RU2582489C1 - Method of producing multilayer high-temperature superconducting material - Google Patents
Method of producing multilayer high-temperature superconducting material Download PDFInfo
- Publication number
- RU2582489C1 RU2582489C1 RU2015109796/28A RU2015109796A RU2582489C1 RU 2582489 C1 RU2582489 C1 RU 2582489C1 RU 2015109796/28 A RU2015109796/28 A RU 2015109796/28A RU 2015109796 A RU2015109796 A RU 2015109796A RU 2582489 C1 RU2582489 C1 RU 2582489C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- epitaxial
- temperature
- buffer layer
- oxide
- superconducting
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 abstract description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 238000001454 recorded image Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий на металлической подложке, а именно к способу получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, и может быть использовано в технологии получения так называемых сверхпроводящих проводников второго поколения (ВТСП-2 проводников).The invention relates to the field of producing high-temperature superconducting coatings on a metal substrate, and in particular to a method for producing a multilayer high-temperature superconducting material, and can be used in the technology of producing so-called second-generation superconducting conductors (HTSC-2 conductors).
Технической задачей изобретения является повышение плотности критического сверхпроводящего тока в ВТСП-2 проводах за счет повышения совершенства кристаллической структуры и морфологии буферного слоя и, как следствие, повышение качества сверхпроводящего покрытия.An object of the invention is to increase the density of the critical superconducting current in HTSC-2 wires by improving the perfection of the crystal structure and morphology of the buffer layer and, as a result, improving the quality of the superconducting coating.
Известен способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий нанесение на текстурированную металлическую подложку, по меньшей мере, одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсорного раствора солей, его термообработку, и, по меньшей мере, одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку (US 7261776, НПК 117/89, опубл. 28.08.2007).A known method for producing a multilayer high-temperature superconducting material, comprising applying to a textured metal substrate at least one epitaxial oxide buffer layer from a precursor salt solution, its heat treatment, and at least one epitaxial layer of superconducting material and its heat treatment (US 7261776 NPK 117/89, published on 08.28.2007).
Известен также способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий нанесение на текстурированную металлическую подложку с помощью растворных методов, основанных на использовании металлорганических комплексов и органических растворителей (MOD - metal organic decomposition), буферных покрытий для последующего нанесения сверхпроводящего слоя (Paranthaman М.Р., Qiu X., List F.A., Kim К. Applied Superconductivity, IEEE Transactions, Volume: 21, Issue: 3, Pages 3059-306, June 2011, ISSN: 1051-8223 DOI:10.1109/TASC.2010.2092731).There is also a method of producing a multilayer high-temperature superconducting material, including applying to a textured metal substrate using solution methods based on the use of organometallic complexes and organic solvents (MOD - metal organic decomposition), buffer coatings for subsequent deposition of a superconducting layer (Paranthaman M.R., Qiu X., List FA, Kim K. Applied Superconductivity, IEEE Transactions, Volume: 21, Issue: 3, Pages 3059-306, June 2011, ISSN: 1051-8223 DOI: 10.1109 / TASC.2010.2092731).
Недостатками этих способов являются недостаточное совершенство кристаллической структуры и морфологии получаемых эпитаксиальных буферных слоев, что характерно для всех жидкофазных методов получения эпитаксиальных слоев, а также использование в способе 2 дорогостоящих органических растворителей и соединений-предшественников, для удаления которых из целевой оксидной пленки требуется дополнительная стадия низкотемпературного обжига.The disadvantages of these methods are the insufficient perfection of the crystal structure and morphology of the obtained epitaxial buffer layers, which is characteristic of all liquid-phase methods for producing epitaxial layers, as well as the use of expensive organic solvents and precursor compounds in
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающий нанесение, по меньшей мере, одного эпитаксиального оксидного буферного слоя на гибкую металлическую текстурированную подложку и его термообработку, нанесение на буферный слой, по меньшей мере, одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку, при этом нанесение эпитаксиального слоя осуществляют из прекурсора, получаемого из золя оксида-гидроксида выбранного элемента или нерастворимой соли выбранного элемента в водном растворе температурно-зависимого полимера путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера на 5-30 градусов (Патент RU 2387050, МПК H01L 39/24, опубл. 20.04.2010 «Способ получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала и многослойный высокотемпературный сверхпроводящий материал»).The closest in technical essence and the achieved result is a method for producing a multilayer high-temperature superconducting material, comprising applying at least one epitaxial oxide buffer layer to a heat-treated metal textured substrate and applying it to a buffer layer of at least one epitaxial superconducting layer material and its heat treatment, while the deposition of the epitaxial layer is carried out from a precursor obtained from sol oxide -hydroxide of the selected element or insoluble salt of the selected element in an aqueous solution of a temperature-dependent polymer by heating at a temperature exceeding the phase transition temperature of the temperature-dependent polymer by 5-30 degrees (Patent RU 2387050, IPC H01L 39/24, published on 04/20/2010 “A method for producing a multilayer high temperature superconducting material and a multilayer high temperature superconducting material”).
