RU2537466C2 - Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных - Google Patents
Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных Download PDFInfo
- Publication number
- RU2537466C2 RU2537466C2 RU2013121266/28A RU2013121266A RU2537466C2 RU 2537466 C2 RU2537466 C2 RU 2537466C2 RU 2013121266/28 A RU2013121266/28 A RU 2013121266/28A RU 2013121266 A RU2013121266 A RU 2013121266A RU 2537466 C2 RU2537466 C2 RU 2537466C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sno
- air
- sensor
- derivatives
- zno
- Prior art date
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области нанотехнологии сенсорных материалов и может быть использовано для создания полупроводниковых газовых сенсоров, селективных к содержанию в воздухе сероводорода и его производных. Сущность изобретения состоит в создании наногетерогенного материала на основе нитевидных кристаллов оксидов n-типа проводимости SnO2, ZnO, In2О3 и иммобилизованных на их поверхности нанокластеров оксидов p-типа проводимости CuO, NiO, Со3O4. Способ изготовления включает получение нитевидных кристаллов из пара и пропитку кристаллов растворами солей с последующим отжигом для формирования р-n гетероконтактов. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности газового сенсора селективно к H2S и его производным в воздухе.2 з.п. ф-лы, 2 пр.
Description
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к газовым сенсорам, конкретно к устройствам, детектирующим сероводород и его производные в воздухе. Сероводород H2S является продуктом распада органических и биологических веществ, представляет собой газ с неприятным резким запахом, является одним из наиболее токсичных загрязнителей воздуха с широким спектром отравляющего воздействия на человека и животных. На уровне концентраций 170 мг/м3 сероводород полностью парализует обоняние человека за время от 30 до 50 секунд, при более высоких концентрациях сероводород блокирует легкие и вызывает летальный исход. Предельно допустимая концентрация (ПДК) сероводорода в воздухе рабочей зоны составляет 10 мг/м3 (7.1 ppm).
Уровень техники
Для детектирования токсичных газов в воздухе на уровне ПДК широко используются полупроводниковые сенсоры резистивного типа. Наиболее широкое распространение получили сенсорные устройства на основе толстых пленок нанокристаллических диоксида олова SnO2 и оксида цинка ZnO. Механизм действия подобных устройств основан на изменении электропроводности сенсорного слоя в ходе происходящих на его поверхности химических превращений, например взаимодействия сероводорода с хемосорбированным кислородом. Сенсоры на основе SnO2 и ZnO характеризуются высокой чувствительностью, невысокой стоимостью, хорошей скоростью отклика и рядом других преимуществ. В то же время их типичными недостатками являются низкая селективность и недостаточная стабильность. Основной причиной низкой селективности является наличие на поверхности оксидов SnO2 и ZnO активных центров различной природы, которые вызывают отклик чувствительного материала на различные газы в атмосфере. Невысокая стабильность отклика сенсоров при длительном использовании вызвана, в первую очередь, деградацией материала, ростом зерен нанокристаллических оксидов при температуре детектирования. С целью повышения селективности в сенсорных устройствах используются модификаторы на основе металлов платиновой группы, которые в виде кластеров наносят на поверхность зерен полупроводникового оксида. Стабильность сенсоров может быть улучшена путем замены структуры чувствительного слоя с поликристаллической на монокристаллическую структуру нитевидных кристаллов SnO2 или ZnO (И.А.Мясников, В.Л.Сухрев, Л.Ю.Куприянов, С.А.Завьялов. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях, М.: Наука, 1991).
Известно сенсорное устройство (Патент США №3,901,067, 1975) для индикации сероводорода, включающее изолирующую подложку с измерительными электродами, чувствительный слой поликристаллического оксида олова, легированного алюминием, толщиной 4000 Ǻ и нагревательный элемент. Указанное устройство обеспечивает чувствительность к концентрации сероводорода 1 ppm в воздухе при умеренной температуре нагревательного элемента (130°С). Недостатками предложенного устройства являются значительное время возврата в исходное состояние, обычно несколько минут. Для улучшения динамических свойств сенсора повышают рабочую температуру до 400°С, что приводит к невоспроизводимости измерений и существенно сокращает время гарантированной работы сенсора.
