RU2525684C1 - Method to assemble microelectromechanical devices - Google Patents

Method to assemble microelectromechanical devices Download PDF

Info

Publication number
RU2525684C1
RU2525684C1 RU2013108395/28A RU2013108395A RU2525684C1 RU 2525684 C1 RU2525684 C1 RU 2525684C1 RU 2013108395/28 A RU2013108395/28 A RU 2013108395/28A RU 2013108395 A RU2013108395 A RU 2013108395A RU 2525684 C1 RU2525684 C1 RU 2525684C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mems
current leads
wire
welding
contact
Prior art date
Application number
RU2013108395/28A
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Алексей Владимирович Близнецов
Максим Владимирович Близнецов
Геннадий Николаевич Корзенев
Галина Петровна Короткова
Светлана Михайловна Лисицына
Евгений Алексеевич Осоченко
Original Assignee
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом"
Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом", Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" filed Critical Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом"
Priority to RU2013108395/28A priority Critical patent/RU2525684C1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2525684C1 publication Critical patent/RU2525684C1/en

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

FIELD: electricity.
SUBSTANCE: method includes formation of volume current leads (VCL) on contact sites of a primary converter (PC) of crystalline type by the method of thermosonic microwelding with subsequent installation of the PC onto the board of the secondary converter of microelectromechanical devices and systems (MEMS). At the same time they previously perform high-temperature assembly of the PC made of a sensitive element SE and other functional elements of MEMS, which is carried out at temperature of not more than 500°C, afterwards to volume current leads made on contact sites of the PC, made of alternating metal layers Cr - Au with thickness of not more than 0.4 mcm, current leads are welded, in the form of a wire of gold by the method of contact welding. Then the PC produced in the specified manner is connected by the produced current leads in the form of a wire by the method of contact welding to contact sites of the secondary converter (SC) of MEMS.
EFFECT: increased reliability of functioning under conditions of high complex external impact.
2 dwg

Description

Предлагаемое изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к способам сборки микроэлектромеханических устройств и систем (МЭМС) на основе пьезоэлектрического кварца.The present invention relates to the field of microelectronics, and in particular to methods for assembling microelectromechanical devices and systems (MEMS) based on piezoelectric quartz.

В данной области техники существует проблема надежности функционирования МЭМС, вызванная ограничением величины внешних (ударных, энергетических и иных) воздействующих факторов.In the art there is a problem of the reliability of MEMS operation, caused by the limitation of the magnitude of external (shock, energy and other) influencing factors.

В качестве базовых способов сборки МЭМС используются технологические приемы микроэлектроники, основанные на электрических соединениях методами микросварки или пайки.As the basic methods of MEMS assembly, microelectronic technological methods are used, based on electrical connections using microwelding or soldering methods.

Известен в качестве прототипа способ сборки гибридных микросборок, включающий монтаж кристаллов, являющийся первичным преобразователем (ПП) на плату гибридной микросборки, служащей вторичным преобразователем (ВП), при этом перед монтажом на контактных площадках (КП) кристаллов (ПП) сформированы методом термокомпрессионной сварки объемные (булавообразные) выводы (ОВ), припаиваемые на предварительно облуженные КП гибридной микросборки (ВП) (а.с. №1496565, МПК H01L 21/50, публ. 08.10.1987 г.).Known as a prototype is a method of assembling hybrid microassemblies, including mounting crystals, which is a primary converter (PP) on a hybrid microassembly board that serves as a secondary converter (VP), and before installation, crystals (PP) are formed by thermal compression welding on contact pads (KP) (club-shaped) conclusions (OM) soldered to pre-tinned KP hybrid microassemblies (VP) (AS No. 1496565, IPC H01L 21/50, publ. 08.10.1987).