Недостатком данного способа также является недостаточное совершенство кристаллической структуры и морфологии получаемых эпитаксиальных буферных слоев, что снижает совершенство кристаллической структуры нанесенного сверхпроводящего покрытия и, как следствие, уменьшает плотность критического сверхпроводящего тока.The disadvantage of this method is the lack of perfection of the crystal structure and morphology of the resulting epitaxial buffer layers, which reduces the perfection of the crystal structure of the applied superconducting coating and, as a result, reduces the density of the critical superconducting current.
Техническим результатом изобретения является повышение совершенства кристаллической структуры и морфологии эпитаксиального буферного слоя и, как следствие, совершенства кристаллической структуры нанесенного на него сверхпроводящего покрытия, и в результате повышение плотности критического сверхпроводящего тока.The technical result of the invention is to improve the perfection of the crystal structure and morphology of the epitaxial buffer layer and, as a result, the perfection of the crystalline structure of the superconducting coating deposited on it, and as a result, increase the density of the critical superconducting current.
Технический результат достигается тем, что в способе получения многослойного высокотемпературного сверхпроводящего материала, включающем нанесение на гибкую металлическую текстурированную подложку или на металлическую подложку, покрытую промежуточным биаксиально текстурированным оксидным слоем, по меньшей мере, одного эпитаксиального оксидного буферного слоя из прекурсора, получаемого из золя оксида-гидроксида выбранного элемента или нерастворимой соли выбранного элемента в водном растворе температурно-зависимого полимера путем нагревания при температуре, превышающей температуру фазового перехода температурно-зависимого полимера, термообработку буферного слоя, нанесение на буферный слой, по меньшей мере, одного эпитаксиального слоя сверхпроводникового материала и его термообработку, согласно изобретению после нанесения эпитаксиального оксидного буферного слоя осуществляют его обработку в переменном магнитном поле с амплитудой напряженности не более 0,10 Тл и частотой 10-40 Гц в течение 100 и более секунд.The technical result is achieved in that in a method for producing a multilayer high-temperature superconducting material, comprising applying to a flexible metal textured substrate or a metal substrate coated with an intermediate biaxially textured oxide layer of at least one epitaxial oxide buffer layer from a precursor obtained from an oxide sol hydroxide of the selected element or insoluble salt of the selected element in an aqueous solution of a temperature-dependent polymer put m heating at a temperature exceeding the phase transition temperature of the temperature-dependent polymer, heat treatment of the buffer layer, applying at least one epitaxial layer of a superconducting material to the buffer layer and heat treating it, according to the invention, after applying the epitaxial oxide buffer layer, it is processed in an alternating magnetic field with an intensity amplitude of not more than 0.10 T and a frequency of 10-40 Hz for 100 or more seconds.
Сущность предлагаемого способа заключается в следующем. Величина критического сверхпроводящего тока напрямую зависит от степени структурного совершенства эпитаксиального сверхпроводящего покрытия. Большое количество дислокаций несоответствия не только препятствует эпитаксиальному росту более толстых сверхпроводящих пленок, но приводит к возникновению большеугловых (>5°) межзеренных границ, через которые прохождение сверхпроводящего тока затруднено. Такая высокая чувствительность сверхпроводящего тока к остроте текстуры (межзеренное разупорядочение) сверхпроводящей пленки связана с малой величиной параметра корреляции куперовских пар ~ 5-10 ангстрем. Повышению плотности критического тока в ВТСП-2 проводах должно способствовать увеличение критической толщины структурно-совершенного сверхпроводящего слоя и увеличение в сверхпроводящем слое перкаляционных путей для сверхпроводящего тока за счет увеличения количества малоугловых (<5°) межзеренных границ.The essence of the proposed method is as follows. The magnitude of the critical superconducting current directly depends on the degree of structural perfection of the epitaxial superconducting coating. A large number of misfit dislocations not only prevents the epitaxial growth of thicker superconducting films, but also leads to the appearance of larger-angle (> 5 °) grain boundaries through which the passage of the superconducting current is difficult. Such a high sensitivity of the superconducting current to the sharpness of the texture (intergranular disordering) of the superconducting film is associated with a small value of the correlation parameter of Cooper pairs ~ 5-10 angstroms. An increase in the critical current density in HTSC-2 wires should be facilitated by an increase in the critical thickness of a structurally perfect superconducting layer and an increase in percational paths in the superconducting layer for the superconducting current due to an increase in the number of small-angle (<5 °) grain boundaries.
