксидным слоем, по меньшей мере одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсора, получаемого из золя оксида-гидроксида выбранного элемента или нерастворимой соли выбранного элемента в водном растворе температурно-зависимого полимера, путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера, нанесение на буферный слой по меньшей мере одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку, при этом после нанесения эпитаксиального оксидного буферного слоя осуществляют его обработку в переменном магнитном поле с амплитудой напряженности не более 0,10 Тл и частотой 10-40 Гц в течение 100 и более секунд (Патент RU 2582489, H01L 39/24).A known method of producing a multilayer high-temperature superconducting material, which includes applying to a flexible metal textured substrate or to a metal substrate coated with an intermediate biaxially textured oxide layer of at least one epitaxial oxide buffer layer from a precursor obtained from an oxide-hydroxide sol of a selected element or inequality of the selected element in an aqueous solution of a temperature-dependent polymer by heating at a temperature e, exceeding the phase transition temperature of a temperature-dependent polymer, applying at least one epitaxial layer of a superconducting material to the buffer layer and heat treatment it, while after applying the epitaxial oxide buffer layer, it is processed in an alternating magnetic field with an intensity amplitude of not more than 0.10 T and a frequency of 10-40 Hz for 100 seconds or more (Patent RU 2582489, H01L 39/24).
Технический результат заключается в повышении совершенства кристаллической структуры и морфологии эпитаксиального буферного слоя и, как следствие, повышении совершенства кристаллической структуры нанесенного на него сверхпроводящего покрытия и в результате повышении плотности критического сверхпроводящего тока.The technical result consists in increasing the perfection of the crystal structure and morphology of the epitaxial buffer layer and, as a result, improving the perfection of the crystal structure of the superconducting coating deposited on it and as a result of increasing the density of the critical superconducting current.
Недостатком способа является необходимость включения в отработанную технологическую цепочку производства длинномерных ВТСП-2 провода нового звена, магнитной структурной обработки (МСО), что может снизить скорость нанесения буферных слоев из-за необходимости строгого соблюдения временного режима МСО и тем самым снизить производительность производства. Кроме того, существует сложность в МСО длинномерных проводов, связанная с трудностью создания однородного внешнего вращающегося магнитного поля для обработки длинномерных эпитаксиальных буферных слоев.The disadvantage of this method is the need to include a new link, magnetic structural processing (MSO) in the exhausted production chain of long HTSC-2, which can reduce the rate of deposition of buffer layers due to the need for strict observance of the time regime of MSO and thereby reduce production productivity. In addition, there is a difficulty in the MSE of long wires due to the difficulty of creating a uniform external rotating magnetic field for processing long epitaxial buffer layers.
Техническим результатом изобретения является получение многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала с улучшенной кристаллической структурой эпитаксиальных буферных слоев, полученных из прекурсоров в виде гидрозолей оксидных или гидроксидных наночастиц.The technical result of the invention is to obtain a multilayer high-temperature superconducting material with an improved crystalline structure of epitaxial buffer layers obtained from precursors in the form of hydrosols of oxide or hydroxide nanoparticles.
Технический результат достигается тем, что в способе получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающем нанесение на гибкую металлическую текстурированную подложку или на металлическую подложку, покрытую промежуточным биаксиально текстурированным оксидным слоем, по меньшей мере одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсора, получаемого из золя оксидных и гидроксидных наночастиц выбранных элементов в водном растворе температурно-зависимого полимера, путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера, термообработку буферного слоя, нанесение на буферный слой по меньшей мере одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку, согласно изобретению синтезированный прекурсорный золь оксидных и гидроксидных наночастиц выбранных элементов в водном растворе температурно-зависимого полимера обрабатывают в течение 100 и более секунд в переменном вращающемся магнитном поле с амплитудой напряженности не более 0,10 Тл и частотой (10-40) Гц.The technical result is achieved in that in a method for producing a multilayer high-temperature superconducting material, comprising applying to a flexible metal textured substrate or a metal substrate coated with an intermediate biaxially textured oxide layer of at least one epitaxial oxide buffer layer from a precursor obtained from oxide of oxide and hydroxide nanoparticles of selected elements in an aqueous solution of a temperature-dependent polymer by heating at a temperature exceeding the phase transition temperature of the temperature-dependent polymer, heat treatment of the buffer layer, applying at least one epitaxial layer of a superconducting material to the buffer layer and its heat treatment, according to the invention, the synthesized precursor sol of oxide and hydroxide nanoparticles of selected elements in an aqueous solution of a temperature-dependent polymer is treated for 100 or more seconds in an alternating rotating magnetic field with an amplitude of intensity of not more than 0.10 T and a frequency of (10-40) G c.
