RU2613488C1 - Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка - Google Patents
Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка Download PDFInfo
- Publication number
- RU2613488C1 RU2613488C1 RU2015142496A RU2015142496A RU2613488C1 RU 2613488 C1 RU2613488 C1 RU 2613488C1 RU 2015142496 A RU2015142496 A RU 2015142496A RU 2015142496 A RU2015142496 A RU 2015142496A RU 2613488 C1 RU2613488 C1 RU 2613488C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- zno
- zinc oxide
- sol
- gas
- layer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B1/008—Nanostructures not provided for in groups B82B1/001 - B82B1/007
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0042—Assembling discrete nanostructures into nanostructural devices
- B82B3/0047—Bonding two or more elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении газовых сенсоров. Предложен способ изготовления газовых сенсоров, содержащих корпус, установленную в нем на основании двухслойную наноструктуру ZnO-ZnO:Cu, точечные контакты, соединенные с выводами корпуса, помещенными в изолятор и штуцер, обеспечивающий контакт детектируемого газа с чувствительным элементом. Двухслойную наноструктуру ZnO-ZnO:Cu, в которой наблюдается термовольтаический эффект, синтезируют в рамках золь-гель технологии из золя путем растворения неорганической соли цинка в спирте и добавления поверхностно-активного вещества, после чего проводится перемешивание с последующим созреванием золя. Нижний слой наноструктуры формируют из чистого оксида цинка путем погружения подложки на ⅔ длины в золь и сушки. Верхний слой оксида цинка, легированного медью, формируют двумя или тремя погружениями другого конца подложки на ⅔ длины с последующей сушкой и отжигом. Изобретение позволяет изготавливать газовый сенсор на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка, который имеет повышенную чувствительность к газам-восстановителям. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении газовых сенсоров нового поколения, принцип работы которых основан на термовольтаическом эффекте в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью.
Для детектирования токсичных пожаро- и взрывоопасных газов на уровне предельно допустимых концентраций широко используются полупроводниковые хеморезистивные сенсоры адсорбционного типа. В качестве газочувствительных элементов таких сенсоров наибольшее распространение получили широкозонные полупроводниковые оксиды, такие как диоксид олова (SnO2), оксид индия (In2O3) и оксид цинка (ZnO). Механизм действия подобных устройств основан на обратимом изменении электропроводности чувствительного элемента в результате адсорбции газов на его поверхности и в объеме материала. Хеморезистивные сенсоры, как правило, работают при относительно высоких температурах (250-450°C), имеют температурную зависимость чувствительности с ярко выраженным максимумом, крайне низкую селективность и стабильность. Для улучшения их характеристик используют различные приемы, включая синтез многокомпонентных систем (например, на основе SiO2-SnO2, SiO2-SnO2-In2O3), изменение морфоструктуры поверхности чувствительного элемента (например, за счет локального анодирования подложки), а также применяют модификаторы на основе металлов платиновой группы. Использование недавно обнаруженного термовольтаического эффекта в оксиде цинка [1] для создания принципиально нового типа газовых сенсоров позволит существенным образом улучшить их характеристики, включая чувствительность, селективность и стабильность.
Известен способ изготовления материала газового сенсора для детектирования монооксида углерода СО без нагревателя [2]. Он включает получение нанокристаллических широкозонных полупроводниковых оксидов MeO (SnO2, ZnO, In2O3), получение золей квантовых точек узкозонных полупроводников CdX (X=Se, Te, S) и пропитку оксидов золями квантовых точек с последующей сушкой до формирования гетероконтактов MeO/CdX. Полученный материал дополнительно наносят на изолированную подложку из поликристаллического оксида алюминия с платиновыми измерительными электродами и встроенным светоизлучающим диодом с длиной волны в диапазоне 455-532 нм. Установлено, что в результате светового воздействия в присутствии 20 ppm СО проводимость сенсора на основе SnO2 без нанесения фотосенсибилизатора увеличилась в 12 раз, а проводимость сенсибилизированного квантовыми точками на основе CdSe увеличилась в 53 раза. Также установлено, что в результате светового воздействия в атмосфере воздуха, содержащего 240 ppm СО, проводимость сенсора на основе ZnO без нанесения фотосенсибилизатора, увеличилась в 20 раз, а проводимость сенсора, сенсибилизированного квантовым точками на основе CdS, увеличилась в 177 раз. Недостатком такого способа является достаточно сложная конструкция сенсора, требующая для работы светоизлучающего диода, а также отсутствует концентрационная зависимость чувствительности.
