RU2526489C1 - Способ сборки ик-фотоприемника - Google Patents
Способ сборки ик-фотоприемника Download PDFInfo
- Publication number
- RU2526489C1 RU2526489C1 RU2013118765/28A RU2013118765A RU2526489C1 RU 2526489 C1 RU2526489 C1 RU 2526489C1 RU 2013118765/28 A RU2013118765/28 A RU 2013118765/28A RU 2013118765 A RU2013118765 A RU 2013118765A RU 2526489 C1 RU2526489 C1 RU 2526489C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- indium
- lsi
- cushions
- microcontacts
- pea
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к технологии гибридизации ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа (flip chip) и может быть использовано для выравнивания зазоров между кристаллами БИС и МФЧЭ, что приводит к увеличению надежности соединения и стойкости к термоциклированию соединения кристаллов, с помощью так называемых индиевых "подушек" на обоих кристаллах. Способ перевернутого монтажа дополнен новым конструктивным элементом - индиевыми микроконтактами увеличенной площади - «подушками», расположенными на периферии БИС и МФЧЭ и обеспечивающими выравнивание зазоров при гибридизации. Последовательность технологических операций при создании БИС и МФЧЭ с «подушками» остается стандартной, и лишь добавляются новые конструктивные элементы топологии кристаллов БИС и МФЧЭ. Большая площадь индиевых «подушек» предохраняет индиевые микроконтакты от передавливания и перекоса. Индиевые «подушки» МФЧЭ попадают в пазы между индиевыми «подушками» БИС, зазор становится ровным и равным высоте индиевых "подушек", что повышает качество и надежность стыковки. 6 ил.
Description
Изобретение относится к технологии гибридизации ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа (flip chip).
Для соединения способом flip chip [Edited by J.H. Lau, Flip chip technologies, McGraw-Hill, Boston, New York, San Francisco, St Lois, 1995] кристалла БИС мультиплексора (фиг.1) с кристаллом матрицы фоточувствительных элементов (МФЧЭ) (фиг.2) используются индиевые микроконтакты высотой 8-12 мкм на каждом электронном компоненте, протравленные по стандартной технологии "напыление индия+фотолитография по индию", с последующим их совмещением. Гибридизация ИК-фотоприемника осуществляется методом сварки давлением.
Указанный способ гибридизации, его мы принимаем за прототип, имеет существенный недостаток: у полученной микросборки образуется неравномерность зазоров по периметру ИК-фотоприемника (фиг.3). Это происходит из-за возможной разной площади поверхности отдельных индиевых микроконтактов и разности высот индиевых микроконтактов на кристаллах БИС и МФЧЭ, возможной неровности кристаллов МФЧЭ. Опыт показывает, что перекос величины зазоров ~5 мкм в силу разных значений коэффициента температурного расширения и термоциклирования приводит к разрыву индиевого соединения.
Задачей изобретения является выравнивание зазоров между кристаллами БИС и МФЧЭ, что приводит к увеличению надежности соединения и стойкости к термоциклированию соединения кристаллов, исключению передавливания индиевых микроконтактов на кристаллах, вследствие чего может произойти их замыкание.
Цель изобретения достигается тем, что способ сборки ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа, включающий формирование индиевых микроконтактов на кристаллах БИС и МФЧЭ, включает изготовление на периферии кристаллов БИС и МФЧЭ индиевых микроконтактов, площадь которых увеличена, по сравнению с индиевыми микроконтактами фоточувствительных элементов, при этом индиевые микроконтакты увеличенной площади обеспечивают ровный зазор между БИС и МФЧЭ, равный по высоте индиевым микроконтактам увеличенной площади.
Известный способ - прототип, дополнен новым конструктивным элементом - изготовлением индиевых микроконтактов увеличенной, в сравнении с индиевыми контактами фоточувствительных элементов, площади - «подушками», расположенными на периферии БИС (фиг.4) и МФЧЭ (фиг.5) и которые обеспечивают выравнивание зазоров при гибридизации (фиг.6). При этом индиевые «подушки» МФЧЭ попадают в пазы между индиевыми «подушками» БИС, зазор становится ровным и равным высоте индиевых "подушек", что повышает качество и надежность стыковки.
