RU2556433C1 - Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку - Google Patents
Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку Download PDFInfo
- Publication number
- RU2556433C1 RU2556433C1 RU2013158055/02A RU2013158055A RU2556433C1 RU 2556433 C1 RU2556433 C1 RU 2556433C1 RU 2013158055/02 A RU2013158055/02 A RU 2013158055/02A RU 2013158055 A RU2013158055 A RU 2013158055A RU 2556433 C1 RU2556433 C1 RU 2556433C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- magnetron
- film
- substrate
- layer
- roll
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 title description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 229920004936 Lavsan® Polymers 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 claims description 3
- 230000036284 oxygen consumption Effects 0.000 claims description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000746 purification Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920004934 Dacron® Polymers 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку, в качестве которой используют рулонную полимерную пленку, и может быть использовано для создания многослойных высокобарьерных относительно проникновения газов и паров полимерных пленок. Осуществляют предварительное обезгаживание и очистку рулонной пленки в смеси инертного газа и азота при перемещении ее относительно плазмы магнетронного разряда в вакуумной камере. Нанесение оксида проводят в камере, по крайней мере, с одной парой магнетронов в биполярном пакетно-импульсном режиме их электропитания при стабилизированном напряжении и токе, предельном для источника электропитания. 2 з.п. ф-лы, 1 ил., 1 пр.
Description
Изобретение относится к области ионно-плазменного магнетронного нанесения покрытий различного состава на подложки и может быть использовано в тонкопленочной технологии, в частности, для создания многослойных высокобарьерных относительно проникновения различных газов и паров полимерных пленок.
Многослойные высокобарьерные полимерные пленки создают путем нанесения на них наноразмерного (20-100 нм) слоя оксида, в частности алюминия или кремния. Нанесение наноразмерного слоя этих оксидов позволяет в десятки раз уменьшить проницаемость пленки лавсана до 1-2 см3/(м2·24 ч·0.1 МПа) и полипропиленовой пленки до 7-10 см3/(м2·24 ч·0.1 МПа) относительно кислорода. Такие пленки весьма перспективны для создания высокобарьерной упаковки.
Одним из способов, реализующих нанесение оксидного слоя, является способ реактивного магнетронного нанесения покрытий на подложку. Реактивное магнетронное нанесение - это ионное распыление мишени, которая является одним из электродов магнетрона, в среде, содержащей реактивный газ. Этот газ вступает в реакцию с материалом мишени, образуя химическое соединение, например оксид.
В работе [Bartzsch H., Glob D., Bocher В., Frach P., Goedicke K. Properties of SiO2 and Al2O3 films for electrical insulation applications deposited by reactive pulse magnetron sputtering - Surface and Coatings Technology 174-175 (2003), p.775-777], которая является аналогом изобретения, описан способ нанесения слоя оксида алюминия на подложку путем магнетронного реактивного распыления мишени из алюминия. В этом способе распыление алюминиевой мишени проводилось в смеси аргона и кислорода с помощью дуальных магнетронов, т.е. двумя магнетронами, электрически изолированными друг от друга и установленными рядом в одной вакуумной камере.
Недостатком указанного магнетронного способа нанесения слоя оксида является то, что при биполярном импульсном электропитании дуальных магнетронов зажигание разряда и образование плазмы происходят заново при каждом импульсе. Из-за того что в начале рабочего отрицательного импульса параметры плазмы в разрядном объеме магнетронов, расположенных в вакуумной камере, значительно отличаются от рабочих, скорость распыления материала мишени мала. Это приводит к уменьшению средней скорости нанесения оксида на подложку. Кроме того, при описанном выше процессе в начале каждого импульса увеличивается вероятность дугообразования в разряде, что приводит к ухудшению качества (газопаропроницаемости, химического состава, однородности, адгезии) наносимого слоя оксида и дополнительному снижению скорости роста слоя оксида.
Недостатки аналога устраняются при использовании пакетно-импульсного режима электропитания магнетронов, описанного в работе [Nyderle R., Winkler Т., and Labitzke R., Pulse Packet Switching for Reactive Magnetron Sputtering - A New Method to Control the Process - 46th Annual Techn. Conf. Proc., Soc. of Vac. Coaters, 2003, p.492-495]. Указанное решение выбрано в качестве прототипа изобретения. В этом случае на катоды каждого из дуальных магнетронов подаются не одиночные биполярные импульсы, а используется биполярный пакетно-импульсный режим.
