RU2584196C2 - Vacuum unit for sputtering films with ablation chamber - Google Patents
Vacuum unit for sputtering films with ablation chamber Download PDFInfo
- Publication number
- RU2584196C2 RU2584196C2 RU2014135312/02A RU2014135312A RU2584196C2 RU 2584196 C2 RU2584196 C2 RU 2584196C2 RU 2014135312/02 A RU2014135312/02 A RU 2014135312/02A RU 2014135312 A RU2014135312 A RU 2014135312A RU 2584196 C2 RU2584196 C2 RU 2584196C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ablation
- vacuum chamber
- chamber
- targets
- target
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Abstract
Description
Изобретение относится к технике напыления тонких пленок из различных материалов, включая технику напыления многокомпонентных пленок и многопленочных структур, и может быть использовано в технологических установках напыления пленок.The invention relates to a technique for spraying thin films of various materials, including the technique of spraying multicomponent films and multi-film structures, and can be used in technological installations for spraying films.
Известны устройства (Патент US 6620299, 2003, или Шулаев В.М. Сверхтвердые наноструктурные покрытия в ННЦХФТИ / В.М. Шулаев, А.А. Андреев // Физическая инженерия поверхности. - 2008. - Т. 6, №1-2. - С. 4-19) для создания многокомпонентных покрытий ионно-плазменными методами, в которых используется несколько отдельных генераторов плазмы, каждый из которых обеспечивает определенное вещество напыляемого покрытия, из которого состоит его мишень. Таким образом, аналоги имеют целую группу генераторов плазмы (магнетронных распылителей) - по одному на каждую мишень. Как известно, вакуумные методы нанесения пленок обычно отличает ряд достоинств, среди которых высокие значения точности, производительности процесса, а также экологичность. Однако указанные известные устройства имеют и недостатки, к которым относятся сложность и большие объемы конструкции.Known devices (Patent US 6620299, 2003, or Shulaev V.M. Superhard nanostructured coatings at the NSCHIPT / V.M. Shulaev, A.A. Andreev // Physical surface engineering. - 2008. - V. 6, No. 1-2 . - P. 4-19) for the creation of multicomponent coatings by ion-plasma methods, which use several separate plasma generators, each of which provides a specific substance of the sprayed coating, of which its target consists. Thus, the analogues have a whole group of plasma generators (magnetron sprays) - one for each target. As you know, vacuum methods of film deposition are usually distinguished by a number of advantages, including high values of accuracy, process performance, and environmental friendliness. However, these known devices have disadvantages, which include complexity and large volumes of construction.
Известно устройство (Пленки легированного галлием оксида цинка, нанесенные с использованием несбалансированной магнетронной распылительной системы / А.А. Соловьев, А.Н. Захаров, С.В. Работкин и др. // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, №5. - С. 127-131) с составной композитной мишенью, компонентный состав которой и стехиометрия соответствуют требуемому составу покрытия. Характерным достоинством этого аналога является применение более простой конструкции. К имеющимся недостаткам можно отнести тот факт, что при необходимости изменить состав покрытия требуется замена мишени или же как альтернативный вариант (метод) - введение дополнительных веществ с газовым потоком. Кроме того, следует учесть, что стоимость композитной мишени выше стоимости однокомпонентной, так как она сложнее в изготовлении, а также то, что содержание более летучих элементов многокомпонентной мишени со временем снижается, в результате чего изменяется стехиометрический состав мишени, а следовательно, и напыляемого покрытия.A device is known (Films of gallium doped zinc oxide deposited using an unbalanced magnetron sputtering system / A.A. Soloviev, A.N. Zakharov, S.V. Rabotkin, etc. // Journal of Technical Physics. - 2010. - T. 80 , No. 5. - S. 127-131) with a composite composite target, the component composition of which and stoichiometry correspond to the required coating composition. A characteristic advantage of this analogue is the use of a simpler design. The disadvantages include the fact that, if it is necessary to change the composition of the coating, it is necessary to replace the target or, as an alternative (method), the introduction of additional substances with a gas stream. In addition, it should be noted that the cost of a composite target is higher than the cost of a single-component one, since it is more difficult to manufacture, and also that the content of more volatile elements of a multicomponent target decreases over time, as a result of which the stoichiometric composition of the target and, consequently, the sprayed coating changes .
