RU2505885C1 - Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе - Google Patents
Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2505885C1 RU2505885C1 RU2012124205/28A RU2012124205A RU2505885C1 RU 2505885 C1 RU2505885 C1 RU 2505885C1 RU 2012124205/28 A RU2012124205/28 A RU 2012124205/28A RU 2012124205 A RU2012124205 A RU 2012124205A RU 2505885 C1 RU2505885 C1 RU 2505885C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sno
- thin
- nanostructure
- tin
- semiconductor resistor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к измерительной технике. В способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой получают гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x. Массовую долю компонента х определяют (задают) в интервале 50%≤х≤90% путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом. Золь приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O). Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика вакуума. 2 н.п. ф-лы, 10 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении датчиков вакуума для измерения давления разреженного газа в вакуумных установках различного назначения.
Известны датчики вакуума, содержащие проволочный резистор, выполняющий функции чувствительного элемента, и способы их изготовления [1, 2].
Известны датчики давления на основе нано- и микроэлектромеханических систем, содержащие тонкопленочный резистор, и способы их изготовления [3, 4]. Их общим недостатком является недостаточно высокая чувствительность в области низкого вакуума.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению является способ изготовления датчика вакуума с применением полупроводниковой пленки и датчик вакуума на его основе [5]. Он заключается в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор (который может быть наноструктурой), после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников. Датчик вакуума, изготовленный таким способом, содержит корпус, тонкопленочный полупроводниковый резистор (который может быть наноструктурой), контактные площадки, контактные проводники, выводы корпуса.
Недостатком такого способа и датчика вакуума на его основе является относительно низкая чувствительность при измерении давлений в области низкого вакуума. Кроме того, недостатком является отсутствие возможности изготавливать датчик с заданной чувствительностью и максимально возможной чувствительностью.
Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности датчика вакуума, получение возможности изготавливать датчик вакуума с заданной и максимально возможной чувствительностью.
Это достигается тем, что в известном способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающемся в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников, в соответствии с предлагаемым изобретением тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, массовую долю компонента x которой перед этим определяют (задают) в интервале 50%≤х≤90%, путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O).
В данном способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой, в соответствии с предлагаемым изобретением, массовую долю компонента x в интервале 50%≤х≤90% определяют (выбирают) исходя из зависимости концентрации диоксида олова (SnO2) от чувствительности S по соотношению:
где S - чувствительность в %, которая задается в пределах от 16,74% до 35,70%; x - массовая доля SnO2 в %, а необходимые объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и массу двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяют по соотношениям:
где 
- масса диоксида олова (SnO2) в мг; x - массовая доля SnO2 в %.
В этом способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой в соответствии с предлагаемым изобретением на первом этапе приготовления золя смешивают тетраэтоксисилан (ТЭОС) и этиловый спирт (95%) в соотношении 1:1,047 при комнатной температуре и выдерживают определенное время, а на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду в соотношении 1:0,323,соляную кислоту (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:2,262 и перемешивают определенное время, где за единицу принят объем ТЭОС.
В таком способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой в соответствии с предлагаемым изобретением на первом этапе приготовления золя после смешивания тетраэтоксисилана и этилового спирта смесь выдерживают в течение 30 минут до перехода ко второму этапу, а на втором этапе после введения дистиллированной воды, соляной кислоты (HCl) и двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) смесь перемешивают в течение 60 минут.
В таком способе изготовления датчика вакуума с наноструктурой в соответствии с предлагаемым изобретением золь ортокремневой кислоты, содержащий гидрооксид олова, наносят на подложку из кремния (Si) с помощью центрифуги с использованием дозатора при скорости вращения центрифуги 3000 об/мин в течение 2 минут, а отжиг осуществляют при температуре 600°С в течение 30 минут в воздушной среде.
При этом датчик вакуума с наноструктурой, изготовленный по предлагаемому способу, содержит корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, в соответствии с предлагаемым изобретением полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем массовая доля компонента x в интервале 50%≤х≤90% определена (задана) исходя из зависимости концентрации диоксида олова (SnO2) от чувствительности S по соотношению (1):
где S - чувствительность в %, которая задается в пределах от 16,74% до 35,70%; x - массовая доля SnO2 в %, а необходимые объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и массу двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золяортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяют соотношениям (2-5):
где 
- масса диоксида олова (SnO2) в мг; x - массовая доля SnO2 в %.
