RU2520310C2 - Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой - Google Patents
Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2520310C2 RU2520310C2 RU2012139737/03A RU2012139737A RU2520310C2 RU 2520310 C2 RU2520310 C2 RU 2520310C2 RU 2012139737/03 A RU2012139737/03 A RU 2012139737/03A RU 2012139737 A RU2012139737 A RU 2012139737A RU 2520310 C2 RU2520310 C2 RU 2520310C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- silicon nitride
- particles
- temperature
- carbon
- Prior art date
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к производству изделий с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой и предназначено для защиты от окисления изделий, работающих в условиях окислительной среды при высоких температурах. Техническим результатом изобретения является повышение стойкости покрытия к термоударам. Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой включает формирование на поверхности изделия шликерного покрытия из смеси мелкодисперсных порошков углерода и нитрида кремния со связующим, нагрев изделия в парах кремния в замкнутом объеме реактора до температуры 1700-1800°C с выдержкой в указанном интервале температур в течение 1-2 часов и охлаждением в парах кремния. Перед нагревом до температуры 1700-1800°C производят капсулирование частиц нитрида кремния более термостойким материалом и/или кремнием. Капсулирование осуществляют, например, путём предварительного нагрева порошка нитрида кремния в парах кремния до 1500оС или в кипящем слое в среде углеродсодержащего газа при температуре частичной карбидизации и формирования на частицах Si3N4 пироуглеродного покрытия, а также путём обработки шликерного покрытия в углеродсодержащей среде при температуре частичной карбидизации нитрида кремния. 7 з.п. ф-лы, 1 пр., 1 табл.
Description
Изобретение относится к производству изделий с карбид кремния-, нитрид кремния- и углеродсодержащей основой и предназначено для защиты от окисления изделий, работающих в условиях окислительной среды при высоких температурах.
Известен способ изготовления защитных покрытий из карбонитрида кремния путем осаждения его из газовой фазы с использованием в качестве прекурсоров метилсилана и аммиака [К.В. Михайловский, И.А. Тимофеев /Моделирование тепло- и массопереноса в процессе химического осаждения из газовой фазы Si-C-N-Н/ Перспективные материалы №9а, 2010 г., с.89-95].
Недостатком способа является большая длительность процесса, а также дороговизна одного из прекурсоров (а именно метилсилана), и аморфная структура получаемого материала покрытия. Чтобы перевести аморфную структуру нитрида кремния в кристаллическую, требуется дополнительная термообработка при температуре более 1400°C.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности и достигаемому эффекту является способ получения защитного покрытия на изделиях с углерод-, карбид кремния-, нитрид кремниясодержащей основой, включающий формирование на поверхности изделия шликерного покрытия на основе композиции, состоящей из смеси мелкодисперсных порошков углерода и инертного к кремнию наполнителя и связующего, нагрев изделия в парах кремния в замкнутом объеме реактора с последующей выдержкой при 1700-1800°C в течение 1-2 часов и охлаждением в парах кремния [Патент RU №2458888 от 20.08.2012].
Способ позволяет существенно сократить длительность процесса и тем самым затраты на получение покрытия.
Недостатком способа является то, что с его использованием невозможно получить покрытие состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si (карбонитрид кремния-кремний). Это обусловлено тем, что нитрид кремния имеет свойство разлагаться в вакууме при температуре более 1500°C на кремний и азот.
Задачей изобретения является обеспечение возможности изготовления защитного покрытия состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si, которое выдерживает существенно более высокие тепловые нагрузки (без растрескивания), чем карбид кремния, без увеличения затрат на проведение процесса.
Эта задача решается за счет того, что в способе получения защитного покрытия на изделиях с углерод-, карбид кремния-, нитрид кремнийсодержащей основой, включающем формирование на поверхности изделия шликерного покрытия на основе композиции, состоящей из смеси мелкодисперсных порошков углерода и инертного к кремнию наполнителя и связующего, нагрев изделия в парах кремния в замкнутом объеме реактора с последующей выдержкой при 1700-1800°C в течение 1-2 часов и охлаждением в парах кремния, в соответствии с предлагаемым техническим решением, в качестве инертного к кремнию наполнителя используют нитрид кремния, а перед формированием шликерного покрытия или перед нагревом, или в процессе нагрева изделия со шликерным покрытием до 1500-1550°C производят капсулирование частиц нитрида кремния более термостойким материалом и/или кремнием.