Учитывая приведенные недостатки указанных аналогов, получили распространение устройства с секционированным барабаном мишеней. Как правило, в барабане крепится одна или несколько однокомпонентных мишеней и при наличии всего одного излучателя происходит абляция многокомпонентного состава при вращении однокомпонентных мишеней в зоне его луча. Кроме того, возможно нанесение многослойных структур покрытий попеременным включением в зону действия луча только одной из мишеней.Given the above disadvantages of these analogues, devices with a partitioned target drum have become widespread. As a rule, one or several unicomponent targets are fastened in the drum and, if there is only one emitter, multicomponent composition is ablated during the rotation of unicomponent targets in the area of its beam. In addition, it is possible to apply multilayer coating structures by alternately including only one of the targets in the beam coverage area.
К указанному типу известных аналогов относится устройство для нанесения оксидных композиционных покрытий (патент РФ на ПМ №92240, 2010), содержащее секционированный барабан мишеней в виде полого усеченного конуса. В центре верхнего основания секционированного барабана находится эмиссионная зона плазменного излучателя. Особенностью устройства является то, что мишени, образующие секционированный барабан, могут находиться под разными электрическими потенциалами. Таким образом, устройство может работать даже при неподвижном секционированном барабане путем переключения электрических потенциалов к нужным мишеням. Регулировать плотность потока абляции с той или другой мишени в секционированном барабане можно путем управления плотностью электрического тока на эти мишени. При этом для абляции нет необходимости использовать магнитную систему, как в магнетронных ионно-плазменных распылителях. Это означает более высокую выработку мишеней. Мишени в секционированном барабане могут отличаться по химическому составу для осаждения композиционных покрытий. Известное устройство имеет недостатки. Для распыления мишеней ионно-плазменным потоком требуется достичь определенной плотности тока, которая пропорциональна площади задействованных мишеней и, таким образом, устройство имеет довольно высокое энергопотребление, уступая по энергетической эффективности традиционным магнетронным распылителям в указанных выше аналогах.The indicated type of known analogues includes a device for applying oxide composite coatings (RF patent for PM No. 92240, 2010), containing a sectioned target drum in the form of a hollow truncated cone. In the center of the upper base of the sectioned drum is the emission zone of the plasma emitter. A feature of the device is that the targets forming the sectioned drum can be under different electrical potentials. Thus, the device can work even with a stationary sectioned drum by switching electric potentials to the desired targets. It is possible to control the ablation flux density from one or another target in a sectioned drum by controlling the density of electric current to these targets. Moreover, for ablation there is no need to use a magnetic system, as in magnetron ion-plasma sprays. This means higher target production. Targets in a sectioned drum may vary in chemical composition to deposit composite coatings. The known device has disadvantages. To sputter targets with an ion-plasma flow, a certain current density is required, which is proportional to the area of the targets involved and, thus, the device has a rather high energy consumption, inferior in energy efficiency to traditional magnetron sprays in the above counterparts.
Близким по технической сущности является устройство ионно-ассистированного осаждения, известное также как устройство двулучевого осаждения ионным распылением (dual ion-beam sputtering deposition, фиг. 1, http://www.iiti.ac.in/DIBSD/about_DIBSD_facility.htm), содержащее основную вакуумную камеру технологической установки 1, которая является общей для всех элементов системы напыления, барабан мишеней 2 в виде шестигранной призмы, защитный кожух мишеней 3, выдвижную заслонку 4, излучатель 5, служащий для абляции мишеней, излучатель 6, служащий для очистки подложек и ионного ассистирования осаждению, подложки 7. Для нанесения покрытий на подложки в известном устройстве сначала проводится очистка подложек 7 с помощью излучателя 6 в течение времени ~15 мин. При этом выдвижная заслонка 4 закрывает барабан мишеней 2, излучатель 5 выключен, а излучатель 6 включен на полную мощность. После очистки подложек 7 проводится аналогичная операция очистки барабана мишеней 2 (около 5-10 мин на каждую мишень в барабане). При этом выдвижная заслонка 4 поворачивается и закрывает подложки 7, излучатель 6 выключен, а излучатель 5 включен на полную мощность. Затем проводится нанесение пленок: выдвижная заслонка 4 не перекрывает ни одно из направлений и работает по меньшей мере один излучатель - это излучатель 5. Излучатель 6 также может использоваться в операции осаждения как ассистирующий. Данная система проста, но при этом функциональна, имеет высокие значения коэффициента выработки мишеней и энергетической эффективности. Close in technical essence is an ion-assisted deposition device, also known as a dual-beam deposition by ion sputtering (dual ion-beam sputtering deposition, Fig. 1, http://www.iiti.ac.in/DIBSD/about_DIBSD_facility.htm), containing the main vacuum chamber of the