Описано сенсорное устройство для индикации сероводорода на основе множества отдельных нитевидных кристаллов ZnO диаметром до 30 нм, закрепленных на подложке и объединенных между собой двумя электрическими контактами на противоположных концах нанонитей (Патент США №8030185, В2, 2011). Способ заключается в нанесении на нити одновременно множества островков диаметром 10-50 нм различных металлов: платины (Pt), палладия (Pd), никеля (Ni) и кобальта (Со). Использование массива нитевидных нанокристаллов позволяет избежать деградации структуры и существенно повысить величину удельной поверхности чувствительного слоя. Наличие одновременно на поверхности нитевидных кристаллов островков разных по своей природе каталитических металлов существенно повышает чувствительность материала к токсичным газам и позволяет детектировать суммарно низкие концентрации вредных примесей в воздухе. Способ относится к газовым сенсорам, в которых измеряется сопротивление массива нитевидных кристаллов с нанесенными островками металлов в воздухе, содержащем газообразные примеси. Недостатком метода является существенное ограничение в селективности сенсора особенно при детектировании газов-восстановителей СО, H2S, NH3. Несмотря на высокую чувствительность невозможно в сигнале сенсора выделить вклад той или иной группы веществ, например, серосодержащих молекул, что является серьезным недостатком, особенно при мониторинге качества воздуха в крупных городах, в местах массового скопления людей, вблизи химических предприятий и заводов по переработке нефти и газа.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ создания сенсорного материала (Патент США №20120097917 А1, 2012), в котором в качестве активного компонента используется множество (система) нанонитей оксида цинка ZnO или оксида олова SnO2, с нанесенными кластерами благородных металлов Au, Pt, Pd. Нити вертикально закреплены на изолирующей подложке с контактами. Преимуществом устройства являются высокая чувствительность к сероводороду с концентрацией на уровне ppb и низкая (комнатная) рабочая температура. Чувствительный слой характеризуется также высокой стабильностью структуры. Существенным недостатком устройства является его низкая селективность, сенсор реагирует на присутствие в воздухе не только H2S, но и других газов-восстановителей СО, NH3, Н2 и газа-окислителя NO2. Для повышения селективности предлагается анализировать время отклика сенсора одновременно с изменением электропроводности. Однако в случае смеси газов выделить вклад того или иного загрязнителя не представляется возможным.
Раскрытие изобретения
Техническим эффектом настоящего изобретения является улучшение селективности полупроводниковых сенсорных материалов при детектировании сероводорода и его производных в воздухе при обеспечении высокой чувствительности и стабильности структуры чувствительного слоя сенсора.
Поставленная задача была решена настоящим изобретением. Способ изготовления материала газового сенсора для селективного детектирования H2S и его производных осуществляют согласно изобретению получением нитевидных кристаллов SnO2, ZnO, In2O3 проводимости n-типа, пропиткой этих кристаллов растворами солей Cu, Ni, Со с последующим отжигом до формирования оксидов CuO, NiO, Cо3O4 проводимости р-типа и образования р-n гетероконтактов. Полученный материал предпочтительно наносят на изолирующую подложку из поликристаллического оксида алюминия с платиновыми измерительными электродами на лицевой стороне и платиновым тонкопленочным нагревателем на обратной стороне. Полученный материал также предпочтительно наносят в виде пасты со связующим, в качестве которого используют раствор а-терпинеола в спирте, после чего производят нагревание пасты при температуре 450°С -500°С в течение 6 часов для удаления связующего.
Осуществление изобретения
В предпочтительном варианте осуществления изобретения нитевидные кристаллы SnO2, In2O3 или ZnO получают из пара на подложке поликристаллического Al2O3 в горизонтальном проточном реакторе при температуре конденсации 950°С-1030°С в атмосфере инертного газа с содержанием кислорода 0.05-0.1 об.%. Нанесение на поверхность нитевидных кристаллов кластеров оксидов меди, никеля и кобальта проводят методом пропитки множества нитевидных кристаллов растворами ацетатов или нитратов металлов с последующей сушкой при температуре 100°С и отжигом в атмосфере кислорода при температуре 250°С в течение 24 часов. После окончания отжига нитевидные кристаллы отделяют механически от подложки.
Возможно получение нанонитей SnO2, In2Oз или ZnO и нанесение кластеров оксидов меди, никеля и кобальта на их поверхность методом химического осаждения из пара (CVD) в вакуумном реакторе с использованием алкоголятов и комплексных соединений в качестве прекурсоров. В качестве исходных веществ используют летучие алкоголяты и комплексные соединения, такие как ди- и тетра трет-бутилаты олова: Sn(OtBu)2 и Sn(OtBu)4, ацетилацетонаты и др. Синтез нанонитей проводится в условиях высокого вакуума (10-6 мбар). Температура испарения металл органического прекурсора составляет 50-200°С, температура конденсации 500-800°С.
