RU2610055C1 - Способ изготовления полупроводникового прибора - Google Patents
Способ изготовления полупроводникового прибора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2610055C1 RU2610055C1 RU2015151324A RU2015151324A RU2610055C1 RU 2610055 C1 RU2610055 C1 RU 2610055C1 RU 2015151324 A RU2015151324 A RU 2015151324A RU 2015151324 A RU2015151324 A RU 2015151324A RU 2610055 C1 RU2610055 C1 RU 2610055C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- carbon
- temperature
- film
- devices
- contact resistance
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
Abstract
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением. В способе изготовления полупроводниковых приборов контакты к n+-областям истока/стока формируют нанесением пленки W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 газообразным Н2, при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом в соотношении (Н2 : WF6>200:1), со скоростью роста пленки W 8-10 нм/мин, с последующим введением на границу радела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 и отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин. Введение углерода на границу раздела W/n+ Si предотвращает диффузию Si в W. Углерод забивает межзеренные границы в W и препятствует тем самым диффузии Si в W. Технически результатом изобретения является снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления приборов с пониженным контактным сопротивлением.
Известен способ изготовления прибора [Пат. 5323053 США, МКИ H01L 29/48] с улучшенными характеристиками контактов к областям стока/истока. В n+-областях стока/истока в p-Si (100) - подложке вытравливаются V-канавки, на (111) - стенках которых выращиваются эпитаксиальные слои силицида иттрия толщиной 50 нм. Эти слои с малой высотой барьеров Шоттки. В таких приборах из-за нетехнологичности процесса формирования силицида иттрия ухудшаются характеристики приборов и повышаются токи утечки.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат. 5296387 США, МКИ H01L 21/265] с уменьшенным контактным сопротивлением, отличающийся тем, что перед формированием областей стока и истока во вскрытые окна проводится имплантация Ge с последующим влажным окислением. Способность к сегрегации германия между Si и SiO2 с образованием слоя чистого Ge используют для формирования приконтактных областей с низкими сопротивлениями.
Недостатками этого способа являются:
- повышенные значения контактного сопротивления;
- низкая технологичность;
- высокая дефектность.
Задачи, решаемые изобретением: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Задача решается формированием пленок W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 в газообразном Н2 при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, скорости роста пленки 8-10 нм/мин, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом (Н2 : WF6>200:1), с последующим введением на границу раздела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 с последующим отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин.
Технология способа состоит в следующем: на n+-слои областей истока/стока, сформированные на Si-подложке, формировали пленку W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 газообразным Н2, при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом в соотношении (Н2 : WF6>200:1), со скоростью роста пленки W 8-10 нм/мин. Затем вводили на границу радела W/n+ Si углерод с концентрацией 1013 см-3, с последующим отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин. Введение углерода на границу раздела W/n+ Si предотвращает диффузию Si в W. Углерод забивает межзеренные границы в W и препятствует тем самым диффузии Si в W. Затем наносится слой Al по стандартной технологии.
По предлагаемому способу были изготовлены и исследованы полупроводниковые приборы. Результаты обработки представлены в таблице.
Экспериментальные исследования показали, что выход годных полупроводниковых структур на партии пластин, сформированных в оптимальном режиме, увеличился на 22,6%.
Технический результат: снижение контактного сопротивления, обеспечение технологичности, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Стабильность параметров во всем эксплуатационном интервале температур была нормальной и соответствовала требованиям.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем формированием пленок W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 в газообразном Н2 при парциальном давлении Н2 133 Па, температуре 300°С, скорости роста пленки 8-10 нм/мин, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом (Н2 : WF6>200:1), с последующим введением на границу раздела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 и отжигом при температуре 450°С в течение 15 мин, позволяет повысить процент выхода годных и улучшить их надежность.
