RU2552631C1 - Thick-film resistor fabrication method - Google Patents
Thick-film resistor fabrication method Download PDFInfo
- Publication number
- RU2552631C1 RU2552631C1 RU2014117051/07A RU2014117051A RU2552631C1 RU 2552631 C1 RU2552631 C1 RU 2552631C1 RU 2014117051/07 A RU2014117051/07 A RU 2014117051/07A RU 2014117051 A RU2014117051 A RU 2014117051A RU 2552631 C1 RU2552631 C1 RU 2552631C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistors
- screen printing
- layer
- temperature
- followed
- Prior art date
Links
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности.The invention relates to electronic equipment, namely to the production of permanent resistors, and can be used in electronic, radio engineering and other related industries.
По толстопленочной технологии изготовления резисторов - проводниковый и резистивный слои наносятся методом трафаретной печати с последующей сушкой и вжиганием.According to the thick-film technology for manufacturing resistors, the conductor and resistive layers are applied by screen printing followed by drying and burning.
Известен способ изготовления толстопленочных резисторов, защищенный патентом РФ 2086027, кл. H01C 17/06, опубл. 27.07.1997.A known method of manufacturing thick film resistors, protected by RF patent 2086027, class. H01C 17/06, publ. 07/27/1997.
Резистор изготавливается традиционными методами толстопленочной технологии, включающими последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводниковых и резистивного слоев, их сушку и вжигание в воздушной атмосфере, причем сначала наносят первый проводниковый слой, поверх него наносят резистивный слой, а затем поверх резистивного слоя - второй проводниковый слой, при этом для формирования проводниковых слоев используют проводниковую пасту, включающую агент-восстановитель (бор, алюминий и др.) или вещество, разлагающееся при вжигании с образованием такого восстановителя (борид никеля и др.), а для формирования резистивного слоя пасту, содержащую порошок стекла или стеклокерамической композиции и органическое связующее.The resistor is made by traditional methods of thick-film technology, including sequentially applying the method of screen printing on the insulating substrate of the conductive and resistive layers, drying and burning them in an air atmosphere, whereby the first conductive layer is applied first, the resistive layer is applied over it, and then the second conductive layer is applied over the resistive layer layer, while for the formation of conductive layers using a conductive paste, including a reducing agent (boron, aluminum, etc.) or material about decomposable by heating to form a reducing agent such (nickel boride et al.) and for forming the resistive layer paste containing glass powder or glass-ceramic composition and an organic binder.
В процессе вжигания содержащийся в противолежащих проводниковых слоях восстановитель создает восстановительную среду в локальном объеме, включающем как проводниковые слои, так и находящийся между ними резистивный слой.In the process of burning, the reducing agent contained in the opposite conducting layers creates a reducing medium in a local volume, including both the conducting layers and the resistive layer between them.
Стекло или стеклокерамическая композиция, содержащиеся в резистивном слое, имеют в своем составе вещества, способные к восстановлению (оксиды переходных металлов в высшей степени окисления или их соединения). В результате их восстановления при вжигании в резистивном слое образуется электропроводящая фаза.The glass or glass-ceramic composition contained in the resistive layer contains substances capable of reduction (transition metal oxides of the highest degree of oxidation or their compounds). As a result of their recovery during firing, an electrically conductive phase is formed in the resistive layer.
Недостатком известной технологии изготовления резисторов является недостаточно высокий выход годных резисторов.A disadvantage of the known technology for manufacturing resistors is the insufficiently high yield of suitable resistors.
Известен способ изготовления прецизионных чип-резисторов по гибридной технологии, защищенный патентом РФ №2402088, МПК H01C 17/06, H01C 17/28, опубл. 20.10.2010 г.A known method of manufacturing precision chip resistors for hybrid technology, protected by RF patent No. 2402088, IPC H01C 17/06, H01C 17/28, publ. 10.20.2010 g.