В результате синтеза получают наногетерогенные материалы, состоящие из нитевидных кристаллов полупроводниковых оксидов n-типа проводимости с иммобилизованными на их поверхности кластерами оксидов металлов p-типа проводимости. Содержание оксидов p-типа проводимости в наногетерогенных материалах составляет 0.6-0.8 мол.%.
В зависимости от состава могут быть получены различные сенсорные материалы: SnO2/CuO, SnO2/NiO, SnO2/Co3O4, ZnO/Co3O4, ZnO/CuO, ZnO/NiO, In2O3/Co3O4, In2O3/CuO, In2O3/NiO.
Полученные настоящим способом материалы характеризуются наличием на поверхности нитевидного кристалла системы р-n гетероконтактов, которые формируют энергетические барьеры для транспорта электронов. Следствием образования р-n переходов является существенное повышение электрического сопротивления нитевидных кристаллов в атмосфере чистого воздуха. В присутствии следовых концентраций сероводорода в воздухе на поверхности нитей при температуре 150-350°С происходит селективная химическая реакция взаимодействия кластеров оксидов p-типа проводимости CuO, NiO, Co3O4 с сероводородом, которая приводит к образованию хорошо проводящих электрический ток сульфидов металлов. Результатом этой реакции является снятие р-n переходов и связанных с ними энергетических барьеров для транспорта электронов и как следствие резкое уменьшение сопротивления нитей. На воздухе в отсутствие сероводорода электрические свойства нитевидных кристаллов возвращаются в начальное состояние в результате обратной реакции взаимодействия сульфидов металлов с кислородом с образованием оксидов CuO, NiO, Co3O4 p-типа проводимости. Многократное циклирование состава атмосферы: чистый воздух/10 ppm H2S свидетельствует о полной обратимости эффекта изменения электрического сопротивления. Установлено, что нитевидные кристаллы n-типа проводимости SnO2, ln2O3, ZnO в условиях следовой концентрации сероводорода и температуры 150-350°С не вступают в реакции с сероводородом с образованием сульфидов.
Полученные сенсорные материалы использовали для изготовления и тестирования газовых сенсоров, для этого материалы наносили на микроэлектронный чип, включающий в себя в качестве основных элементов изолирующую подложку из поликристаллического A12O3 с платиновыми измерительными электродами на лицевой стороне и платиновым тонкопленочным нагревателем на обратной стороне. Чувствительный слой на основе нитевидных кристаллов наносили между измерительными электродами. Сенсорные свойства определяли измерением сопротивления чувствительного слоя в зависимости от содержания в воздухе сероводорода.
Сигнал сенсора рассчитывали как отношение проводимости сенсора в присутствии сероводорода в воздухе к проводимости сенсора на воздухе. Установлено, что предложенные настоящим изобретением материалы проявляют высокую чувствительность к содержанию в воздухе сероводорода и его производных на уровне предельно допустимых концентраций рабочей зоны.
Пример 1. Детектирование H2S нитевидными кристаллами SnO2 и наногетерогенными материалами SnO2/CuO, SnO2/NiO, SnO2/Co3O4
Сенсоры на основе массива нитевидных кристаллов SnO2 и наногетерогенных материалов SnO2/CuO, SnO2/NiO, SnO2/Co3O4, подключенные к прибору для одновременного измерения электропроводности 4 сенсоров, помещали в ячейку, в которую пропускали чистый воздух и затем газовую смесь, содержащую 2 ppm H2S в воздухе. Так как H2S газ-восстановитель, то в присутствии сероводорода электропроводность чувствительного слоя n-типа проводимости увеличивалась, а в атмосфере чистого воздуха уменьшалась. Детектирование H2S проводили при температуре 300°С. Исследование сенсорных свойств проводили при циклическом изменении потока воздуха и потока газовой смеси, содержащей H2S. Суммарный поток газа над сенсором оставался постоянным и составлял 100 мл/мин.
В результате эксперимента установлено, что сенсорный сигнал, рассчитанный как описано выше, на 2 ppm H2S при нанесении на поверхность нитей n-SnO2 кластеров р-CuO увеличивается в 21 раз, при нанесении кластеров р-NiO - в 13 раз и при нанесении кластеров р-Co3O4 - в 28 раз.