Известен полупроводниковый газовый сенсор [3], содержащий корпус реакционной камеры, с торца закрытый сеткой, в котором на контактных проводниках установлен шарообразный полупроводниковый газочувствительный элемент, внутри которого размещен нагреватель в виде цилиндрической пружины, внутри которой по ее оси и по диаметру шарообразного полупроводникового элемента расположен прямой измерительный проводник. Корпус реакционной камеры в предложенном способе выполнен из коррозионно-стойкой стали, сетка выполнена из проволоки нержавеющей стали диаметром 0,03-0,04 мм шагом 0,06-0,08 мм. Газочувствительный элемент расположен по центру реакционной камеры, нагреватель и измерительный проводник газочувствительного слоя выполнены из платиновой проволоки диаметром 0,01-0,02 мм. Нагреватель имеет 2-7 витка проволоки, шарообразный полупроводниковый газочувствительный элемент имеет диаметр 0,4-0,8 мм и выполнен из смеси оксида олова SnO2: 5-95 мас.% и оксида индия In2O3: 5-95 мас.%. Недостатком такого сенсора является достаточно сложная конструкция, требующая использования шарообразного газочувствительного элемента, дорогостоящего нагревателя из платины, а также использован лишь узкий концентрационный диапазон (1-20 ppm для Н2 и 3-86 ppm для СО) сенсорного отклика.
Известен способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования H2S и его производных [4]. Он включает получение нитевидных кристаллов проводимости n-типа на основе SnO2, ZnO, In2O3, пропитку этих кристаллов растворами солей Cu, Ni, Со с последующим отжигом до формирования оксидов проводимости р-типа CuO, NiO, Co3O4 и образованием p-n гетероконтактов. Полученный материал наносят в виде пасты со связующим, в качестве которого используют раствор α-терпинеола в спирте, после чего производят нагревание пасты при температуре 450°C в течение 6 часов для удаления связующего. Материал наносят на изолирующую подложку из поликристаллического оксида алюминия с платиновыми измерительными электродами на лицевой стороне и платиновым тонкопленочным нагревателем на обратной стороне. Установлено, что сенсорный сигнал при воздействии 2 ppm H2S при нанесении на поверхность нитей n-SnO2 кластеров p-CuO увеличивается в 21 раз, при нанесении кластеров p-NiO в 13 раз, при нанесении кластеров p-Co3O4 - в 28 раз. Также установлено, что во всех случаях при нанесении на поверхность нитей n-SnO2 кластеров p-Co3O4 сенсорный сигнал уменьшается: при детектировании 14,1 ppm СО в 10 раз, при детектировании 21 ppm NH3 в 1,2 раза, а при детектировании 1,7 ppm NO2 в 80 раз. Недостатком такого способа является использование дорогостоящего нагревателя из платины, а также не рассмотрена концентрационная зависимость чувствительности.
Известен способ изготовления газового сенсора с наноструктурой и газовый сенсор на его основе [5]. Он заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют газочувствительный слой, после чего ее закрепляют в корпусе сенсора, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Газочувствительный слой формируют в виде тонкой нитевидной наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80%, где 20% - массовая доля SiO2, а 80% - массовая доля компонента SnO2, путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния, на поверхности которой методом локального анодного окисления сформирована область шириной 1 мкм, глубиной 200 нм, с помощью центрифуги и последующим отжигом, золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт (95%) в соотношении 1:1,046 при комнатной температуре и смесь выдерживают до 30 минут, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду в соотношении 1:0,323, соляную кислоту (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2⋅2H2O) в соотношении 1:0,399, где за единицу принят объем ТЭОС, и перемешивают не менее 60 минут. Недостатком такого способа является относительно низкая чувствительность к газам-восстановителям (парам этанола) при комнатной температуре и узкий диапазон концентраций детектируемых газов (до 1200 ppm).
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является способ получения газочувстительного материала на основе оксида цинка к парам ацетона [6]. Он заключается в приготовлении золя путем растворения неорганической соли цинка в спирте, добавлении тетраэтоксисилана, распределении золя по поверхности подложки и отжиге. Также дополнительно проводят обработку полученного материала потоком электронов, ускоренных до энергии 540-900 кэВ, при поглощенной дозе 25-200 кГр, в результате чего чувствительность материала возрастает по сравнению с необработанным материалом. Максимум чувствительности к парам ацетона (49,1 отн. ед.) наблюдается в результате электронно-лучевой обработки при энергии 900 кэВ и поглощенной дозе 200 кГр. Недостатком такого способа является недостаточно высокая чувствительность к другим газам-восстановителям (например, парам этанола), а также не рассмотрена концентрационная зависимость сенсорного отклика.
Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности газового сенсора за счет использования термовольтаического эффекта в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью.
Это достигается тем, что в известном способе газочувствительный материал на основе оксида цинка формировали методом золь-гель технологии [7] в виде двухслойной наноструктуры ZnO-ZnO:Cu, в которой верхний слой модифицирован атомами меди (Cu). Данная технология позволяет существенно упростить изготовление чувствительных элементов сенсоров, а как следствие этого, себестоимость изделия. Пленкообразующие золи приготавливали путем растворения неорганических солей цинка и меди (использовали ацетат цинка - (CH3COO)2Zn⋅2H2O и дигидрат ацетата меди - (СН3СОО)2Cu⋅2Н2О) в спирте (использовали 2-метоксиэтаноле СН3ОСН2СН2ОН) с последующим добавлением поверхностно-активного вещества (использовали моноэтаноламина HOCH2CH2NH2). Все прекурсоры смешивались в круглодонной колбе и перемешивались в течение 15 минут при комнатной температуре. Дальнейшее перемешивание производилось в течение 60 минут с помощью магнитной мешалки при температуре 60°C. После процессов перемешивания золь созревал в течение 24 ч при комнатной температуре. Время перемешивания и созревания золя были выбраны исходя из условия полного протекания реакций гидролиза соответствующих неорганических солей.
Процесс получения двухслойной наноструктуры ZnO-ZnO:Cu происходил в два этапа: формирование нижнего слоя чистого оксида цинка и формирование верхнего слоя оксида цинка, легированного медью. Распределение золей по поверхности подложки осуществлялось способом погружения покрываемого образца в пленкообразующий раствор (dip-coating). При формировании нижнего слоя подложка погружалась на ⅔ длины в золь и просушивалась при 80°C в течение 30 минут. Для получения заданной толщины пленок (100-500 нм) проводилось многократное погружение с последующей сушкой в течение 30 мин при 80°C после каждого окунания. Верхний слой формировали двумя или тремя погружениями другого конца подложки на ⅔ длины в золь и просушкой при 80°C в течение 30 минут. От количества погружений верхнего слоя зависела морфоструктура и неоднородность легирования чувствительного элемента, а как следствие этого, сенсорный отклик. Окончательный отжиг пленок осуществлялся при температуре 500°C в течение 1 ч, что обеспечивало переход золя в ксерогель и формирование заданной морфоструктуры газочувствительного материала.
На фиг. 1 представлена структура чувствительного элемента газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка, неоднородно легированного примесями. Чувствительный элемент содержит: диэлектрическую подложку 1 (использовался Rubalit® 710) и газочувствительный материал на основе двухслойной наноструктуры ZnO-ZnO:Cu, в которой нижний слой 2 выполнен из ZnO, а верхний слой 3 из ZnO:Cu.
На фиг. 2 представлены данные растровой электронной микроскопии морфологии поверхности двухслойной наноструктуры ZnO-ZnO:Cu, полученной двумя (фиг. 2а,б) и тремя (фиг. 2в,г) погружениями верхнего слоя соответственно. Видно, что в независимости от количества погружений данная наноструктура имеет развитую пористо-фрактальную поверхность [8] в виде сетки (фиг. 2 а,в - увеличение в 5000 раз, фиг. 2 б,г - увеличение в 10000 раз), состоящей из квазисферических кластерных образований. Такие структуры образуются в результате спинодального распада на две фазы, происходящего при «химическом» охлаждении золя, т.е. полимеризации, сопровождающейся уменьшением комбинационной энтропии. В случае двух погружений, размер проводящих ветвей сетки, образованной оксидом цинка, существенно меньше (в 2-3 раза), чем у ветвей сетчатой наноструктуры ZnO-ZnO:Cu, полученной тремя погружениями верхнего слоя, что приводит к различной газочувствительности материала.