Сущность предлагаемого способа заключается в следующем.The essence of the proposed method is as follows.
МСО прекурсорных гидрозолей оксидных и/или гидроксидных наночастиц выбранных элементов в указанных выше режимах повышает совершенство кристаллической структуры и морфологии получаемых из этих гидрозолей эпитаксиальных буферных слоев за счет повышения структурного совершенства оксидных и гидроксидных наночастиц в процессе МСО, что является следствием необратимых процессов в дефектной структуре оксидных и гидроксидных наночастиц, происходящих во внешнем магнитном поле (магнитный структурный эффект), что в дальнейшем благотворно сказывается на эпитаксиальном росте получаемых из них буферных слоев. Кроме того, по сравнению со способом, описанным в патенте РФ №2582489, МСО прекурсорных гидрозолей оксидных и/или гидроксидных наночастиц позволяет достичь повышения структурного совершенства получаемых эпитаксиальных буферных слоев и при этом исключить необходимость включения в отработанную технологическую цепочку производства длинномерных ВТСП-2 провода нового звена МСО.The MSO of the precursor hydrosols of oxide and / or hydroxide nanoparticles of selected elements in the above modes improves the perfection of the crystal structure and morphology of the epitaxial buffer layers obtained from these hydrosols by increasing the structural perfection of oxide and hydroxide nanoparticles in the MSO process, which is a consequence of irreversible processes in the defective structure of oxide and hydroxide nanoparticles occurring in an external magnetic field (magnetic structural effect), which is further beneficial It is caused by the epitaxial growth of the buffer layers obtained from them. In addition, in comparison with the method described in RF patent No. 2582489, the MSO of precursor hydrosols of oxide and / or hydroxide nanoparticles allows one to achieve an increase in the structural perfection of the resulting epitaxial buffer layers and, at the same time, to eliminate the need to include a new high-temperature HTSC-2 wire into the developed production chain MCO link.
Далее изобретение поясняется с помощью конкретных примеров.The invention is further explained with specific examples.
Примерами, иллюстрирующими данный способ, является обработка в переменном магнитном поле прекурсорных гидрозолей оксидных СеО2 и гидроксидных La1-xZrx(OH)y (LZOH) наночастиц, из которых формируются эпитаксиальные буферные слои СеО2 и La2Zr2O7 (LZO) на биаксиально текстурированной ленте-подложке из сплава Ni-5%W.Examples illustrating this method are the treatment in a variable magnetic field of precursor hydrosols of oxide CeO 2 and hydroxide La 1-x Zr x (OH) y (LZOH) nanoparticles, from which the epitaxial buffer layers of CeO 2 and La 2 Zr 2 O 7 ( LZO) on a biaxially textured Ni-5% W alloy substrate.
Аналогичные результаты, свидетельствующие об улучшении кристаллической структуры и морфологии эпитаксиальных буферных слоев после магнитной обработки прекурсорных гидрозолей оксидных и гидроксидных наночастиц, были получены и на других буферных слоях, например на буферном слое STO (SrTiO3) и на буферном слое YSZ (оксид циркония, стабилизированный иттрием).Similar results, indicating an improvement in the crystal structure and morphology of epitaxial buffer layers after magnetic treatment of the precursor hydrosols of oxide and hydroxide nanoparticles, were obtained on other buffer layers, for example, on the STO (SrTiO3) buffer layer and on the YSZ buffer layer (yttrium stabilized zirconia )
МСО прекурсорных гидрозолей оксидных наночастиц CeO2 и прекурсорных гидрозолей гидроксидных наночастиц LZOH эпитаксиальных буферных слоев CeO2 и LZO осуществляли при соблюдении заявленных режимов обработки:MCO of precursor hydrosols of oxide nanoparticles CeO 2 and precursor hydrosols of hydroxide nanoparticles LZOH epitaxial buffer layers CeO 2 and LZO was carried out subject to the declared processing conditions:
Критерием эффективности магнитной обработки являлось изменение площадей рентгеновских дифракционных пиков S образцов эпитаксиальных буферных пленок CeO2 толщиной 10 нм и эпитаксиальных буферных пленок LZO толщиной 40 нм, полученных из обработанных и необработанных в магнитном поле прекурсорных гидрозолей наночастиц CeO2 и LZOH соответственно. Изменение площадей рентгеновских дифракционных пиков S буферных слоев CeO2 и буферных слоев LZO свидетельствует о влиянии на структуру этих слоев перестройки структуры наночастиц CeO2 и LZOH прекурсорных гидрозолей в результате МСО.The criterion for the efficiency of magnetic treatment was the change in the areas of X-ray diffraction peaks S of samples of 10 nm thick CeO 2 epitaxial buffer films and 40 nm thick LZO epitaxial buffer films obtained from precursor hydrosols of CeO 2 and LZOH nanoparticles, respectively, and processed in a magnetic field. A change in the areas of X-ray diffraction peaks S of the CeO 2 buffer layers and LZO buffer layers indicates the influence of the structural rearrangement of CeO 2 and LZOH nanoparticles on the structure of these precursor hydrosols as a result of MCO.