Claims (1)
- Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий процессы создания активных областей прибора, подзатворного диэлектрика, формирование контактов, отличающийся тем, что контакты к n+-областям истока/стока формируют нанесением пленки W реакцией восстановления гексафторида вольфрама WF6 газообразным Н2, при давлении 133 Па, температуре 300°С, с разбавлением поступающей в реактор смеси водородом в соотношении (Н2:WF6>200:1), со скоростью роста пленки W 8-10 нм/мин, с последующим введением на границу раздела W/n+ Si углерода с концентрацией 1013 см-3 и отжигом при температуре 450°С в течение - 15 мин.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015151324A RU2610055C1 (ru) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2015151324A RU2610055C1 (ru) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2610055C1 true RU2610055C1 (ru) | 2017-02-07 |
Family
ID=58457824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2015151324A RU2610055C1 (ru) | 2015-11-30 | 2015-11-30 | Способ изготовления полупроводникового прибора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2610055C1 (ru) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4584207A (en) * | 1984-09-24 | 1986-04-22 | General Electric Company | Method for nucleating and growing tungsten films |
US5356835A (en) * | 1991-03-29 | 1994-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method for forming low resistance and low defect density tungsten contacts to silicon semiconductor wafer |
US5510296A (en) * | 1995-04-27 | 1996-04-23 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Manufacturable process for tungsten polycide contacts using amorphous silicon |
US5646070A (en) * | 1990-12-19 | 1997-07-08 | Philips Electronics North American Corporation | Method of forming conductive region on silicon semiconductor material, and silicon semiconductor device with such region |
US6037263A (en) * | 1998-11-05 | 2000-03-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Plasma enhanced CVD deposition of tungsten and tungsten compounds |
JP2001358090A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US6641867B1 (en) * | 1998-03-31 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Methods for chemical vapor deposition of tungsten on silicon or dielectric |
RU2375785C1 (ru) * | 2008-07-14 | 2009-12-10 | Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии |
-
2015
- 2015-11-30 RU RU2015151324A patent/RU2610055C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4584207A (en) * | 1984-09-24 | 1986-04-22 | General Electric Company | Method for nucleating and growing tungsten films |
US5646070A (en) * | 1990-12-19 | 1997-07-08 | Philips Electronics North American Corporation | Method of forming conductive region on silicon semiconductor material, and silicon semiconductor device with such region |
US5356835A (en) * | 1991-03-29 | 1994-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method for forming low resistance and low defect density tungsten contacts to silicon semiconductor wafer |
US5510296A (en) * | 1995-04-27 | 1996-04-23 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Manufacturable process for tungsten polycide contacts using amorphous silicon |
US6641867B1 (en) * | 1998-03-31 | 2003-11-04 | Texas Instruments Incorporated | Methods for chemical vapor deposition of tungsten on silicon or dielectric |
US6037263A (en) * | 1998-11-05 | 2000-03-14 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Plasma enhanced CVD deposition of tungsten and tungsten compounds |
JP2001358090A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
RU2375785C1 (ru) * | 2008-07-14 | 2009-12-10 | Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов | Способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10734520B2 (en) | MOS devices having epitaxy regions with reduced facets | |
US10037924B2 (en) | Fin-FET device and fabrication method thereof | |
US8809939B2 (en) | Semiconductor device | |
US9337337B2 (en) | MOS device having source and drain regions with embedded germanium-containing diffusion barrier | |
US9741824B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
US20090134402A1 (en) | Silicon carbide mos field-effect transistor and process for producing the same | |
KR100843866B1 (ko) | 폴리-SiGe과 폴리-Si이 분리된 합금 게이트 스택을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 및 이를 포함하는 반도체 디바이스 | |
US10529857B2 (en) | SiGe source/drain structure | |
US10553719B2 (en) | Semiconductor devices and fabrication method thereof | |
US10134908B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP5310722B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8932926B2 (en) | Method for forming gate oxide film of sic semiconductor device using two step oxidation process | |
RU2688851C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2610055C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2671294C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
CN106558493A (zh) | 鳍式场效应管的形成方法 | |
RU2688881C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2688861C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2719622C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
RU2680989C1 (ru) | Способ изготовления полупроводникового прибора | |
JP2005347638A (ja) | 接合型電界効果トランジスタ、接合型高電子移動度電界効果トランジスタ及びこれらの製造方法 | |
JP2004221097A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20191201 |