Технический результат достигается тем, что большая площадь индиевых «подушек» (по сравнению с индиевыми микроконтактами фоточувствительных элементов), находящихся на периферии БИС, предохраняет индиевые микроконтакты от передавливания и перекоса и не дает им, в процессе гибридизации, сдавиться до высоты, меньшей уровня индиевых «подушек». Последовательность технологических операций при создании БИС и МФЧЭ с «подушками» остается стандартной и лишь добавляется новый конструктивный элемент - изготовление индиевых «подушек».
На фиг.1-6 изображены:
1 - фрагмент БИС;
2 - индиевые микроконтакты на БИС;
3 - фрагмент МФЧЭ;
4 - индиевые микроконтакты на МФЧЭ;
5 - индиевые микроконтакты после гибридизации (без "подушек");
6 - индиевые "подушки" на БИС;
7 - индиевые "подушки" на МФЧЭ;
8 - индиевые микроконтакты после гибридизации (с "подушками");
9 - индиевые "подушки" после гибридизации БИС и МФЧЭ.
Последовательность технологических операций включает:
- формирование индиевых микроконтактов на кристалле БИС мультиплексора и изготовление микроконтактов увеличенной площади на периферии кристалла;
- формирование индиевых микроконтактов на кристалле МФЧЭ и изготовление микроконтактов увеличенной площади на периферии кристалла;
- гибридизация кристаллов БИС и МФЧЭ.
Отличие способа сборки ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа, включающего формирование индиевых микроконтактов на кристаллах БИС и МФЧЭ и изготовление на периферии кристаллов БИС и МФЧЭ индиевых микроконтактов, большей площади (Фиг.4, 5) от способа сборки ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа, без изготовления микроконтактов большей площади на периферии кристаллов БИС и МФЧЭ (Фиг.1, 2) иллюстрируют фиг.3 и 6. Показано, что при изготовлении на периферии кристаллов БИС и МФЧЭ индиевых микроконтактов большей площади зазор становится ровным и равным высоте индиевых "подушек", что повышает качество, надежность стыковки и исключает передавливание индиевых микроконтактов и, как следствие, их замыкание.
Изготовлены образцы кристаллов БИС мультиплексоров и МФЧЭ с индиевыми «подушками», проведена их гибридизация.
Claims (1)
- Способ сборки ИК-фотоприемника способом перевернутого монтажа, включающий формирование индиевых микроконтактов на кристаллах БИС и МФЧЭ, отличающийся тем, что на периферии кристаллов БИС и МФЧЭ изготавливают индиевые микроконтакты, площадь которых увеличена, по сравнению с индиевыми микроконтактами фоточувствительных элементов, при этом индиевые микроконтакты увеличенной площади обеспечивают ровный зазор между БИС и МФЧЭ, равный по высоте индиевым микроконтактам увеличенной площади.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013118765/28A RU2526489C1 (ru) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | Способ сборки ик-фотоприемника |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013118765/28A RU2526489C1 (ru) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | Способ сборки ик-фотоприемника |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2526489C1 true RU2526489C1 (ru) | 2014-08-20 |
Family
ID=51384869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013118765/28A RU2526489C1 (ru) | 2013-04-23 | 2013-04-23 | Способ сборки ик-фотоприемника |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2526489C1 (ru) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2619362C1 (ru) * | 2016-07-19 | 2017-05-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ сборки кристаллов МФПУ |
RU2628449C1 (ru) * | 2016-11-02 | 2017-08-16 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления многоэлементного ИК фотоприемника |
RU2647223C1 (ru) * | 2016-12-29 | 2018-03-14 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "МТ" (ООО "НТЦ-МТ") | Способ монтажа многоэлементного матричного фотодетектора |
RU2703497C1 (ru) * | 2019-01-14 | 2019-10-17 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Многоэлементный фотоприемник |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6075710A (en) * | 1998-02-11 | 2000-06-13 | Express Packaging Systems, Inc. | Low-cost surface-mount compatible land-grid array (LGA) chip scale package (CSP) for packaging solder-bumped flip chips |