В табл. 1 и 2 приведены данные по результатам рентгеновских исследований образцов буферного слоя CeO2, полученных из прекурсорных гидрозолей наночастиц CeO2, прошедших МСО в разных режимах (табл. 1), и образцов буферного слоя LZO, полученных из прекурсорных гидрозолей наночастиц LZOH, прошедших МСО в разных режимах (табл. 2).In the table. Figures 1 and 2 present data on the results of X-ray studies of samples of the CeO2 buffer layer obtained from precursor hydrosols of CeO2 nanoparticles that passed MCO in different modes (Table 1) and samples of the LZO buffer layer obtained from precursor hydrosols of LZOH nanoparticles that passed MCO in different modes (tab. 2).
Для экспериментов по МСО прекурсорных гидрозолей были приготовлены прекурсорный гидрозоль наночастиц CeO2 и прекурсорный гидрозоль наночастиц LZOH. Каждый из прекурсорных гидрозолей наночастиц CeO2 и LZOH был разделен на 5 порций. Одна порция каждого гидрозоля наночастиц CeO2 и LZOH не обрабатывалась в МП, и из них были приготовлены образец буферного слоя CeO2 толщиной 10 нм и образец буферного слоя LZO толщиной 40 нм. Эти образцы, приготовленные из необработанных гидрозолей наночастиц CeO2 и LZOH, обозначены в табл. 1 и 2 как образец №5. Остальные 4 порции гидрозоля каждого вида были обработаны в МП при значениях частоты ω=8, 10, 30 и 50 Гц, и из них были приготовлены образцы №1-4 буферного слоя CeO2 толщиной 10 нм и образцы буферного слоя LZO толщиной 40 нм (см. табл. 1 и 2).For experiments on the MSE of precursor hydrosols, the precursor hydrosol of CeO 2 nanoparticles and the precursor hydrosol of LZOH nanoparticles were prepared. Each of the precursor hydrosols of CeO 2 and LZOH nanoparticles was divided into 5 portions. One portion of each hydrosol of CeO 2 and LZOH nanoparticles was not processed in MP and a sample of a 10 nm thick CeO 2 buffer layer and a 40 nm thick LZO buffer layer were prepared from them. These samples, prepared from untreated hydrosols of CeO 2 and LZOH nanoparticles, are indicated in Table. 1 and 2 as a sample No. 5. The remaining 4 portions of the hydrosol of each species were processed in a magnetic field at frequencies ω = 8, 10, 30, and 50 Hz, and
На фиг. 1 и 2 показаны типичные дифрактограммы и АСМ изображения образцов эпитаксиальных буферных слоев СеО2 и LZO, полученных из соответствующих гидрозолей наночастиц CeO2 и LZOH до и после их обработки в МП.In FIG. Figures 1 and 2 show typical diffraction patterns and AFM images of samples of the epitaxial buffer layers CeO 2 and LZO obtained from the corresponding hydrosols of CeO 2 and LZOH nanoparticles before and after their processing in MP.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016139977A RU2627130C1 (en) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Method for producing multilayer high-temperature superconducting material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016139977A RU2627130C1 (en) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Method for producing multilayer high-temperature superconducting material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2627130C1 true RU2627130C1 (en) | 2017-08-03 |
Family
ID=59632797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016139977A RU2627130C1 (en) | 2016-10-11 | 2016-10-11 | Method for producing multilayer high-temperature superconducting material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2627130C1 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6077344A (en) * | 1997-09-02 | 2000-06-20 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Sol-gel deposition of buffer layers on biaxially textured metal substances |
| US6893732B1 (en) * | 1999-07-23 | 2005-05-17 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
| WO2006103302A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Multilayer superconducting tapes which are prepared by means of chemical solution deposition |
| US7258928B2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-08-21 | Ut-Battelle, Llc | Doped Y2O3 buffer layers for laminated conductors |
| US7261776B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-08-28 | American Superconductor Corporation | Deposition of buffer layers on textured metal surfaces |
| RU2387050C1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-04-20 | Фатима Христофоровна Чибирова | Method of making multilayer material |
