RU2506659C2 - Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе - Google Patents
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2506659C2 RU2506659C2 RU2012120825/28A RU2012120825A RU2506659C2 RU 2506659 C2 RU2506659 C2 RU 2506659C2 RU 2012120825/28 A RU2012120825/28 A RU 2012120825/28A RU 2012120825 A RU2012120825 A RU 2012120825A RU 2506659 C2 RU2506659 C2 RU 2506659C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanostructure
- ratio
- vacuum sensor
- thin
- housing
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к измерительной технике. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в определенных соотношениях. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении датчиков вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения.
Известны датчики вакуума, содержащие проволочный резистор, выполняющий функции чувствительного элемента, и способы их изготовления [1, 2]. Известны датчики давления на основе нано- и микроэлектромеханических систем, содержащие тонкопленочный резистор, и способы их изготовления [3, 4]. Их общим недостатком является недостаточно высокая чувствительность в области низкого вакуума.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является способ изготовления датчика вакуума с применением полупроводниковой пленки и датчик вакуума на его основе [5]. Он заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор (который может быть наноструктурой), после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Датчик вакуума, изготовленный таким способом, содержит корпус, тонкопленочный полупроводниковый резистор (который может быть наноструктурой), контактные площадки, контактные проводники, выводы корпуса.
Недостатком такого способа и датчика вакуума на его основе является относительно низкая чувствительность при измерении давлений в области низкого вакуума.
Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика вакуума.
Это достигается тем, что в известном способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающемся в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников, в соответствии с предлагаемым изобретением, тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)20% (SnO2)80%; где 20% - массовая доля SiO2, а 80% - массовая доля компонента SnO2, путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан (ТЭОС) и этиловый спирт (95%) в соотношении 1:1,046 при комнатной температуре и смесь выдерживают до 30 минут, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду в соотношении 1:0,323 соляную кислоту (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:0,399, где за единицу принят объем ТЭОС, и перемешивают не менее 60 минут, причем золь ортокремниевой кислоты наносят на подложку из кремния (Si) с помощью центрифуги с использованием дозатора при скорости вращения центрифуги 3000 об/мин в течение 2 минут, а отжиг осуществляют при температуре 600°C в течение 30 минут в воздушной среде.
При этом в датчике вакуума с наноструктурой, изготовленной по предлагаемому способу, содержащем корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, в соответствии с предлагаемым изобретением, полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnO2·2H2O), причем тетраэтоксисилан и этиловый спирт в соотношении 1:1,046, дистиллированная вода в соотношении 1:0,323, соляная кислота (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:0,399.
На фиг.1 показана конструкция датчика вакуума, который изготавливается по предлагаемым способам. Датчик вакуума содержит корпус 1 (фиг.1), гетерогенную структуру 2 (из тонких пленок материалов), в которой сформирован тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 (наноструктура), контактные площадки 4, контактные проводники 5, выводы корпуса 6, штуцер 7, изоляторы 8, подложку 9 (из кремния).
Согласно предлагаемого способа золь ортокремниевой кислоты, содержащий гидроксид олова, приготавливают в два этапа для нанесения на подложку 9 из кремния (фиг.1). На первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, смесь выдерживают до 30 минут, перед переходом ко второму этапу. Время выдержки установлено, исходя из времени протекания реакции обменного взаимодействия между тетраэтоксисиланом и этиловым спиртом, в результате которой образуется этиловый эфир ортокремневой кислоты. На втором этапе после введения дистиллированной воды, соляной кислоты (HCl) и двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) смесь перемешивают не менее 60 минут. Время процесса установлено, исходя из времени протекания реакции гидролиза эфира, в результате которой образуется ортокремневая кислота. А также, исходя из того, что за это же время на этом этапе происходит образование гидроксида олова (Sn(OH)2) и протекает реакция поликонденсации ортокремневой кислоты.
Золь ортокремневой кислоты, содержащий гидрооксид олова, наносят на подложку 9 (фиг.1) из кремния (Si) с помощью центрифуги с использованием дозатора при скорости вращения центрифуги 3000 об/мин в течение 2 минут. Использование таких режимов центрифуги позволяет достичь необходимой толщины, равномерности и сетчатой наноструктуры пленки (SiO2)20%(SnO2)80% (тонкопленочного полупроводникового резистора 3), а также частично удалить растворитель из этой пленки.
В качестве подложки из кремния (Si) могут быть использованы пластины кремния КЭФ (111) толщиной 200-300 мкм не окисленные, и окисленные промышленным способом в кислороде. Последние имеют окисный слой SiO2, толщина которого около 800 нм.
Отжиг осуществляют при температуре 600°C в течение 30 минут в воздушной среде. Использование таких параметров процесса позволяет окончательно удалить растворитель из пор на поверхности и в объеме пленки, а также осуществить реакции по разложению ортокремневой кислоты (Si(OH)4) до диоксида кремния (SiO2) и гидроксида олова (Sn(OH)4) до диоксида олова (SnO2).
Наличие окисного слоя SiO2 на поверхности подложки из Si не препятствует электрическому соединению тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (фиг.1), выполненного в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80%, с полупроводниковой подложкой 9. При изготовлении контактных площадок 4 к такому резистору из Ag путем вжигания при температуре 600°C обеспечивается электрическое соединение тонкопленочного полупроводникового резистора 3 и подложки 9 в местах контактных площадок 4. То есть тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 оказывается параллельно включенным полупроводниковому резистору, в качестве которого выступает полупроводниковая подложка 9. При этом тонкий окисный слой SiO2 является одной из пленок материалов гетерогенной структуры 2 (фиг.1).
Датчик вакуума работает следующим образом. Тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 при помощи выводов корпуса 6 включают в мостовую измерительную цепь (мост) в качестве одного из ее плеч, с помощью подстроечного резистора (на рисунке не показан), мост балансируют (показания измерительного прибора устанавливают на нуль при начальном давлении, выбранном за точку отсчета).
При увеличении или уменьшении давления в корпусе датчика вакуума увеличивается или уменьшается (соответственно) количество молекул газа, которые участвуют в теплообмене. Если количество молекул газа уменьшается (вследствие уменьшения давления), уменьшается теплоотдача от гетерогенной структуры 2 и тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (сформированного в ней). Их температура нагрева увеличивается, следовательно, уменьшается сопротивление тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры).
Так как тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 включают в мостовую измерительную цепь, то с изменением давления происходит ее разбаланс, который является функцией давления.
Поскольку тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 изготовлен по предлагаемому способу в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80% на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния, то с уменьшением давления в сетчатой наноструктуре (SiO2)20%(SnO2)80% происходит процесс десорбции газов, в частности, кислорода, приводящий к уменьшению сопротивления тонкопленочного полупроводникового резистора 3. Дополнительное приращение к изменению сопротивления резистора повышает чувствительность в диапазоне низкого вакуума.
Сетчатая наноструктура (SiO2)20%(SnO2)80% представляет собой зерна диоксида олова (SnO2), заключенные в диэлектрическую матрицу диоксида кремния (SiO2), размер которых соизмерим с размерами области пространственного заряда (длинной экранирования Дебая). Наличие в такой сетке захваченных из окружающей среды атомов газа, в частности, кислорода, уменьшает размер областей пространственного заряда, зоны их перекрытия и тем самым препятствует перемещению электрических зарядов по сетке. При десорбции препятствие для перемещения электрических зарядов по сетке устраняется, и проводимость растет (сопротивление уменьшается).
На фиг.2 представлены зависимости относительного изменения сопротивления (R/R0) полупроводникового резистора 3 от давления (f): кривая 1 - кремний (Si), кривая 2 - 80% SnO2. Видно, что при наличии сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80% (кривая 2) относительное изменение сопротивления при том же давлении значительно больше, чем при ее отсутствии (кривая 1). Соответственно, чувствительность датчика вакуума с тонкопленочным полупроводниковым резистором в виде сетчатой наноструктурой (SiO2)20%(SnO2)80% значительно выше, чем просто из кремния (Si). Кроме того, проводились экспериментальные исследования сетчатых наноструктур (SiO2)50%(SnO2)50%, которые показали, что наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80% обладают существенно большей чувствительностью, чем (SiO2)50%(SnO2)50%.
На фиг.3 представлена морфология поверхности тонкопленочного полупроводникового резистора 3, полученная с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), при массовой доле диоксида олова (SnO2) - 80%.
Дополнительное приращение к изменению сопротивления тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (фиг.1), повышающее чувствительность в диапазоне низкого вакуума, подтверждается результатами экспериментальных исследований сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80%, которые представлены на фиг.2.
Кроме того, исследовалось влияние непроницаемого покрытия, наносимого на тонкопленочный полупроводниковый резистор. На фиг.4 представлены зависимости относительного изменения сопротивления (R/R0) тонкопленочного полупроводникового резистора в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)20%(SnO2)80% от давления (P): кривая 1 - тонкопленочный полупроводниковый резистор закрыт непроницаемым покрытием (тонким слоем парафина), кривая 2 - открыт. Видно, что когда сетчатая наноструктура (SiO2)20%(SnO2)80% открыта, резко возрастает чувствительность к изменению давления. Это свидетельствует о включении дополнительного механизма - десорбции, увеличивающего чувствительность датчика вакуума.
Благодаря отличительным признакам изобретения повышается чувствительность датчика вакуума.
В результате испытаний экспериментальных образцов датчиков вакуума, изготовленных в соответствии с формулой изобретения, установлено, что датчики позволяют значительно повысить чувствительность.
Предлагаемый способ изготовления датчика вакуума и датчик вакуума на его основе выгодно отличаются от известных и могут найти широкое применение при изготовлении датчиков вакуума.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
1. А.с. СССР №1285327, МПК G01L 21/12 Теплоэлектрический вакуумметр / Тихонов А.И., Васильев В.А., Тельпов С.Е. // Бюл. №3 от 23.01.1987 г.
2. А.с. СССР №1420407, МПК G01L 21/12 Теплоэлектрический преобразователь давления / Васильев В.А., Тельпов С.Е., Тихонов А.И., Горбачева А.В. // Бюл. №32 от 30.08.1988 г.
3. Патент РФ№2398195, МПК G01L9/04, B82B 3/00 Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С. // Бюл. №24 от 27.08.2010 г.
4. Патент РФ№2430342, МПК G01L 9/00 Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В., Москалев С.А. // Бюл. №27 от 27.09.2011 г.
5. Булыга А.В. Полупроводниковые теплоэлектрические вакуумметры. (Библиотека по автоматике, выпуск 177). - М. - Л.: Изд-во Энергия, 1966. - С.115-116.
Claims (1)
- Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности, заключающийся в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников, отличающийся тем, что тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO 2 ) 20% (SnO 2 ) 80% , где 20% - массовая доля SiO 2 , а 80% - массовая доля компонента SnO 2 , путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан (ТЭОС) и этиловый спирт (95%) в соотношении 1:1,046 при комнатной температуре и смесь выдерживают до 30 мин, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду в соотношении 1:0,323, соляную кислоту (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl 2 ·2H 2 O) в соотношении 1:0,399, где за единицу принят объем ТЭОС, и перемешивают не менее 60 мин.
2. Датчик вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности, изготовленный по п.1, содержащий корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, отличающийся тем, что полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl 2 ·2H 2 O), причем тетраэтоксисилан и этиловый спирт в соотношении 1:1,046, дистиллированная вода в соотношении 1:0,323, соляная кислота (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl 2 ·2H 2 O) в соотношении 1:0,399.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012120825/28A RU2506659C2 (ru) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012120825/28A RU2506659C2 (ru) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012120825A RU2012120825A (ru) | 2013-12-10 |
| RU2506659C2 true RU2506659C2 (ru) | 2014-02-10 |
Family
ID=49682521
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012120825/28A RU2506659C2 (ru) | 2012-05-21 | 2012-05-21 | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2506659C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2555499C1 (ru) * | 2014-03-04 | 2015-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой и датчик вакуума на его основе |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1420407A1 (ru) * | 1986-06-05 | 1988-08-30 | Пензенский Политехнический Институт | Теплоэлектрический преобразователь давлени |
| US5347869A (en) * | 1993-03-25 | 1994-09-20 | Opto Tech Corporation | Structure of micro-pirani sensor |
| US5597957A (en) * | 1993-12-23 | 1997-01-28 | Heimann Optoelectronics Gmbh | Microvacuum sensor having an expanded sensitivity range |
| US6725724B2 (en) * | 2000-07-26 | 2004-04-27 | Robert Bosch Gmbh | Manufacturing method for a thin-film high-pressure sensor |
| RU2398195C1 (ru) * | 2009-08-26 | 2010-08-27 | Евгений Михайлович Белозубов | Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе |
| RU2408857C1 (ru) * | 2009-11-16 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом |
| RU2010134298A (ru) * | 2010-08-16 | 2012-02-27 | Евгений Михайлович Белозубов (RU) | Способ настройки датчика давления на основе тонкопленочной тензорезисторной нано- и микроэлектромеханической системы |
-
2012
- 2012-05-21 RU RU2012120825/28A patent/RU2506659C2/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1420407A1 (ru) * | 1986-06-05 | 1988-08-30 | Пензенский Политехнический Институт | Теплоэлектрический преобразователь давлени |
| US5347869A (en) * | 1993-03-25 | 1994-09-20 | Opto Tech Corporation | Structure of micro-pirani sensor |
| US5597957A (en) * | 1993-12-23 | 1997-01-28 | Heimann Optoelectronics Gmbh | Microvacuum sensor having an expanded sensitivity range |
| US6725724B2 (en) * | 2000-07-26 | 2004-04-27 | Robert Bosch Gmbh | Manufacturing method for a thin-film high-pressure sensor |
| RU2398195C1 (ru) * | 2009-08-26 | 2010-08-27 | Евгений Михайлович Белозубов | Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе |
| RU2408857C1 (ru) * | 2009-11-16 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом |
| RU2010134298A (ru) * | 2010-08-16 | 2012-02-27 | Евгений Михайлович Белозубов (RU) | Способ настройки датчика давления на основе тонкопленочной тензорезисторной нано- и микроэлектромеханической системы |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Булыга А.В. Полупроводниковые теплоэлектрические вакуумметры.: Библиотека по автоматике, выпуск 177. - М.-Л.: Энергия, 1966, с.115-116. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2555499C1 (ru) * | 2014-03-04 | 2015-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой и датчик вакуума на его основе |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012120825A (ru) | 2013-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Humidity sensors based on silica nanoparticle aerogel thin films | |
| Luo et al. | Nanocrystalline SnO2 film prepared by the aqueous sol–gel method and its application as sensing films of the resistance and SAW H2S sensor | |
| Qi et al. | Preparation and humidity sensing properties of Fe-doped mesoporous silica SBA-15 | |
| Han et al. | Micro-bead of nano-crystalline F-doped SnO2 as a sensitive hydrogen gas sensor | |
| JP4883624B2 (ja) | 高感度ガスセンサ及びその製造方法 | |
| WO2019172251A1 (ja) | 化学センサ素子、化学センサ素子の製造方法、および化学センサ | |
| Liu et al. | Micromachined catalytic combustion type gas sensor for hydrogen detection | |
| RU2485465C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой и датчик вакуума на его основе | |
| Md Sin et al. | The electrical characteristics of aluminium doped zinc oxide thin film for humidity sensor applications | |
| Pan et al. | A urea biosensor based on pH-sensitive Sm2TiO5 electrolyte–insulator–semiconductor | |
| Averin et al. | Sensitive elements of vacuum sensors based on porous nanostructured SiO 2-SnO 2 sol-gel films | |
| Pan et al. | Structural properties and sensing characteristics of high-k Ho2O3 sensing film-based electrolyte–insulator–semiconductor | |
| RU2506659C2 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе | |
| RU2505885C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе | |
| Abrashova et al. | METAL OXIDE SNO^ sub 2^-ZNO-SIO^ sub 2^ FILMS PREPARED BY SOL-GEL | |
| Li et al. | Optical humidity sensing, proton-conducting sol–gel glass monolith | |
| JP4899230B2 (ja) | ガスセンサ材料、その製造方法及びガスセンサ | |
| RU2539657C1 (ru) | Способ изготовления наноструктурированного чувствительного элемента датчика вакуума и датчик вакуума | |
| RU2555499C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой и датчик вакуума на его основе | |
| Kumar et al. | Sensitivity enhancement mechanisms in textured dielectric based electrolyte-insulator-semiconductor (EIS) sensors | |
| RU2602999C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума наноструктурой на основе смешанных полупроводниковых оксидов и датчик вакуума на его основе | |
| Memarzadeh et al. | Carbon monoxide sensor based on a B2HDDT-doped PEDOT: PSS layer | |
| Wang et al. | Integrated microoxygen sensor based on nanostructured TiO2 thin films | |
| Yliniemi et al. | Chemical composition and barrier properties of Ag nanoparticle-containing sol–gel films in oxidizing and reducing low-temperature plasmas | |
| Borilo et al. | Synthesis and properties of films in the SiO 2-Bi 2 O 3 system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140522 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20160220 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20170522 |