Рост сверхпроводящего слоя происходит на поверхности оксидного буфера, который задает сверхпроводящему слою начальные условия эпитаксиального роста. Чем совершенней кристаллическая структура и морфология эпитаксиального слоя буфера, тем совершенней будет кристаллическая структура сверхпроводящего слоя.The growth of the superconducting layer occurs on the surface of the oxide buffer, which sets the initial conditions for epitaxial growth in the superconducting layer. The more perfect the crystal structure and morphology of the epitaxial buffer layer, the more perfect the crystal structure of the superconducting layer will be.
Магнитная обработка эпитаксиального буферного слоя в указанных выше режимах повышает качество его кристаллической структуры, уменьшает на его поверхности количество дислокаций несоответствия и напряжений, что снижает количество большеугловых межзеренных границ, способствует формированию более мелких зерен и, как следствие, улучшает морфологию слоя, сглаживая его поверхность. Все это повышает структурное и морфологическое качество формируемого на буфере эпитаксиального сверхпроводящего слоя, что, в свою очередь, обуславливает повышение критического сверхпроводящего тока в ВТСП-2 проводе.Magnetic processing of the epitaxial buffer layer in the above modes improves the quality of its crystalline structure, reduces the number of misfit and stress dislocations on its surface, which reduces the number of high-angle grain boundaries, promotes the formation of finer grains and, as a result, improves the morphology of the layer, smoothing its surface. All this increases the structural and morphological quality of the epitaxial superconducting layer formed on the buffer, which, in turn, leads to an increase in the critical superconducting current in the HTSC-2 wire.
Осуществление изобретенияThe implementation of the invention
Далее изобретение поясняется с помощью конкретных примеров.The invention is further explained with specific examples.
Примерами, иллюстрирующими данный способ, является обработка в переменном магнитном поле эпитаксиальных буферных слоев оксида церия CeO2 и цирконата лантана La2Zr2O7 (LZO) на биаксиально текстурированной ленте-подложке из сплава Ni-5%W.Examples illustrating this method are the treatment in an alternating magnetic field of epitaxial buffer layers of cerium oxide CeO 2 and lanthanum zirconate La 2 Zr 2 O 7 (LZO) on a biaxially textured Ni-5% W alloy substrate.
Аналогичные результаты, свидетельствующие об улучшении кристаллической структуры и морфологии эпитаксиальных оксидных буферных слоев после обработки в магнитном поле, были получены и на других буферных слоях на биаксиально текстурированной ленте-подложке из сплава Ni-5%W, например, титанат стронция SrTiO3 и оксид циркония, стабилизированный иттрием YSZ.Similar results, indicating an improvement in the crystal structure and morphology of epitaxial oxide buffer layers after treatment in a magnetic field, were obtained on other buffer layers on a biaxially textured substrate tape made of Ni-5% W alloy, for example, strontium titanate SrTiO 3 and zirconium oxide stabilized by yttrium YSZ.
Обработку эпитаксиальных оксидных буферных слоев осуществляли в переменном магнитном поле (МП) при следующих условиях:The processing of epitaxial oxide buffer layers was carried out in an alternating magnetic field (MP) under the following conditions:
Критерием эффективности магнитной обработки являлось изменение площадей рентгеновских дифракционных пиков S образцов эпитаксиальных буферных пленок оксида церия CeO2 толщиной 10 нм и цирконата лантана LZO толщиной 40 нм до и после магнитной обработки, которое свидетельствует о перестройке дефектной структуры материала, т.е. об эффекте обработки в магнитном поле.The criterion for the effectiveness of magnetic treatment was the change in the areas of X-ray diffraction peaks S of samples of epitaxial buffer films of cerium oxide CeO 2 with a thickness of 10 nm and lanthanum zirconate LZO with a thickness of 40 nm before and after magnetic treatment, which indicates the rearrangement of the defective structure of the material, i.e. about the effect of processing in a magnetic field.