Во время подачи пакета униполярных импульсов мишень одного из магнетронов работает как одиночный катод, а мишень второго служит анодом. Поверхность мишени второго магнетрона хотя и покрывается слоем оксида, который является диэлектриком, но достаточно медленно, что позволяет подать на первый магнетрон от 2 до 100 импульсов одной полярности без заметной электроизоляции поверхности мишени второго магнетрона. Затем такой же пакет импульсов подается на второй магнетрон, а мишень первого в это время служит анодом. В результате каждая мишень при подаче на нее пакета униполярных импульсов очищается от покрывающего ее слоя диэлектрика, что исключает прекращение разряда.
Преимуществом данного решения по сравнению с режимом электропитания магнетронов одиночными импульсами чередующейся полярности, описанного в аналоге, является то, что во время паузы между униполярными импульсами в пакете плазма не успевает рассеяться и (или) рекомбинировать, и ток разряда быстро нарастает до рабочего значения. Форма импульса тока приближается к прямоугольной, что позволяет эффективно использовать источник электропитания. Так как при пакетно-импульсном режиме электропитания параметры плазмы в газоразрядном объеме значительно отличаются от рабочих только во время первого импульса в пакете, то чем больше количество импульсов в пакете, тем выше скорость нанесения слоя оксида. Практически достаточно, чтобы пакет состоял из 5-10 импульсов.
Кроме того, при пакетно-импульсном режиме электропитания магнетронов снижается количество случайно возникающих дуг в магнетронном разряде. Это обусловлено тем, что частота дугообразования зависит от величины поджигающего напряжения. При пакетно-импульсном режиме электропитания повышение поджигающего напряжения происходит только при первом импульсе в пакете униполярных импульсов. Следовательно, чем больше число импульсов в пакете, тем меньше частота появления дуг в объеме магнетронного разряда, что приводит к улучшению качества слоя оксида и дополнительному увеличению скорости его нанесения на подложку.
Однако этот способ не обеспечивает необходимого качества наноразмерного слоя оксида при нанесении его на движущуюся рулонную полимерную пленку-подложку, перематываемую с исходного рулона на приемную боббину, расположенную в вакуумной камере. Это связано с тем, что на поверхности рулонной пленки-подложки, площадь которой велика, адсорбировано большое количество молекул газов и паров воды. Под воздействием падающих на поверхность пленки частиц из плазмы магнетронного разряда, адсорбированные молекулы газов и паров поступают в вакуумную камеру. Кроме этих молекул в межвитковых полостях рулона пленки содержится воздух при атмосферном давлении, который не удаляется при предварительной откачке вакуумной камеры. Этот воздух выделяется в вакуумную камеру установки во время размотки рулона пленки. В этих условиях газовая смесь в вакуумной камере загрязняется, что нарушает устойчивость магнетронного разряда и, следовательно, режим нанесения слоя оксида на подложку. Указанные обстоятельства ведут к ухудшению однородности, химического состава и адгезии наносимого на подложку слоя оксида. Кроме того, скорость нанесения слоя уменьшается, что ведет к понижению производительности работ по осуществлению процесса нанесения.
Техническим результатом изобретения является такое нанесение оксидов различных материалов на рулонные полимерные пленки, которое обеспечивает высокую однородность наноразмерного слоя оксида и его химический состав, предельно близкий к стехиометрическому. Пленки с таким покрытием обеспечивают высокие барьерные свойства, т.е. низкую газо-паропроницаемость в частности, не более 1 см3/(м2·24 ч·0.1 МПа) по отношению к кислороду. Повышение качества нанесения слоя оксида ведет к повышению производительности работ по способу за счет повышения скорости нанесения слоя.