К недостаткам известного устройства относится следующее. В одной рабочей вакуумной камере содержатся сразу два логических блока ЛБ1 и ЛБ2. Первый ЛБ1 отвечает за очистку подложек 7 и ассистирование осаждению, а второй ЛБ2 - за абляцию нужных веществ с барабаном мишеней 2 на подложки 7. С одной стороны такой подход позволяет добиться высокой функциональности, а с другой - снижает точность и чистоту процесса. Это происходит из-за того, что выдвижная заслонка 4 не обеспечивает достаточной защиты от влияния нежелательных веществ продуцируемых одним блоком на другой. Так, продукты распыления подложек 7 при их очистке и работе блока ЛБ1 неминуемо попадают на эмиссионную поверхность излучателя 5, который относится к другому блоку - ЛБ2, а также на общую камеру и прочую оснастку. Это приводит к тому, что при работе излучателя 5 ЛБ2 производит как частицы вещества мишеней, так и частицы вещества подложек, что искажает ожидаемый технологом результат и изменяет химический состав напыляемых пленок. Возможно и обратное влияние двух блоков. При очистке мишеней и работе ЛБ2 вещества попадают на эмиссионную поверхность излучателя 4, общую камеру и оснастку. Последствия в этом случае также нежелательные: ЛБ2 вносит изменения в химический состав деталей ЛБ1 и результаты работы ЛБ1 искажаются, так как на подложку попадают вещества, сгенерированные при очистке мишеней. Кроме того, в системе нет защиты от блуждающих лучей, которые попадают на стенки камеры, вызывая абляцию находящихся на поверхности веществ, и вносят тем самым загрязнения в работу обоих блоков. Данное «перемешивание» различных химических веществ в одной и той же камере устройства-аналога отрицательно сказывается на воспроизводимость результатов, что особенно критично в нанотехнологиях, где как тончайшие слои вещества, так и отдельные группы атомов могут играть определенную роль, изменяя параметры тонкопленочной структуры.The disadvantages of the known device include the following. In one working vacuum chamber immediately contains two logical blocks LB1 and LB2. The first LB1 is responsible for cleaning the
Наиболее близким по технической сущности устройством, выбранным за прототип в настоящем изобретении, является система осаждения многослойных материалов из распыляемой мишени (патент US 6783637, 2004). В этой системе достигается большая производительность и функциональность за счет введения дополнительного барабана мишеней и дополнительного излучателя в блоке абляции. Основным ее отличием от предыдущего известного устройства является более удачная компоновка всех излучателей в виде трехлучевой звезды, образованной осями этих излучателей. При этом сами излучатели расположены в центре общей камеры, а генерируемые ими потоки направлены от центра к периферии. На периферии камеры расположены целевые объекты: мишени и подложки. Такое расположение излучателей друг относительно друга и относительно других деталей позволяет минимизировать загрязнение их эмитирующей поверхности потоками абляции, сгенерированными другими излучателями. Конструкция прототипа предусматривает наличие выдвижной заслонки для осаждения чувствительных к загрязнениям структур покрытий. Кроме того, в устройстве-прототипе предусмотрены дополнительные неподвижные заслонки на стенках камеры против блуждающих лучей, т.е. лучей, которые распространяются в незапланированном направлении и вызывают спонтанную абляцию частей установки. Однако камера, в которой происходят все технологические процессы, как и в предыдущем аналоге, является общей и разные логические блоки несмотря на перекомпоновку излучателей оказывают негативное влияние друг на друга, на точность и чистоту процесса осаждения в целом.The closest in technical essence the device selected for the prototype in the present invention is a system for the deposition of multilayer materials from a spray target (US patent 6783637, 2004). This system achieves greater productivity and functionality by introducing an additional target drum and an additional emitter in the ablation unit. Its main difference from the previous known device is a more successful arrangement of all emitters in the form of a three-beam star formed by the axes of these emitters. In this case, the emitters themselves are located in the center of the common chamber, and the flows generated by them are directed from the center to the periphery. On the periphery of the camera are the target objects: targets and substrates. This arrangement of the emitters relative to each other and relative to other parts allows you to minimize pollution of their emitting surface by ablation flows generated by other emitters. The design of the prototype provides a retractable shutter for the deposition of sensitive to pollution coating structures. In addition, in the prototype device additional fixed shutters are provided on the walls of the chamber against the stray rays, i.e. rays that propagate in an unplanned direction and cause spontaneous ablation of parts of the installation. However, the chamber in which all technological processes take place, as in the previous analogue, is common and different logical blocks, despite the rearrangement of the emitters, have a negative effect on each other, on the accuracy and purity of the deposition process as a whole.