В основе механизма газочувствительности предложенных двухслойных наноструктур лежат процессы хемосорбции атмосферного кислорода и газа-анализатора. Данные процессы происходят как на поверхности верхнего слоя ZnO-Cu, так и на нелегированном ZnO. В случае воздействия на сенсор паров газа-восстановителя, первый процесс приводит к обеднению поверхности пленки ZnO-Cu свободными дырками, что, в конечном счете, сказывается на значении эдс и приведет к ее уменьшению (в этом случае потенциальный барьер увеличивается). Следует отметить, что этот процесс может быть выражен довольно слабо в силу высокого уровня легирования пленки. Малая концентрация газа-анализатора в этом случае приведет к незначительному относительному изменению концентрации носителей заряда. Второй процесс связан с обогащением свободными электронами пленки ZnO, что также приводит к увеличению потенциального барьера.
Таким образом, оба процесса приводят изменению значения возникающей эдс. Ее относительное изменение характеризует газочувствительность (S=((ΔUair-ΔUgas)/ΔUgas)⋅100%, где ΔUair, ΔUgas - эдс двухслойной наноструктуры ZnO-ZnO:Cu на воздухе и при воздействии детектируемого газа соответственно) при заданном значении концентрации газа-анализатора. В случае трех погружений для формирования верхнего слоя кристаллическая структура пленки будет улучшаться (размер проводящих ветвей больше, их кристаллическая структура более выражена - фиг. 2 в,г), что в ряде случаев приводит к уменьшению концентрации свободных дырок. Это, в свою очередь, вызывает увеличение относительного изменения концентрации носителей при процессах хемосорбции газов-восстановителей и повышению чувствительности.
На фиг. 3 показана конструкция газового сенсора нового поколения, принцип работы которых основан на термовольтаическом эффекте в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью, который изготавливается по предлагаемому способу. Газовый сенсор содержит корпус 1, основание 10 для размещения чувствительного элемента 2 в виде двухслойной наноструктуры ZnO-ZnO:Cu, в которой нижний слой 3 выполнен из чистого оксида цинка, а верхний слой 4 модифицирован атомами меди и нанесен двумя и тремя погружениями подложки 9 в золь соответственно. Конструкция сенсора предусматривает наличие точечных контактов 5, обеспечивающих съем сенсорного сигнала, представляющий изменение эдс структуры, нагретой до постоянной температуры, при воздействии детектируемых газов (например, паров этанола). Точечные контакты 5 соединены с выводами корпуса 6, расположенными в изоляторе 8. Для обеспечения проникновения детектируемого газа в корпус сенсора используется штуцер 7.
Газовый сенсор, изготавливаемый по предлагаемому способу, работает следующим образом. Чувствительный элемент 2 с прижимными точечными контактами 5 при помощи выводов корпуса 6 включают в мостовую измерительную цепь (мост) в качестве одного из ее плеч, с помощью подстроечного резистора (не показан), мост балансируют (показания сенсора устанавливают в нуль в условиях отсутствия детектируемых газов при фиксированной температуре нагрева чувствительного элемента). Взаимодействие газа с двухслойной наноструктурой ZnO-ZnO:Cu приводит к изменению разности потенциалов (ЭДС), генерируемой чувствительным элементом, вследствие протекания поверхностных реакций. Так как чувствительный элемент 2 включен в мостовую измерительную цепь, то с изменением концентрации газа происходит ее разбаланс, который является функцией концентрации газа.
На фиг. 4 представлена температурная (фиг. 4, а) и концентрационная зависимость (фиг. 4 б) сенсорного отклика, которую определяли по формуле S=((ΔUair-ΔUgas)/ΔUgas)⋅100%. Кривые 1 и 2 (фиг. 4, а) - чувствительный элемент сенсора на основе двухслойной наноструктуры ZnO-ZnO:Cu с верхним слоем, полученным двумя и тремя окунаниями соответственно (зависимости получены при концентрации паров этанола 1500 ppm). Кривые 1 и 2 (фиг. 4, б) - чувствительный элемент сенсора с верхним слоем, полученным двумя и тремя окунаниями соответственно (зависимости получены при температуре 300°C). Анализ данных, представленных на фиг. 4 показывает, что использование термовольтаического эффекта в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью, позволяет существенно повысить чувствительность газовых сенсоров, изготовленных по предлагаемому способу, по сравнению с известным способом [6].
Предлагаемый способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка может найти широкой применение при производстве измерительной аппаратуры, например при изготовлении мультисенсорных систем, предназначенных для детектирование низких и сверхнизких концентраций газов.