Указанный технический результат достигается тем, что в способе реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку, включающем помещение подложки в вакуумную камеру, по крайней мере с одной парой магнетронов, подачу на электроды магнетронов электропитания в биполярном пакетно-импульсном режиме, напуск инертного газа, очистку поверхностей мишеней магнетронов при стабилизированном токе магнетронного разряда, в вакуумную камеру помещают подложку в виде рулона полимерной пленки, после очистки поверхностей мишеней магнетронов дополнительно к инертному газу напускают в камеру азот, обезгаживают и очищают рулонную пленку в смеси инертного газа и азота при перемещении ее относительно плазмы магнетронного разряда, после очистки полимерной пленки переключают источник электропитания магнетронов из режима стабилизации тока в режим стабилизации напряжения и прекращают подачу азота, напускают кислород, увеличивают его расход до достижения током магнетронного разряда предельного для источника электропитания значения и перематывают рулонную пленку в обратном направлении, по крайней мере один раз, для нанесения слоя оксида необходимой толщины.
Экспериментально установлено, что для достижения указанного технического результата при нанесении слоя оксида алюминия на рулонную пленку из лавсана подают на электроды магнетронов электропитание в биполярном пакетно-импульсном режиме при числе импульсов в пакете 5-10 длительностью 1.5-2.5 мкс и частотой 30-60 кГц, в вакуумную камеру напускают в качестве инертного газа аргон при давлении 0.20-0.30 Па, очищают поверхности мишеней магнетронов, выполненных из алюминия, обезгаживают и очищают лавсановую пленку в смеси аргона и азота в соотношении (0.15-0.25):(0.85-0.75) при полном давлении 0.30-0.40 Па, перематывают рулонную лавсановую пленку со скоростью 1.5-2.5 м/мин, напускают кислород, увеличивают его расход до достижения током магнетронного разряда значений 12-15 А при стабилизированном напряжении на магнетронах 380-420 В, наносят оксидное покрытие при скорости перемотки 1.5-2.5 м/мин.
Нанесение на рулонную лавсановую пленку наноразмерного слоя оксида алюминия толщиной 70-90 нм обеспечивает ее проницаемость по отношению к кислороду не более 1 см3/(м2·24 ч·0.1 МПа).
Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку на примере нанесения оксида алюминия на рулонную лавсановую пленку-подложку осуществляется следующим образом. Нанесение проводится в вакуумной камере с одной или несколькими парами магнетронов, мишени которых выполнены из алюминия. В вакуумную камеру помещают также пленку-подложку в виде рулона и откачивают из камеры воздух до давления 10-3 Па. Затем проводят очистку поверхностей мишеней, которые в естественных условиях покрыты слоем оксида. Для этого в камеру напускают аргон до давления 0.20-0.30 Па, включают магнетронный разряд в биполярном пакетно-импульсном режиме при числе импульсов в пакете 5-10 с длительностью 1.5-2.5 мкс, частотой 30-60 кГц при стабилизированном токе. Очистку мишеней начинают с пониженного (~1 А) тока разряда. Постепенно, по мере снижения числа дуг в магнетронном разряде, увеличивают ток разряда до 5 А. Очистку мишени проводят в течение 10-20 мин. Признаком окончания ее очистки от оксида алюминия является прекращение дугообразования в объеме разряда и увеличение напряжения разряда до 500 В. После очистки мишени осуществляют обезгаживание и очистку рулонной лавсановой пленки при ее перемотке с исходного рулона на приемную боббину, также расположенную в вакуумной камере. Камера при этом заполнена смесью аргона и азота в соотношении (0.15-0.25):(0.85-0.75) при полном давлении 0.30-0.40 Па. Добавление азота в аргон обеспечивает покрытие поверхности мишени тонким слоем нитрида алюминия, имеющего низкий коэффициент распыления при ионной бомбардировке. Это предохраняет мишень от распыления и неконтролируемого нанесения алюминия на подложку. Наличие в газовой смеси аргона увеличивает эффективность обезгаживания пленки-подложки за счет бомбардировки ее тяжелыми ионами аргона. Длина полимерной пленки в боббине может достигать 3000 м. Под влиянием плазмы разряда происходит десорбция молекул и паров с движущейся вдоль магнетронов пленки. Образовавшиеся пары и газы откачивают из камеры вакуумными насосами. При этом режим и параметры магнетронного разряда выбирают такими, чтобы не происходило распыления материала мишени и образования металлического слоя алюминия на поверхности движущейся пленки-подложки, а только значительное ее обезгаживание.
