RU2623663C2 - Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой - Google Patents

Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой Download PDF

Info

Publication number
RU2623663C2
RU2623663C2 RU2014147571A RU2014147571A RU2623663C2 RU 2623663 C2 RU2623663 C2 RU 2623663C2 RU 2014147571 A RU2014147571 A RU 2014147571A RU 2014147571 A RU2014147571 A RU 2014147571A RU 2623663 C2 RU2623663 C2 RU 2623663C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
vertical
emitting laser
vecsel
pump
Prior art date
Application number
RU2014147571A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2014147571A (ru
Inventor
Стефан ГРОНЕНБОРН
Михаэль МИЛЛЕР
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2014147571A publication Critical patent/RU2014147571A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2623663C2 publication Critical patent/RU2623663C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/041—Optical pumping
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18397—Plurality of active layers vertically stacked in a cavity for multi-wavelength emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
    • H01S3/08068—Holes; Stepped surface; Special cross-section
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18388—Lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой содержит по меньшей мере один VECSEL и несколько лазерных диодов накачки. VECSEL содержит одно зеркало Брега. В качестве второго зеркала резонатора выступает внешнее зеркало, от которого отражается излучение лазерных диодов накачки, расположенных вокруг активной области VECSEL и которое обеспечивает многократное переотражение генерируемого VECSEL излучения. Технический результат заключается в упрощении юстировки лазеров накачки относительно активной области VECSEL и обеспечении компактности конструкции лазерного прибора. 11 з.п. ф-лы, 10 ил.

Description

ОБЛАСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Настоящее изобретение относится к поверхностно-излучающему лазерному прибору с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой, содержащему по меньшей мере один поверхностно-излучающий лазер с вертикальным внешним резонатором (vertical external-cavity surface-emitting laser, VECSEL) и несколько лазерных диодов накачки, в котором упомянутые лазерные диоды накачки расположены с возможностью оптической накачки активной области VECSEL за счет отражения излучения накачки на зеркальном элементе. Поверхностно-излучающие лазерные приборы с вертикальным внешним резонатором представляют собой один из многообещающих лазерных источников с повышенной яркостью и предлагают множество преимуществ, по сравнению с излучателями с торцевым излучением, такими как доступные компоновки двумерных матриц и формы круговых пучков.
ПРЕДПОСЫЛКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ
VECSEL обычно содержат первое концевое зеркало и активную область, сформированную в виде последовательности слоев, и второе концевое зеркало, установленное отдельно от последовательности слоев и образующее внешний резонатор лазера. В стандартных установках внешний резонатор состоит из макроскопических оптических элементов, которые являются очень громоздкими и требуют сложной настройки. Путем реализации внешних оптических компонентов из полупроводниковой пластины и связывания этой полупроводниковой пластины с нанесенной на полупроводниковую пластину последовательностью слоев, где полупроводниковая пластина обычно представляет собой полупроводниковую пластину GaAs, можно изготовить много тысяч микро-VECSEL, подключенных параллельно, и протестировать их непосредственно на полупроводниковой пластине, подобной поверхностно-излучающим лазерным диодам с вертикальным резонатором (vertical cavity surface emitting laser diodes, VCSEL).
Известные VECSEL с оптической накачкой нуждаются в раздельной установке и юстировке лазеров накачки в резонатор или полость VECSEL. Это требует продолжительного производства и громоздких модульных блоков.
В US 2010/0014547 Al раскрыт прибор для продольной накачки твердотельной лазерной активной среды. Этот прибор содержит несколько лазерных диодов накачки, которые установлены на боковых поверхностях охлаждающего устройства лазерной активной среды. Излучение накачки, испускаемое лазерными диодами, отражается несколькими параболическими зеркалами по направлению к одной из торцевых поверхностей твердотельной активной лазерной среды. В этом приборе несколько параболических зеркал приходится точно юстировать для достижения желаемого распределения интенсивности излучения накачки на входе твердотельной лазерной активной среды.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Задачей настоящего изобретения является обеспечение поверхностно-излучающего лазерного прибора с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой, который допускает более легкую юстировку оптики накачки и может быть реализован в виде компактной конструкции.
Эта задача достигается с помощью поверхностно-излучающего лазерного прибора с вертикальным внешним резонатором по п. 1 формулы изобретения. Преимущественные варианты осуществления прибора являются предметом изобретения согласно зависимым пунктам формулы изобретения или описаны в последующих частях описания и в предпочтительных вариантах осуществления.