Способ содержит следующие технологические операции: 1) нанесение на шлифованную (тыльную) поверхность изоляционной подложки методом трафаретной печати слоя серебряной или серебряно-палладиевой пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на тыльной стороне подложки; 2) напыление на полированную (лицевую) сторону изоляционной подложки методом вакуумной (тонкопленочной) технологии резистивного слоя; 3) формирование методом фотолитографии и ионного травления топологии резистивного слоя на подложке; 4) нанесение методом трафаретной печати на лицевой стороне подложки поверх резистивного слоя низкотемпературной серебряной пасты с последующим ее вжиганием, образуя тем самым электродные контакты на лицевой стороне; 5) лазерную подгонку величины сопротивления резисторов в номинал; 6) нанесение методом трафаретной печати на резистивный слой с последующим вжиганием слоя низкотемпературной защитной пасты, образуя защитный слой; 7) скрайбирование и ломку пластины изоляционной подложки на полосы; 8) напыление методом вакуумной (тонкопленочной) технологии из сплава никеля с хромом на торцы, соединяя тем самым между собой электродные контакты лицевой и тыльной сторон подложки; 9) ломку рядов пластины на чипы; 10) нанесение гальваническим методом поверх электродных контактов - торцевого, на лицевой и на тыльной сторонах - слоя никеля; 11) нанесение поверх слоя никеля гальваническим методом слоя припоя в виде сплава олова со свинцом.The method includes the following technological operations: 1) applying a layer of silver or silver-palladium paste to the polished (back) surface of the insulating substrate by screen printing, followed by its burning, thereby forming electrode contacts on the back side of the substrate; 2) spraying on the polished (front) side of the insulating substrate by the method of vacuum (thin film) resistive layer technology; 3) the formation by the method of photolithography and ion etching of the topology of the resistive layer on the substrate; 4) applying by the method of screen printing on the front side of the substrate over the resistive layer of low-temperature silver paste with its subsequent firing, thereby forming electrode contacts on the front side; 5) laser adjustment of the resistance value of the resistors in nominal; 6) applying by the method of screen printing on a resistive layer with subsequent burning of a layer of low-temperature protective paste, forming a protective layer; 7) scribing and breaking the plate of the insulating substrate into strips; 8) deposition by vacuum (thin-film) technology from an alloy of nickel with chromium on the ends, thereby connecting the electrode contacts of the front and back sides of the substrate; 9) breaking the rows of the plate into chips; 10) electroplating on top of the electrode contacts - end, on the front and on the back sides - a nickel layer; 11) deposition of a solder layer in the form of an alloy of tin with lead on top of the nickel layer.
К недостаткам упомянутого способа можно отнести использование дополнительной операции по формированию электродных контактов на тыльной стороне подложки, усложняющей технологический процесс производства чип-резисторов.The disadvantages of the aforementioned method include the use of an additional operation to form electrode contacts on the back side of the substrate, which complicates the process of manufacturing chip resistors.
Наиболее близким к заявляемому по технической сущности и достигаемому результату, выбранным в качестве прототипа, является способ изготовления толстопленочных резистивных элементов, защищенный патентом РФ №2497217, МПК H01C 17/06, опубл. 27.10.2013 г.Closest to the claimed technical essence and the achieved result, selected as a prototype, is a method of manufacturing thick film resistive elements, protected by RF patent No. 2497217, IPC H01C 17/06, publ. 10/27/2013
Способ изготовления толстопленочных резистивных элементов включает последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующим вжиганием его в воздушной атмосфере. В известном способе чередуют нанесение проводникового слоя с вжиганием его на отдельные участки изолирующей подложки, при температуре (840-860)°C в течение 55±5 минут, затем осуществляют нанесение резистивного слоя и вжигание его при температуре (805±2)°C в течение 70±5 минут поэтапно, с последующим контролем номинала резистивных элементов, причем при завышенном номинале подгонку производят при температуре (820±10)°C в течение 5-10 минут, а при заниженном номинале - при температуре (690±10)°C в течение 5-10 минут, после (690±10)°C в течение 5-10 минут, далее производят лужение в расплавленном припое окунанием при температуре (250±10)°C.A method of manufacturing thick film resistive elements involves sequentially applying a screen printing method to an insulating substrate of a conductive and resistive layer, followed by burning it in an air atmosphere. In the known method, the application of the conductor layer is alternated by burning it on separate sections of the insulating substrate at a temperature of (840-860) ° C for 55 ± 5 minutes, then applying the resistive layer and burning it at a temperature of (805 ± 2) ° C within 70 ± 5 minutes in stages, followed by monitoring the nominal value of the resistive elements, moreover, with an overstated rating, fitting is carried out at a temperature of (820 ± 10) ° C for 5-10 minutes, and with a lower rating, at a temperature of (690 ± 10) ° C within 5-10 minutes, after (690 ± 10) ° C for 5-10 minutes, then producing DYT tinning by dipping in molten solder at a temperature of (250 ± 10) ° C.