US20050087883A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Advanpack Solutions Pte. Ltd. | Flip chip package using no-flow underfill and method of fabrication |
RU55206U1 (ru) * | 2005-11-14 | 2006-07-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" ФГУП "НПО "ОРИОН" | Матричный фотоприемник |
RU2340981C1 (ru) * | 2007-05-07 | 2008-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника |
RU117715U1 (ru) * | 2012-03-07 | 2012-06-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Модуль фотоэлектронный матричный |
-
2013
- 2013-04-23 RU RU2013118765/28A patent/RU2526489C1/ru active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6075710A (en) * | 1998-02-11 | 2000-06-13 | Express Packaging Systems, Inc. | Low-cost surface-mount compatible land-grid array (LGA) chip scale package (CSP) for packaging solder-bumped flip chips |
US20050087883A1 (en) * | 2003-10-22 | 2005-04-28 | Advanpack Solutions Pte. Ltd. | Flip chip package using no-flow underfill and method of fabrication |
RU55206U1 (ru) * | 2005-11-14 | 2006-07-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" ФГУП "НПО "ОРИОН" | Матричный фотоприемник |
RU2340981C1 (ru) * | 2007-05-07 | 2008-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Способ изготовления матричного фотоприемника |
RU117715U1 (ru) * | 2012-03-07 | 2012-06-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НПО "ОРИОН" | Модуль фотоэлектронный матричный |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2619362C1 (ru) * | 2016-07-19 | 2017-05-15 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ сборки кристаллов МФПУ |
RU2628449C1 (ru) * | 2016-11-02 | 2017-08-16 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Способ изготовления многоэлементного ИК фотоприемника |
RU2647223C1 (ru) * | 2016-12-29 | 2018-03-14 | Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технический центр "МТ" (ООО "НТЦ-МТ") | Способ монтажа многоэлементного матричного фотодетектора |
WO2018124945A1 (ru) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Технический Центр "Мт" (Ооо "Нтц-Мт" ) | Способ монтажа многоэлементного матричного фотодетектора |
RU2703497C1 (ru) * | 2019-01-14 | 2019-10-17 | Акционерное общество "НПО "Орион" | Многоэлементный фотоприемник |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2526489C1 (ru) | Способ сборки ик-фотоприемника | |
US7456493B2 (en) | Structure for mounting semiconductor part in which bump and land portion are hardly detached from each other and method of manufacturing mounting substrate used therein | |
JP2017505998A5 (ru) | ||
JP2015038962A5 (ru) | ||
US9553053B2 (en) | Bump structure for yield improvement | |
KR102011175B1 (ko) | 플립칩 적층을 위한 방법 | |
TWI690102B (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
JP2012059832A5 (ru) | ||
US8866273B2 (en) | Lead frame and semiconductor package structure thereof | |
WO2007044324A3 (en) | Structure and method for forming asymmetrical overlap capacitance in field effect transistors | |
JP2011210773A5 (ru) | ||
DE102010040065A1 (de) | Verspannungsreduktion in einem Chipgehäuse unter Anwendung eines Chip-Gehäuse-Verbindungsschemas bei geringer Temperatur | |
US9245865B1 (en) | Integrated circuit package with multi-trench structure on flipped substrate contacting underfill | |
WO2015038367A3 (en) | Forming through wafer vias in glass | |
WO2016054891A1 (zh) | 驱动芯片及显示装置 | |
TWI637478B (zh) | 晶圓及其形成方法 | |
US20150243617A1 (en) | Method for Flip-Chip Bonding Using Copper Pillars | |
WO2018000934A1 (zh) | 偏光片及其制造方法、显示面板及其制造方法以及显示装置及其制造方法 | |
RU2613617C2 (ru) | Способ повышения прочности стыковки кристаллов | |
DE102010029522A1 (de) | Verspannungsverringerung beim Einbringen eines Chips in ein Gehäuse mittels eines um den Chip herum ausgebildeten Spannungskompensationsgebiets | |
TWI412107B (zh) | 凸塊結構、晶片封裝結構及該凸塊結構之製備方法 | |
WO2013064592A3 (en) | Wafer scale technique for interconnecting vertically stacked semiconductor dies | |
RU2537089C1 (ru) | Способ гибридизации кристаллов бис считывания и матрицы фоточувствительных элементов фотоприемных устройств | |
CN106449449B (zh) | 一种晶圆键合结构的制造方法 | |
KR101542965B1 (ko) | 반도체 기판의 접합 방법 |