К недостаткам известного способа относятся недостаточно высокая теплопроводность сборки, наличие паяных соединений, которые подвержены деструкции при внешних высокоэнергетических воздействиях, в которых эксплуатируются МЭМС, ограничение ремонтоспособности сборок, невысокий уровень интеграции элементов МЭМС, ограниченный свойствами паяных соединений.The disadvantages of this method include the insufficiently high thermal conductivity of the assembly, the presence of soldered joints, which are susceptible to degradation under external high-energy influences in which MEMS is used, the limitation of the maintainability of assemblies, the low level of integration of MEMS elements, limited by the properties of soldered joints.

Задачей авторов изобретения является разработка способа сборки МЭМС, обеспечивающего высокую надежность функционирования МЭМС в условиях высоких комплексных внешних воздействий.The task of the inventors is to develop a MEMS assembly method that provides high reliability of the operation of MEMS in conditions of high complex external influences.

Технический результат изобретения заключается в повышении надежности функционирования МЭМС за счет гарантированного монтажа, основанного на надежном электрическом соединении всех КП элементов МЭМС на основе пьезоэлектрического кварца и в повышении ремонтоспособности МЭМС.The technical result of the invention is to increase the reliability of MEMS due to the guaranteed installation based on the reliable electrical connection of all KP elements of MEMS based on piezoelectric quartz and to increase the maintainability of MEMS.

Указанная задача и новый технический результат обеспечиваются тем, что в известном способе сборки МЭМС, включающем выполнение на контактных площадках первичного преобразователя (ПП) кристаллического типа объемных токовыводов (ОВ) методом термозвуковой микросварки с последующей установкой ПП на плату вторичного преобразователя МЭМС, согласно предлагаемому изобретению предварительно осуществляют высокотемпературную сборку ПП, состоящего из чувствительного элемента ЧЭ и других функциональных элементов МЭМС на основе пьезоэлектрического кварца, которую проводят при температуре не более 500°C, после чего к объемным токовыводам (ОВ), выполненным на контактных площадках, изготовленных из чередующихся слоев Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, приваривают токовыводы в виде проволоки из золота методом контактной сварки, затем полученный указанным образом ПП присоединяют сформированными токовыводами в виде проволоки методом контактной сварки к контактным площадкам вторичного преобразователя (ВП) МЭМС.The specified task and the new technical result are ensured by the fact that in the known MEMS assembly method, comprising performing on the contact pads of the primary transducer (PP) of the crystalline type of volumetric current outputs (S) by the method of thermosonic microwelding with subsequent installation of the PP on the secondary MEMS converter board, according to the invention, previously carry out a high-temperature assembly of a PP consisting of a sensitive element of the CE and other functional elements of MEMS based on piezoelectric of quartz, which is carried out at a temperature of not more than 500 ° C, after which current leads in the form of a gold wire are welded to volumetric current leads (S) made on contact pads made of alternating Cr - Au layers with a thickness of not more than 0.4 μm contact welding, then the PP obtained in this way is connected by formed current leads in the form of a wire by the contact welding method to the contact pads of the MEMS secondary converter (VP).

Предлагаемый способ сборки МЭМС заключается в следующем.The proposed method for assembling MEMS is as follows.

На фиг.1 изображен вид КП устройства ПП со сформированной системой ОВ, где 1 - объемные выводы сферической формы.In Fig.1 shows a view of the CP device PP with the formed system OB, where 1 - volumetric conclusions of a spherical shape.

На фиг 2 изображен общий вид сборки МЭМС, где 1 - первичный преобразователь (ПП); 2 - вторичный преобразователь (ВП); 3 - контактная площадка (КП) чувствительного элемента (ЧЭ) ПП; 4 - объемные выводы (ОВ) сферической формы; 5 - проволочные токовыводы из золота; 6 - контактная площадка (КП) ВП.In Fig.2 shows a General view of the Assembly MEMS, where 1 is the primary Converter (PP); 2 - secondary converter (VP); 3 - contact pad (KP) of the sensitive element (SE) PP; 4 - volumetric findings (S) of a spherical shape; 5 - wire leads made of gold; 6 - contact pad (KP) VP.