Кроме того, в датчике вакуума с наноструктурой, изготовленной по предлагаемому способу, содержащем корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, в соответствии с предлагаемым изобретением полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем тетраэтоксисилан и этиловый спирт в соотношении 1:1,047, дистиллированная вода в соотношении 1:0,323,соляная кислота (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:2,262.
На фиг.1 показана конструкция датчика вакуума, который изготавливается по предлагаемым способам. Датчик вакуума содержит корпус 1 (фиг.1), гетерогенную структуру 2 (из тонких пленок материалов), в которой сформирован тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 (наноструктура), контактные площадки 4, контактные проводники 5, выводы корпуса 6, штуцер 7, изоляторы 8, подложку 9 (из кремния).
Согласно предлагаемого способа золь ортокремниевой кислоты, содержащий гидроксид олова, приготавливают в два этапа для нанесения на подложку 9 из кремния (фиг.1). На первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, смесь выдерживают в течение 30 минут до перехода ко второму этапу. Время выдержки установлено исходя из времени протекания реакции обменного взаимодействия между тетраэтоксисиланом и этиловым спиртом, в результате которой образуется этиловый эфир ортокремневой кислоты. На втором этапе после введения дистиллированной воды, соляной кислоты (HCl) и двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) смесь перемешивают в течение 60 минут. Время процесса установлено исходя из времени протекания реакции гидролиза эфира, в результате которой образуется ортокремневая кислота. А также, исходя из того, что за это же время на этом этапе происходит образование гидроксида олова (Sn(OH)2) и протекает реакция поликонденсации ортокремневой кислоты.
Золь ортокремневой кислоты, содержащий гидрооксид олова, наносят на подложку 9 (фиг.1) из кремния (Si) с помощью центрифуги с использованием дозатора при скорости вращения центрифуги 3000 об/мин в течение 2 минут. Использование таких режимов центрифуги позволяет достичь необходимой толщины, равномерности и сетчатой наноструктуры пленки (SiO2)100%-x(SnO2)x (тонкопленочного полупроводникового резистора 3), а также частично удалить растворитель из этой пленки.
В качестве подложки из кремния (Si) могут быть использованы пластины кремния КЭФ (111) толщиной 200-300 мкм не окисленные и окисленные промышленным способом в кислороде. Последние имеют окисный слой SiO2, толщина которого около 800 нм.
Отжиг осуществляют при температуре 600°С в течение 30 минут в воздушной среде. Использование таких параметров процесса позволяет окончательно удалить растворитель из пор на поверхности и в объеме пленки, а также осуществить реакции по разложению ортокремневой кислоты (Si(OH)4) до диоксида кремния (SiO2) и гидроксида олова (Sn(OH)4) до диоксида олова (SnO2).
Наличие окисного слоя SiO2 на поверхности подложки из Si не препятствует электрическому соединению тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (фиг.1), выполненного в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, с полупроводниковой подложкой 9. При изготовлении контактных площадок 4 к такому резистору из Ag путем вжигания при температуре 600°С обеспечивается электрическое соединение тонкопленочного полупроводникового резистора 3 и подложки 9 в местах контактных площадок 4. То есть тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 оказывается параллельно включенным полупроводниковому резистору, в качестве которого выступает полупроводниковая подложка 9. При этом тонкий окисный слой SiO2 является одной из пленок материалов гетерогенной структуры 2 (фиг.1).
Датчик вакуума работает следующим образом. Тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 при помощи выводов корпуса 6 включают в мостовую измерительную цепь (мост) в качестве одного из ее плеч, с помощью подстроечного резистора (не показан) мост балансируют (показания измерительного прибора устанавливают на нуль при начальном давлении, выбранном за точку отсчета).
При увеличении или уменьшении давления в корпусе датчика вакуума увеличивается или уменьшается (соответственно) количество молекул газа, которые участвуют в теплообмене. Если количество молекул газа уменьшается (вследствие уменьшения давления), уменьшается теплоотдача от гетерогенной структуры 2 и тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (сформированного в ней). Их температура нагрева увеличивается, следовательно, уменьшается сопротивление тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры).
Так как тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 включают в мостовую измерительную цепь, то с изменением давления происходит ее разбаланс, который является функцией давления.
Поскольку тонкопленочный полупроводниковый резистор 3 изготовлен по предлагаемому способу в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния, то с уменьшением давления в сетчатой наноструктуре (SiO2)100%-x(SnO2)x (с массовой долей компонента х интервале 50%≤x≤90%) происходит процесс десорбции газов, в частности кислорода, приводящий к уменьшению сопротивления тонкопленочного полупроводникового резистора 3. Дополнительное приращение к изменению сопротивления резистора повышает чувствительность в диапазоне низкого вакуума.
Сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x (сетка) в указанном интервале 50%≤х≤90% представляет собой зерна диоксида олова (SnO2), заключенные в диэлектрическую матрицу диоксида кремния (SiO2), размер которых соизмерим с размерами области пространственного заряда (длиной экранирования Дебая). Наличие в такой сетке захваченных из окружающей среды атомов газа, в частности кислорода, уменьшает размер областей пространственного заряда, зоны их перекрытия и тем самым препятствует перемещению электрических зарядов по сетке. При десорбции препятствие для перемещения электрических зарядов по сетке устраняется и проводимость растет (сопротивление уменьшается).
С изменением массовой доли компонента x сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x в интервале 50%≤x≤90% меняется чувствительность к давлению. Соответственно изменяется и морфология поверхности тонкопленочного полупроводникового резистора 3.
На фиг.2 представлена зависимость относительного изменения сопротивления (R/R0) тонкопленочного полупроводникового резистора 3 от давления (Р), при различной массовой доле диоксида олова (компонента x). Кривая 1 - кремний (Si), кривая 2 - 90% SnO2; кривая 3 - 50% SnO2; кривая 4 - 60% SnO2; кривая 5 - 70% SnO2; кривая 6 - 80% SnO2; кривая 7 - 85% - SnO2. Максимальная чувствительность к давлению достигается при х=85%.
На фиг.3 представлена зависимость (кружки - эксперимент, сплошная линия - аппроксимация) относительного изменения сопротивления (R/R0) тонкопленочного полупроводникового резистора 3 от давления (Р) при массовой доле диоксида олова 85% (компонента х).
На фиг.4 (а-д) представлена морфология поверхности тонкопленочного полупроводникового резистора 3, полученная с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), при различной массовой доле диоксида олова (компонента x): а) 50% SnO2; б) 60% SnO2; в) 70% SnO2; г) 80% SnO2; д) 85% SnO2. Сетчатая наноструктура ((SiO2)100%-x(SnO2)x образуется при x=50% в форме мезапористой структуры (фиг.4а, б). До достижения x=70% в ней интенсивно растут нуклеофильные зародыши, достигая некоторого максимума (фиг.4в), после чего они распадаются. При x=80% сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x переходит в форму сетки спинодального распада (фиг.4г, д). Максимум чувствительности к давлению получен при х=85% (фиг.4д).
На фиг.5 представлена зависимость (кружки - эксперимент, сплошная линия - аппроксимация) чувствительности (S) тонкопленочного полупроводникового резистора в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x от массовой доли (х) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость имеет вид:
где S - чувствительность в %; x - массовая доля SnO2 в %.
Зависимость концентрации диоксида олова от чувствительности имеет вид (1):
На фиг.6 представлена зависимость объема (VТЭОС) тетраэтоксисилана (ТЭОС) от массовой доли (х) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость получена на основе экспериментальных данных и имеет вид (2):
где 
- масса диоксида олова (SnO2) в мг; x - массовая доля SnO2 в %.
На фиг.7 представлена зависимость объема этанола (Vэтанола) от массовой доли (x) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость получена на основе экспериментальных данных и имеет вид (3):
На фиг.8 представлена зависимость объема воды (Vводы) от массовой доли (х) диоксида олова (SnO2). Данная зависимость получена на основе экспериментальных данных экспериментальных данных и имеет вид (4):
Дополнительное приращение к изменению сопротивления тонкопленочного полупроводникового резистора 3 (фиг.1), повышающее чувствительность в диапазоне низкого вакуума, подтверждается результатами экспериментальных исследований сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, которые представлены на фиг.2.
Кроме того, исследовалось влияние непроницаемого покрытия, наносимого на тонкопленочный полупроводниковый резистор. На фиг.9 представлены зависимости относительного изменения сопротивления (R/R0) тонкопленочного полупроводникового резистора в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x от давления (Р) при массовой доле диоксида олова х=85%: кривая 1 - тонкопленочный полупроводниковый резистор закрыт непроницаемым покрытием (тонким слоем парафина), кривая 2 - открыт. Видно, что когда сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x открыта, резко возрастает чувствительность к изменению давления. Это свидетельствует о включении дополнительного механизма - десорбции, увеличивающего чувствительность датчика вакуума. На фиг.10 в трехмерном пространстве показана морфология поверхности тонкопленочного полупроводникового резистора 3, полученная с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), при массовой доле диоксида олова х=85%, где отчетливо видна сетчатая наноструктура (SiO2)100%-x(SnO2)x.
Благодаря отличительным признакам изобретения повышается чувствительность. Кроме того, обеспечивается получение возможности изготавливать датчик вакуума с заданной и максимально возможной чувствительностью. Чувствительность S может задаваться в пределах от 16,74% до 35,70%.
Так, если задать максимально возможную чувствительность 35,70%, то с помощью выражения (1) можно определить необходимую массовую долю диоксида кремния:
x(S)=18,117·ln(4,82·35,70-65,06)=85%.
Необходимые при этом объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и масса двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяются по соотношениям (2), (3), (4), (5) соответственно. Если массу диоксида олова 
взять равной 100 мг, то из формул (2)-(5) получим:
Из приведенного расчета следует, что соотношения для тетраэтоксисилана, этанола, воды и массы диоксида олова будут следующие.
В результате испытаний экспериментальных образцов датчиков вакуума, изготовленных в соответствии с формулой изобретения, установлено, что датчики позволяют значительно повысить чувствительность.
Предлагаемый способ изготовления датчика вакуума и датчик вакуума на его основе выгодно отличаются от известных и могут найти широкое применение при изготовлении датчиков вакуума.
Источники информации
1. А.с. СССР №1285327, МПК G01L 21/12 Теплоэлектрический вакуумметр / Тихонов А.И., Васильев В.А., Тельпов С.Е. // Бюл. №3 от 23.01.1987 г.
2. А.с. СССР №1420407, МПК G01L 21/12. Теплоэлектрический преобразователь давления / Васильев В.А., Тельпов С.Е., Тихонов А.И., Горбачева А.В. // Бюл. №32 от 30.08.1988 г.
3. Патент РФ№2398195, МПК G01L 9/04, В82В 3/00. Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе / Белозубов Е.М., Васильев В.А., Чернов П.С. // Бюл. №24 от 27.08.2010 г.
4. Патент РФ№2430342, МПК G 01 L9/00. Полупроводниковый датчик давления с частотным выходным сигналом / Васильев В.А., Громков Н.В., Москалев С.А. // Бюл. №27 от 27.09.2011 г.
5. Булыга А.В. Полупроводниковые теплоэлектрические вакуумметры. (Библиотека по автоматике, выпуск 177). М.-Л.: Изд-во Энергия, 1966. - С.115-116.
Claims (2)
1. Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой, заключающийся в том, что образуют гетероструктуру из различных материалов, в которой формируют тонкопленочный полупроводниковый резистор, после чего ее закрепляют в корпусе датчика, а контактные площадки соединяют с выводами корпуса при помощи контактных проводников, отличающийся тем, что тонкопленочный полупроводниковый резистор формируют в виде сетчатой наноструктуры (SiO2)100%-x(SnO2)x, массовую долю компонента х которой перед этим определяют (задают) в интервале 50%≤x≤90%, путем нанесения золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложку из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготавливают в два этапа, на первом этапе смешивают тетраэтоксисилан и этиловый спирт, затем на втором этапе в полученный раствор вводят дистиллированную воду, соляную кислоту (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем массовую долю компонента х в интервале 50%≤x≤90% определяют (задают) исходя из зависимости концентрации диоксида олова (SnO2) от чувствительности S по соотношению:
где S - чувствительность в %, которая задается в пределах от 16,74% до 35,70%; х - массовая доля SnO2 в %, а необходимые объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и массу двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяют по соотношениям:
где
- масса диоксида олова (SnO2) в мг; х - массовая доля SnO2 в %.
где S - чувствительность в %, которая задается в пределах от 16,74% до 35,70%; х - массовая доля SnO2 в %, а необходимые объем VТЭОС тетраэтоксисилана, объем этанола (Vэтанола), объем дистиллированной воды (Vводы) и массу двухводного хлорида олова (SnCl2·2H2O) для приготовления золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, определяют по соотношениям:
где
2. Датчик вакуума с наноструктурой, изготовленный по п.1, содержащий корпус, установленную в нем гетерогенную структуру из тонких пленок материалов, образованную на подложке из полупроводника, тонкопленочный полупроводниковый резистор и контактные площадки к нему, сформированные в гетерогенной структуре, выводы корпуса и контактные проводники, соединяющие контактные площадки с выводами корпуса, отличающийся тем, что полупроводниковый резистор изготовлен в виде сетчатой наноструктуры на основе золя ортокремниевой кислоты, содержащего гидроксид олова, на подложке из кремния с помощью центрифуги и последующим отжигом, который приготовлен в два этапа, на первом этапе смешивался тетраэтоксисилан и этиловый спирт, а на втором этапе в полученный раствор вводились дистиллированная вода, соляная кислота (HCl) и двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O), причем тетраэтоксисилан и этиловый спирт в соотношении 1:1,047, дистиллированная вода в соотношении 1:0,323, соляная кислота (HCl) в соотношении 1:0,05, двухводный хлорид олова (SnCl2·2H2O) в соотношении 1:2,262.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012124205/28A RU2505885C1 (ru) | 2012-06-09 | 2012-06-09 | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2012124205/28A RU2505885C1 (ru) | 2012-06-09 | 2012-06-09 | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012124205A RU2012124205A (ru) | 2013-12-20 |
| RU2505885C1 true RU2505885C1 (ru) | 2014-01-27 |
Family
ID=49784488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012124205/28A RU2505885C1 (ru) | 2012-06-09 | 2012-06-09 | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2505885C1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2555499C1 (ru) * | 2014-03-04 | 2015-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой и датчик вакуума на его основе |
| RU2602999C1 (ru) * | 2015-06-30 | 2016-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Способ изготовления датчика вакуума наноструктурой на основе смешанных полупроводниковых оксидов и датчик вакуума на его основе |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1420407A1 (ru) * | 1986-06-05 | 1988-08-30 | Пензенский Политехнический Институт | Теплоэлектрический преобразователь давлени |
| US5347869A (en) * | 1993-03-25 | 1994-09-20 | Opto Tech Corporation | Structure of micro-pirani sensor |
| US5597957A (en) * | 1993-12-23 | 1997-01-28 | Heimann Optoelectronics Gmbh | Microvacuum sensor having an expanded sensitivity range |
| US6725724B2 (en) * | 2000-07-26 | 2004-04-27 | Robert Bosch Gmbh | Manufacturing method for a thin-film high-pressure sensor |
| RU2398195C1 (ru) * | 2009-08-26 | 2010-08-27 | Евгений Михайлович Белозубов | Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе |
| RU2408857C1 (ru) * | 2009-11-16 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом |
| RU2010134298A (ru) * | 2010-08-16 | 2012-02-27 | Евгений Михайлович Белозубов (RU) | Способ настройки датчика давления на основе тонкопленочной тензорезисторной нано- и микроэлектромеханической системы |
-
2012
- 2012-06-09 RU RU2012124205/28A patent/RU2505885C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1420407A1 (ru) * | 1986-06-05 | 1988-08-30 | Пензенский Политехнический Институт | Теплоэлектрический преобразователь давлени |
| US5347869A (en) * | 1993-03-25 | 1994-09-20 | Opto Tech Corporation | Structure of micro-pirani sensor |
| US5597957A (en) * | 1993-12-23 | 1997-01-28 | Heimann Optoelectronics Gmbh | Microvacuum sensor having an expanded sensitivity range |
| US6725724B2 (en) * | 2000-07-26 | 2004-04-27 | Robert Bosch Gmbh | Manufacturing method for a thin-film high-pressure sensor |
| RU2398195C1 (ru) * | 2009-08-26 | 2010-08-27 | Евгений Михайлович Белозубов | Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления и датчик давления на его основе |
| RU2408857C1 (ru) * | 2009-11-16 | 2011-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) | Датчик давления на основе нано- и микроэлектромеханической системы с частотным выходным сигналом |
| RU2010134298A (ru) * | 2010-08-16 | 2012-02-27 | Евгений Михайлович Белозубов (RU) | Способ настройки датчика давления на основе тонкопленочной тензорезисторной нано- и микроэлектромеханической системы |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Булыга А.В. Полупроводниковые теплоэлектрические вакуумметры. (Библиотека по автоматике, выпуск 177). - М.-Л.: Энергия, 1966, с.115-116. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2555499C1 (ru) * | 2014-03-04 | 2015-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой и датчик вакуума на его основе |
| RU2602999C1 (ru) * | 2015-06-30 | 2016-11-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет") | Способ изготовления датчика вакуума наноструктурой на основе смешанных полупроводниковых оксидов и датчик вакуума на его основе |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2012124205A (ru) | 2013-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Humidity sensors based on silica nanoparticle aerogel thin films | |
| Mintova et al. | Humidity sensing with ultrathin LTA-type molecular sieve films grown on piezoelectric devices | |
| Qi et al. | Preparation and humidity sensing properties of Fe-doped mesoporous silica SBA-15 | |
| Chen et al. | Humidity sensing behavior of silicon nanowires with hexamethyldisilazane modification | |
| Pronin et al. | Principles of structure formation and synthesis models produced by the sol–gel method SiO2–MexOy nanocomposites | |
| Zhang et al. | Study on humidity sensing properties based on composite materials of Li-doped mesoporous silica A-SBA-15 | |
| Park et al. | Wearable humidity sensors based on bar-printed poly (ionic liquid) for real-time humidity monitoring systems | |
| Han et al. | Micro-bead of nano-crystalline F-doped SnO2 as a sensitive hydrogen gas sensor | |
| WO2019172251A1 (ja) | 化学センサ素子、化学センサ素子の製造方法、および化学センサ | |
| Su et al. | Humidity sensing and electrical properties of a composite material of nano-sized SiO2 and poly (2-acrylamido-2-methylpropane sulfonate) | |
| Liu et al. | Micromachined catalytic combustion type gas sensor for hydrogen detection | |
| RU2505885C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой заданной чувствительности и датчик вакуума на его основе | |
| RU2485465C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой и датчик вакуума на его основе | |
| Janica et al. | Covalently functionalized MXenes for highly sensitive humidity sensors | |
| Hadiyan et al. | Sub-ppm acetone gas sensing properties of free-standing ZnO nanorods | |
| CN117969655B (zh) | 一种声表面波传感器在dmmp气体检测中的应用 | |
| CN110726757B (zh) | 一种基于埃洛石纳米管的湿度传感器及其制备方法 | |
| RU2506659C2 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с наноструктурой повышенной чувствительности и датчик вакуума на его основе | |
| Li et al. | Optical humidity sensing, proton-conducting sol–gel glass monolith | |
| RU2539657C1 (ru) | Способ изготовления наноструктурированного чувствительного элемента датчика вакуума и датчик вакуума | |
| RU2602999C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума наноструктурой на основе смешанных полупроводниковых оксидов и датчик вакуума на его основе | |
| Kumar et al. | Sensitivity enhancement mechanisms in textured dielectric based electrolyte-insulator-semiconductor (EIS) sensors | |
| RU2555499C1 (ru) | Способ изготовления датчика вакуума с трехмерной пористой наноструктурой и датчик вакуума на его основе | |
| KR101912892B1 (ko) | 다공질의 금속산화물 나노튜브 제조 방법, 이를 통해 제조된 다공질의 금속산화물 나노튜브 및 다공질의 금속산화물 나노튜브를 포함하는 가스 센서 | |
| Pan et al. | Structural and sensing properties of high-k Lu2O3 electrolyte-insulator-semiconductor pH sensors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140610 |