Предложенный поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой содержит по меньшей мере один VECSEL в виде полупроводникового дискового лазера с оптической накачкой и несколько лазерных диодов накачки, предпочтительно, поверхностно-излучающих лазерных диодов с вертикальным резонатором (VCSEL). VECSEL может быть выполнен известным образом и может содержать стопку слоев, образующих по меньшей мере первое концевое зеркало, и активную область VECSEL. Второе концевое зеркало, расположенное отдельно от стопки слоев, образует внешний резонатор лазера. В предложенной конструкции лазерного прибора лазерные диоды накачки расположены с возможностью оптической накачки активной области VECSEL за счет отражения излучения накачки на зеркальном элементе. Зеркальный элемент расположен на оптической оси VECSEL и выполнен с возможностью сосредотачивать излучение накачки в активной области и формировать вместе с этим второе концевое зеркало VECSEL. Зеркальный элемент, таким образом, объединяет две функции в одном одиночном элементе.
В поверхностно-излучающем лазерном приборе с вертикальным внешним резонатором согласно настоящему изобретению использован подходящим образом выполненный зеркальный элемент, который направляет свет накачки в активную область VECSEL и действует как внешнее зеркало, в то же время образующее резонатор VECSEL вместе с первым зеркалом. Таким образом, пятно накачки автоматически юстируется в соответствии с оптической модой резонатора VECSEL. При выполнении зоны оптической накачки активной области VECSEL могут быть реализованы достаточно большие (большое поперечное сечение, перпендикулярное к оптической оси) допуски на юстировку лазерных диодов вплоть до 100 мкм. Предложенная конструкция допускает расположение лазерных диодов накачки для направления излучения накачки по существу параллельно оптической оси по направлению к зеркальному элементу, что допускает очень компактную конструкцию устройства. Является предпочтительным, чтобы лазерные диоды накачки были реализованы в виде матрицы VCSEL, которые могут быть протестированы на уровне полупроводниковой пластины и могут обеспечить хорошую эффективность. В дополнение, в предпочтительном варианте осуществления изобретения лазерные диоды накачки интегрированы на одном кристалле в виде стопки слоев VECSEL. Это снижает расходы на изготовление, а также размеры лазерного прибора, при предоставлении исключительной яркости.
Интегрирование матрицы диодов VCSEL и VECSEL на одном кристалле позволяет изготавливать эти лазеры, создаваемые из одной и той же последовательности слоев на кристалле. Для этой цели применяют общую слоистую структуру, в которой последовательность слоев, образующая диоды VCSEL, отделена протравленным запирающим слоем от последовательности слоев, образующей стопку слоев VECSEL. Диоды VCSEL и VECSEL затем формируют путем надлежащего структурирования последовательности слоев посредством одного или нескольких процессов травления.
Также можно интегрировать лазерные диоды накачки и VECSEL на отдельных кристаллах, которые затем могут быть смонтированы на общем кристаллодержателе или на теплоприемнике. Такое расположение также предоставляет преимущество, состоящее в очень компактной конструкции лазерного устройства.
Зеркальный элемент, образующий внешнее зеркало VECSEL, может быть установлен на последовательности слоев VECSEL тем же образом, что уже был известен из уровня техники. Также можно формировать несколько зеркальных элементов на отдельной полупроводниковой пластине, а затем соединить эти полупроводниковые пластины с полупроводниковой пластиной, содержащей несколько стопок слоев VECSEL, наряду с матрицей VCSEL. Соединенные полупроводниковые пластины затем разделяют на одиночные кристаллы, содержащие предложенные лазерные приборы. В качестве альтернативы, две полупроводниковые пластины могут быть сначала разделены на одиночные кристаллы, и одиночные кристаллы могут быть затем скомбинированы, чтобы получить предложенный лазерный прибор. Другая возможность состоит в непосредственном интегрировании зеркального элемента на кристалле или на полупроводниковой пластине, содержащей последовательность слоев VECSEL.
Является предпочтительным, чтобы зеркальный элемент содержал центральную область, которая образует внешнее зеркало, и внешнюю область, которая выполнена с возможностью отражения излучения накачки к активной области VECSEL. Для этой цели зеркальный элемент предпочтительно изготовлен в виде оптического устройства произвольной формы, допускающего почти любую форму отражающих зеркальных поверхностей в центральной и внешней областях зеркального элемента. Внешняя область, которая предпочтительно полностью окружает центральную область, может быть выполнена с возможностью генерирования любого желаемого распределения интенсивности излучения накачки в активной области VECSEL, соответствующего форме желаемой оптической моды лазера. В зависимости от стороны испускания VECSEL тело зеркального элемента может быть образовано из подходящего материала, например из металла, стекла с покрытием или пластмассы с покрытием. В случае металлического тела отражающие поверхности зеркального элемента могут быть образованы из этого металла, например из отполированного алюминия. В случае стеклянного или пластмассового тела зеркальная поверхность образуется из подходящего металлического или диэлектрического покрытия, как известно из уровня техники.