Основной операцией способа по изобретению является нанесение наноразмерного оксидного слоя на пленку-подложку. Для этого после очистки пленки прекращают подачу азота в камеру и напускают в нее кислород. Расход кислорода увеличивают до достижения током магнетронного разряда значений 12-15 А при стабилизированном напряжении 380-420 В.
Для нанесения слоя оксида алюминия толщиной 70-90 нм на лавсановую пленку-подложку перематывают ее в противоположных направлениях необходимое число раз со скоростью 1.5-2.5 м/мин. По окончании нанесения слоя оксида на подложку камеру разгерметизируют и выгружают из нее рулон оксидной пленки.
Примером многослойной полимерной пленки, наноразмерный слой оксида которой получен способом по изобретению, является четырехслойная пленка, структура которой представлена на фиг.1, где:
1 - лавсановая пленка-подложка,
2 - слой оксида алюминия,
3 - адгезивный (клеевой) слой,
4 - защитный полипропиленовый слой. Четырехслойная пленка, представленная на фиг.1, содержит лавсановую пленку-подложку, наноразмерный слой оксида алюминия 2, адгезивный слой 3 и защитный полипропиленовый слой. Пленка-подложка 1 из лавсана имеет толщину 10-20 мкм, слой оксида алюминия 2 - толщину 70-90 нм, адгезивный слой 3 - толщину 5-7 мкм и защитный полипропиленовый слой 4 - толщину 35-150 мкм. Указанная четырехслойная композиция получается путем ламинирования двухслойной оксидной пленки со стороны слоя оксида защитной полимерной пленкой с помощью клеевого состава (адгезива) в установке ламинирования. Защитный полимерный слой предохраняет наноразмерный слой оксида от механических повреждений и негативного воздействия окружающей среды. Кроме того, защитный полимерный слой дает возможность изготовлять из такой пленки различные изделия, например упаковку, путем ее сваривания.
Таким образом, способ по изобретению позволяет наносить с высоким качеством слои оксидов различных материалов на рулонные полимерные пленки. Качество нанесения проявляется в высокой однородности наноразмерного слоя оксида и его химического состава, предельно близкого к стехиометрическому. Пленки с таким покрытием обеспечивают высокие барьерные свойства, т.е. низкую газо-паропроницаемость, в частности, не более 1 см3/(м2·24 ч·0.1 МПа) по отношению к кислороду. Улучшение качества нанесения слоя оксида ведет к увеличению производительности работ по способу за счет повышения скорости нанесения слоя.
Claims (3)
1. Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку, включающий помещение подложки в вакуумную камеру, по крайней мере, с одной парой магнетронов, подачу на электроды магнетронов электропитания в биполярном пакетно-импульсном режиме, напуск инертного газа, очистку поверхностей мишеней магнетронов при стабилизированном токе магнетронного разряда и напуск кислорода, отличающийся тем, что в вакуумную камеру помещают подложку в виде рулона полимерной пленки, после очистки поверхностей мишеней магнетронов дополнительно к инертному газу напускают в камеру азот, обезгаживают и очищают рулонную пленку в смеси инертного газа и азота при перемещении ее относительно плазмы магнетронного разряда, после очистки полимерной пленки переключают источник электропитания магнетронов из режима стабилизации тока в режим стабилизации напряжения и прекращают подачу азота, напускают кислород, увеличивают его расход до достижения током разряда предельного для источника электропитания значения, перематывают рулонную пленку в обратном направлении, по крайней мере, один раз и наносят слой оксида заданной толщины.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют подложку в виде рулонной лавсановой пленки , при этом наносят слой оксида алюминия с подачей на электроды магнетронов электропитания в биполярном пакетно-импульсном режиме при числе импульсов в пакете 5-10 длительностью 1,5-2,5 мкс и частотой 30-60 кГц, в вакуумную камеру напускают в качестве инертного газа аргон при давлении 0,20-0,30 Па, используют мишени из алюминия, поверхности которых очищают, обезгаживают и очищают лавсановую пленку в смеси аргона и азота в соотношении (0,15-0,25):(0,85-0,75) при давлении 0,30-0,40 Па, перематывают рулонную лавсановую пленку со скоростью 1,5-2,5 м/мин, напускают кислород, увеличивают расход кислорода до достижения током магнетронного разряда значений 12-15 А при стабилизированном напряжении 380-420 В.