В частности, капсулирование осуществляют:
- путем нагрева изделия со сформированным шликерным покрытием до 1500-1550°C при давлении в реакторе не более 36 мм рт.ст., выдержку в указанном интервале температур и давлений в течение 40-60 минут, охлаждение до температуры 1300°C (вариант 1);
- путем обработки изделий со сформированным шликерным покрытием в углеродсодержащей среде при температуре частичной карбидизации нитрида кремния и частичного насыщения шликерного покрытия пироуглеродом (вариант 2);
- путем обработки частиц порошка Si3N4 в кипящем слое в среде углеродсодержащего газа при температуре его частичной карбидизации и формирования на них пироуглеродного покрытия (вариант 3);
- путем плакирования частиц порошка нитрида кремния коксообразующим связующим с последующим нагревом до температуры 850-1000°C при атмосферном давлении в среде инертного газа (вариант 4);
- путем использования в качестве связующего в композиции для формирования шликерного покрытия силоксанового связующего или коллоидного раствора кремнезема в воде (вариант 5);
- путем нагрева изделия до 1500-1550°C при давлении в реакторе не более 36 мм рт.ст. и выдержки в указанном интервале температур и давлений в течение 1-2 часов с последующим нагревом до 1700-1800°C; при этом нагрев и выдержку при 1500-1550°C проводят при температуре паров кремния, превышающей температуру изделия (вариант 6).
Использование в композиции, состоящей из смеси мелкодисперсных порошков углерода и инертного к кремнию наполнителя (для формирования шликерного покрытия), в качестве инертного к кремнию наполнителя порошка нитрида кремния в совокупности с нагревом изделия в вакууме в парах кремния в замкнутом объеме реактора до температуры - 1700-1800°C, выдержкой в указанном интервале температур в течение 1-2 часов и охлаждением создает предпосылки для получения защитного покрытия состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si.
Проведение перед формированием шликерного покрытия или перед нагревом, или в процессе нагрева изделия со шликерным покрытием капсулирования частиц нитрида кремния более термостойким материалом и/или кремнием позволяет исключить преждевременное (до завершения процесса получения защитного покрытия) разложение нитрида кремния на кремний и азот.
Наличие на частицах нитрида кремния капсулы из более термостойкого материала служит своего рода барьером на пути выхода во внешнее пространство продуктов разложения нитрида кремния, что в силу принципа Ле-Шателье препятствует его разложению. Точно также в силу принципа Ле-Шателье разложению препятствует наличие вокруг него кремния (наличие в системе продукта разложения химического соединения сдвигает равновесие в сторону его сохранения в неизменном виде; так, нами экспериментально установлено, что температура разложения материала системы Si3N4-Si при давлении в реакторе ≤27 мм рт.ст. сдвигается в интервал более высоких температур, а именно с 1500-1550°C в 1650-1700°C). В процессе же нагрева до 1650-1700°C происходит все в большей степени образование SiC за счет увеличения скорости химической реакции между углеродом и кремнием, т.е. все в большей степени происходит блокировка частиц Si3N4.
Так, капсулирование частиц нитрида кремния по варианту 1, осуществляемое путем предварительного нагрева в парах кремния до 1500°C при давлении в реакторе не более 36 мм рт.ст., выдержки в указанном интервале температур и давлений в течение 40-60 минут и охлаждения до температуры 1300°C, происходит за счет:
а) частичной карбидизации частиц Si3N4 на стадии нагрева при контакте их с углеродсодержащими реакторными газами и частицами углерода в шликерном покрытии;
б) конденсации паров кремния в порах, между частицами Si3N4 и углерода (происходящей в основном на стадии охлаждения, когда автоматически формируется пересыщенное состояние паров кремния) с образованием материала покрытия из частично карбидизованных частиц Si3N4, окруженных частично образовавшимся матричным материалом состава SiC-Si.