Эти и другие аспекты изобретения станут очевидными и будут объяснены со ссылками на варианты осуществления, описанные ниже.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Предложенный твердотельный лазерный прибор будет далее более подробно описан посредством примеров, в сочетании с прилагаемыми чертежами. На чертежах показано следующее:
Фиг. 1 представляет собой первый пример предложенного лазерного прибора;
Фиг. 2 представляет собой пример последовательности слоев для изготовления предложенного лазерного прибора;
Фиг. 3 представляет собой примерную конструкцию VECSEL и диодов VCSEL предложенного лазерного прибора после структурирования последовательности слоев согласно Фиг. 2;
Фиг. 4 представляет собой второй пример предложенного лазерного прибора;
Фиг. 5 представляет собой детализацию другого варианта осуществления предложенного лазерного прибора;
Фиг. 6 представляет собой детализацию другого варианта осуществления предложенного лазерного прибора;
Фиг. 7 представляет собой третий пример части предложенного лазерного прибора;
Фиг. 8 представляет собой вид сверху примера предложенного лазерного прибора;
Фиг. 9 представляет собой вид сверху примера предложенного лазерного прибора;
Фиг. 10 представляет собой другой пример предложенного лазерного прибора.
ПОДРОБНОЕ ОПИСАНИЕ ВАРИАНТОВ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
На Фиг. 1-3 показан первый пример предложенного лазерного прибора и его изготовления. В этом примере лазерные диоды накачки представляют собой диоды VCSEL 300, которые интегрированы на одном и том же кристалле 120, что и VECSEL 200. Диоды VCSEL 300 расположены так, чтобы окружать VECSEL 200. В этом варианте осуществления все полупроводниковые лазеры представляют собой лазеры верхнего излучения, как указано на Фиг. 1. Зеркальный элемент 400 (оптическое устройство произвольной формы), содержащий по меньшей мере две радиальные зеркальные области 410, 420, устанавливают соосно перед полупроводниковым кристаллом 120. В этом варианте осуществления зеркальный элемент 400 образован из оптически прозрачного тела, состоящего из первой поверхности 401, обращенной к полупроводниковому кристаллу 120, и второй поверхности 402. На первую поверхность 401 нанесено покрытие для обеспечения достаточной отражательной способности для функционирования лазера VECSEL 200(R(λVECSEL)=80-99,5%) и как можно более высокого отражения света накачки VCSEL 300 (R(λVECSEL)>95%, предпочтительно, >99%. Поверхность 401 разделена на две области с различными формами.
Центральная область 410 для r<R2 образует внешнее зеркало VECSEL и обычно представляет собой сферическое зеркало с радиусом кривизны, выполненным с возможностью получения размера основной моды w0 в активной области VECSEL 200 на расстоянии L. Внешняя область 420 для r>R2 выполнена с возможностью отражения излучения 310 VCSEL 300 в активную область VECSEL 200. Эта внешняя область 420 может быть образована в виде параболического зеркала с радиусом кривизны, равным 2L. R2 приблизительно равен радиусу R1 поперечного сечения VECSEL 200, перпендикулярного к оптической оси 210 VECSEL 200, и должен быть больше, чем размер моды лазерного излучения VECSEL в плоскости зеркального элемента 400, но также достаточно малым для собирания всего света VCSEL.
Как видно из Фиг. 1, излучение накачки 310, испускаемое диодами VCSEL 200, направляется внешней областью 420 зеркального элемента 400 в активную область VECSEL 200 для оптической накачки этого лазера. Благодаря такому расположению лазерных диодов накачки 300 и зеркального элемента 400 получается очень компактная конструкция лазерного прибора. Продолжительная юстировка лазеров накачки относительно VECSEL не является обязательной, поскольку излучение накачки автоматически центрируется в активной области VECSEL 200 за счет геометрической формы отражающей поверхности зеркального элемента 400.
Матрица VCSEL и VECSEL (лазеры VECSEL) также могут быть образованы на отдельных кристаллах, изготовленных из различных эпитаксиальных полупроводниковых пластин и связанных с одним и тем же кристаллодержателем или теплоприемником, а затем скомбинированы с оптическим элементом 400. Это облегчает изготовление структур полупроводниковых пластин, но повышает усилие монтажа и размер модуля.