В таблицах 1 и 2 приведены данные по результатам обработки в МП образцов эпитаксиальных буферных слоев оксида церия CeO2 и цирконата лантана LZO. Для экспериментов по магнитной обработке были приготовлены образцы эпитаксиальных буферных пленок оксида церия CeO2 толщиной 10 нм и цирконата лантана LZO толщиной 40 нм, для которых были сняты рентгеновские дифрактограммы и получены АСМ изображения поверхности (см. в таблицах 1 и 2 данные для образцов №5). Затем каждый из этих образцов был фрагментирован на 4 части - это образцы №1-4, которые обрабатывали в магнитном поле с разными значениями частоты ω.Tables 1 and 2 show data on the results of processing in samples of epitaxial buffer layers of cerium oxide CeO 2 and lanthanum zirconate LZO in MP. For magnetic processing experiments, samples of epitaxial buffer films of
На фиг. 1 и 2 показаны дифрактограммы и АСМ изображения образцов эпитаксиальных буферных слоев оксида церия CeO2 и цирконата лантана La2Zr2O7 (LZO) до и после обработки в МП.In FIG. Figures 1 and 2 show diffraction patterns and AFM images of samples of epitaxial buffer layers of cerium oxide CeO 2 and lanthanum zirconate La 2 Zr 2 O 7 (LZO) before and after treatment in MP.
Проведенные экспериментальные исследования по влиянию обработки внешним переменным магнитным полем на кристаллическую структуру и морфологию ряда эпитаксиальных оксидных буферных слоев показали, что положительный результат достигается при соблюдении заявленных режимов обработки: амплитуда напряженности переменного магнитного поля не более 0,10 Тл (при этом наибольше влияние магнитной обработки на кристаллическую структуру наблюдается при амплитуде напряженности магнитного поля 0,10 Тл) и частота магнитного поля 10-40 Гц. Экспериментально было показано, что при длительности магнитной обработки менее 100 с эффект обработки либо не наблюдается, либо он неустойчив. При временах 100 и более секунд влияние магнитной обработки носит устойчивый характер, указывающий на существование «плато» на временной зависимости эффекта магнитной обработки эпитаксиальных оксидных буферных слоев.Experimental studies on the effect of treatment with an external alternating magnetic field on the crystal structure and morphology of a number of epitaxial oxide buffer layers showed that a positive result is achieved when the declared processing conditions are observed: the amplitude of the alternating magnetic field is not more than 0.10 T (the greatest influence of magnetic treatment on the crystalline structure is observed at a magnetic field amplitude of 0.10 T) and a magnetic field frequency of 10-40 Hz. It was experimentally shown that when the duration of magnetic treatment is less than 100 s, the treatment effect is either not observed or it is unstable. At times of 100 seconds or more, the effect of magnetic treatment is stable, indicating the existence of a “plateau” on the time dependence of the effect of magnetic treatment of epitaxial oxide buffer layers.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015109796/28A RU2582489C1 (en) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | Method of producing multilayer high-temperature superconducting material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2015109796/28A RU2582489C1 (en) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | Method of producing multilayer high-temperature superconducting material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2582489C1 true RU2582489C1 (en) | 2016-04-27 |
Family
ID=55794488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015109796/28A RU2582489C1 (en) | 2015-03-20 | 2015-03-20 | Method of producing multilayer high-temperature superconducting material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2582489C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2627130C1 (en) * | 2016-10-11 | 2017-08-03 | Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет" | Method for producing multilayer high-temperature superconducting material |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992016974A1 (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-01 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
| WO2005053044A3 (en) * | 2003-07-21 | 2005-10-27 | American Superconductor Corp | High temperature superconducting devices and related methods |
| US7261776B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-08-28 | American Superconductor Corporation | Deposition of buffer layers on textured metal surfaces |
| RU2387050C1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-04-20 | Фатима Христофоровна Чибирова | Method of making multilayer material |