Капсулирование частиц нитрида кремния по варианту 2 происходит за счет их частичной карбидизации и частичного насыщения шликерного покрытия пироуглеродом.
Капсулирование частиц Si3N4 по варианту 3 происходит за счет их частичной карбидизации и формирования на них пироуглеродного покрытия.
Капсулирование по варианту 4 происходит за счет частичной карбидизации частиц нитрида кремния при взаимодействии их с коксом, а также за счет образования на них коксового слоя.
Капсулирование по варианту 5 происходит за счет частичной карбидизации частиц Si3N4 при взаимодействии их с окисью углерода (CO), образующейся по реакции SiO2+C→SiO+CO непосредственно в порах шликерного покрытия.
Капсулирование по варианту 6 происходит за счет конденсации паров кремния в порах между частицами Si3N4 и углеродом, происходящей из-за формирования пересыщенного состояния паров кремния как на стадии нагрева, так и на стадии изотермической выдержки при 1500-1550°C с образованием материала покрытия из частично карбидизованных частиц Si3N4, окруженных частично образовавшимся матричным материалом состава SiC-Si.
Осуществление нагрева до 1700-1800°C позволяет осуществить перевод остальной части углерода в карбид кремния и получить материал покрытия состава Si3N4-SiC, которые изоморфно кристаллизуются с образованием карбонитрида кремния SiCxNy. Данный материал имеет открытые поры.
Осуществление охлаждения в парах кремния позволяет за счет конденсации паров в порах материала SiCxNy заполнить открытые поры свободным кремнием и получить тем самым материал защитного покрытия состава SiCxNy-Si.
В новой совокупности существенных признаков у объекта изобретения появляется новое свойство: способность предотвратить преждевременное (до завершения процесса получения защитного покрытия) разложение частиц нитрида кремния в шликерном покрытии и обеспечить затем их консолидацию матрицей, состоящей из карбида кремния и свободного кремния.
Новое свойство позволяет обеспечить возможность изготовления защитного покрытия состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si с использованием экономичного процесса силицирования, т.е. без увеличения затрат.
Способ осуществляют следующим образом.
На поверхности изделия с карбидом кремния-, нитридом кремния-, углеродсодержащей основой формируют шликерное покрытие на основе композиции, состоящей из смеси мелкодисперсных порошков углерода и инертного к кремнию наполнителя и связующего. В качестве инертного к кремнию наполнителя используют капсулированный в более термостойком материале и/или кремнии порошок нитрида кремния или капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют в составе шликерного покрытия. В зависимости от этого капсулирование проводят по одному из выше приведенных вариантов:
Так, вариант 1 включает предварительный нагрев в парах кремния до 1500°C при давлении в реакторе не более 36 мм рт.ст., выдержку в указанном интервале температур и давлений в течение 40-60 минут, охлаждение до температуры 1300°C.
Капсулирование частиц может быть проведено также с использованием комбинации вариантов, например, 2, 3, 4 в комбинации с 1-м.
Капсулирование частиц Si3N4 по варианту 1 может быть осуществлено в едином технологическом цикле с получением в целом защитного покрытия.
Затем изделие нагревают в парах кремния в замкнутом объеме реактора в вакууме до температуры 1700-1800°C, выдерживают в указанном интервале температур в течение 1-2 часов.
При этом завершается протекание реакции образования SiC как в порах материала изделия (материала несущей основы), так и в порах материала шликерного покрытия, а также реакции между Si3N4 и углеродом (там, где для ее протекания есть условия) в порах материала шликерного покрытия. Кроме того, протекает твердофазное спекание между собой Si3N4 и SiC, чему способствует наличие жидкой фазы кремния и то обстоятельство, что они кристаллизуются изоморфно.
После этого изделие охлаждают в парах кремния. При этом открытые поры материала изделия и материала покрытия, сформировавшиеся к концу изотермической выдержки при 1700-1800°C, заполняются свободным кремнием за счет конденсации в них паров кремния.
Ниже в подробном изложении приведен пример конкретного выполнения способа.