На Фиг. 2 и 3 схематически показан способ изготовления лазерного прибора согласно Фиг. 1. Для этой цели последовательность слоев, как показано на Фиг. 2, эпитаксиально выращивают на подложке полупроводниковой пластины. В качестве примера, структура для VECSEL, излучающего с эпитаксиальной стороны, описана для n-легированных подложек. Из нее можно легко получить стопки слоев для p-легированных подложек и/или для испускания со стороны подложки. Структура согласно этому варианту осуществления содержит, начиная с подложки 500:
- запирающий протравленный слой 101 (необязательный), который можно в дальнейшем удалить с подложки 500 для лучшего теплоотвода; этот запирающий протравленный слой также может быть пропущен, если подложка 500 не удалена;
- n-легированный токораспределительный слой 102 (необязательный) с высокой концентрацией легирующей примеси;
- n-легированный РБО 103 (распределенный брэгговский отражатель), который в дальнейшем образует концевое зеркало диодов VCSEL (R≥99,9%);
- активная область 104 диодов VCSEL, как известно из уровня техники (например, 3 квантовые ямы, слои ограничения тока и оксидная апертура);
- p-легированный РБО 105, в дальнейшем образующий выходное зеркало для диодов VCSEL (R приблизительно 99%);
- верхний защитный слой 106 для достижения согласования фаз (полупроводник/воздух), как известно для диодов VCSEL с верхним излучением;
- запирающий протравленный слой 100, отделяющий пакет слоев VCSEL от последовательности слоев VECSEL;
- нелегированный РБО 107 (необязательный), в дальнейшем образующий первое концевое зеркало VECSEL;
- активная область 108 VECSEL, как известно из уровня техники (несколько квантовых ям в пучностях стоячей волны, с барьерными слоями, РПУ-структура (РПУ: резонансно-периодическое усиление), оптимизированная для накачки внутри ям или барьерной накачки, …); и
- верхний защитный слой 109, имеющий антибликовое покрытие от воздуха или эталонный слой для резонансного усиления или стабилизации длины волны.
Резонансная длина волны λVECSEL диодов VCSEL, образованная РБО 103 и 105, выбрана таким образом, чтобы быть немного короче, чем длина волны излучения λVECSEL для активной области 108 VECSEL. В случае барьерной накачки λVECSEL должна быть на несколько десятков нанометров короче, чем λVECSEL.
Запирающий протравленный слой 101 и токораспределительный слой 102 необходимы, только если подложка 500 будет по меньшей мере частично удалена. Нелегированный РБО 107 не является необходимым, если длина волны VECSEL находится внутри запрещенной зоны p-РБО 105, но не точно равна резонансной длине волны резонатора VCSEL между 103 и 105. В этом случае p-РБО 105 образует первое концевое зеркало VECSEL. Однако дополнительный нелегированный РБО 107 может снизить оптические потери в VECSEL, но в то же время тепловое сопротивление VECSEL в этом дополнительном слое повышается.
После выращивания такой слоистой структуры контактные столбики стравливаются до запирающего протравленного слоя 100, образуя область VECSEL 200 с диаметром 2*R1. Затем запирающий протравленный слой 100 удаляется, обнажая верхний защитный слой 106. На следующем этапе один или несколько VCSEL 300 обрабатывают вслед за областью VECSEL путем вытравливания мезаструктур, окисления, осаждения p-кольцевых контактов и т.п. Также могут быть реализованы p-контакты в виде дорожек через подложку для монтажа методом перевернутого кристалла.
Результат этих этапов обработки отображен на Фиг. 3. Металлический контакт (n-контакт) 330 осажден на n-стороне подложки 500.
В качестве альтернативы, подложка 500 может быть удалена путем ее стравливания до запирающего протравленного слоя 101 со стороны подложки. Затем металлический контакт 330 осаждают на n-слой 102.
После этой обработки полупроводниковую пластину разделяют на одиночные кристаллы 120 и припаивают n-сторону к теплоприемнику.
Зеркальный элемент 400 предложенного лазерного прибора может быть выполнен любым подходящим способом для выполнения желаемых функций. Центральная область 410 также может быть образована в виде зеркала произвольной формы для формирования моды или селекции моды VECSEL 200. Внешняя область 420 также может быть реализована, например, в виде зеркала произвольной формы 421, действующего как матрица из меньших зеркал, коллимирующих или фокусирующих пучки излучения 310 отдельных VCSEL, как схематически показано на Фиг. 4. В другом варианте осуществления зеркало произвольной формы 421 может приводить к получению различных диаметров пятен накачки от отдельных VCSEL 300 для придания формы результирующему общему профилю накачки с получением любого желаемого профиля, например гауссова профиля.
Вторая поверхность 402 зеркального элемента 400 может иметь антибликовое покрытие для длины волны VECSEL и может быть плоской, сферической, чтобы коллимировать или фокусировать лазерный пучок VECSEL, или даже представлять собой вторую поверхность произвольной формы, для добавочного формирования лазерного пучка VECSEL.
Первая поверхность 401 может представлять собой плоскость и иметь антибликовое покрытие для длины волны излучения накачки и длины волны лазерного излучение VECSEL, а вторая поверхность 402 может содержать две области 410 и 420 с нанесенным отражающим покрытием. Затем зеркальный элемент 400 также может быть интегрирован с полупроводниковым кристаллом на уровне полупроводниковой пластины.