К недостаткам упомянутого способа можно отнести невысокий выход годных резисторов.The disadvantages of the aforementioned method include a low yield of suitable resistors.
Задача, решаемая предлагаемым изобретением, - усовершенствование способа изготовления толстопленочных резисторов.The problem solved by the invention is an improvement in the method of manufacturing thick film resistors.
Технический результат от использования изобретения заключается в повышении выхода годных резисторов с одновременным повышением технических характеристик резисторов, таких как стабильность и температурный коэффициент сопротивления (ТКС), за счет использования защитных слоев, пассивирующих резистивный слой, более точного, локализованного метода подгонки (лазерного).The technical result from the use of the invention is to increase the yield of suitable resistors while improving the technical characteristics of resistors, such as stability and temperature coefficient of resistance (TCR), through the use of protective layers passivating the resistive layer, a more accurate, localized method of fitting (laser).
Указанный результат достигается тем, что в способе изготовления толстопленочных резисторов, включающем последовательное нанесение методом трафаретной печати на изолирующую подложку проводникового и резистивного слоев с последующими сушкой и вжиганием в воздушной атмосфере, на резистивный слой дополнительно наносят основной защитный слой методом трафаретной печати с последующим вжиганием, затем после лазерной подгонки сопротивления резисторов наносят дополнительный защитный слой методом трафаретной печати, затем формируют охватывающие контакты посредством напыления слоя никеля с подслоем титана с последующим горячим лужением припоем.This result is achieved by the fact that in the method of manufacturing thick-film resistors, which includes sequentially applying a screen printing method to an insulating substrate of a conductive and resistive layer, followed by drying and burning in an air atmosphere, the main protective layer is additionally coated with a screen printing method followed by annealing, then after laser adjustment of the resistance of the resistors, an additional protective layer is applied by screen printing, then a coverage is formed vayuschie contacts the nickel layer by sputtering a titanium sublayer followed by hot tinning solder.
Для формирования основного защитного слоя используют высокотемпературную защитную пасту на основе стекла, что позволяет защитить область подгоночного лазерного реза за счет оплавления стекла.To form the main protective layer, a high-temperature protective paste based on glass is used, which makes it possible to protect the area of the adjustable laser cut by melting the glass.
Для формирования дополнительного защитного слоя используют высокотемпературную или низкотемпературную защитную пасту.To form an additional protective layer, high-temperature or low-temperature protective paste is used.
В качестве припоя используют, например, сплав олово-свинец или олово-висмут.As solder, for example, a tin-lead alloy or tin-bismuth alloy is used.
На фиг. изображена изолирующая подложка с проводниковыми и резистивными слоями.In FIG. depicts an insulating substrate with conductive and resistive layers.
Изолирующая подложка 1 с планарными контактами (проводниковый слой) 2 содержит резистивный слой 3, основной защитный слой 4, дополнительный защитный слой 5 и охватывающие контакты 6.The insulating substrate 1 with planar contacts (conductor layer) 2 comprises a resistive layer 3, a main protective layer 4, an additional protective layer 5 and female contacts 6.
Изготовление толстопленочных резисторов по предлагаемому способу производят следующим образом.The manufacture of thick film resistors by the proposed method is as follows.
В качестве основы изготавливаемых резисторов используются изолирующие подложки (например, керамические пластины). Вначале на изолирующей подложке 1 формируют планарные контакты 2 посредством нанесения высокотемпературной проводниковой пасты методом трафаретной печати на лицевую сторону подложки (на которой формируется резистивный слой) с последующим вжиганием. Затем формируют резистивный слой 3 посредством нанесения высокотемпературной резистивной пасты методом трафаретной печати на лицевую сторону керамической подложки с последующим вжиганием. Формируют основной защитный слой 4 посредством нанесения высокотемпературной защитной пасты на резистивный слой методом трафаретной печати с последующим вжиганием. Осуществляют подгонку сопротивления резисторов в подложке методом удаления части резистивного слоя сфокусированным лучом лазера. Далее формируют дополнительный защитный слой 5 посредством нанесения либо высокотемпературной, либо низкотемпературной защитной пасты методом трафаретной печати с последующими сушкой и вжиганием. Производят маркировку посредством нанесения маркировочной пасты методом трафаретной печати с последующими сушкой и вжиганием и разделение подложек на полосы (плата-ряды). Формируют охватывающие контакты 6 посредством напыления слоя никеля с подслоем титана с последующим горячим лужением припоем.Insulating substrates (for example, ceramic plates) are used as the basis for the manufactured resistors. Initially, planar contacts 2 are formed on the insulating substrate 1 by applying high-temperature conductive paste by screen printing on the front side of the substrate (on which the resistive layer is formed), followed by burning. Then, a resistive layer 3 is formed by applying a high temperature resistive paste by screen printing on the front side of the ceramic substrate, followed by annealing. The main protective layer 4 is formed by applying a high-temperature protective paste to the resistive layer by screen printing followed by annealing. The resistance of the resistors in the substrate is adjusted by removing a part of the resistive layer with a focused laser beam. Next, an additional protective layer 5 is formed by applying either high-temperature or low-temperature protective paste by screen printing followed by drying and burning. Marking is carried out by applying a marking paste by screen printing followed by drying and burning, and the separation of the substrates into strips (row-by-row). The female contacts 6 are formed by spraying a nickel layer with a titanium sublayer followed by hot tinning with solder.