Перед сборкой МЭМС на КП изготовленного кварцевого ЧЭ ПП, имеющего заданную конструкцию и топологию с напыленными чередующимися металлическими слоями Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, формируют ОВ из золотой проволоки.Prior to assembling MEMS on a CP of a fabricated quartz CE PP having a given design and topology with deposited alternating Cr - Au metal layers with a thickness of not more than 0.4 μm, an OM is formed from a gold wire.

Проволока, выходящая из капилляра установки ультразвуковой сварки, расплавляется при помощи электрического разряда до получения шарика, который приваривается к КП кварцевого ПП. Проволока отрывается у основания ОВ. В результате на КП получается золотой ОВ сферической формы.The wire emerging from the capillary of the ultrasonic welding unit is melted using an electric discharge to produce a ball that is welded to the quartz PP core. The wire comes off at the base of the OM. As a result, a golden sphere of a spherical shape is obtained at the control point.

ЧЭ со сформированной системой токовыводов сферической формы собирают в ПП в условиях высокотемпературной обработки при температуре около 500°C. Данная операция приводит к изменению состава КП, а именно после сборки в составе КП ПП происходит увеличение относительного массового содержания кислорода в составе пленки золота, диффузия хрома в пленку золота, которые приводят к ухудшению или полному отсутствию сварки проволочных токовыводов на КП ПП. Чтобы избежать проявления указанных негативных факторов и предусмотрено формирование ОВ до процесса сборки измерительного блока ПП.CEs with a formed system of spherical-shaped current leads are collected in PP under conditions of high-temperature processing at a temperature of about 500 ° C. This operation leads to a change in the composition of the KP, namely, after assembly in the composition of the KP PP, there is an increase in the relative mass content of oxygen in the composition of the gold film, diffusion of chromium into the gold film, which lead to a deterioration or complete absence of welding of wire leads on the KP PP. In order to avoid the manifestation of these negative factors, the formation of organic matter is foreseen prior to the assembly process of the measuring unit of the PP.

После высокотемпературной сборки, в зонах КП (фиг.2, позиция 3), к сформированным сферическим ОВ (фиг.2, позиция 4) осуществляют контактную сварку проволочными токовыводами из золота (фиг.2, позиция 5). Собранный таким блок ПП присоединяют приваренными проволочными токовыводами методом контактной сварки к КП ВП (фиг.2, позиция 6).After the high-temperature assembly, in the zones of the control unit (Fig. 2, position 3), the formed spherical OBs (Fig. 2, position 4) are subjected to resistance welding with gold wire leads (Fig. 2, position 5). The PP block assembled in such a way is connected by welded wire current leads by contact welding to the VP VP (Fig. 2, position 6).

Последовательность операций при сборке МЭМС по предлагаемому способу следующая:The sequence of operations during the assembly of MEMS according to the proposed method is as follows:

1. Химическая обработка кварцевого ПП.1. Chemical treatment of quartz PP.

2. Формирование ОВ сферической формы из золота методом термозвуковой сварки на КП кварцевого ЧЭ ПП.2. The formation of a spherical shape of gold from the method of thermosonic welding at the quartz CHE PP.

3. Сборка ПП при температуре 500°C.3. Assembly of PP at a temperature of 500 ° C.

4. Контактная сварка проволочных токовыводов из золота к сформированным ОВ.4. Resistance welding of gold wire leads to formed OM.

5. Соединение контактной сваркой проволочных токовыводов из золота с КП ВП.5. Connection by contact welding of wire current leads made of gold with KP VP.

Формирование ОВ до сборки блока ПП позволяет локально, избирательно, с высокой адгезионной прочностью в нужной точке на КП ПП увеличить толщину золота, не изменяя электрических параметров ПП, и минимизировать увеличение относительного массового содержания Wt% кислорода и диффузию хрома в пленку золота, которые приводят к снижению надежности сварного соединения ПП с ВП в составе МЭМС.The formation of organic matter prior to the assembly of the PP block allows locally, selectively, with high adhesive strength at the desired point on the KP PP to increase the gold thickness without changing the electrical parameters of the PP, and minimize the increase in the relative mass content of Wt% oxygen and the diffusion of chromium into the gold film, which lead to reduce the reliability of the welded joint of PP with VP as part of MEMS.

Таким образом, использование предлагаемого способа позволяет повысить надежность функционирования МЭМС за счет обеспечения гарантированного соединения всех контактных площадок элементов МЭМС из-за замены традиционной пайки методами микросварки и обеспечить повышение их ремонтоспособности и высокий уровень интеграции элементов МЭМС.Thus, the use of the proposed method improves the reliability of MEMS by ensuring a guaranteed connection of all the contact pads of MEMS elements due to the replacement of traditional soldering by microwelding and to increase their maintainability and a high level of integration of MEMS elements.

Пример 1. На партии ЧЭ 1111 в количестве 6 шт. было проведено 60 сварных соединений (по 10 сварных соединений на каждом) на установке ультразвуковой сварки УС.ИММ-5. Процесс сварки начинается с формирования шарика из золотой проволоки марки кр.Зл.99,99-0,04Т. Золотая проволока направляется в область сварки вертикально через сварочный инструмент для осуществления метода термозвуковой микросварки. Конец проволоки (ось вывода перпендикулярна плоскости КП) предварительно оплавляется с помощью электроискрового генератора, образуя шар. Затем сварочный инструмент опускается на поверхность КП ЧЭ ПП. Шар под давлением деформируется и принимает форму полусферы. При этом нижняя поверхность шара образовывает сварное соединение с материалом КП ПП. Относительная деформация шара при образовании качественных соединений составляет 50-60%. Тепло в зону сварки подводят путем нагрева рабочего инструмента до заданной температуры (порядка 100-120°C), что экспериментально показано для улучшения качества сварки.Example 1. On a batch of CE 1111 in the amount of 6 pcs. 60 welded joints (10 welded joints each) were carried out at the ultrasonic welding unit US.IMM-5. The welding process begins with the formation of a ball of gold wire of the grade cr.Zl.99.99-0.04T. The gold wire is directed vertically through the welding tool into the welding area to implement the thermosonic micro-welding method. The end of the wire (the axis of the output is perpendicular to the plane of the KP) is preliminarily fused using an electric spark generator, forming a ball. Then the welding tool descends to the surface of the KP CHE PP. The ball is deformed under pressure and takes the form of a hemisphere. In this case, the lower surface of the ball forms a welded joint with the material KP PP. The relative deformation of the ball during the formation of high-quality compounds is 50-60%. Heat is brought into the welding zone by heating the working tool to a predetermined temperature (about 100-120 ° C), which is experimentally shown to improve the quality of welding.

Для формирования ОВ сферической формы значения параметров термозвуковой сварки устанавливают таким образом, что после формирования ОВ и выполнения процесса сварки отрыв проволоки произошел в заданном месте (в зоне соединения шара с проволокой). Диаметр сформированного ОВ составляет 2-3 диаметра золотой проволоки. На каждой КП ЧЭ формируют необходимое для соединения с имеющимся количеством элементов МЭМС (в данном случае -5) ОВ. Проводится сборка ПП, состоящая из ЧЭ и функциональных или конструктивных элементов на основе пьезоэлектрического кварца при температуре 500°C.In order to form a spherical-shaped OM, the values of the parameters of thermosonic welding are set in such a way that, after the formation of the OM and the welding process, the wire is detached at a predetermined location (in the zone of connection of the ball with the wire). The diameter of the formed OM is 2-3 diameters of the gold wire. At each KP, SEs form what is needed to connect with the available number of MEMS elements (in this case, -5) OM. The assembly of PP is carried out, consisting of SE and functional or structural elements based on piezoelectric quartz at a temperature of 500 ° C.