Две области 410 и 420 также могут быть реализованы на двух противоположных сторонах оптического элемента 400 с различными покрытиями на обеих сторонах.
Как показано на Фиг. 6, микролинзы 430 могут быть образованы наверху VCSEL 300 для коллимирования пучков излучения накачки VCSEL или фокусирования их на активной области VECSEL 200. На Фиг. 6 показана только детализация узла микролинз наверху VCSEL 300 для предложенного прибора.
На Фиг. 5 показан вариант осуществления, который реализован после удаления подложки согласно Фиг. 3. После удаления подложки слои 101-106 также могут быть удалены ниже области VECSEL 200 и заполнены высокотеплопроводным материалом 502, например Cu, Au или Ag, для лучшего теплоотвода.
Кристалл с VECSEL и диоды VCSEL накачки также может быть реализован в другом порядке при наличии диодов VCSEL с нижним излучением. Пример показан на Фиг. 7. Ссылочные обозначения означают те же слои, что и на Фиг. 2. Опять же, для лучшего теплоотвода от этой области к области VECSEL 200, заполненной высокотеплопроводным материалом 502, может быть подведена тепловая дорожка, например, металлическая. Завершенный кристалл 120 в этом примере припаивают (припой 503) к общему кристаллодержателю или к теплоприемнику 501.
На Фиг. 8 показан вид сверху примера предложенного лазерного устройства согласно Фиг. 1. На этом виде сверху можно распознать матрицу лазера накачки с другими VCSEL 300, которые окружают VECSEL 200. Контактная площадка 340 для установления электрического контакта расположена на боковой поверхности кристалла.
Несколько VECSEL 200 также могут быть реализованы на одиночном кристалле с VCSEL 300 накачки в соответствии с каждым из VECSEL 200. Это схематически показано на виде сверху согласно Фиг. 9. Каждый из VECSEL 200 с его соответствующей накачкой VCSEL 300 и соединительными проводами 350 содержит зеркальный элемент, направляющий излучение от каждой матрицы накачки к соответствующему VECSEL 200. Зеркальные элементы 400 схематически обозначены пунктирной линией на Фиг. 9. Накачка области может быть индивидуально адресуема для достижения адресуемой оптической накачки матрицы VECSEL, которая может быть использована для печатания, маркировки или подобных применений.
На Фиг. 10 показан другой вариант осуществления предложенного лазерного прибора. В этом варианте осуществления последовательность слоев (слои 103-106) VCSEL 300 образована на верхней поверхности последовательности слоев (слои 107-109) VECSEL, будучи отделенной запирающим протравленным слоем 100 и n-легированным токораспределительным слоем 102. На верхней поверхности VCSEL 300 реализованы p-контакты 320 в виде кольцевых контактов. Дополнительная контактная площадка 340 для n-контакта образована на токораспределительном слое 102. Последовательность слоев VECSEL расположена на оптически прозрачном теплоотводящем слое 504, который может быть изготовлен, например, из алмаза, сапфира или SiC. Этот слой устанавливают на теплоприемник 501, который содержит сквозное отверстие 505, допускающее лазерное излучение 220 VECSEL через сквозное отверстие 505 теплоприемника 501. При такой конструкции зеркальный элемент 400 может быть образован из оптически непрозрачного материала, например из металла. Центральная область 410, образующая внешнее зеркало VECSEL, имеет покрытие с высокой отражательной способностью для λVECSEL, а внешняя область 420 имеет покрытие с высокой отражательной способностью для λVECSEL.
Тогда как изобретение было проиллюстрировано и подробно описано на чертежах и в вышеприведенном описании, такую иллюстрацию и описание следует рассматривать как иллюстративные или примерные, а не ограничивающие; изобретение не ограничено раскрытыми вариантами осуществления. Например, зеркальный элемент может иметь любую форму для реализации желаемой функции и не ограничен сферической или параболической формой. Кроме того, слоистые структуры VECSEL и диоды VECSEL не ограничены раскрытой последовательностью. Лазеры накачки и VECSEL также могут быть изготовлены на различных полупроводниковых пластинах или на подложках, которые затем комбинируют с предложенным устройством. В дополнение к элементам и слоям, показанным в примерах, частью предложенного лазерного прибора могут быть и другие элементы или слои. Например, возможно интегрирование функциональных элементов VECSEL между слоем 100 и слоем 109 или на верхней поверхности слоя 109, например, эталонов для выбора продольной моды, поляризации слоев для поляризации и стабилизации, перфорации для выбора поперечной моды, насыщаемых поглотителей для синхронизации мод, и т.д. Другие изменения раскрытых вариантов осуществления могут быть поняты и реализованы специалистами в данной области техники при применении заявленного изобретения, исходя из изучения чертежей, раскрытия и прилагаемой формулы изобретения. В формуле изобретения слово «содержит» не исключает наличия других элементов или этапов, а единственное число не исключает множественности. Сам факт, что некоторые меры перечислены в отличных друг от друга зависимых пунктах формулы изобретения, не указывает на то, что сочетание этих мер не может быть успешно использовано. В частности, все пункты формулы изобретения устройства могут быть легко скомбинированы. Никакие ссылочные обозначения в формуле изобретения не следует рассматривать как ограничивающие объем изобретения.