Пример конкретного выполнения способа.An example of a specific implementation of the method.
Пример 1Example 1
В качестве основы резистора использовалась изолирующая подложка (алюмооксидная пластина). Вначале на лицевую сторону изолирующей подложки наносили методом трафаретной печати слой высокотемпературной проводниковой пасты ПП-8 (ЕТ0.035.367 ТУ) с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи с профилем температуры до 850°C, для формирования верхних планарных контактов. После чего сформировали резистивный слой посредством нанесения высокотемпературной резистивной пасты серии 33xx (ТУ 011-00387275-13) методом трафаретной печати на лицевую сторону изолирующей подложки с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи с профилем температуры до 850°C. Далее сформировали защитный слой посредством нанесения высокотемпературной защитной пасты 6550 (ТУ 011-00387275-13) на резистивный слой методом трафаретной печати с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи с профилем температуры до 610°C. После чего производили лазерную подгонку сопротивления резисторов с последующим формированием дополнительного защитного слоя посредством нанесения высокотемпературной защитной пасты ПЗХ-2 (ЕТО.035.464 ТУ) методом трафаретной печати с последующей сушкой в ИК печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи с профилем температуры до 620°C. Далее проводили маркировку посредством нанесения маркировочной пасты 4082 (031-00387275-09 ТУ) методом трафаретной печати с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи при температуре (180-200)°C. Далее производили разлом подложек на полосы, после чего формировали охватывающие контакты посредством напыления слоя никеля с подслоем титана с последующим горячим лужением припоем (сплавом олово-свинец).An insulating substrate (alumina plate) was used as the basis of the resistor. First, a layer of high-temperature conductive paste PP-8 (ET0.035.367 TU) was applied to the front side of the insulating substrate by screen printing, followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multizone furnace with a temperature profile of up to 850 ° C, to form upper planar contacts. Then a resistive layer was formed by applying high-temperature resistive paste of the 33xx series (TU 011-00387275-13) by screen printing on the front side of the insulating substrate, followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multizone furnace with a temperature profile of up to 850 ° C. Next, a protective layer was formed by applying a high-temperature protective paste 6550 (TU 011-00387275-13) on the resistive layer by screen printing followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multi-zone furnace with a temperature profile of up to 610 ° C. After that, the resistance of the resistors was laser-tuned, followed by the formation of an additional protective layer by applying the PZX-2 (ETO.035.464 TU) high-temperature protective paste by screen printing followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multi-zone furnace with a temperature profile 620 ° C. Then, marking was carried out by applying marking paste 4082 (031-00387275-09 TU) by screen printing followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multi-zone furnace at a temperature of (180-200) ° C. Further, the substrates were broken into strips, after which covering contacts were formed by sputtering a nickel layer with a titanium sublayer followed by hot tinning with solder (tin-lead alloy).
