RU2494852C1 - Method of solid surface machining - Google Patents
Method of solid surface machining Download PDFInfo
- Publication number
- RU2494852C1 RU2494852C1 RU2012130053/02A RU2012130053A RU2494852C1 RU 2494852 C1 RU2494852 C1 RU 2494852C1 RU 2012130053/02 A RU2012130053/02 A RU 2012130053/02A RU 2012130053 A RU2012130053 A RU 2012130053A RU 2494852 C1 RU2494852 C1 RU 2494852C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- tool
- solid
- movement
- cyclic
- movements
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к области обработки твердых тел, преимущественно для подготовки их поверхности. Способ обработки поверхности твердого тела гложет быть использован, например, для обработки подложек из сверхтвердых материалов для проведения процессов эпитаксии.The invention relates to the field of processing solids, mainly for preparing their surface. A method of treating a solid surface can be used, for example, for treating substrates of superhard materials for carrying out epitaxy processes.
Известен способ односторонней полировки плоских поверхностей [1], включающий обработку плоских поверхностей пластин кремния большого диаметра. Последние установлены с возможностью вращения вокруг своих осей и оси шпинделя, при этом расположены эксцентрично относительно оси вращения инструмента.A known method of one-sided polishing of flat surfaces [1], including the processing of flat surfaces of silicon wafers of large diameter. The latter are mounted with the possibility of rotation around their axes and the axis of the spindle, while being eccentric relative to the axis of rotation of the tool.
Недостаток этого способа заключается в том, что инструмент сохраняет постоянство траекторий зерен абразива, что отражается на качестве полированной поверхности.The disadvantage of this method is that the tool maintains the constancy of the trajectories of the grains of the abrasive, which affects the quality of the polished surface.
Известен также способ обработки плоских поверхностей [2], заключающийся в относительном перемещении инструмента и объекта по эпициклоиде, при этом объекту и инструменту сообщают дополнительное относительное перемещение по лемнискате. Этот способ выбран в качестве прототипа предложенного решения.There is also a method of processing flat surfaces [2], which consists in the relative movement of the tool and the object along the epicycloid, while the object and the tool are informed of additional relative movement along the lemniscate. This method is selected as a prototype of the proposed solution.
Первый недостаток этого способа заключается в том, что перемещение по лемнискате является линейным перемещением по заданной площади поверхности. В этом случае сохраняется вероятность повторяемости траекторий зерен абразива инструмента, что приводит к ухудшению качества обрабатываемой поверхности объекта.The first disadvantage of this method is that the movement along the lemniscate is a linear movement over a given surface area. In this case, the probability of repeating the trajectories of the grains of the abrasive tool remains, which leads to a deterioration in the quality of the treated surface of the object.
Второй недостаток связан с отсутствием возможности обрабатывать площади поверхности больше, чем заданная площадь лемнискаты. Подобным способом невозможно качественно обработать в виде объекта круглые пластины полупроводниковых материалов, предназначенных, например, для эпитаксии, что снижает функциональные возможности способа.The second disadvantage is associated with the inability to process surface areas more than a given area of the lemniscate. In this way, it is impossible to qualitatively process round plates of semiconductor materials in the form of an object, intended, for example, for epitaxy, which reduces the functionality of the method.
Технический результат предполагаемого изобретения заключается в не повторяемости траекторий перемещения зерен абразива инструмента по обрабатываемой поверхности объекта, что повышает качество полирования поверхности. При этом полирование поверхности производят по всей площади обрабатываемого объекта, что повышает функциональные возможности метода.The technical result of the proposed invention consists in the non-repeatability of the trajectories of the movement of the grains of the abrasive tool on the treated surface of the object, which improves the quality of polishing the surface. In this case, surface polishing is carried out over the entire area of the processed object, which increases the functionality of the method.
Указанный технический результат достигается тем, что в способе обработки поверхности твердого тела, включающий взаимное движение инструмента и объекта, произвольные точки на поверхности инструмента и объекта описывают трансцендентные кривые. Не повторяемость траекторий движения зерен абразива инструмента по поверхности объекта достигают тем, что отношение частот движения инструмента и объекта больше единицы и не равно целому числу.The specified technical result is achieved by the fact that in the method of processing the surface of a solid body, including the mutual movement of the tool and the object, arbitrary points on the surface of the tool and the object describe transcendental curves. The irregularity of the trajectories of the movement of the grains of the abrasive tool on the surface of the object is achieved by the fact that the ratio of the frequencies of movement of the tool and the object is greater than unity and not equal to an integer.
Существует вариант, в котором движение произвольных точек на поверхности инструмента и объекта задают разными траекториями циклоидальных кривых, при этом типы траекторий циклоидальных кривых периодически меняют.There is an option in which the movement of arbitrary points on the surface of the tool and the object is set by different trajectories of cycloidal curves, while the types of trajectories of cycloidal curves are periodically changed.
Существует также вариант, в котором в область контакта инструмента с объектом добавляется раствор поверхностно активного вещества с ультрадисперсным абразивом, при этом давление инструмента на объект закономерно периодически меняют.There is also an option in which a solution of a surface-active substance with an ultrafine abrasive is added to the contact area of the tool with the object, while the pressure of the tool on the object is regularly changed periodically.
Существует вариант, в котором на инструмент и на объект дополнительно подают ультразвуковые колебания, при этом отношение частот этих колебаний не равно целому числу.There is an option in which ultrasonic vibrations are additionally applied to the instrument and the object, while the ratio of the frequencies of these vibrations is not equal to an integer.
Существует вариант, в котором дополнительно алгоритмически задают совместное изменение циклоидальных кривых инструмента и объекта, при этом отношение частот движения инструмента и объекта больше единицы и не равно целому числу.There is a variant in which the joint change of the cycloidal curves of the tool and the object is additionally set algorithmically, while the ratio of the frequencies of movement of the tool and the object is greater than one and is not equal to an integer.
На фиг.1 изображено в общем виде устройство для реализации предложенного способа.Figure 1 shows a General view of a device for implementing the proposed method.
На фиг.2 приведено изображение обработанной поверхности алмазной пластины, как результат использования предложенного способа обработки.Figure 2 shows the image of the processed surface of the diamond plate, as a result of using the proposed processing method.
На фиг.3 приведено изображение алмазной пластины. Темной окружностью отмечена выбранная, произвольная область поверхности.Figure 3 shows an image of a diamond plate. A dark circle marks a selected, arbitrary surface area.
На фиг.4 приведено изображение траектории удлиненной эпитрохоиды.Figure 4 shows the image of the trajectory of an elongated epitrochoid.
На фиг.5 приведено изображение траектории эпициклоиды.Figure 5 shows the image of the trajectory of the epicycloid.
На фиг.6 приведено изображение гипоциклоиды.Figure 6 shows an image of a hypocycloid.
Устройство содержит основание 1, с закрепленными на нем исполнительными элементами объекта и исполнительными элементами инструмента (фиг.1).The device contains a
Исполнительные элементы объекта включают в себя: держатель объекта 2, объект 3, первое устройство генерации ультразвуковых колебаний 4, первую систему привода вращения 5 объекта 3, первый механизм циклического перемещения 6 объекта 3, первую систему привода механизма циклического перемещения 7 объекта 3.The executive elements of the object include: the holder of the
Исполнительные элементы объекта закреплены на платформе 8, сопряженной с системой возвратно-поступательного перемещения 9 параллельно плоскости инструмента 11 по направляющим 10.The executive elements of the object are fixed on the platform 8, coupled with a system of reciprocating movement 9 parallel to the plane of the tool 11 along the guides 10.
Исполнительные элементы инструмента включают в себя: инструмент 11, второе устройство генерации ультразвуковых колебаний 12, вторую систему привода вращения 14 инструмента 11, второй механизм циклического перемещения 13 инструмента 11, вторую систему привода механизма циклического перемещения 15 инструмента 11, блок давления 16 инструмента 11 на объект 3.Actuator elements of the tool include: tool 11, a second device for generating ultrasonic vibrations 12, a second rotation drive system 14 of the tool 11, a second cyclic movement mechanism 13 of the tool 11, a second drive system of the cyclic movement mechanism 15 of the tool 11, a pressure unit 16 of the tool 11 on the
Исполнительные элементы инструмента закреплены на платформе 17, обеспечивающей подачу инструмента 11 к объекту 3.The Executive elements of the tool are fixed on the platform 17, which provides the supply of the tool 11 to the
Устройство подачи раствора 19 поверхностно активного вещества в область контакта инструмента 11 и объекта 3 сопряжено с основанием 1 посредством кронштейна 18. Подробно выполнение устройства подачи раствора для обработки изложено в [3].A device for supplying a solution of 19 surfactant to the contact area between the tool 11 and
Первым устройством генерации ультразвуковых колебаний 4 объекта 3 и вторым устройством генерации ультразвуковых колебаний 12 инструмента 11 обеспечиваются указанные далее режимы генерации ультразвуковых колебаний. Подробно выполнение устройства отражено, например, в [4, 5].The first device for generating
Блок давления 16 инструмента 11 на объект 3 обеспечивает указанное далее давление инструмента 11 на объект 3 с определенной периодичностью по времени, зависящей от типа траекторий взаимодействия циклоидальных кривых инструмента 11 и объекта 3.The pressure block 16 of the tool 11 on the
Способ обработки поверхности объекта 3 реализуется устройством следующим образом на примере обработки алмазных пластин для нужд микроэлектроники.The method of surface treatment of
Алмазную пластину (объект 3), например, размером 3,3×3×0.3 мм закрепляют симметрично относительно оси 0-0 на поверхности держателя объекта 2, например, посредством специализированного керамического клея "Boniceram CC6", производства "Nicolectronix", Израиль.A diamond plate (object 3), for example, with a size of 3.3 × 3 × 0.3 mm, is fixed symmetrically with respect to the 0-0 axis on the surface of the holder of
На устройстве держатель объекта 2 вместе с первой системой привода вращения 5, имеющий ось вращения 0-0, расположен на первом механизме циклического перемещения 6 эксцентрично относительно его оси 01-01. Расстояние между осью вращения держателя объекта 2 (0-0) и осью вращения первого механизма циклического перемещения 6 (01-01) составляет, например, в данном случае r1~3,5 мм.On the device, the holder of the
На устройстве инструмент 11, например, в данном случае ⌀ 40 мм вместе со второй системой привода вращения 14, имеющей ось вращения 02-02 расположен на втором механизме циклического перемещения 13 эксцентрично относительно его оси 02-02. Расстояние между осью вращения инструмента 11 (02-02) и осью вращения второго механизма циклического перемещения 13 (03-03) составляет, например, в данном случае R~7 мм.On the device, the tool 11, for example, in this case ⌀ 40 mm together with the second rotation drive system 14 having an axis of rotation 0 2 -0 2, is located on the second cyclic movement mechanism 13 eccentrically relative to its axis 0 2 -0 2 . The distance between the axis of rotation of the tool 11 (0 2 -0 2 ) and the axis of rotation of the second mechanism of cyclic movement 13 (0 3 -0 3 ) is, for example, in this case R ~ 7 mm.
В качестве примера движения объекта по траектории циклоидальной кривой приводим движение отмеченной произвольной области (область ⌀ ~0.4÷0.6 мм) на поверхности алмазной пластины (отмечено темной окружностью на фиг.3), помещенной на держателе объекта 2.As an example of the movement of an object along the trajectory of a cycloidal curve, we cite the movement of a marked arbitrary region (region ⌀ ~ 0.4 ÷ 0.6 mm) on the surface of a diamond plate (marked by a dark circle in Fig. 3) placed on the holder of
Объект совершает одновременно вращательное движение относительно подвижной оси (0-0) вращения держателя объекта 2 и поступательное движение по окружности относительно неподвижной оси (01-01) вращения первого механизма циклического перемещения 6.The object simultaneously rotates with respect to the movable axis (0-0) of rotation of the holder of the
В этом случае движение объекта можно определить, как движение одной подвижной окружности с радиусом r2~1.5 мм, где r2 - расстояние от центра симметрии (ось вращения 0-0) наклеенного на держатель объекта 2 алмазной пластины (объекта 3) до отмеченной темной области фиг.3. Эта подвижная окружность катится по другой неподвижной окружности с радиусом r1=3.5 мм и осью вращения (01-01).In this case, the movement of the object can be defined as the movement of one moving circle with a radius r 2 ~ 1.5 mm, where r 2 is the distance from the center of symmetry (rotation axis 0-0) of the diamond plate glued on the holder of object 2 (object 3) to the marked dark area of figure 3. This moving circle rolls along another fixed circle with a radius r 1 = 3.5 mm and an axis of rotation (0 1 -0 1 ).
В результате отмеченная область на поверхности объекта 3 совершает движение, описываемое циклоидальной кривой, как траектория удлиненной эпитрохоиды (фиг.4).As a result, the marked area on the surface of the
Инструмент 11 совершает одновременно вращательное движение относительно подвижной оси (02-02) вращения инструмента 11 и поступательное движение относительно неподвижной оси вращения (03-03) второго механизма циклического перемещения 13.The tool 11 simultaneously performs a rotational movement relative to the movable axis (0 2 -0 2 ) of rotation of the tool 11 and a translational motion relative to the fixed axis of rotation (0 3 -0 3 ) of the second cyclic movement mechanism 13.
В этом случае движение объекта можно рассматривать как движение по окружности с радиусом r1 вокруг оси (01-01), а движение инструмента как движение зерен абразива по окружности радиусом R вокруг оси (03-03).In this case, the movement of the object can be considered as movement in a circle with a radius r 1 around the axis (0 1 -0 1 ), and the movement of the tool as the movement of grains of abrasive in a circle with a radius R around the axis (0 3 -0 3 ).
Положение объекта на поверхности инструмента задается параметрами перемещения платформы 8.The position of the object on the surface of the tool is set by the movement parameters of the platform 8.
В качестве примера, платформа 8 находится в положении, когда совместное движение объекта 3 и инструмента 11 следует рассматривать как движение одной окружности с радиусом r1 катящейся по другой окружности с радиусом R. В результате этого взаимодействия тип траектории циклоидальной кривой, которую описывает произвольная точка на окружности с радиусом r1 относительно движения зерен абразива, находящихся на окружности с радиусом R, будет определяться как эпициклоида (фиг.5).As an example, platform 8 is in a position where the joint movement of
При положении платформы 8, когда совместное движение объекта 3 и инструмента 11 следует рассматривать как движение одной окружности с радиусом r1 катящейся внутри другой окружности с радиусом R, то тип траектории циклоидальной кривой, которую описывает произвольная точка на окружности с радиусом r1 относительно движения зерен абразива, находящихся на окружности с радиусом R, будет определяться как гипоциклоида (фиг.6).With the position of the platform 8, when the joint movement of
Частоту циклического перемещения объекта 3 обычно задают в диапазоне 1÷20 Гц. Величину и направление вращения объекта 3 задают в пределах 5÷50 сек-1.The frequency of cyclic movement of the
Инструмент 11 совершает циклические перемещения с помощью второго механизма 13. Частоту этих перемещений задают, например, в диапазоне 15÷30 Гц. Величину и направление вращения инструмента 11 задают, например, в диапазоне 100÷500 сек-1.Tool 11 performs cyclic movements using the second mechanism 13. The frequency of these movements is set, for example, in the range of 15 ÷ 30 Hz. The magnitude and direction of rotation of the tool 11 is set, for example, in the range of 100 ÷ 500 sec -1 .
В процессе обработки изменение положения объекта на плоскости инструмента с помощью платформы 8; величины и направления скорости вращения и/или перемещения объекта 3 и/или инструмента 11 является основным технологическим алгоритмом, позволяющим менять типы траекторий и характер взаимодействия циклоидальных кривых инструмента 11 и объекта 3 [6]. При этом отношение частот циклического движения инструмента 11 и объекта 3 должна быть больше единицы и не равно целому числу.During processing, changing the position of the object on the plane of the tool using the platform 8; the magnitude and direction of the speed of rotation and / or movement of the
Для обеспечения эффективной обработки всей поверхности объекта 3 держатель объекта 2 и инструмент 11 совершают циклические перемещения друг относительно друга в области, не выходящей за пределы поверхности работающего инструмента.To ensure effective processing of the entire surface of the
Например, в данном варианте обработки объекта диаметр инструмента ~40 мм, величина эксцентриситета инструмента 11 ~7 мм, величина эксцентриситета объекта 3 ~3.5 мм. Диаметр рабочей поверхности инструмента 11 составляет: 40-14=26 (мм). Перемещение объекта 3 по рабочей поверхности инструмента 11 составляет не более: 26-7=19 (мм).For example, in this variant of processing the object, the diameter of the tool is ~ 40 mm, the magnitude of the eccentricity of the tool is 11 ~ 7 mm, the magnitude of the eccentricity of the object is 3 ~ 3.5 mm. The diameter of the working surface of the tool 11 is: 40-14 = 26 (mm). The movement of the
В момент касания инструмента 11 и объекта 3 в область контакта могут подавать из устройства 19 раствор поверхностно активного вещества (ПАВ) на основе фторсодержащих олигомеров (например, олигомера гексофторпропанола и галоидалкильного эфира карбоновой кислоты) с добавлением ультрадисперсного алмазного абразива (УДА). Размер зерна УДА в данном случае составляет ~5 нм.At the moment of touching the tool 11 and
Блок давления 16 инструмента 11 на объект 3 позволяет с определенной периодичностью во времени изменять давление в процессе обработки в пределах 2,5·105 Па ÷ 6,0·105 Па, что делает эффективным взаимодействие на обрабатываемую поверхность объекта 3 ПАВ и УДА.The pressure block 16 of the tool 11 on the
В процессе обработки на объект 3 и инструмент 11 могут подавать ультразвуковые колебания от первого устройства генерации ультразвуковых колебаний 4 и второго устройства генерации ультразвуковых колебаний 12. На инструмент 11 подают колебания в диапазоне 55÷65 кГц, а на объект 3 подают колебания в диапазоне 30÷45 кГц.During processing, ultrasonic vibrations from
Использование данного способа обработки обеспечивает шероховатость поверхности алмазной пластины (объекта 3) на уровне от 0,16 до 1,9 нм. При обработке поверхности алмазной пластины контроль параметров ее морфологии (шероховатость Ra, среднеквадратическая шероховатость Rq, размах высот Rmax) проводился на атомно-силовом микроскопе (ACM) марки Р-47 Solver фирмы NT MDT (Россия) и рассчитывался по стандарту, заложенном в программном обеспечении микроскопа.Using this processing method provides a surface roughness of the diamond plate (object 3) at a level of from 0.16 to 1.9 nm. When processing the surface of a diamond plate, the parameters of its morphology (roughness R a , root-mean-square roughness R q , height range R max ) were controlled using an atomic force microscope (ACM) of the P-47 Solver brand NT MDT (Russia) and calculated according to the standard laid down in microscope software.
Светлые области (фиг.2) - выступы на поверхности, темные области - впадины на поверхности алмазной пластины. Область сканирования поверхности: 1.4×1.4 мкм.Light areas (figure 2) are protrusions on the surface, dark areas are depressions on the surface of the diamond plate. Surface scan area: 1.4 × 1.4 μm.
Шероховатость поверхности алмазной пластины после обработки составила: Ra=0,54 nm, среднеквадратическая шероховатость Rq=0,70 nm, размах высот Rmax=6,48 nm.The roughness of the surface of the diamond plate after processing was: R a = 0.54 nm, the root mean square roughness R q = 0.70 nm, the height swing R max = 6.48 nm.
Использование данного способа обработки поверхности твердого тела сделало возможным проведение процесса молекулярно-лучевой эпитаксии и позволило вырастить на алмазных пластинах монокристаллическую пленку кремния [7], что так же расширяет функциональные возможности способа.Using this method of processing the surface of a solid body made it possible to carry out the molecular beam epitaxy process and allowed to grow a single-crystal silicon film on diamond plates [7], which also extends the functionality of the method.
ЛИТЕРАТУРАLITERATURE
1. Шульга В.Г.; Денисенко В.П.; Козлов Ю.Ф.; Хохлов А.И. Способ одностороннего полирования плоских поверхностей деталей. Номер патента РФ 2159173, дата публикации 20.11.2000.1. Shulga V.G .; Denisenko V.P .; Kozlov Yu.F .; Khokhlov A.I. The method of one-sided polishing of flat surfaces of parts. RF patent number 2159173, publication date 11/20/2000.
2. В.Ю. Карасев. Способ обработки плоских поверхностей и устройство для его осуществления. Авторское свидетельство СССР, SU 1541034 A1, дата публикации 07.02.1990.2. V.Yu. Karasev. A method of processing flat surfaces and a device for its implementation. USSR copyright certificate, SU 1541034 A1, publication date 02/07/1990.
3. Худобин Л.В., Бердичевский Е.Г. Техника применения смазачно-охлаждающих средств в металлообработке. - М.: Машиностроение, 1977. - 189 с.3. Khudobin L.V., Berdichevsky E.G. Technique for the use of cutting lubricants in metalworking. - M.: Mechanical Engineering, 1977 .-- 189 p.
4. Хмелев В.Н., Барсуков Р.В., Цыганок С.Н. Ультразвуковая размерная обработка материалов: Научная монография / Алт. гос. Техн. Ун-т. им. И.И. Ползунова. - Барнаул: изд. АлтГТУ, 1997. - 120 с.4. Khmelev V.N., Barsukov R.V., Tsyganok S.N. Ultrasonic dimensional processing of materials: Scientific monograph / Alt. state Tech. Un-t. them. I.I. Polzunova. - Barnaul: ed. Altai State Technical University, 1997 .-- 120 p.
5. М.П. Козочкин, Н.В. Солис-Пинарготе. Исследование особенностей вибрационного точения. // Станочный парк. - МАЙ 2012. С.73-77.5. M.P. Kozochkin, N.V. Solis Pinargote. Study of the features of vibration turning. // Machine park. - MAY 2012.P. 73-77.
6. Математический энциклопедический словарь. М. «Советская энциклопедия», 1988 г.6. Mathematical Encyclopedic Dictionary. M. "Soviet Encyclopedia", 1988
7. В.Ю. Карасев, В.Д. Крюков, М.Г. Кузнецов, С.М. Пинтус, М.A. Ламин, О.П. Пчеляков, Л.В. Соколов. Особенности роста пленок кремния на алмазных подложках. // Микроэлектроника. - 2005. - Т.34. - №1. - С.37-42.7. V.Yu. Karasev, V.D. Kryukov, M.G. Kuznetsov, S.M. Pintus, M.A. Lamin, O.P. Pchelyakov, L.V. Sokolov. Features of the growth of silicon films on diamond substrates. // Microelectronics. - 2005. - T.34. - No. 1. - S. 37-42.
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012130053/02A RU2494852C1 (en) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | Method of solid surface machining |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2012130053/02A RU2494852C1 (en) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | Method of solid surface machining |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2494852C1 true RU2494852C1 (en) | 2013-10-10 |
Family
ID=49302872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2012130053/02A RU2494852C1 (en) | 2012-07-17 | 2012-07-17 | Method of solid surface machining |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2494852C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2576275C1 (en) * | 2014-08-25 | 2016-02-27 | Владимир Юрьевич Карасев | Method of mechanical vortex treatment of crystals |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU448122A1 (en) * | 1972-05-30 | 1974-10-30 | Device for finishing flat surfaces | |
US4149343A (en) * | 1976-01-31 | 1979-04-17 | Georg Muller Kugellager Fabrik K.G. | Surface-grinding method and apparatus |
SU1065165A1 (en) * | 1982-07-05 | 1984-01-07 | Kulakov Mikhail M | Apparatus for single-side lapping of parts |
SU1541034A1 (en) * | 1987-08-06 | 1990-02-07 | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова | Method and apparatus for working plane surfaces |
SU1829770A1 (en) * | 1991-04-29 | 1996-04-10 | Научно-производственное объединение "Пульсар" | Device for finishing semiconductor plates |
RU2315391C2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-01-20 | Тойота Дзидося Кабусики Кайся | Precision machining device and method |
-
2012
- 2012-07-17 RU RU2012130053/02A patent/RU2494852C1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU448122A1 (en) * | 1972-05-30 | 1974-10-30 | Device for finishing flat surfaces | |
US4149343A (en) * | 1976-01-31 | 1979-04-17 | Georg Muller Kugellager Fabrik K.G. | Surface-grinding method and apparatus |
SU1065165A1 (en) * | 1982-07-05 | 1984-01-07 | Kulakov Mikhail M | Apparatus for single-side lapping of parts |
SU1541034A1 (en) * | 1987-08-06 | 1990-02-07 | Институт кристаллографии им.А.В.Шубникова | Method and apparatus for working plane surfaces |
SU1829770A1 (en) * | 1991-04-29 | 1996-04-10 | Научно-производственное объединение "Пульсар" | Device for finishing semiconductor plates |
RU2315391C2 (en) * | 2004-12-28 | 2008-01-20 | Тойота Дзидося Кабусики Кайся | Precision machining device and method |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2576275C1 (en) * | 2014-08-25 | 2016-02-27 | Владимир Юрьевич Карасев | Method of mechanical vortex treatment of crystals |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI569315B (en) | Method for manufacturing electronic grade synthetic quartz glass substrate | |
TWI564654B (en) | Electronic grade glass substrate and making method | |
KR101161015B1 (en) | Cmp pad conditioner and its manufacturing method | |
JP2019186276A (en) | Wafer production method | |
JP5629851B2 (en) | Composite plating processing method and processing apparatus | |
JP2019125687A (en) | Planarization method | |
JP2012109358A (en) | Cutting method and cutting device of semiconductor substrate | |
CN107052462B (en) | The complex-curved fast response servo ultraprecise fly cutter cutting working method of fragile material | |
JP2019162675A (en) | Surface processing method for hard brittle material-made article to be treated | |
JP5061296B2 (en) | Flat double-side polishing method and flat double-side polishing apparatus | |
TWI443001B (en) | Grinding and processing methods and grinding processing equipment | |
CN104999370A (en) | Grinding Machine | |
RU2494852C1 (en) | Method of solid surface machining | |
TW201406495A (en) | Wafer chamfering processing method, wafer chamfering processing device and gringstone angle adjustment device | |
TW202301455A (en) | Peeling apparatus | |
CN108747822A (en) | A kind of preparation method of novel diamond wheel and the efficient ultraprecise processing method of micro structure array | |
JP2006305661A (en) | Ultrasonic vibration processing device, and method for manufacturing electrodeposition tool used for ultrasonic vibration processing device | |
CN114959633B (en) | Diamond micro-nano composite structure tool for processing hydrophobic surface of workpiece and preparation method | |
WO2007018117A1 (en) | Electron beam assisted eem method | |
JP2015123553A (en) | Carrier, production method of carrier and production method of glass substrate for magnetic disk | |
CN116072513A (en) | Method for manufacturing substrate | |
WO2016117327A1 (en) | Processing apparatus, processing method and method of manufacturing component | |
TWI462799B (en) | Cmp pad conditioner and method for manufacturing the same | |
KR20010049611A (en) | Method for grinding the surface of workpiece | |
TWI848489B (en) | Apparatus and method for dressing a grinding wheel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180718 |