СПИСОК ССЫЛОЧНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
100 запирающий протравленный слой
101 запирающий протравленный слой
102 токораспределительный слой
103 n-легированный РБО
104 активная область VCSEL
105 p-легированный РБО
106 верхний защитный слой
107 нелегированный РБО
108 активная область VECSEL
109 верхний защитный слой
120 полупроводниковый кристалл
200 VECSEL
210 оптическая ось
220 лазерное излучение VECSEL
300 VCSEL
310 излучение накачки
320 p-контакт
330 n-контакт
340 контактная площадка
350 соединительные провода
400 зеркальный элемент (оптический элемент произвольной формы)
401 первая поверхность зеркального элемента
402 вторая поверхность зеркального элемента
410 центральная область
420 внешняя область
421 внешняя область специальной формы
430 микролинзы
500 подложка
501 кристаллодержатель/теплоприемник
502 металл
503 припой
504 оптически прозрачный теплоприемник
505 сквозное отверстие.

Claims (17)

1. Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным с внешним резонатором с оптической накачкой, содержащий по меньшей мере один поверхностно-излучающий лазер (200) с вертикальным внешним резонатором и несколько лазерных диодов (300) накачки,
причем упомянутый поверхностно-излучающий лазер (200) с вертикальным с внешним резонатором содержит:
стопку слоев, образующую по меньшей мере первое концевое зеркало (107, 105), и активную область (108) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным с внешним резонатором, и
второе концевое зеркало (410), образующее внешний резонатор поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным с внешним резонатором,
причем упомянутые лазерные диоды (300) накачки расположены с возможностью оптической накачки упомянутой активной области (108) за счет отражения излучения накачки (310) на зеркальном элементе (400),
причем упомянутый зеркальный элемент (400) расположен на оптической оси (210) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором и выполнен с возможностью сосредотачивать упомянутое излучение накачки (310) в активной области (108) и формировать вместе с этим второе концевое зеркало (410) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором, причем лазерные диоды (300) накачки расположены с возможностью направлять излучение накачки по существу параллельно оптической оси (210) по направлению к зеркальному элементу (400) так, что пятно накачки, обеспечиваемое лазерными диодами (300) накачки, является автоматически юстированным с оптической модой поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором.
2. Прибор по п. 1, в котором упомянутые лазерные диоды (300) накачки представляют собой поверхностно-излучающие лазеры с вертикальным резонатором.
3. Прибор по п. 1 или 2, в котором упомянутые лазерные диоды (300) накачки образованы на первом кристалле, а упомянутая стопка слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором образована на втором кристалле, причем упомянутые первый и второй кристаллы установлены на общем кристаллодержателе или теплоприемнике (501).
4. Прибор по п. 2, в котором упомянутые поверхностно-излучающие лазеры вертикальным резонатором и упомянутая стопка слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором сформированы на одном и том же кристалле.
5. Прибор по п. 4, в котором упомянутые поверхностно-излучающие лазеры с вертикальным резонатором и упомянутая стопка слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором создаются из одной и той же последовательности слоев (100, 103-109) на кристалле.
6. Прибор по п. 5, в котором упомянутая последовательность слоев (100, 103-109) содержит первую последовательность слоев (103-106), образующую слоистую структуру поверхностно-излучающих лазеров с вертикальным резонатором, и вторую последовательность слоев (107-109), образующую слоистую структуру стопки слоев поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором, причем упомянутая первая и вторая последовательности слоев разделены протравленным запирающим слоем (100).
7. Прибор по п. 1, в котором упомянутый зеркальный элемент (400) содержит центральную область (410), которая образует упомянутое второе концевое зеркало, и внешнюю область (420, 421), которая выполнена с возможностью отражать и сосредотачивать упомянутое излучение накачки (310) в активной области (108) поверхностно-излучающего лазерного диода (200) с вертикальным внешним резонатором.
8. Прибор по п. 7, в котором упомянутая центральная область и упомянутая внешняя область образованы с различной кривизной.