Сопротивление резисторов измеряли по ГОСТ 21342.20-78 «Резисторы. Метод измерения сопротивления». Температурный коэффициент сопротивления (ТКС) измеряли согласно ГОСТ 21342.15-78 «Резисторы. Метод определения температурной зависимости сопротивления». Наработку оценивали по ГОСТ 25359-82 «Изделия электронной техники. Общие требования по надежности и методы испытаний». Прочность охватывающего контакта резисторов к воздействию отрывающей силы проверялась путем припаивания к контактным поверхностям (охватывающим контактам) резисторов проволоки диаметром 0,3 мм с применением припоя ПОС-61. При испытаниях воздействующее перпендикулярно торцевым контактным поверхностям (охватывающим контактам) резистора усилие для резисторов типоразмеров 0402, 0603, 0805, 1206 значительно превысило 0,15 кгс.The resistance of the resistors was measured according to GOST 21342.20-78 “Resistors. Method of measuring resistance. " The temperature coefficient of resistance (TCS) was measured according to GOST 21342.15-78 “Resistors. Method for determining the temperature dependence of resistance. " The operating time was evaluated according to GOST 25359-82 “Products of electronic equipment. General reliability requirements and test methods. " The strength of the covering contact of resistors to the effect of tearing force was tested by soldering to the contact surfaces (covering contacts) of wire resistors with a diameter of 0.3 mm using POS-61 solder. During testing, the force acting perpendicular to the end contact surfaces (covering the contacts) of the resistor for resistors of sizes 0402, 0603, 0805, 1206 significantly exceeded 0.15 kgf.
Пример 2:Example 2:
В качестве основы резистора использовалась изолирующая подложка (алюмооксидная пластина). Вначале на лицевую сторону изолирующей подложки наносили методом трафаретной печати слой высокотемпературной проводниковой пасты ПП-8 (ЕТО.035.367 ТУ) с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи с профилем температуры до 850°C, для формирования верхних планарных контактов. После чего сформировали резистивный слой посредством нанесения высокотемпературной резистивной пасты серии 33xx (ТУ 011-00387275-13) методом трафаретной печати на лицевую сторону изолирующей подложки с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи с профилем температуры до 850°C. Далее сформировали защитный слой посредством нанесения высокотемпературной защитной пасты 6550 (ТУ 011-00387275-13) на резистивный слой методом трафаретной печати с последующей сушкой в ИК печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи с профилем температуры до 610°C. После чего производили лазерную подгонку сопротивления резисторов с последующим формированием дополнительного защитного слоя посредством нанесения низкотемпературной защитной пасты 4081 (ТУ 031-00387275-09) методом трафаретной печати с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи при температуре (200±20)°C. Далее проводили маркировку посредством нанесения маркировочной пасты 4082 (031-00387275-09 ТУ) методом трафаретной печати с последующей сушкой в ИК-печи при 150°C и вжиганием в конвейерной мультизонной печи при температуре (180-200)°C. Далее производили разлом подложек на полосы, после чего формировали охватывающие контакты посредством напыления слоя никеля с подслоем титана с последующим горячим лужением припоем (сплавом олово-свинец).An insulating substrate (alumina plate) was used as the basis of the resistor. First, a layer of high-temperature conductive paste PP-8 (ETO.035.367 TU) was applied to the front side of the insulating substrate by screen printing, followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multizone furnace with a temperature profile of up to 850 ° C, to form upper planar contacts. Then a resistive layer was formed by applying high-temperature resistive paste of the 33xx series (TU 011-00387275-13) by screen printing on the front side of the insulating substrate, followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multizone furnace with a temperature profile of up to 850 ° C. Next, a protective layer was formed by applying a high-temperature protective paste 6550 (TU 011-00387275-13) on the resistive layer by screen printing followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and burning in a conveyor multi-zone furnace with a temperature profile of up to 610 ° C. After that, the resistance of the resistors was laser-tuned, followed by the formation of an additional protective layer by applying a low-temperature protective paste 4081 (TU 031-00387275-09) by screen printing followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multi-zone furnace at a temperature ( 200 ± 20) ° C. Then, marking was carried out by applying marking paste 4082 (031-00387275-09 TU) by screen printing followed by drying in an infrared oven at 150 ° C and annealing in a conveyor multi-zone furnace at a temperature of (180-200) ° C. Further, the substrates were broken into strips, after which covering contacts were formed by sputtering a nickel layer with a titanium sublayer followed by hot tinning with solder (tin-lead alloy).
Надежность резисторов подтверждена испытаниями. Интенсивность отказов (λ) в предельно допустимых режимах эксплуатации (Р=Рном, t=85°C) не более 2×10-7 1/ч в течение наработки tλ=25000 в пределах срока службы (Тсл) 25 лет.The reliability of the resistors is confirmed by tests. The failure rate (λ) at the maximum allowable operating mode (P = P nom, t = 85 ° C) of not more than 2 × 10 -7 1 / h during the operating time t λ = 25000 during the service life (T cl) of 25 years.