Список использованных источников
1. Пронин И.А., Аверин И.А., Божинова А.С., Георгиева А.Ц., Димитров Д.Ц., Карманов А.А., Мошников В.А., Папазова К.И., Теруков Е.И., Якушова Н.Д. Термовольтаический эффект в оксиде цинка, неоднородно легированном примесями с переменной валентностью // Письма в ЖТФ, 2015. - Т. 41. - №19. - С. 23-29.
2. Патент РФ №2544272, G01N 27/00, В82В 1/00. Способ изготовления материала газового сенсора для детектирования монооксида углерода СО без нагревателя // Бюл. №36 от 27.12.2014.
3. Патент РФ №2509303, G01N 27/14. Полупроводниковый газовый сенсор // Бюл. №7 от 29.10.2012.
4. Патент РФ №2537466, G01N 27/12, B82Y 40/00. Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования H2S и его производных // Бюл. №32 от 20.11.2014.
5. Патент РФ №2532428, G01N 27/12, В82В 3/00. Способ изготовления газового сенсора с наноструктурой и газовый сенсор на его основе // Бюл. №31 от 10.11.2014.
6. Патент РФ №2509302, G01N 27/12, B82Y 30/00. Способ получения газочувствительного материала на основе оксида цинка к парам ацетона // Бюл. №7 от 10.03.2014.
7. Аверин И.А., Карманов А.А., Мошников В.А., Печерская P.M., Пронин И.А. Особенности синтеза и исследования нанокомпозитных пленок, полученных методом золь-гель-технологии // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2012. - №2. - С. 155-162.
8. Пронин И.А., Аверин И.А., Димитров Д.Ц., Карманов А.А. Особенности структурообразования и модели синтеза нанокомпозитных материалов состава SiO2-MexOy, полученных с помощью золь-гель-технологии // Нано- и микросистемная техника, 2014. - №8. - С. 3-7.
Claims (3)
1. Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка, заключающийся в приготовлении золя путем растворения неорганической соли цинка в спирте, отличающийся тем, что в золь добавляют поверхностно-активное вещество, после чего проводится перемешивание с последующим созреванием золя и изготавливается двухслойная наноструктура ZnO-ZnO:Cu, в которой наблюдается термовольтаический эффект, в два этапа, на первом формируется нижний слой чистого оксида цинка путем погружения подложки на длины в золь и сушки, на втором формируется верхний слой оксида цинка, легированного медью, двумя погружениями на длины другого конца подложки с последующей сушкой и отжигом.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что верхний слой на основе оксида цинка, легированного медью, формируют тремя погружениями.
3. Газовый сенсор, изготовленный по пп. 1 и 2, содержащий корпус, установленную в нем на основании двухслойную наноструктуру ZnO-ZnO:Cu с полученным двумя или тремя окунаниями верхним слоем, нанесенную на подложку, точечные контакты, соединенные с выводами корпуса, помещенными в изолятор, и штуцер, обеспечивающий контакт детектируемого газа с чувствительным элементом.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015142496A RU2613488C1 (ru) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015142496A RU2613488C1 (ru) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2613488C1 true RU2613488C1 (ru) | 2017-03-16 |
Family
ID=58458415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015142496A RU2613488C1 (ru) | 2015-10-06 | 2015-10-06 | Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2613488C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2732802C1 (ru) * | 2019-09-26 | 2020-09-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Способ получения чувствительных элементов на основе кремний-углеродных композитов и изготовления газовых сенсоров на их основе |
CN114993972A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-02 | 江南大学 | 一种ZnO纳米线、NO2气体传感器及其制备和应用 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
UA8572A1 (ru) * | 1988-01-06 | 1996-09-30 | Спеціальне Конструкторсько-Технологічне Бюро З Експериментальним Виробництвом Іяд Аh України | Чувствительный элемент газоанализатора на кислород |
CN1746113A (zh) * | 2005-08-16 | 2006-03-15 | 北京理工大学 | 燃烧-氧化法生长纳米结构氧化锌的反应器技术 |
CN102965622A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-03-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法 |
RU2509302C1 (ru) * | 2012-10-15 | 2014-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Способ получения газочувствительного материала на основе оксида цинка к парам ацетона |
RU2544272C2 (ru) * | 2013-06-17 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ изготовления материала газового сенсора для детектирования монооксида углерода со без нагревания |