На ОВ привариваются токовыводы из золотой проволоки кр.Зл.99,99-0,04Т контактной сваркой. Режимы сварки подбираются, исходя из условий получения максимальной прочности сварных соединений. Токовыводы из золотой проволоки привариваются контактной сваркой к КП ВП. Этот способ сборки обеспечивает возможность в случае необходимости замены вышедшего из строя ПП, произвести ремонт МЭМС путем отрыва токовыводов от ПП и его замены без повреждения МЭМС, что не предусмотрено в прототипе.On OV current leads from a gold wire of red. Zl.99,99-0,04T contact welding are welded. Welding modes are selected based on the conditions for obtaining maximum strength of welded joints. Golden wire current leads are welded by contact welding to the VP gearbox. This method of assembly provides the opportunity, if necessary, to replace a failed PCB, to repair MEMS by breaking current leads from the PCB and replace it without damaging the MEMS, which is not provided for in the prototype.

Применение данного способа сборки повысило надежность функционирования МЭМС за счет гарантированного монтажа, основанного на надежном электрическом соединении ГШ на основе пьезоэлектрического кварца, собранного из функциональных элементов при температуре не более 500°С с ВП методами микросварки, и повысило ремонтоспособность МЭМС.The use of this assembly method increased the reliability of MEMS operation due to the guaranteed installation based on a reliable electrical connection of gas-mains based on piezoelectric quartz assembled from functional elements at a temperature of not more than 500 ° C with VP using microwelding methods and increased the maintainability of MEMS.

Claims (1)

Способ сборки микроэлектромеханических устройств (МЭМС), включающий выполнение на контактных площадках первичного преобразователя (ПП) кристаллического типа объемных токовыводов (ОВ) методом термозвуковой микросварки с последующей установкой ПП на плату вторичного преобразователя МЭМС, отличающийся тем, что предварительно осуществляют высокотемпературную сборку ПП, состоящего из чувствительного элемента (ЧЭ) и других функциональных элементов МЭМС на основе пьезоэлектрического кварца, которую проводят при температуре не более 500°C, после чего к объемным токовыводам (ОВ), выполненным на контактных площадках, изготовленных из чередующихся слоев Cr - Au толщиной не более 0,4 мкм, приваривают токовыводы в виде проволоки из золота методом контактной сварки, затем полученный указанным образом ПП присоединяют сформированными токовыводами в виде проволоки методом контактной сварки к контактным площадкам вторичного преобразователя (ВП) МЭМС. A method of assembling microelectromechanical devices (MEMS), including performing on the contact pads of the primary transducer (PP) of the crystalline type of volumetric current leads (S) by the method of thermosonic microwelding, followed by installing the PP on the board of the secondary MEMS converter, characterized in that the high-temperature PP is preliminarily assembled, which consists of a sensitive element (SE) and other MEMS functional elements based on piezoelectric quartz, which is carried out at a temperature of not more than 500 ° C, after that, to the volumetric current leads (RV) made on the contact pads made of alternating Cr - Au layers with a thickness of not more than 0.4 μm, the current leads in the form of gold wire are welded by contact welding, then the resulting PP in this way is connected to the formed current leads in the form wire method of contact welding to the contact pads of the secondary transducer (VP) MEMS.
RU2013108395/28A 2013-02-26 2013-02-26 Method to assemble microelectromechanical devices RU2525684C1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013108395/28A RU2525684C1 (en) 2013-02-26 2013-02-26 Method to assemble microelectromechanical devices

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2013108395/28A RU2525684C1 (en) 2013-02-26 2013-02-26 Method to assemble microelectromechanical devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2525684C1 true RU2525684C1 (en) 2014-08-20

Family

ID=51384586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013108395/28A RU2525684C1 (en) 2013-02-26 2013-02-26 Method to assemble microelectromechanical devices

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2525684C1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2751605C1 (en) * 2020-09-04 2021-07-15 Александр Владимирович Подувальцев Method for installation of wire conductors on bonding pads of semiconductor apparatuses
RU2800791C2 (en) * 2019-01-15 2023-07-28 Иксо Имэджинг, Инк. Synthetic lenses for ultrasonic imaging systems