| RU2414330C2 (en) * | 2008-12-03 | 2011-03-20 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности" ОАО "ГИРЕДМЕТ" | Method of producing nano-sized powders of some lanthanide oxides |
-
2015
- 2015-03-20 RU RU2015109796/28A patent/RU2582489C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992016974A1 (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-01 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
| WO2005053044A3 (en) * | 2003-07-21 | 2005-10-27 | American Superconductor Corp | High temperature superconducting devices and related methods |
| US7261776B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-08-28 | American Superconductor Corporation | Deposition of buffer layers on textured metal surfaces |
| RU2414330C2 (en) * | 2008-12-03 | 2011-03-20 | Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности" ОАО "ГИРЕДМЕТ" | Method of producing nano-sized powders of some lanthanide oxides |
| RU2387050C1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-04-20 | Фатима Христофоровна Чибирова | Method of making multilayer material |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2627130C1 (en) * | 2016-10-11 | 2017-08-03 | Акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности АО "Гиредмет" | Method for producing multilayer high-temperature superconducting material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106591781B (en) | A kind of ameliorative way of ultra-thin lanthanum-strontium-manganese-oxygen film interface dead layer | |
| RU2582489C1 (en) | Method of producing multilayer high-temperature superconducting material | |
| Pan et al. | Multilayering and Ag-Doping for Properties and Performance Enhancement in ${\hbox {YBa}} _ {2}{\hbox {Cu}} _ {3}{\hbox {O}} _ {7} $ Films | |
| Wang et al. | Microstructure and superconducting properties of (BaTiO 3, Y 2 O 3)-doped YBCO films under different firing temperatures | |
| Yang et al. | Distribution of pyrochlore phase in Pb (Mg1/3Nb2/3) O3-PbTiO3 films and suppression with a Pb (Zr0. 52Ti0. 48) O3 interfacial layer | |
| Horita et al. | Miniaturization of BaHfO3 nanoparticles in YBa2Cu3Oy-coated conductors using a two-step heating process in the TFA-MOD method | |
| JP5115331B2 (en) | Method for producing dielectric single crystal thin film | |
| Majkic et al. | Effect of high BZO dopant levels on performance of 2G-HTS MOCVD wire at intermediate and low temperatures | |
| Augieri et al. | MOD derived pyrochlore films as buffer layer for all-chemical YBCO coated conductors | |
| Zhang et al. | Growth of (001) preferentially oriented BiFeO3 films on Si substrate by sol-gel method | |
| Li et al. | Thickness dependence of structural and superconducting properties of single-crystal-like GdBCO films prepared by photo-assisted MOCVD | |
| Gunasekaran et al. | Lead oxide and vanadium doped lead oxide thin films for optoelectronic device applications | |
| Rijckaert et al. | Unravelling the crystallization process in solution-derived YBa2Cu3O7-δ nanocomposite films with preformed ZrO2 nanocrystals via definitive screening design | |
| Nijikovsky et al. | Microstructure of ZnO films synthesized on MgAl 2 O 4 from low-temperature aqueous solution: growth and post-annealing | |
| RU2627130C1 (en) | Method for producing multilayer high-temperature superconducting material | |
| Shin et al. | The Improved Critical Currents of MOD-Processed YBCO Thick Films With $\mbox {Ba} M\mbox {O} _3 $($ M $: Ce, Zr) and YBa 2 SnO 5.5 Particles | |
| Jin et al. | Development of modified TFA-MOD approach for GdBa2Cu3Oy film growth | |
| Zhao et al. | High-Jc YBa2Cu3O7− δ superconducting film grown by laser-assisted chemical vapor deposition using a single liquid source and its microstructure | |
| Zhang et al. | Improved biaxial texture of tri-layer YBCO/CaTiO3/YBCO films using an all chemical solution deposition method | |
| Teranishi et al. | Minimization of BaHfO 3 Flux Pinning Centers in YBa 2 Cu 3 O y Films by Metal Organic Deposition Process | |
| Pomar et al. | Enhanced vortex pinning in YBCO coated conductors with BZO nanoparticles from chemical solution deposition | |
| Izumi et al. | High performance coated conductors fabricated by UTOC-MOD process | |
| Armenio et al. | Stranger APCs: Study of surface decoration material for YBCO films | |
| JP2011253768A (en) | Method of manufacturing oxide superconductor thin film | |
| Yamada et al. | Effects of vicinal substrates on the orientation of Bi2Sr2CaCu2O8+ x thin films when the metal-organic decomposition method is used |