Пример 1
На поверхности изделия в виде колец ⌀ 150 и толщиной 5 мм из углерод-углеродного композиционного материала (изготовленного на основе низкомодульной углеродной ткани марки УРАЛ-ТМ-4 и пироуглеродной матрицы) сформировали толщиной 0,3 мм шликерное покрытие на основе композиции из 70 вес.% порошка нитрида кремния с размером частиц не более 63 мкм и порошка коллоидного графита с размером частиц не более 40 мкм. В качестве связующего в композиции использовали 8%-ный раствор поливинилового спирта (ПВС) в воде.
После это осуществили капсулирование частиц Si3N4 в шликерном покрытии. Для этого изделие со шликерным покрытием установили внутри реторты вакуумной установки. Внутри реторты над изделием установили тигель с кремнием. Затем произвели нагрев изделия со шликерным покрытием и тигля с кремнием до температуры 1500°C при давлении в реакторе 27 мм рт.ст., выдержали при 1500+20°C,-10°C 60 минут в парах кремния, после чего произвели охлаждение в парах кремния до температуры 1300°C.
Благодаря сравнительно низкой температуре изотермической выдержки (1500°C) и наличию атмосферы насыщенных паров кремния в соответствии с принципом Ле-Шателье предотвращалось разложение частиц нитрида кремния.
На стадии охлаждения из-за возникновения пересыщенного состояния паров кремния происходила их конденсация в порах материала несущей основы и материала шликерного покрытия. В результате происходило заполнение пор материала несущей основы и пор материала шликерного покрытия кремнием с частичной его карбидизацией. Таким образом частицы Si3N4 оказывались окруженными матричным материалом в виде свободного кремния и частично образовавшимся карбидом кремния, т.е. уже на этой стадии произошло капсулирование частиц Si3N4 в парах кремния.
После этого произвели нагрев до 1700°C в парах кремния.
В этот период не только сохранялось капсулированное состояние частиц нитрида кремния (в силу принципа Ле Шателье разложению нитрида кремния в этот период препятствовало наличие вокруг частиц Si3N4 кремниевой матрицы, а также наличие в реторте атмосферы насыщенных паров кремния), но оно и трансформировалось в более устойчивое, а именно по мере повышения температуры все большее количество свободного кремния превращалось в карбид кремния за счет реакции кремния с графитовым порошком.
Затем произвели изотермическую выдержку при 1700-1750°C в течение 2 часов.
В этот период завершилась карбидизация свободного кремния в шликерном покрытии, начинавшаяся на стадии капсулирования частиц нитрида кремния, и образовался материал Si3N4-SiC. В зависимости от соотношения компонентов шликерного покрытия и размеров частиц материал мог содержать то или иное количество свободного кремния, а также поры.
В этот же период завершилась карбидизация свободного кремния в материале несущей основы.
При этом в зависимости от размеров пор в УУКМ часть кремния, а именно в крупных порах, могла не карбидизоваться.
Затем произвели окончательное охлаждение изделия со сформированным на предыдущих стадиях защитным покрытием в парах кремния.
Благодаря возникающему в этот период пересыщенному состоянию паров кремния происходила их конденсация в порах материала покрытия с образованием материала состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si. Следует также отметить, что из-за продолжающейся после заполнения пор материала защитного покрытия конденсации паров кремния на поверхности изделия поверх защитного покрытия состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si формируется слой покрытия из свободного кремния.
Таким образом, в результате силицирования изделия из УУКМ со шликерным покрытием на основе Si3N4 и углерода получено изделие из углерод-карбидокремниевого материала с прочно сцепленным с ним защитным покрытием из материала состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si. В результате визуального осмотра покрытия установлено, что оно имеет гладкую поверхность, при этом текстура материала несущей основы не просматривается.
В результате рентгеноструктурных исследований установлено, что материал покрытия содержит SiC, а результаты элементного анализа показали наличие в нем азота.
Это свидетельствует о том, что материал имеет состав Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si.
Остальные примеры (в том числе 1-й) конкретного выполнения способа получения защитного покрытия состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy-Si на изделиях с углерод-, карбид кремния-, нитрид кремнииясодержащей основой в менее подробном изложении приведены в табл.1, где примеры 1-12 соответствуют заявляемым пределам; пример 13 с пределами по величине температуры на стадии капсулирования частиц нитрида кремния выше верхнего из заявляемых пределов, а пример 14 соответствует способу-прототипу.
При приготовлении композиций для формирования шликерных покрытий во всех примерах использовали порошок нитрида кремния с размером частиц не более 63 мкм и коллоидный графит с размером частиц не более 40 мкм.
На основе анализа табл.1 можно сделать следующие выводы:
1. Проведение операции капсулирования частиц порошка нитрида кремния позволяет получить на изделиях с углерод-, карбид кремния, нитрид кремниясодержащей основой защитные покрытия состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy с использованием экономичного процесса паро-жидкофазного силицирования. При этом образуются качественные полностью закрывающие текстуру несущей основы защитные покрытия; УУКМ несущей основы превращается в УККМ, а в углерод-карбидокремниевом и углерод-нитридокремниевом материалах несущей основы увеличивается содержание кремния (см. примеры 1-12).
2. В случае отсутствия в технологическом процессе формирования защитного покрытия на основе нитрида кремния операции его капсулирования или проведения ее с отступлением от заявляемого способа невозможно получить материал состава Si3N4-SiC-Si или SiCxNy (см. примеры 13, 14).
Claims (8)
1. Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой, включающий формирование на поверхности изделия шликерного покрытия на основе композиции, состоящей из смеси мелкодисперсных порошков углерода и инертного к кремнию наполнителя и связующего, нагрев изделия в парах кремния в замкнутом объеме реактора с последующей выдержкой при 1700-1800°C в течение 1-2 часов и охлаждением в парах кремния, отличающийся тем, что в качестве инертного к кремнию наполнителя используют нитрид кремния, а перед формированием шликерного покрытия или перед нагревом, или в процессе нагрева изделия со шликерным покрытием до 1500-1550°C производят капсулирование частиц нитрида кремния более термостойким материалом и/или кремнием.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют путем предварительного нагрева в парах кремния до 1500°C при давлении в реакторе не более 36 мм рт.ст., выдержки в указанном интервале температур и давлений в течение 40-60 минут и охлаждения до температуры 1300°C.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют путем обработки шликерного покрытия в углеродсодержащей среде при температуре частичной карбидизации нитрида кремния и частичного насыщения шликерного покрытия пироуглеродом.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют путем обработки частиц порошка в кипящем слое в среде углеродсодержащего газа при температуре его частичной карбидизации и формирования на них пироуглеродного покрытия.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют путем плакирования частиц порошка нитрида кремния коксообразующим связующим с последующим нагревом до температуры 850-1000°C при атмосферном давлении в среде инертного газа.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют путем использования в качестве связующего в композиции для формирования шликерного покрытия силоксанового связующего или коллоидного раствора кремнезема в воде.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют путем нагрева изделия до 1500-1550°C при давлении в реакторе не более 36 мм рт.ст. и выдержки в указанном интервале температур и давлений в течение 1-2 часов с последующим нагревом до 1700-1800°C; при этом нагрев и выдержку при 1500-1550°C проводят при температуре паров кремния, превышающей температуру изделия.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что капсулирование частиц нитрида кремния осуществляют путем комбинации вариантов по пп.2-7.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012139737/03A RU2520310C2 (ru) | 2012-09-17 | 2012-09-17 | Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012139737/03A RU2520310C2 (ru) | 2012-09-17 | 2012-09-17 | Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012139737A RU2012139737A (ru) | 2014-03-27 |
RU2520310C2 true RU2520310C2 (ru) | 2014-06-20 |
Family