9. Прибор по п. 1, в котором упомянутая внешняя область (420, 421) упомянутого зеркального элемента (400) выполнена с возможностью генерирования распределения интенсивности излучения накачки (310) в активной области (108) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором, причем распределение интенсивности соответствует лазерной моде поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором.
10. Прибор по п. 1, в котором упомянутая центральная область (410) упомянутого зеркального элемента (400) выполнена с возможностью генерирования лазерной моды, которая не имеет гауссова профиля интенсивности в поверхностно-излучающем лазере (200) с вертикальным внешним резонатором.
11. Прибор по п. 1, в котором тело упомянутого зеркального элемента (400) изготовлено из материала, оптически прозрачного для лазерного излучения поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором.
12. Прибор по п. 1, в котором упомянутые лазерные диоды (300) накачки расположены с возможностью испускания упомянутого излучения накачки (310) по существу параллельно оптической оси (210) поверхностно-излучающего лазера (200) с вертикальным внешним резонатором по направлению к упомянутому зеркальному элементу (400).
RU2014147571A 2012-04-26 2013-04-11 Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой RU2623663C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261638540P 2012-04-26 2012-04-26
US61/638,540 2012-04-26
PCT/IB2013/052879 WO2013160789A1 (en) 2012-04-26 2013-04-11 Optically pumped vertical external-cavity surface-emitting laser device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014147571A RU2014147571A (ru) 2016-06-20
RU2623663C2 true RU2623663C2 (ru) 2017-06-28

Family

ID=48485238

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014147571A RU2623663C2 (ru) 2012-04-26 2013-04-11 Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9099834B2 (ru)
EP (1) EP2842202B1 (ru)
JP (1) JP6154460B2 (ru)
CN (1) CN104247174B (ru)
BR (1) BR112014026319A2 (ru)
RU (1) RU2623663C2 (ru)
WO (1) WO2013160789A1 (ru)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2674061C2 (ru) * 2013-10-30 2018-12-04 Конинклейке Филипс Н.В. Лазерный прибор, содержащий оптически накачиваемый лазер с протяженным резонатором
US9819144B2 (en) * 2015-05-14 2017-11-14 Apple Inc. High-efficiency vertical emitters with improved heat sinking
US10034375B2 (en) 2015-05-21 2018-07-24 Apple Inc. Circuit substrate with embedded heat sink
US9735539B2 (en) 2015-07-20 2017-08-15 Apple Inc. VCSEL structure with embedded heat sink
DE102018113874B4 (de) 2018-06-11 2022-12-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US11402617B2 (en) 2018-07-12 2022-08-02 Clark Wagner System and method for generating white light for projectors
US11280988B2 (en) * 2018-09-04 2022-03-22 Omnivision Technologies, Inc. Structure light module using vertical cavity surface emitting laser array and folding optical element
WO2020163139A2 (en) * 2019-02-04 2020-08-13 Apple Inc. Vertical emitters with integral microlenses
WO2020172118A1 (en) * 2019-02-19 2020-08-27 Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Efficient generation of spatially-restructurable high-order hg-modes in a laser cavity
US10881028B1 (en) 2019-07-03 2020-12-29 Apple Inc. Efficient heat removal from electronic modules
CN111146690B (zh) * 2020-01-06 2021-09-07 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器模组及其制备方法
US11710945B2 (en) 2020-05-25 2023-07-25 Apple Inc. Projection of patterned and flood illumination
US11699715B1 (en) 2020-09-06 2023-07-11 Apple Inc. Flip-chip mounting of optoelectronic chips
US11994694B2 (en) 2021-01-17 2024-05-28 Apple Inc. Microlens array with tailored sag profile
DE102021114225A1 (de) * 2021-06-01 2022-12-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Beleuchtungseinrichtung
EP4199276A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-21 Twenty-One Semiconductors GmbH Optically pumped semiconductor laser arrangement
CN116683268A (zh) * 2023-07-31 2023-09-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 1.3μm波段芯片级半导体/固体垂直集成被动调Q激光器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6711203B1 (en) * 2000-09-22 2004-03-23 Blueleaf, Inc. Optical transmitter comprising a stepwise tunable laser
US7599417B2 (en) * 2004-10-11 2009-10-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser pumping unit and high power laser device tunnel junction including the same