Необходимо отметить, что все рассмотренные выше устройства имеют общий недостаток, состоящий в потере производительности. Ни в одном из указанных аналогов нет возможности проводить одновременно очистку как мишеней, так и подложек, эти операции должны идти в них последовательно, друг за другом с соответствующими тратами рабочего времени установок и их операторов. В противном случае загрязнение осаждаемых пленок окажется чрезмерным практически для любого рода известных технологий.It should be noted that all the above devices have a common drawback consisting in loss of performance. None of the indicated analogs has the ability to simultaneously clean both targets and substrates; these operations must be carried out in them sequentially, one after another with the corresponding waste of working time of the plants and their operators. Otherwise, contamination of the deposited films will be excessive for almost any kind of known technology.
Задачей изобретения является достижение в одной и той же установке высоких показателей производительности, технологической функциональности и экономичности расходования материалов при обеспечении чистоты и точности процесса напыления.The objective of the invention is to achieve in the same installation high performance, technological functionality and cost-effectiveness of the expenditure of materials while ensuring the purity and accuracy of the spraying process.
Технический результат изобретения заключается в увеличении производительности, точности, чистоты и экономичности напыления пленок, в получении новых функциональных возможностей установки.The technical result of the invention is to increase the productivity, accuracy, purity and economy of the deposition of films, in obtaining new functionality of the installation.
Указанный технический результат достигается тем, что в вакуумной установке напыления пленок с камерой абляции, содержащей по меньшей мере один барабан мишеней, по меньшей мере один направленный в мишени излучатель, а также выдвижную заслонку и неподвижные заслонки, согласно изобретению она содержит вакуумную камеру абляции, герметично соединенную с основной вакуумной камерой в зоне обработки подложек посредством выходного патрубка, оснащенного внутри или на торце выдвижной заслонкой для разделения в закрытом ее положении вакуумной камеры абляции и основной вакуумной камеры, при этом вакуумная камера абляции включает блок абляции и содержит по меньшей мере один барабан мишеней, выполненный с возможностью вращения вокруг собственной оси, неподвижные заслонки мишеней, по меньшей мере один направленный в мишени излучатель, расположенные на периферии входные соединительные патрубки, выполненные с возможностью герметичного крепления излучателей или заменяющих их заглушек, гермошлюз для обслуживания барабана мишеней и выходной патрубок с каналом откачки газа, причем барабан мишеней расположен под гермошлюзом и защищен от блуждающих лучей излучателей неподвижными заслонками.The specified technical result is achieved by the fact that in a vacuum installation for deposition of films with an ablation chamber containing at least one target drum, at least one emitter directed at the target, as well as a retractable shutter and fixed shutters, according to the invention it contains a vacuum ablation chamber connected to the main vacuum chamber in the processing zone of the substrates by means of an outlet pipe equipped inside or at the end with a sliding shutter for separation in its closed position by a vacuum ablation measures and the main vacuum chamber, while the vacuum ablation chamber includes an ablation unit and contains at least one target drum rotatable around its own axis, fixed target flaps, at least one emitter directed at the target, input connecting peripherals nozzles made with the possibility of hermetically fastening emitters or plugs replacing them, a pressure lock for servicing the target drum and an outlet nozzle with a gas pumping channel, and b the target araban is located under the pressurized gate and is protected from the wandering rays of the emitters by fixed shutters.
Расширить функциональный диапазон предлагаемого изобретения позволяет вариант его исполнения, при котором к вакуумной камере абляции подсоединен по меньшей мере один излучатель, ассистирующий осаждению пленки и направленный в сторону обрабатываемой подложки.To expand the functional range of the invention allows its embodiment, in which at least one emitter connected to the deposition of the film and directed towards the processed substrate is connected to the vacuum ablation chamber.
Получить новые функциональные возможности позволяет вариант исполнения предлагаемого изобретения, который предусматривает расположение внутри или на торце выходного патрубка, соединяющего вакуумную камеру абляции с основной вакуумной камерой, тепло- и электроизолированного от вакуумной камеры абляции проводника с высокой геометрической прозрачностью, выполненного с возможностью подачи на него электрического потенциала, отличного от потенциала камеры.To obtain new functionality allows the embodiment of the present invention, which provides for the location inside or at the end of the outlet pipe connecting the vacuum ablation chamber to the main vacuum chamber, heat and electric insulation from the vacuum ablation chamber of the conductor with high geometric transparency, made with the possibility of supplying electric potential other than the potential of the camera.
Повысить удобство периодического обслуживания, а также увеличить экономичность работы в случае напыления дорогостоящих материалов позволяет вариант предлагаемого изобретения с установленным съемным кожухом, с помощью которого перекрыта от попадания потока абляции внутренняя поверхность стенок выходного патрубка и примыкающая часть внутренней поверхности стенок вакуумной камеры абляции.To increase the convenience of periodic maintenance, as well as to increase the efficiency of work in the case of spraying expensive materials, the variant of the invention with a removable cover is installed, with which the inner surface of the walls of the outlet pipe and the adjacent part of the inner surface of the walls of the vacuum chamber of ablation are blocked from the ablation flow.
Далее изобретение поясняется прилагаемыми чертежами, описанием принципа его работы.Further, the invention is illustrated by the accompanying drawings, a description of the principle of its operation.
Краткое описание чертежейBrief Description of the Drawings
На фиг. 1 схематично изображен предшествующий уровень техники; на фиг. 2-5 схематично изображены разрезы технологической вакуумной установки напыления пленок с камерой абляции, выполненной согласно настоящему изобретению (1 - основная вакуумная камера технологической установки, 2 - барабан мишеней, 3 - неподвижные заслонки, 4 - выдвижная заслонка, 5 - излучатель, 6 - излучатель очистки подложек, 7 - подложки, 8 - канал откачки газа, 9 - вакуумная камера абляции, 10 - гермошлюз, 11 - выходной патрубок, 12 - входные патрубки, 13 - ассистирующий излучатель, 14 - проводник с высокой геометрической прозрачностью, 15 - съемный кожух).In FIG. 1 schematically shows the prior art; in FIG. 2-5 schematically shows sections of a technological vacuum film spraying apparatus with an ablation chamber made in accordance with the present invention (1 — main vacuum chamber of a technological installation, 2 — target drum, 3 — fixed shutters, 4 — retractable shutter, 5 — emitter, 6 — emitter cleaning substrates, 7 - substrates, 8 - gas pumping channel, 9 - vacuum ablation chamber, 10 - pressurized lock, 11 - outlet pipe, 12 - inlet pipes, 13 - assistant emitter, 14 - conductor with high geometric transparency, 15 - removable casing )
Вакуумная камера абляции включает выходной патрубок 11, с помощью которого он подключается к основной технологической камере 1 в зоне обработки поверхности подложек 7, входные патрубки 12 с помощью которых крепятся излучатели 5 и 13, расположенные в предлагаемом устройстве на периферии камеры абляции 9, потоки излучения которых направлены на барабан мишеней 2 или подложки 7. При этом барабан мишеней 2 расположен под гермошлюзом 10 в камере абляции 9 и выполнен с возможностью вращения вокруг своей оси. Барабан мишеней 2 защищен от блуждающих лучей неподвижными заслонками 3. Кроме того, в выходном патрубке 11 камеры абляции содержатся канал откачки газа 8, проводник с высокой геометрической прозрачностью 14 и съемный кожух 15.The vacuum ablation chamber includes an
На фиг. 2 показана камера абляции с одним излучателем 5 и с одним барабаном мишеней 2.In FIG. 2 shows an ablation chamber with one
На фиг. 3 показана камера абляции с одним излучателем 5, с одним барабаном мишеней 2 и одним ассистирующим излучателем 13.In FIG. 3 shows an ablation chamber with one
На фиг. 4 показана камера абляции с двумя излучателями 5, с одним барабаном мишеней 2 и двумя ассистирующими излучателями 13.In FIG. 4 shows an ablation chamber with two
На фиг. 5 показана камера абляции с двумя излучателями 5, с двумя барабанами мишеней 2 и одним ассистирующим излучателем 13.In FIG. 5 shows an ablation chamber with two
Принцип работы предлагаемого изобретения состоит в следующем.The principle of operation of the invention is as follows.