Таким образом, использование предлагаемого изобретения позволяет увеличить выход годных резисторов (от 10% по прототипу до 70% в предлагаемом способе) с одновременным повышением технических характеристик резисторов, таких как стабильность и температурный коэффициент сопротивления (ТКС), за счет использования защитных слоев, пассивирующих резистивный слой, более точного, локализованного метода подгонки (лазерного).Thus, the use of the invention allows to increase the yield of suitable resistors (from 10% of the prototype to 70% in the proposed method) while improving the technical characteristics of resistors, such as stability and temperature coefficient of resistance (TCS), through the use of protective layers passivating resistive layer, more accurate, localized method of fitting (laser).
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014117051/07A RU2552631C1 (en) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | Thick-film resistor fabrication method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2014117051/07A RU2552631C1 (en) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | Thick-film resistor fabrication method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2552631C1 true RU2552631C1 (en) | 2015-06-10 |
Family
ID=53295007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2014117051/07A RU2552631C1 (en) | 2014-04-25 | 2014-04-25 | Thick-film resistor fabrication method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2552631C1 (en) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2086027C1 (en) * | 1994-05-18 | 1997-07-27 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Method for manufacturing of thick-film resistors |
| RU2159475C2 (en) * | 1997-04-15 | 2000-11-20 | Гомельский государственный университет им. Франциска Скорины | Compound for producing resistive film |
| US6180164B1 (en) * | 1998-10-26 | 2001-01-30 | Delco Electronics Corporation | Method of forming ruthenium-based thick-film resistors |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| RU2497217C1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" | Method for making thick-film resistive elements |
-
2014
- 2014-04-25 RU RU2014117051/07A patent/RU2552631C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2086027C1 (en) * | 1994-05-18 | 1997-07-27 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Method for manufacturing of thick-film resistors |
| RU2159475C2 (en) * | 1997-04-15 | 2000-11-20 | Гомельский государственный университет им. Франциска Скорины | Compound for producing resistive film |
| US6180164B1 (en) * | 1998-10-26 | 2001-01-30 | Delco Electronics Corporation | Method of forming ruthenium-based thick-film resistors |
| RU2402088C1 (en) * | 2009-11-12 | 2010-10-20 | Закрытое акционерное общество "Каскад-Телеком" | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology |
| RU2497217C1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-10-27 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт приборостроения имени В.В. Тихомирова" | Method for making thick-film resistive elements |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2402088C1 (en) | Manufacturing method of precision chip resistors as per hybrid technology | |
| CN109527660B (en) | Manufacturing method of electronic cigarette film heating sheet | |
| RU2497217C1 (en) | Method for making thick-film resistive elements | |
| US6577486B1 (en) | Stacked-type electronic device having film electrode for breaking abnormal current | |
| EP1011110A1 (en) | Resistor and method for manufacturing the same | |
| TW201517071A (en) | Ceramic electronic component and method for manufacturing same | |
| US4053864A (en) | Thermistor with leads and method of making | |
| EP3109868B1 (en) | Preparation method for electronic components with an alloy electrode layer | |
| JP3735151B2 (en) | Multilayer chip varistor and manufacturing method thereof | |
| JPH03250603A (en) | Thermistor | |
| DK144777B (en) | ELECTRICAL RESISTANCE AND PROCEDURE FOR PRODUCING THE SAME | |
| JPH11204304A (en) | Resistor and its manufacture | |
| RU2552630C1 (en) | Chip resistor manufacturing method | |
| RU2755943C1 (en) | Method for producing thick-film resistors | |
| KR100807217B1 (en) | Ceramic component and Method for the same | |
| RU2552631C1 (en) | Thick-film resistor fabrication method | |
| JP3175500B2 (en) | Voltage nonlinear resistor and method of manufacturing the same | |
| RU2552626C1 (en) | Thick-film resistor fabrication method | |
| RU2551905C1 (en) | Chip resistor manufacturing method | |
| JP4622946B2 (en) | Resistance thin film material, sputtering target for forming resistance thin film, resistance thin film, thin film resistor, and manufacturing method thereof. | |
| RU2755344C1 (en) | Method for obtaining thick-film structures for thermal power generators | |
| RU2583952C1 (en) | Method for producing thin film resistor | |
| KR20170113020A (en) | Voltage nonlinear resistive element and method for manufacturing the same | |
| JP6331936B2 (en) | Copper-nickel thick film resistor and manufacturing method thereof | |
| JP4020816B2 (en) | Chip-shaped electronic component and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: PLEDGE Effective date: 20170919 |
|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20180208 |
|
| QB4A | Licence on use of patent |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20180417 Effective date: 20180417 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |