RU1496565C - Method for mounting chips on tinplate microcircuits - Google Patents
Method for mounting chips on tinplate microcircuits Download PDFInfo
- Publication number
- RU1496565C RU1496565C SU4314570A RU1496565C RU 1496565 C RU1496565 C RU 1496565C SU 4314570 A SU4314570 A SU 4314570A RU 1496565 C RU1496565 C RU 1496565C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- board
- club
- crystals
- crystal
- solder
- Prior art date
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении гибридных микросборок и полупроводниковых приборов. The invention relates to microelectronics and can be used in the manufacture of hybrid microassemblies and semiconductor devices.
Цель изобретения повышение надежности микросборок к термоциклическим нагрузкам за счет снижения механических напряжений на границе вывод плата. The purpose of the invention is to increase the reliability of microassemblies to thermocyclic loads by reducing mechanical stresses on the border of the output board.
На фиг. 1 схематически показаны выводы булавообразной формы на контактных площадках кристалла; на фиг. 2 схема присоединения вывода на плату микросборки; на фиг. 3 плата микросборки после нанесения компаунда в промежутки между кристаллами. In FIG. 1 schematically shows the conclusions of the club-shaped form on the contact pads of the crystal; in FIG. 2 scheme for connecting the output to the microassembly board; in FIG. 3 micro-assembly board after applying the compound in the gaps between the crystals.
На фигурах приняты следующие обозначения: 1 вывод булавообразной формы, 2 шариковая часть вывода, 3 проволочная часть вывода, 4 контактная площадка кристалла, 5 кристалл, 6 припой, 7 контактная площадка платы, 8 плата, 9 компаунд. The following notation is used in the figures: 1 pin of a club-shaped form, 2 ball part of the output, 3 wire part of the output, 4 contact pad of the crystal, 5 crystal, 6 solder, 7 contact pad of the board, 8 board, 9 compound.
Способ осуществляют следующим образом. The method is as follows.
Перед постановкой кристалла на плату микросборки на его контактных площадках формируют выводы булавообразной формы. Вывод 1 булавообразной формы состоит из шариковой 2 и проволочной 3 частей. Золотая проволока, выходящая из капилляра установки термокомпрессионной сварки, расплавляется до получения шарика. Шарик присоединяется к контактной площадке 4 кристалла 5. Затем на необходимой высоте проволоку обрезают, формируя вывод булавообразной формы путем обрезки проволоки с другой стороны. Before placing the crystal on the micro-assembly board, mace-shaped conclusions are formed on its contact pads. The pin 1 of the club-shaped form consists of a ball 2 and a wire 3 parts. The gold wire emerging from the capillary of the thermocompression welding unit is melted to form a ball. The ball is attached to the contact pad 4 of the crystal 5. Then, at the required height, the wire is cut, forming a club-shaped output by cutting the wire from the other side.
Кристалл с присоединенными выводами булавообразной формы берут пинцетом за боковые грани и захватывают вакуумным пинцетом за сторону кристалла без выводов. Затем кристалл устанавливают сформированными выводами булавообразной формы на контактные площадки платы микросборки с расправленным припоем 6 так, чтобы каждый вывод попадал на соответствующую контактную площадку 7 платы 8, как и при монтаже шариковых выводов. Высоту столбика выводов булавообразной формы выбирают так, чтобы часть вывода 1, утапливалась в припое 6 контактной площадки 7 платы 8, а другая часть вывода 1 была бы над поверхностью припоя 6. Причем длину проволоки от припоя до шарика выбирают с учетом разности коэффициента теплового расширения платы 8 микросборки и кристалла для его компенсации и устранения напряжений, возникающих на границе кристалл плата микросборки. A crystal with attached mace-shaped leads is taken with tweezers at the side faces and is captured with vacuum tweezers on the side of the crystal without leads. Then the crystal is installed with the formed lead-shaped pins on the contact pads of the microassembly board with the expanded solder 6 so that each pin falls on the corresponding contact pad 7 of the board 8, as when installing the ball pins. The height of the column of conclusions of the club-shaped shape is chosen so that part of terminal 1 is recessed in solder 6 of the contact area 7 of board 8, and the other part of terminal 1 is above the surface of solder 6. Moreover, the length of the wire from the solder to the ball is selected taking into account the difference in the coefficient of thermal expansion of the board 8 microassemblies and a crystal for its compensation and elimination of stresses arising at the boundary of the crystal microassembly board.
Для подогрева платы микросборки до расплавления припоя контактных площадок используют электрическую плиту. После застывания припоя 6 промежутки между кристаллами, присоединенными выводами к платам 8 микросборок, заливают кремнеорганическим или эпоксидным компаундом 9 для увеличения отвода тепла от кристаллов и закрепления кристаллов в установленном положении. An electric stove is used to heat the microassembly board until the solder pads melt. After solidification of the solder 6, the gaps between the crystals connected by the leads to the boards 8 of the microassemblies are filled with an organosilicon or epoxy compound 9 to increase the heat removal from the crystals and to fix the crystals in the installed position.
Ниже приведены примеры реализации предлагаемого способа. Below are examples of the implementation of the proposed method.
Используемые средства и материалы:
автомат присоединения проволочных выводов ЭМ-490;
установка термокомпрессионной сварки ЭМ-439;
электрическая бытовая плитка с закрытой спиралью ГОСТ 306-76;
золотая проволока 3л-999,9 ГОСТ 7222-75 диаметром 40 и 50 мкм;
припой ПОСК-50 ГОСТ 21 931-76 и припой ПОС-61 ГОСТ 21931-76;
клей эластосил 137-180 ТУ-6-02-1-1214-81;
клей ВИКСИНТ ПК-68 ТУ 38103177-73;
подложки СТ-50-1;
подложки ВК-100 ЩЕО.791.000.ТУ.Used tools and materials:
automatic connection of wire leads EM-490;
installation of thermocompression welding EM-439;
electric household stove with a closed spiral GOST 306-76;
gold wire 3l-999.9 GOST 7222-75 with a diameter of 40 and 50 microns;
POSK-50 solder GOST 21 931-76 and POS-61 solder GOST 21931-76;
glue elastosil 137-180 TU-6-02-1-1214-81;
glue VIKSINT PK-68 TU 38103177-73;
substrates ST-50-1;
Substrates VK-100 SCHEO.791.000.TU.
П р и м е р 1. Для формирования выводов булавообразной формы был использован автомат присоединения проволочных выводов ЭМ-490. PRI me R 1. To form the conclusions of the club-shaped form was used automatic connection of wire leads EM-490.
Автомат ЭМ-490 имеет блок формирования шариков. Золотая проволока диаметром 40 мкм, выходящая из капилляра присоединения выводов, расплавлялась, образуя шарик. Золотой шарик присоединяли к контактной площадке кристалла термокомпрессионной сваркой и затем ножницами с горизонтальным движением проволоку обрезали на высоте 100 мкм от шарика, формируя вывод булавообразной формы. Таким образом формировали вывод булавообразной формы на всех контактных площадках кристаллов. The machine EM-490 has a ball forming unit. A gold wire with a diameter of 40 μm, emerging from the capillary of the connection points, melted, forming a ball. A golden ball was attached to the contact area of the crystal by thermocompression welding, and then with a scissors with horizontal movement, the wire was cut at a height of 100 μm from the ball, forming a club-shaped lead. Thus, a club-shaped lead was formed at all contact pads of the crystals.
Кристалл со сформированными выводами с помощью вакуумного пинцета устанавливали на облуженные контактные площадки платы из керамики ВК-100 (поликор). Плату перед монтажом нагревали на электрической плитке до расправления припоя ПОС-61 с температурой плавления 189оС.A crystal with formed pins using vacuum tweezers was mounted on the tinned contact pads of a VK-100 ceramic board (polycor). Charge before assembly was heated on a hotplate until straightening solder POS-61 with a melting point of 189 ° C.
Плату нагревали до 210оС. После установки всех кристаллов на плату микросборки плату охлаждали и промежутки между кристаллами заливали клеем ВИКСИНТ ПК-68. Толщина припоя контактных площадок платы 30 мкм.Charge was heated to 210 C. After all the crystals PCB board microassembly cooled and poured interstices between crystals adhesive VIKSINT PC-68. The thickness of the solder pads of the board 30 microns.
Высота проволочной части вывода от припоя до шарика 80 мкм. The height of the wire part of the output from solder to the ball is 80 microns.
П р и м е р 2. Для формирования выводов булавообразной формы из золотой проволоки диаметром 50 мкм была использована установка ЭМ-439. PRI me R 2. For the formation of the conclusions of the club-shaped form of a gold wire with a diameter of 50 μm, the installation EM-439 was used.
На конце проволоки формировали шарик, который присоединяли к контактной площадке кристалла методом термокомпрессионной сварки и обрезали ножницами с горизонтальным движением на высоте 125 мкм от шарика, формируя вывод булавообразной формы. Затем кристалл вакуумным пинцетом захватывали и устанавливали сформированными выводами на контактные площадки с расплавленным припоем ПОСК-50 ситалловой платы. Плату предварительно нагревали до 165оС. Температура плавления припоя ПОСК-50 142-145оС. Толщина припоя контактных площадок 25 мкм. После установки всех кристаллов на плату микросборки плату охлаждали и промежутки между кристаллами заливали клеем эластосил 137-180. Высота проволочной части вывода от припоя до шарика 100 мкм.A ball was formed at the end of the wire, which was attached to the contact area of the crystal by thermocompression welding and cut with scissors with horizontal movement at a height of 125 μm from the ball, forming a club-shaped lead. Then, the crystal was captured with vacuum tweezers and set with the formed leads on the contact pads with molten solder POSK-50 of the sitall plate. Charge was preheated to 165 C. The melting point of the solder poskim-50 142-145 ° C. The thickness of the solder pads 25 microns. After installing all the crystals on the microassembly board, the board was cooled and the gaps between the crystals were filled with 137-180 elastosil glue. The height of the wire part of the output from solder to the ball is 100 microns.
Проведенные испытания микросборок, собранных по примерам 1 и 2, на циклическое изменение температуры отказов не выявили. The tests of the microassemblies assembled according to examples 1 and 2 for a cyclic change in the temperature of failures were not detected.
Использование изобретения позволит увеличить надежность микросборок за счет снижения напряжений на границе вывод кристалла плата микросборки, повысить надежность соединений кристалл плата микросборки, увеличить производительность монтажа кристаллов и увеличить теплоотвод от кристаллов. The use of the invention will increase the reliability of microassemblies by reducing stresses at the boundary of the output of the crystal microplate assembly, increase the reliability of the connections of the crystal microplate assembly, increase the performance of mounting crystals and increase the heat sink from the crystals.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4314570 RU1496565C (en) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | Method for mounting chips on tinplate microcircuits |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4314570 RU1496565C (en) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | Method for mounting chips on tinplate microcircuits |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU1496565C true RU1496565C (en) | 1995-06-09 |
Family
ID=30440790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU4314570 RU1496565C (en) | 1987-10-08 | 1987-10-08 | Method for mounting chips on tinplate microcircuits |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU1496565C (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2525684C1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Method to assemble microelectromechanical devices |
| RU2527661C1 (en) * | 2013-02-11 | 2014-09-10 | Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" | Method of gang bonding of crystals in assembling highly-dense electronic modules |
-
1987
- 1987-10-08 RU SU4314570 patent/RU1496565C/en active
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Гимпельсон В.Д., Радионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. - М.: Машиностроение, 1976, с.285-287. * |
| Гуськов Г.Я., Блинов Г.А., Газаров А.А. Монтаж микроэлектронной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1986, с.106-109. * |
| Микроэлектронная аппаратура на бескорпусных интегральных микросхемах. /Под ред. Воженина И.Н. - Радио и связь, 1985, с.125-126. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2527661C1 (en) * | 2013-02-11 | 2014-09-10 | Открытое акционерное общество "Концерн радиостроения "Вега" | Method of gang bonding of crystals in assembling highly-dense electronic modules |
| RU2525684C1 (en) * | 2013-02-26 | 2014-08-20 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"-Госкорпорация "Росатом" | Method to assemble microelectromechanical devices |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7413926B2 (en) | Methods of making microelectronic packages | |
| JP3773268B2 (en) | Microelectronic components with sandwich structure | |
| US6262489B1 (en) | Flip chip with backside electrical contact and assembly and method therefor | |
| KR100867575B1 (en) | Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same | |
| KR100201036B1 (en) | Bump, semiconductor chip and package having the bump, and mounting method and semiconductor apparatus | |
| JP2001060645A (en) | Interposer for mounting semiconductor die on board | |
| JP6206494B2 (en) | Semiconductor device | |
| EP2477223B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor apparatus | |
| US6396155B1 (en) | Semiconductor device and method of producing the same | |
| JPH0245357B2 (en) | KIBANNOSETSUZOKUKOZO | |
| US5023697A (en) | Semiconductor device with copper wire ball bonding | |
| KR20020044577A (en) | Advanced flip-chip join package | |
| RU1496565C (en) | Method for mounting chips on tinplate microcircuits | |
| KR20080086178A (en) | Method of manufacturing stack package | |
| KR101008534B1 (en) | Power semiconductor mudule package and method for fabricating the same | |
| KR20030012994A (en) | Tape ball grid array semiconductor chip package having ball land pad which is isolated with adhesive and manufacturing method thereof and multi chip package | |
| JP3450838B2 (en) | Manufacturing method of electronic component package | |
| JP3563170B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| KR970069482A (en) | Semiconductor device, manufacturing method thereof and mounting method thereof | |
| KR940003563B1 (en) | Semiconductor device and making method thereof | |
| JPS6197932A (en) | Compression bonded semiconductor package | |
| KR102065765B1 (en) | Terminal bonding method of semiconductor chip using solder bump | |
| JP2894172B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2564487B2 (en) | Circuit board and hybrid integrated circuit thereof | |
| JPH051079Y2 (en) |