При закрытом положении выдвижной заслонки 4 проводится откачка камер 1 и 9 до остаточного давления не более 10-4 Па. После чего одновременно проводятся операции очистки подложек 7 и барабана мишеней 2. Барабан мишеней 2 и поворотный стол подложек 7 могут вращаться как дискретно с заданным шагом, так и непрерывно в зависимости от настроек двигателей. Для очистки в основной технологической камере 1 включается излучатель 6, а в камере абляции 9 включается излучатель 5. При этом в камеры 1 и 9 и/или в излучатели 5, 6 в зависимости от типа излучателей напускаются газы или смеси газов (Ar, O2, N2 и др.), рекомендованные для очистки подложек и мишеней соответственно. Таким образом, в предлагаемом изобретении процесс очистки подложек 7 отделен от процесса очистки мишеней. Кроме того, эти два процесса могут проводится одновременно. В итоге технологическая операция очистки подложек проводится одновременно с технологической операцией очистки мишеней, но при этом не происходит попадания продуктов обработки одних деталей на другие детали, что имеет важное значение для сохранения точности и чистоты работы устройства при повышенной производительности. За счет совмещения во времени двух технологических операций, а именно очистки подложек и очистки мишеней, происходит экономия рабочего времени, что дает рост производительности установки.When the sliding
Излучатель очистки подложек 6 обычно является излучателем ионно-плазменного (плазмохимического) типа. Излучатели 5 и 13 могут быть различных принципов действия, наиболее распространенными излучателями, вызывающими абляцию либо модификацию поверхности, являются излучатели трех типов: ионные, электронные, фотонные, излучающие соответственно ионы газов, электроны и фотоны света. Указанные частицы, попадая на поверхность мишени или подложки, вызывают отрыв атомов, находящихся на поверхности. При этом возможны как физический, так и химический механизмы взаимодействия, соответственно передача импульса и энергии и химическая реакция с образованием летучего соединения. Таким образом, процесс отрыва атомов с поверхности может иметь различную сущность: сублимация, распыление, химическая реакция.The
На следующем этапе производят осаждение пленок. Для этого сначала открывают заслонку 4. Затем включают излучатель 5. Через входные патрубки 12 к камере абляции 9 должен быть подключен по меньшей мере один излучатель 5, который генерирует поток абляции с барабаном мишеней 2. Два или более излучателей 5 подключаются для увеличения скорости напыления пленок (фиг. 4) или для применения дополнительных мишеней (фиг. 5). Опционально могут быть подключены ассистирующие излучатели 13, позволяющие воздействовать на физико-химические процессы формирования пленок (фиг. 3-5). Если ассистирующие излучатели 13 не используются в технологическом процессе, то предназначенные для них входные патрубки камеры абляции 9 закрываются заглушками, позволяющими блоку абляции сохранять герметичность. Заглушка входного патрубка может быть выполнена из вакуумного прочного материала, такого как нержавеющая сталь, либо же оптически прозрачного, диэлектрического, немагнитного материала для наблюдения протекающих процессов или ввода электромагнитного луча, например, луча лазера или оптического пирометра. В результате работы излучателя 5 оторванные с поверхности барабана мишеней 2 атомы образуют поток абляции, который используется для осаждения вещества мишеней на подложки 7. Для более равномерного осаждения и осаждения партиями подложки 7 располагают на поворотном столе, который может быть изготовлен по планетарной модели, то есть содержать поворотный механизм для вращения подложек вокруг собственной оси.The next step is the deposition of films. To do this, first open the
После формирования потока абляции за счет действия излучателей 5 этот поток движется по направлению от барабана мишеней 2 к подложкам 7 за счет избыточной части энергии, сообщенной ему при отрыве с поверхности мишеней. Вещество потока непрерывно осаждается на поверхности подложек, образуя пленку.After the formation of the ablation flow due to the action of the
Известной проблемой генерации потока абляции с помощью ионных излучателей является неконтролируемое присутствие в потоке абляции и в осаждаемых пленках атомов аргона или другого газа, подаваемого в излучатель и используемого для распыления мишеней. Чтобы минимизировать присутствие газовых примесей, согласно предлагаемому изобретению, в выходном патрубке камеры абляции расположен независимый канал откачки газа 8. Частицы вещества, оторванные с мишени, обладают большей энергией по сравнению с атомами газа ионного излучателя, потерявшими свою энергию на поверхности мишени при взаимодействии. Поэтому через канал откачки газа 8 в камере абляции 9 из нее удаляются в основном атомы газа излучателя, что, несомненно, повышает в конечном итоге чистоту напыляемых пленок. Однако следует отметить, что первоочередной задачей канала откачки газа 8 в камере абляции 9 является уже упомянутая откачка газа из камеры абляции 9 при закрытом положении выдвижной заслонки 4 во время чистки барабана мишеней 2, без которой этот процесс был бы невозможен или недопустим.A well-known problem of generating an ablation flux using ion emitters is the uncontrolled presence of argon atoms or other gas supplied to the emitter and used for sputtering targets in the ablation flux and in the deposited films. In order to minimize the presence of gas impurities, according to the invention, an independent gas pumping channel is located in the outlet pipe of the