US20100014547A1 (en) * 2006-01-31 2010-01-21 Centre National De La Recherche Scientifique- Cnrs Device For Longitudinal Pumping Of A Laser Medium
EP2369696A1 (en) * 2010-03-23 2011-09-28 ETH Zurich Surface-Emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02185082A (ja) * 1989-01-12 1990-07-19 Asahi Glass Co Ltd レーザダイオート励起固体レーザ
US5461637A (en) * 1994-03-16 1995-10-24 Micracor, Inc. High brightness, vertical cavity semiconductor lasers
US5754578A (en) * 1996-06-24 1998-05-19 W. L. Gore & Associates, Inc. 1250-1650 nm vertical cavity surface emitting laser pumped by a 700-1050 nm vertical cavity surface emitting laser
WO2000025398A1 (en) * 1998-10-26 2000-05-04 Coherent, Inc. High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers
DE19927054A1 (de) 1999-06-14 2000-12-28 Rofin Sinar Laser Gmbh Festkörperlaser
JP3712686B2 (ja) * 2002-03-20 2005-11-02 株式会社東芝 面型光半導体装置
DE10338417B3 (de) * 2003-08-18 2005-05-25 Els Elektronik Laser System Gmbh Laser mit Laserverstärker mit einem scheibenförmigen aktiven Medium
CN1773360A (zh) * 2004-11-12 2006-05-17 南京Lg同创彩色显示系统有限责任公司 光泵浦半导体激光系统
JP2006165292A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ励起固体レーザ装置
CN1921248A (zh) * 2005-08-24 2007-02-28 上海乐金广电电子有限公司 光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统
JP2007299962A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Covalent Materials Corp 薄ディスクレーザ装置
US7949024B2 (en) * 2009-02-17 2011-05-24 Trilumina Corporation Multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation
US8000371B2 (en) * 2009-09-22 2011-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Vertical surface emitting semiconductor device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6711203B1 (en) * 2000-09-22 2004-03-23 Blueleaf, Inc. Optical transmitter comprising a stepwise tunable laser
US7599417B2 (en) * 2004-10-11 2009-10-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Laser pumping unit and high power laser device tunnel junction including the same
US20100014547A1 (en) * 2006-01-31 2010-01-21 Centre National De La Recherche Scientifique- Cnrs Device For Longitudinal Pumping Of A Laser Medium
EP2369696A1 (en) * 2010-03-23 2011-09-28 ETH Zurich Surface-Emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013160789A1 (en) 2013-10-31
BR112014026319A2 (pt) 2017-06-27
EP2842202B1 (en) 2017-08-16
US20150092802A1 (en) 2015-04-02
US9099834B2 (en) 2015-08-04
CN104247174A (zh) 2014-12-24
JP6154460B2 (ja) 2017-06-28
EP2842202A1 (en) 2015-03-04
JP2015518282A (ja) 2015-06-25
CN104247174B (zh) 2018-02-16
RU2014147571A (ru) 2016-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2623663C2 (ru) Поверхностно-излучающий лазерный прибор с вертикальным внешним резонатором с оптической накачкой
CN111149226B (zh) 单个芯片串联连接vcsel阵列
JP2015518282A5 (ru)
US8023547B2 (en) Vertical extended cavity surface emission laser and method for manufacturing a light emitting component of the same
TWI390759B (zh) 製造三族氮化物裝置之方法及使用該方法製造之裝置
EP3785339B1 (en) Bottom emitting vertical-cavity surface-emitting lasers
US20150311673A1 (en) Polarization Control in High Peak Power, High Brightness VCSEL
TWI357700B (en) Opto-electronic semiconductor device
US11482835B2 (en) VCSEL device with multiple stacked active regions
JP2013541854A (ja) 垂直外部キャビティ面発光レーザに対する光学素子
JP2004503118A (ja) 半導体レーザ・ポンピング固体レーザ・システムに使用するｖｃｓｅｌおよび集積マイクロレンズを有するｖｃｓｅｌアレイ
US20110274131A1 (en) Two-dimensional surface-emitting laser array element, surface-emitting laser device and light source
US11081861B2 (en) Increase VCSEL power using multiple gain layers
US11264780B2 (en) Flip chip backside emitting VCSEL package
JP2022500880A (ja) 位相結合されたレーザ装置、および位相結合されたレーザ装置を製造するための方法
CN110600995B (zh) 一种高功率外腔半导体激光器
JP6252222B2 (ja) 面発光レーザアレイ及びレーザ装置
US20190386464A1 (en) Opto-electronic device having a backside illuminating vcsel array with integrated diffractive optical elements (doe), diffuser and/or lens
JP4246942B2 (ja) 波長変換用光学サブアセンブリ
CN111313230A (zh) 底发射结构的垂直腔面发射激光器、数组及其制作方法
JP7418328B2 (ja) ハイパワーのレーザグリッド構造
US11552445B2 (en) Top-emitting vertical-cavity surface-emitting laser with bottom-emitting structure
KR102664633B1 (ko) 빔 품질을 향상시킨 마이크로 vcsel 및 마이크로 vcsel 어레이
JP2019004064A (ja) マルチビーム型半導体レーザ素子およびマルチビーム型半導体レーザ装置
US20240063608A1 (en) Micro vcsel with improved beam quality and micro vcsel array

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200412