Пример 2. Детектирование газов восстановителей СО и NH3 и газа окислителя NO2 нитевидными кристаллами SnO2 и наногетерогенными материалами SnO2/Co3O4
Сенсоры на основе массива нитевидных кристаллов SnO2 и наногетерогенных материалов 8nO2/Co3O4, подключенные к прибору для измерения электропроводности, помещали в ячейку, в которую последовательно пропускали чистый воздух и затем газовые смеси, содержащие 21 ppm NH3 в воздухе, 14.1 ppm СО в воздухе или 1.7 ppm NO2 в воздухе. Время экспозиции сенсоров в атмосфере загрязнителей составляло 5 минут, в чистом воздухе 15 минут. Так как NH3 и СО газы-восстановители, то их присутствие в воздухе приводит к повышению величины электропроводности чувствительного слоя n-типа проводимости по сравнению с электропроводностью в чистом воздухе, в то время как присутствие в воздухе газа-окислителя NO2 приводит к понижению величины электропроводности. Детектирование проводили при температуре 300°С. Суммарный поток газа над сенсором оставался постоянным и составлял 100 мл/мин.
В результате эксперимента было установлено, во всех случаях при нанесении на поверхность нитей n-SnO2 кластеров р-Co3O4 сенсорный сигнал уменьшается: при детектировании СО в 10 раз, при детектировании NH3 в 1.2 раза и при детектировании NO2 в 80 раз.
Claims (3)
1. Способ изготовления материала газового сенсора для селективного детектирования H2S и его производных в воздухе, включающий получение нитевидных кристаллов проводимости n-типа на основе SnO2, ZnO, In2О3, пропитку этих кристаллов растворами солей Cu, Ni, Со с последующим отжигом до формирования оксидов проводимости р-типа CuO, NiO, Сo3О4 и образованием р-n гетероконтактов.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что полученный материал дополнительно наносят на изолирующую подложку из поликристаллического оксида алюминия с платиновыми измерительными электродами на лицевой стороне и платиновым тонкопленочным нагревателем на обратной стороне.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что полученный материал наносят в виде пасты со связующим, в качестве которого используют раствор а-терпинеола в спирте, после чего производят нагревание пасты при температуре 450°С в течение 6 часов для удаления связующего.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013121266/28A RU2537466C2 (ru) | 2013-05-08 | 2013-05-08 | Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013121266/28A RU2537466C2 (ru) | 2013-05-08 | 2013-05-08 | Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2013121266A RU2013121266A (ru) | 2014-11-20 |
RU2537466C2 true RU2537466C2 (ru) | 2015-01-10 |
Family
ID=53288321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013121266/28A RU2537466C2 (ru) | 2013-05-08 | 2013-05-08 | Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2537466C2 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108132282A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-06-08 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 连续双面异质结夹层结构的制备方法及其产品和应用 |
RU2682575C1 (ru) * | 2018-05-07 | 2019-03-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида никеля электрохимическим методом |
RU2684423C1 (ru) * | 2018-05-21 | 2019-04-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида цинка электрохимическим методом |
CN109632893A (zh) * | 2019-01-11 | 2019-04-16 | 东北大学 | 一种基于p-n异质结结构NiO-In2O3复合纳米球的气体传感器 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108398464A (zh) * | 2018-03-10 | 2018-08-14 | 吉林大学 | 一种基于中空球结构La掺杂氧化铟纳米敏感材料的H2S传感器及其制备方法 |
CN113277551A (zh) * | 2021-05-19 | 2021-08-20 | 郑州大学 | 一种复合钛酸锂镧材料、制备方法及应用 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2006845C1 (ru) * | 1991-06-26 | 1994-01-30 | Алексей Вячеславович Махин | Способ изготовления чувствительного элемента газовых датчиков |
SU1508751A1 (ru) * | 1987-07-24 | 1995-12-20 | Ереванский государственный университет | Материал чувствительного элемента датчика газов на основе керамики |
RU2008142447A (ru) * | 2008-10-28 | 2010-05-10 | Государственное учебно-научное учреждение химический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU) | Способ приготовления материала газового сенсора на основе диоксида олова |
US8236569B2 (en) * | 2007-08-07 | 2012-08-07 | University Of South Carolina | Multi-dimensional integrated detection and analysis system (MIDAS) based on microcantilvers |
-
2013
- 2013-05-08 RU RU2013121266/28A patent/RU2537466C2/ru active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU1508751A1 (ru) * | 1987-07-24 | 1995-12-20 | Ереванский государственный университет | Материал чувствительного элемента датчика газов на основе керамики |