Форма камеры абляции 9 оптимизирована для совместного размещения в ней всех элементов блока абляции при выполнении в полной мере предписанных им функций, а также для гашения блуждающих лучей (пунктирные стрелки, фиг. 2-5). В связи с этим форма камеры абляции 9 зависит от комплектации блока абляции и соотношения излучателей 5, барабанов мишеней 2, ассистирующих излучателей 13, что видно на фиг. 2-5. Таким образом, камера абляции 9 имеет форму оптимальную для выполнения двух задач, во-первых, она концентрирует в себе все необходимые для абляции элементы, дополнительные и расширяющие возможности устройства элементы, направленные и размещенные нужным образом, во-вторых, содержит специальные зоны гашения блуждающих лучей, образованные неподвижными заслонками 3 и стенками камеры абляции 9.The shape of the
При напылении пленок и структур, полученных чередованием пленок, синхронизируют повороты барабана мишеней 2. Барабан мишеней 2 вращается вокруг собственной оси на угол 360°/n, где n - количество мишеней (слотов) в барабане мишеней 2, через интервал времени, достаточный для напыления материала от каждой мишени барабана мишеней 2 на подложки 7. Возможен режим напыления пленки из двух или нескольких химических веществ, путем непрерывного вращения барабана мишеней 2. В последнем случае поток атомов, отобранных с разных мишеней, образует один и тот же абляционный поток, следуемый для осаждения на подложки 7. Возможен режим работы, связанный с использованием сразу двух или нескольких барабанов мишеней 2 (фиг. 5), при напылении сложных материалов или структур пленок. Каждая мишень в барабане мишеней 2 представляет собой тело в форме диска или параллелепипеда, полученное литьем или прессованием исходного материала. Барабан мишеней 2 защищен от нежелательных потоков вещества и блуждающих лучей неподвижными заслонками 3 для сохранения чистоты химического состава мишеней и ограничения потока абляции. Периодическое обслуживание устройства, связанное с извлечением барабана мишеней 2 и заменой мишеней, осуществляется с помощью гермошлюза 10. Для напыления пленок нужного химического состава на подложки 7 подбираются соответствующие мишени барабана мишеней 2. Устройство предназначено для напыления тонких (до 100 мкм) пленок и пленочных структур диэлектриков, полупроводников, металлов и полупроводников: TiO2, TiN, SiO2, Si3N4, Y2O3, HfO2, ZrO2, ITO, FTO, Pt, Au, Ag, Al, Ti, Cr, Si, Ge, GaN, AlGaN, ZnO и других.During the deposition of films and structures obtained by the alternation of films, the rotations of the
В предлагаемом изобретении доступен широкий спектр возможностей по управлению физико-химическими свойствами напыляемых пленок. Для этого регулируют параметры абляционного (излучатели 5) и ассистирующего излучения (излучатели 13): энергию и химический состав излучаемых частиц, плотность потока и пр., температуру подложек 7, давление газа в вакуумных камерах 1 и 9, а также дополнительные параметры, позволяющие увеличить диапазон функциональных возможностей установки.In the present invention, a wide range of possibilities is available for controlling the physicochemical properties of sprayed films. For this, the parameters of ablation (emitters 5) and assisting radiation (emitters 13) are controlled: energy and chemical composition of emitted particles, flux density, etc., temperature of
Как известно, дополнительно повлиять на свойства формируемых пленок можно путем использования специального тела на пути распространения абляционного потока, нагретого до высоких температур (>800°С, методы hot-wall, hot-wire deposition). Учитывая тот факт, что абляционный поток в предлагаемом изобретении ограничен выходным патрубком 11 камеры абляции 9, указанные методы легко реализуются путем установки в этом патрубке съемного проводника с высокой геометрической прозрачностью 14 в виде сетки или перфорированного диска, на который может быть подан электрический потенциал, отличный от потенциала камеры абляции. Подводимый к проводнику 14 электрический потенциал может использоваться для его нагрева пропусканием тока либо для управления заряженными частицами абляционного потока.As you know, it is possible to additionally affect the properties of the formed films by using a special body on the path of propagation of the ablation flow heated to high temperatures (> 800 ° C, hot-wall, hot-wire deposition methods). Considering the fact that the ablation flow in the present invention is limited by the