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1496565C (en) * 1987-10-08 1995-06-09 Варламов Анатолий Александрович Method for mounting chips on tinplate microcircuits
SU1802652A1 (en) * 1990-02-05 1996-04-20 Научно-исследовательский технологический институт Process of manufacture of microassembly
US6489178B2 (en) * 2000-01-26 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US7122905B2 (en) * 2002-02-12 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for mounting microelectronic packages to circuit boards

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU1496565C (en) * 1987-10-08 1995-06-09 Варламов Анатолий Александрович Method for mounting chips on tinplate microcircuits
SU1802652A1 (en) * 1990-02-05 1996-04-20 Научно-исследовательский технологический институт Process of manufacture of microassembly
US6489178B2 (en) * 2000-01-26 2002-12-03 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US6858910B2 (en) * 2000-01-26 2005-02-22 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a molded package for micromechanical devices
US7122905B2 (en) * 2002-02-12 2006-10-17 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for mounting microelectronic packages to circuit boards

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2800791C2 (en) * 2019-01-15 2023-07-28 Иксо Имэджинг, Инк. Synthetic lenses for ultrasonic imaging systems
RU2751605C1 (en) * 2020-09-04 2021-07-15 Александр Владимирович Подувальцев Method for installation of wire conductors on bonding pads of semiconductor apparatuses
WO2022050873A1 (en) * 2020-09-04 2022-03-10 Алексей Александрович ПОДУВАЛЬЦЕВ Method for bonding wire conductors to contact pads of semiconductor devices
AT525920A1 (en) * 2020-09-04 2023-07-15 Aleksandrovich Poduvaltsev Aleksei METHODS OF INSTALLATION OF WIRE CONDUCTORS TO TERMINALS OF SEMICONDUCTOR DEVICES
AT525920B1 (en) * 2020-09-04 2024-02-15 Aleksandrovich Poduvaltsev Aleksei ASSEMBLY METHOD OF WIRE CONDUCTORS TO CONNECTOR SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101268238B1 (en) Manufacture method of semiconductor device
JP2007227893A (en) Semiconductor device manufacturing method
CN106558649B (en) Ultrasonic sensor and its manufacturing method
CN101859733B (en) Semiconductor packaging structure, support plate for same, and manufacture method thereof
CN103017197B (en) Lead-free packaging thin film bridge firer and manufacturing method thereof
RU2525684C1 (en) Method to assemble microelectromechanical devices
CN103187315B (en) The forming method of stud bumps and enforcement device thereof
CN103575589A (en) Detecting anomalous weak beol sites in metallization system
EP1367644A1 (en) Semiconductor electronic device and method of manufacturing thereof
JP2009099637A (en) Circuit board, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
KR20180111215A (en) Device for probe pin using spot welding, method for assembling probe pin using spot welding and system for electro-resistance welding therefor
CN101527287A (en) Wire bond structure and producing method thereof
RU2539999C1 (en) Production of thermocouple
CN103957663A (en) Hollow-welding-column perpendicular interconnection structure of assembled plates and manufacturing method
Wu et al. Thermo-mechanical modelling of Cu wire parallel gap micro-resistance welding process
US20080293235A1 (en) Compound wirebonding and method for minimizing integrated circuit damage
CN207529908U (en) A kind of solder joint welding quality monitoring system
US20220001475A1 (en) Method for connection by brazing enabling improved fatigue resistance of brazed joints
RU2734854C1 (en) Method for multi-crystal modules thermo-sound micro-welding
CN111682008A (en) Method for manufacturing an integrated device comprising a die fixed to a lead frame
TWI566346B (en) Flip chip packaging method
CN109526155B (en) Manufacturing method of solder joint cold solder joint
RU2509638C1 (en) Method of making metallic sandwiched panels
CN107086215A (en) A kind of LED based on front pad can eutectic encapsulating structure and method
TWI299400B (en) Method of bump test