ID=50342641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012139737/03A RU2520310C2 (ru) | 2012-09-17 | 2012-09-17 | Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2520310C2 (ru) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5855955A (en) * | 1995-06-07 | 1999-01-05 | Lanxide Technology Company L.P. | Method for making self-supporting composite bodies |
US5990025A (en) * | 1996-03-29 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic matrix composite and method of manufacturing the same |
EP2474515A1 (en) * | 2009-09-04 | 2012-07-11 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Ceramic carbon composite material, method for producing ceramic carbon composite material, ceramic-coated ceramic carbon composite material, and method for producing ceramic-coated ceramic carbon composite material |
RU2458888C1 (ru) * | 2011-03-11 | 2012-08-20 | Вячеслав Максимович Бушуев | Способ получения защитных покрытий на изделиях с углеродсодержащей основой |
-
2012
- 2012-09-17 RU RU2012139737/03A patent/RU2520310C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5855955A (en) * | 1995-06-07 | 1999-01-05 | Lanxide Technology Company L.P. | Method for making self-supporting composite bodies |
US5990025A (en) * | 1996-03-29 | 1999-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ceramic matrix composite and method of manufacturing the same |
EP2474515A1 (en) * | 2009-09-04 | 2012-07-11 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Ceramic carbon composite material, method for producing ceramic carbon composite material, ceramic-coated ceramic carbon composite material, and method for producing ceramic-coated ceramic carbon composite material |
RU2458888C1 (ru) * | 2011-03-11 | 2012-08-20 | Вячеслав Максимович Бушуев | Способ получения защитных покрытий на изделиях с углеродсодержащей основой |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2012139737A (ru) | 2014-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2486163C2 (ru) | Способ изготовления изделий из керамоматричного композиционного материала | |
JP2012504099A (ja) | 炭水化物と酸化ケイ素とからか焼により高純度の炭化ケイ素を製造する方法 | |
Yang et al. | Microstructure and thermal stabilities in various atmospheres of SiB0. 5C1. 5N0. 5 nano-sized powders fabricated by mechanical alloying technique | |
RU2458888C1 (ru) | Способ получения защитных покрытий на изделиях с углеродсодержащей основой | |
Istomina et al. | Preparation of biomorphic SiC | |
RU2520310C2 (ru) | Способ получения защитного покрытия на изделиях с карбид кремния-, нитрид кремния-, углеродсодержащей основой | |
CN110041089A (zh) | 一种碳/陶摩擦材料及其制备方法 | |
RU2458889C1 (ru) | Способ изготовления изделий из углерод-карбидокремниевого материала | |
RU2539465C2 (ru) | Способ изготовления изделий из реакционноспеченного композиционного материала | |
RU2458893C1 (ru) | Способ получения защитных покрытий на изделиях с углеродсодержащей основой | |
EP3597621B1 (en) | Method for producing silicon-carbide-based composite | |
RU2470857C1 (ru) | Способ изготовления изделий из углерод-карбидокремниевого материала | |
RU2494998C2 (ru) | Способ изготовления изделий из углерод-карбидокремниевого материала | |
RU2464250C1 (ru) | Способ изготовления изделий из углерод-карбидокремниевого материала | |
RU2554645C2 (ru) | Способ изготовления изделий из реакционноспеченного композиционного материала | |
CN105593193A (zh) | 用于固化硅的具有低渗透率涂层的衬底 | |
RU2539467C2 (ru) | Способ получения защитных покрытий на изделиях из углеродсодержащих материалов | |
CN105601341A (zh) | 一种带β碳化硅涂层刹车盘制备的方法 | |
Ban’kovskaya et al. | Effect of the thermal treatment mode on the composition and structure of ZrB 2-SiC system composites | |
Li et al. | Carbothermal reaction of silica–phenol resin hybrid gels to produce silicon nitride/silicon carbide nanocomposite powders | |
Keller et al. | Direct formulation of nanocrystalline silicon carbide/nitride solid ceramics | |
RU2570076C1 (ru) | Способ изготовления изделий из композиционного материала с углерод-керамической матрицей | |
RU2539464C2 (ru) | Способ получения защитных покрытий на изделиях из углеродсодержащих материалов | |
JP6884516B2 (ja) | SiC焼結体の製造方法 | |
RU2494043C1 (ru) | Способ изготовления изделий из углерод-карбидокремниевого материала |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140918 |
|
NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20151027 |
|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200918 |