Учитывая тот же самый факт, а именно то, что абляционный поток ограничен выходным патрубком 11 камеры абляции 9, в предлагаемом изобретении возможно довольно экономично наносить пленки, в том числе пленки из ценных, дорогостоящих материалов, таких как золото, платина, серебро. Для этого используется съемный кожух 15 камеры абляции 9, перекрывающий стенки камеры в области наибольшей плотности потока абляции, а именно в выходном патрубке 11 и на стыке этого патрубка с основным объемом камеры абляции 9. Съемный кожух 15 является коллектором нецелевого расходования мишеней. Он изготовлен из термостойкого материала, химически инертного по отношению к веществам мишеней. На данном кожухе в процессе работы устройства осаждается слой вещества, толщина которого со временем возрастает. Для утилизации сформированного слоя достаточно выключить установку, извлечь кожух и подвергнуть его специальной обработке. В прототипе и устройствах, аналогах не предусмотрено коллектора для сбора нецелевого расходования материалов мишеней, что отрицательно влияет на их экономичность, чистоту и точность работы. Пластичность (эластичность) материала съемного кожуха 15 требуется, с одной стороны, для удобства извлечения его из камеры абляции 9 через гермошлюз 10 либо через выходной патрубок 11, а с другой стороны, - для удобства обработки и утилизации веществ, попавших на кожух.Considering the same fact, namely, that the ablation flow is limited by the
Claims (4)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014135312/02A RU2584196C2 (en) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | Vacuum unit for sputtering films with ablation chamber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2014135312/02A RU2584196C2 (en) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | Vacuum unit for sputtering films with ablation chamber |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014135312A RU2014135312A (en) | 2016-03-20 |
RU2584196C2 true RU2584196C2 (en) | 2016-05-20 |
Family
ID=55530780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014135312/02A RU2584196C2 (en) | 2014-08-28 | 2014-08-28 | Vacuum unit for sputtering films with ablation chamber |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2584196C2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2754147C1 (en) * | 2020-07-16 | 2021-08-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Moving slide gate for forming thin films of variable thickness produced by vacuum deposition method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6783637B2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-08-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | High throughput dual ion beam deposition apparatus |
RU89906U1 (en) * | 2009-07-06 | 2009-12-20 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем лазерных и информационных технологий | DEVICE FOR LASER-PLASMA SPRAYING |
RU92240U1 (en) * | 2009-11-11 | 2010-03-10 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Сильноточной Электроники Сибирского Отделения Ран (Исэ Со Ран) | DEVICE FOR APPLICATION OF OXIDE COMPOSITE COATINGS |
-
2014
- 2014-08-28 RU RU2014135312/02A patent/RU2584196C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6783637B2 (en) * | 2002-10-31 | 2004-08-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | High throughput dual ion beam deposition apparatus |
RU89906U1 (en) * | 2009-07-06 | 2009-12-20 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем лазерных и информационных технологий | DEVICE FOR LASER-PLASMA SPRAYING |
RU92240U1 (en) * | 2009-11-11 | 2010-03-10 | Учреждение Российской Академии Наук Институт Сильноточной Электроники Сибирского Отделения Ран (Исэ Со Ран) | DEVICE FOR APPLICATION OF OXIDE COMPOSITE COATINGS |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2754147C1 (en) * | 2020-07-16 | 2021-08-30 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Moving slide gate for forming thin films of variable thickness produced by vacuum deposition method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2014135312A (en) | 2016-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5726928B2 (en) | Method and structure for reducing byproduct deposition in plasma processing systems | |
US4400410A (en) | Coating insulating materials by glow discharge | |
JP5491359B2 (en) | Plasma processing apparatus, plasma processing method, and computer-readable storage medium | |
EP0502385B1 (en) | Process for the double-sided coating of optical workpieces | |
JP2008526026A5 (en) | ||
JP2014520966A5 (en) | ||
TW200847422A (en) | Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate | |
JPH01139763A (en) | Membrane deposition process | |
RU2584196C2 (en) | Vacuum unit for sputtering films with ablation chamber | |
EP2431995A1 (en) | Ionisation device | |
TW201712136A (en) | Film formation device and laminated body characterized by adjusting the film thickness of the transparent layer to determine the color of the laminated body | |
JP2017053005A (en) | Removal method and removal device | |
US20160211122A1 (en) | Plasma-chemical coating apparatus | |
RU2138094C1 (en) | Facility for applying thin-film coatings | |
Volpian et al. | Ion-vacuum technology for manufacturing elements for nanogradient optics and metamaterials | |
JP3958869B2 (en) | MgO film forming method and panel | |
JP4735291B2 (en) | Deposition method | |
RU2653399C2 (en) | Method of amorphous oxide of aluminum coating by reactive evaporation of aluminum in low pressure discharge | |
JP4737760B2 (en) | Vacuum deposition equipment | |
Costin et al. | Fast imaging investigation on pulsed magnetron discharge | |
US20180073150A1 (en) | Single oxide metal deposition chamber | |
Ji et al. | Surface modification of aluminum by toluene plasma at low-pressure and its surface properties | |
JP2854130B2 (en) | Apparatus for coating substrates by sputtering | |
KR102113266B1 (en) | Apparatus and Method for Processing Substrate | |
JP2013185158A (en) | Film deposition method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170829 |