-
2015
- 2015-10-06 RU RU2015142496A patent/RU2613488C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
UA8572A1 (ru) * | 1988-01-06 | 1996-09-30 | Спеціальне Конструкторсько-Технологічне Бюро З Експериментальним Виробництвом Іяд Аh України | Чувствительный элемент газоанализатора на кислород |
CN1746113A (zh) * | 2005-08-16 | 2006-03-15 | 北京理工大学 | 燃烧-氧化法生长纳米结构氧化锌的反应器技术 |
RU2509302C1 (ru) * | 2012-10-15 | 2014-03-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" | Способ получения газочувствительного материала на основе оксида цинка к парам ацетона |
CN102965622A (zh) * | 2012-12-19 | 2013-03-13 | 中国科学院微电子研究所 | 一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法 |
RU2544272C2 (ru) * | 2013-06-17 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ изготовления материала газового сенсора для детектирования монооксида углерода со без нагревания |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2732802C1 (ru) * | 2019-09-26 | 2020-09-22 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Способ получения чувствительных элементов на основе кремний-углеродных композитов и изготовления газовых сенсоров на их основе |
RU2732802C9 (ru) * | 2019-09-26 | 2020-11-03 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева" (РХТУ им. Д.И. Менделеева) | Способ получения чувствительных элементов на основе кремний-углеродных композитов и изготовления газовых сенсоров на их основе |
CN114993972A (zh) * | 2022-05-27 | 2022-09-02 | 江南大学 | 一种ZnO纳米线、NO2气体传感器及其制备和应用 |
CN114993972B (zh) * | 2022-05-27 | 2023-08-11 | 江南大学 | 一种ZnO纳米线、NO2气体传感器及其制备和应用 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Chen et al. | In-situ growth of ZnO nanowire arrays on the sensing electrode via a facile hydrothermal route for high-performance NO2 sensor | |
Karthik et al. | Porous silicon ZnO/SnO2 structures for CO2 detection | |
Joshi et al. | One-step approach for preparing ozone gas sensors based on hierarchical NiCo 2 O 4 structures | |
Mani et al. | A highly selective and wide range ammonia sensor—Nanostructured ZnO: Co thin film | |
Pandeeswari et al. | High sensing response of β-Ga2O3 thin film towards ammonia vapours: Influencing factors at room temperature | |
Abdullah et al. | High performance room temperature GaN-nanowires hydrogen gas sensor fabricated by chemical vapor deposition (CVD) technique | |
Haidry et al. | Characterization and hydrogen gas sensing properties of TiO2 thin films prepared by sol–gel method | |
Banerjee et al. | High dynamic range methanol sensor based on aligned ZnO nanorods | |
Huh et al. | Highly sensitive hydrogen detection of catalyst-free ZnO nanorod networks suspended by lithography-assisted growth | |
Kumar et al. | Nanostructured ceria thin film for ethanol and trimethylamine sensing | |
US9739738B2 (en) | Gas sensor element | |
Wang et al. | Sharply-precipitated spherical assembly of ZnO nanosheets for low temperature H2S gas sensing performances | |
JP6518513B2 (ja) | 水素検出彩色センサー | |
Samanta et al. | ZnO/Si nanowires heterojunction array-based nitric oxide (NO) gas sensor with noise-limited detectivity approaching 10 ppb | |
Ridha et al. | Dimensional effect of ZnO nanorods on gas-sensing performance | |
KR101364138B1 (ko) | 팔라듐 입자가 코팅된 산화아연주석 나노로드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센서 | |
KR101339114B1 (ko) | 팔라듐이 코팅된 산화구리(ⅱ) 나노막대, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센서 | |
RU2687869C1 (ru) | Способ изготовления газового сенсора с наноструктурой со сверхразвитой поверхностью и газовый сенсор на его основе | |
RU2613488C1 (ru) | Способ изготовления газового сенсора на основе термовольтаического эффекта в оксиде цинка | |
Moon et al. | Glancing angle deposited WO3 nanostructures for enhanced sensitivity and selectivity to NO2 in gas mixture | |
Korotcenkov et al. | In2O3: Ga and In2O3: P-based one-electrode gas sensors: Comparative study | |
RU2537466C2 (ru) | Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных | |
Ramgir et al. | NO2 sensor based on Al modified ZnO nanowires | |
RU2532428C1 (ru) | Способ изготовления газового сенсора с наноструктурой и газовый сенсор на его основе | |
Santhosam et al. | Donated free electrons induced enhancement in the NH3 sensing ability of ZnO thin films-Effect of terbium loading |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20181007 |