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что на рулонную полимерную пленку наносят слой оксида алюминия толщиной 70-90 нм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013158055/02A RU2556433C1 (ru) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2013158055/02A RU2556433C1 (ru) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2556433C1 true RU2556433C1 (ru) | 2015-07-10 |
Family
ID=53538818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013158055/02A RU2556433C1 (ru) | 2013-12-26 | 2013-12-26 | Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2556433C1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152261A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の製造法 |
| US5785796A (en) * | 1993-09-17 | 1998-07-28 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| RU2142519C1 (ru) * | 1998-07-13 | 1999-12-10 | Плитко Александр Павлович | Установка для обработки лент и фольги |
| RU2299928C2 (ru) * | 2004-06-02 | 2007-05-27 | Эпплайд Материалз Гмбх Унд Ко.Кг, | Машина для обработки полотна, по меньшей мере, с одной вакуумной камерой |
| CN103276354A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-09-04 | 东莞市汇成真空科技有限公司 | 一种在塑料工件上真空蒸镀铝膜的方法 |
-
2013
- 2013-12-26 RU RU2013158055/02A patent/RU2556433C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152261A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 金属薄膜の製造法 |
| US5785796A (en) * | 1993-09-17 | 1998-07-28 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
| RU2142519C1 (ru) * | 1998-07-13 | 1999-12-10 | Плитко Александр Павлович | Установка для обработки лент и фольги |
| RU2299928C2 (ru) * | 2004-06-02 | 2007-05-27 | Эпплайд Материалз Гмбх Унд Ко.Кг, | Машина для обработки полотна, по меньшей мере, с одной вакуумной камерой |
| CN103276354A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-09-04 | 东莞市汇成真空科技有限公司 | 一种在塑料工件上真空蒸镀铝膜的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2316252B1 (en) | Plasma source and method for depositing thin film coatings using plasma enhanced chemical vapor deposition and method thereof | |
| JP2019049059A (ja) | プラズマを使った前処理装置を有した蒸着装置 | |
| TWI526564B (zh) | Film forming apparatus and film forming method | |
| WO2013178288A1 (en) | Method for sputtering for processes with a pre-stabilized plasma | |
| CN106835038A (zh) | 一种制备电致变色薄膜的中频双靶反应溅射工艺及玻璃 | |
| KR20150053240A (ko) | 이산화규소의 증착 | |
| KR101895769B1 (ko) | 반도체 제조용 챔버의 코팅막 및 그 제조 방법 | |
| US20160215386A1 (en) | Modulation of reverse voltage limited waveforms in sputtering deposition chambers | |
| RU2556433C1 (ru) | Способ реактивного магнетронного нанесения наноразмерного слоя оксида на подложку | |
| US10407767B2 (en) | Method for depositing a layer using a magnetron sputtering device | |
| JPWO2008102868A1 (ja) | 透明導電膜を有するロール状樹脂フィルムの製造方法及びこれを用いる有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2015040330A (ja) | スパッタリング成膜装置及びスパッタリング成膜方法 | |
| CN107634154B (zh) | 一种oled薄膜封装方法、结构及oled结构 | |
| TW200412203A (en) | Matching box, vacuum device using the same, and vacuum processing method | |
| JP2020117787A (ja) | マグネトロンスパッタ法による成膜装置および成膜方法 | |
| CN107075663A (zh) | 用于在基板上沉积材料的组件和方法 | |
| JP2023507602A (ja) | 酸化ケイ素被覆ポリマーフィルム及びそれを製造するための低圧ｐｅｃｖｄ方法 | |
| JP2009275281A (ja) | スパッタリング方法及び装置 | |
| Eom et al. | Design of bipolar pulse power supply based on LLC resonant converter for reactive sputtering process | |
| JP5312138B2 (ja) | スパッタリング方法 | |
| RU2433081C1 (ru) | Способ ионно-лучевой обработки | |
| JP4715736B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| Belkind et al. | Electrical dynamics of pulsed plasmas | |
| US20150303400A1 (en) | Oled device and preparation method thereof | |
| RU2657671C2 (ru) | Устройство для формирования многокомпонентных и многослойных покрытий |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20181227 |