RU2006845C1 (ru) * | 1991-06-26 | 1994-01-30 | Алексей Вячеславович Махин | Способ изготовления чувствительного элемента газовых датчиков |
US8236569B2 (en) * | 2007-08-07 | 2012-08-07 | University Of South Carolina | Multi-dimensional integrated detection and analysis system (MIDAS) based on microcantilvers |
RU2008142447A (ru) * | 2008-10-28 | 2010-05-10 | Государственное учебно-научное учреждение химический факультет Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU) | Способ приготовления материала газового сенсора на основе диоксида олова |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108132282A (zh) * | 2017-12-20 | 2018-06-08 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 连续双面异质结夹层结构的制备方法及其产品和应用 |
CN108132282B (zh) * | 2017-12-20 | 2020-09-18 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 连续双面异质结夹层结构的制备方法及其产品和应用 |
RU2682575C1 (ru) * | 2018-05-07 | 2019-03-19 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида никеля электрохимическим методом |
EA034568B1 (ru) * | 2018-05-07 | 2020-02-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." | Способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида никеля электрохимическим методом |
RU2684423C1 (ru) * | 2018-05-21 | 2019-04-09 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Способ изготовления хеморезистора на основе наноструктур оксида цинка электрохимическим методом |
CN109632893A (zh) * | 2019-01-11 | 2019-04-16 | 东北大学 | 一种基于p-n异质结结构NiO-In2O3复合纳米球的气体传感器 |
CN109632893B (zh) * | 2019-01-11 | 2022-02-25 | 东北大学 | 一种基于p-n异质结结构NiO-In2O3复合纳米球的气体传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2013121266A (ru) | 2014-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2537466C2 (ru) | Способ изготовления материала газового сенсора селективного детектирования н2s и его производных | |
Liu et al. | A high-response formaldehyde sensor based on fibrous Ag-ZnO/In2O3 with multi-level heterojunctions | |
Öztürk et al. | Fabrication of ZnO nanorods for NO2 sensor applications: effect of dimensions and electrode position | |
Cao et al. | Ethanol sensing behavior of Pd-nanoparticles decorated ZnO-nanorod based chemiresistive gas sensors | |
Chen et al. | In-situ growth of ZnO nanowire arrays on the sensing electrode via a facile hydrothermal route for high-performance NO2 sensor | |
Hosseini et al. | Room temperature H2S gas sensor based on rather aligned ZnO nanorods with flower-like structures | |
Liu et al. | Improved selective acetone sensing properties of Co-doped ZnO nanofibers by electrospinning | |
Comini et al. | Tin oxide nanobelts electrical and sensing properties | |
Pawar et al. | Synthesis of multi-dimensional ZnO nanostructures in aqueous medium for the application of gas sensor | |
Ruhland et al. | Gas-kinetic interactions of nitrous oxides with SnO2 surfaces | |
Abdullah et al. | High performance room temperature GaN-nanowires hydrogen gas sensor fabricated by chemical vapor deposition (CVD) technique | |
Cao et al. | Preparation and gas-sensing properties of pure and Nd-doped ZnO nanorods by low-heating solid-state chemical reaction | |
Salunkhe et al. | Liquefied petroleum gas (LPG) sensing properties of nanocrystalline CdO thin films prepared by chemical route: effect of molarities of precursor solution | |
Tian et al. | A low temperature gas sensor based on Pd-functionalized mesoporous SnO 2 fibers for detecting trace formaldehyde | |
Punetha et al. | Ultrasensitive NH 3 gas sensor based on Au/ZnO/n-Si heterojunction Schottky diode | |
RU2464554C1 (ru) | Газовый сенсор для индикации оксидов углерода и азота | |
Khan et al. | Reliable anatase-titania nanoclusters functionalized GaN sensor devices for UV assisted NO2 gas-sensing in ppb level | |
Wang et al. | Room-Temperature Chemiresistive Effect of ${\rm TiO} _ {2}\!-\!{\rm B} $ Nanowires to Nitroaromatic and Nitroamine Explosives | |
Hu et al. | Batch fabrication of formaldehyde sensors based on LaFeO3 thin film with ppb-level detection limit | |
Patil et al. | Room temperature ammonia gas sensing using MnO 2-modified ZnO thick film resistors | |
Samerjai et al. | NO2 gas sensing of flame-made Pt-loaded WO3 thick films | |
Ramgir et al. | NO2 sensor based on Al modified ZnO nanowires | |
Zhu et al. | High-performance ethanol sensor based on In2O3 nanospheres grown on silicon nanoporous pillar array | |
Hikku et al. | Al-Sn doped ZnO thin film nanosensor for monitoring NO2 concentration | |
Ferro et al. | Gas-sensing properties of sprayed films of (CdO)/sub x/(ZnO)/sub 1-x/mixed oxide |