| RU2582489C1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-04-27 | Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет" | Method of producing multilayer high-temperature superconducting material |
-
2016
- 2016-10-11 RU RU2016139977A patent/RU2627130C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6077344A (en) * | 1997-09-02 | 2000-06-20 | Lockheed Martin Energy Research Corporation | Sol-gel deposition of buffer layers on biaxially textured metal substances |
| US6893732B1 (en) * | 1999-07-23 | 2005-05-17 | American Superconductor Corporation | Multi-layer articles and methods of making same |
| US7261776B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-08-28 | American Superconductor Corporation | Deposition of buffer layers on textured metal surfaces |
| WO2006103302A1 (en) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Consejo Superior De Investigaciones Científicas | Multilayer superconducting tapes which are prepared by means of chemical solution deposition |
| US7258928B2 (en) * | 2005-07-29 | 2007-08-21 | Ut-Battelle, Llc | Doped Y2O3 buffer layers for laminated conductors |
| RU2387050C1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-04-20 | Фатима Христофоровна Чибирова | Method of making multilayer material |
| RU2582489C1 (en) * | 2015-03-20 | 2016-04-27 | Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет" | Method of producing multilayer high-temperature superconducting material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2384907C1 (en) | Superconducting thin-film material and method of making said material | |
| CN104947192B (en) | A kind of Ca-Ti ore type SrIrO3The preparation method of monocrystal thin films material | |
| Nasui et al. | Fluorine-free propionate route for the chemical solution deposition of YBa2Cu3O7− x superconducting films | |
| KR20110125209A (en) | Method for depositing oxide films on textured metal pipes | |
| CN106591781B (en) | A kind of ameliorative way of ultra-thin lanthanum-strontium-manganese-oxygen film interface dead layer | |
| RU2627130C1 (en) | Method for producing multilayer high-temperature superconducting material | |
| Augieri et al. | MOD derived pyrochlore films as buffer layer for all-chemical YBCO coated conductors | |
| Martynova et al. | Solution deposition of ultrasmooth alumina on long-length metallic substrate for 2G superconducting tapes | |
| Haindl et al. | Lessons from oxypnictide thin films | |
| RU2582489C1 (en) | Method of producing multilayer high-temperature superconducting material | |
| Rijckaert et al. | Unravelling the crystallization process in solution-derived YBa2Cu3O7-δ nanocomposite films with preformed ZrO2 nanocrystals via definitive screening design | |
| Chu et al. | Surface engineering of the flexible metallic substrate by SDP‐Gd‐Zr‐O layer for IBAD‐MgO templates | |
| Penneman et al. | Deposition of CeO2 Buffer Layers and YBa2 Cu3O7-δ Superconducting Layers Using an Aqueous Sol-Gel Method | |
| Jin et al. | Development of modified TFA-MOD approach for GdBa2Cu3Oy film growth | |
| Kimura et al. | Development of REBCO coated conductors by TFA-MOD method with high properties in magnetic fields | |
| Zhou et al. | Development of single solution buffer layers on textured Ni substrate for HTS coated conductors | |
| CN111785443A (en) | Method for producing high-temperature superconducting strip by multi-source ion jet source ex-situ deposition | |
| Yamada et al. | Effects of vicinal substrates on the orientation of Bi2Sr2CaCu2O8+ x thin films when the metal-organic decomposition method is used | |
| Wang et al. | Effective removal procedure of residual carbon in CeO2− x films fabricated via MOD method | |
| JP5591900B2 (en) | Method for manufacturing thick film tape-shaped RE (123) superconductor | |
| JP2011253768A (en) | Method of manufacturing oxide superconductor thin film | |
| JP5505867B2 (en) | Method for manufacturing oxide superconducting thin film | |
| Chen et al. | The influence of gas flow rate on the growth of YBCO films prepared by TFA-MOD | |
| Kim et al. | Deposition of YBCO thin film by aerosol assisted spray pyrolysis using nitrates | |
| Choi et al. | Effect of the Cu/Ba ratio for the YBCO deposition onto IBAD template by the MOCVD method |