RU2489770C1 - Hybrid microwave-frequency integrated circuit - Google Patents
Hybrid microwave-frequency integrated circuit Download PDFInfo
- Publication number
- RU2489770C1 RU2489770C1 RU2011154696/07A RU2011154696A RU2489770C1 RU 2489770 C1 RU2489770 C1 RU 2489770C1 RU 2011154696/07 A RU2011154696/07 A RU 2011154696/07A RU 2011154696 A RU2011154696 A RU 2011154696A RU 2489770 C1 RU2489770 C1 RU 2489770C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- heat
- integrated circuit
- dissipating plate
- active
- recess
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике СВЧ, а именно гибридным интегральным схемам СВЧ и предназначено для радиоэлектронных устройств различного назначения, в том числе радиолокационных станции с фазированными антенными решетками (ФАР).The invention relates to electronic microwave technology, namely, hybrid microwave integrated circuits and is intended for electronic devices for various purposes, including radar stations with phased antenna arrays (HEADLIGHTS).
Основными требованиями предъявляемыми к гибридной интегральной схеме (ГИС) СВЧ и, особенно в последнем случае ее применения являются высокие электрические характеристики и прежде всего выходная мощность и коэффициент усиления.The main requirements for a hybrid integrated circuit (GIS) microwave and, especially in the latter case of its application are high electrical characteristics and, above all, output power and gain.
А одним из условий, определяющих стабильный режим работы гибридной интегральной схемы и соответственно высоких электрических характеристик является обеспечение эффективного отвода тепла от тепловыделяющих компонентов гибридной интегральной схемы СВЧ.And one of the conditions that determine the stable mode of operation of a hybrid integrated circuit and, accordingly, high electrical characteristics is the provision of efficient heat removal from the heat-generating components of the hybrid microwave integrated circuit.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площадки кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации [1].A hybrid microwave integrated circuit is known that contains a dielectric board with a topological metallization pattern and recesses in which semiconductor crystals are fixed using a binder, the surface of the crystals with contact pads lying in the same plane as the surface of the board, and the contact pads of the crystals are electrically connected to the topological metallization pattern [one].
В которой с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10-30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20-100 мкм.In which, in order to improve the electrical characteristics and increase the mounting density, the recesses in the dielectric board are made in the form of recesses, the depth of which is selected to be 10-30 microns thicker than the thickness of the crystals fixed at the bottom of the recesses, and the gaps between the walls of each recess and the crystal are chosen equal to 20 100 microns.
Недостатком данной интегральной схемы СВЧ является недостаточно эффективный отвода тепла от полупроводниковых кристаллов и тем более мощных.The disadvantage of this microwave integrated circuit is the insufficient heat removal from semiconductor crystals, and even more powerful.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и, по меньшей мере, с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации.A hybrid microwave integrated circuit is known, comprising a dielectric board metallized on both sides with a metallization pattern on the front surface and at least one mounting pad located on electrical and heat-conducting elements located in the board openings, a heat sink coupled with reverse metallization sides of the board, and open-frame electronic devices, fixed with a binder on the installation site and connected to the metallization pattern.
В которой с целью повышения эффективности отвода тепла, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических характеристик, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой стороны платы выбирают равным суммарной толщине бескорпусного полупроводникового электронного прибора и связующего вещества [2].In which, in order to increase the efficiency of heat removal, reduce the overall dimensions and stray electrical characteristics, the mounting pad is placed in a metallized recess, while the distance from the mounting pad to the front of the board is chosen equal to the total thickness of the open-type semiconductor electronic device and a binder [2].
В данной гибридной интегральной схеме по сравнению с первым аналогом несколько повышена эффективность отвода тепла.In this hybrid integrated circuit, compared with the first analogue, the heat removal efficiency is slightly increased.
Более того, упрощено заземление элементов гибридной интегральной схемы СВЧ.Moreover, the grounding of the elements of the microwave hybrid integrated circuit is simplified.
Однако недостатком и данной гибридной интегральной схемы СВЧ является недостаточно эффективный отвод тепла от полупроводниковых кристаллов и тем более мощных.However, the disadvantage of this hybrid microwave integrated circuit is the insufficiently effective heat removal from semiconductor crystals, and even more powerful.
Известна гибридная интегральная схема СВЧ для приемопередающих модулей, выполненных по многослойной технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики (LTCC), содержащая диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие.A hybrid microwave integrated circuit is known for transceiver modules made according to the multilayer technology of low-temperature co-fired ceramics (LTCC), containing a dielectric substrate, on the front side of which there is a topological pattern of a metallization coating, and on the back side is a screen grounding metallization coating.
Диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним, на лицевой стороне диэлектрической подложки выполнено, по меньшей мере, одно углубление, дно которого выполняет функцию монтажной площадки.The dielectric substrate is located on the back side of the metal heat sink base and connected to it, on the front side of the dielectric substrate there is at least one recess, the bottom of which serves as an assembly site.
В дне углубления, выполнено, по меньшей мере, одно отверстие, заполненное электро- и теплопроводящим материалом. На дне углубления (монтажной площадке) расположен, по меньшей мере, один активный тепловыделяющий компонент, контактные площадки которого соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия проволочными соединениями.At the bottom of the recess, at least one hole is made, filled with electrical and heat-conducting material. At the bottom of the recess (installation site), at least one active heat-generating component is located, the contact pads of which are connected to the topological pattern of the metallization coating by wire connections.
При этом все элементы гибридной интегральной схемы соединены электрически [3 - прототип].Moreover, all elements of the hybrid integrated circuit are electrically connected [3 - prototype].
Многоступенчатые полости в LTCC, предназначенные для монтажа активных тепловыделяющих компонентов, позволяют значительно сократить размеры модуля в целом.The multi-stage cavities in LTCC, designed for the installation of active fuel components, can significantly reduce the size of the module as a whole.
Однако данная гибридная интегральная схема:However, this hybrid integrated circuit:
во-первых, изначально предназначена для приемопередающих модулей, работающих с небольшими мощностями,firstly, it was originally intended for transceiver modules working with small capacities,
во-вторых, тепловой контакт между активным тепловыделяющим компонентом и теплоотводящим металлическим основанием посредством шариков, выполненных из припоя, однозначно не является эффективным для отвода тепла.secondly, the thermal contact between the active heat-generating component and the heat-releasing metal base by means of balls made of solder is clearly not effective for heat removal.
Техническим результатом изобретения является улучшение электрических характеристик гибридных интегральных схем СВЧ и в том числе мощных путем повышения эффективности отвода тепла.The technical result of the invention is to improve the electrical characteristics of hybrid microwave integrated circuits, including powerful ones, by increasing the efficiency of heat removal.
Указанный технический результат достигается гибридной интегральной схемой СВЧ, содержащей диэлектрическую подложку, на лицевой стороне которой расположен топологический рисунок металлизационного покрытия, а на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие, при этом диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании и соединена с ним, на лицевой стороне диэлектрической подложки выполнено, по меньшей мере, одно углубление, в дне которого выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие, заполненное электро- и теплопроводящим материалом, при этом упомянутое углубление предназначено для расположения, по меньшей мере, одного активного тепловыделяющего компонента, контактные площадки которого соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия проволочными соединениями, при этом глубина углубления обеспечивает расположение лицевых поверхностей активного тепловыделяющего компонента и диэлектрической подложки в одной плоскости, все элементы гибридной интегральной схемы соединены электрически.The specified technical result is achieved by a hybrid microwave integrated circuit containing a dielectric substrate, on the front side of which there is a topological pattern of a metallization coating, and on the back side is a screen grounding metallization coating, while the dielectric substrate is located on the back side on a metal heat sink and connected to it, on the front side of the dielectric substrate is made at least one recess, in the bottom of which is made at least one a through hole filled with electric and heat-conducting material, wherein said recess is intended for arranging at least one active heat-generating component, the contact pads of which are connected to the topological pattern of the metallization coating by wire connections, while the depth of the recess provides the arrangement of the front surfaces of the active heat-releasing component and dielectric substrate in one plane, all elements of the hybrid integrated circuit are connected by ktricheski.
В которуюIn which
дополнительно введена теплорассеивающая пластина с коэффициентом теплопроводности не менее 250 Вт/(м×град) и расположена непосредственно на дне упомянутого углубления,additionally introduced a heat dissipating plate with a thermal conductivity of at least 250 W / (m × deg) and is located directly at the bottom of the said recess,
а активный тепловыделяющий компонент расположен на противоположной - лицевой стороне теплорассеивающей пластины, при этом последняя выполнена с заданными геометрическими размерами, толщиной (0,025-0,5)×10-3 м, размером в плане превышающим соответствующий размер активного тепловыделяющего компонента,and the active heat-generating component is located on the opposite - front side of the heat-dissipating plate, while the latter is made with predetermined geometric dimensions, a thickness of (0.025-0.5) × 10 -3 m, plan size exceeding the corresponding size of the active heat-generating component,
а сквозное отверстие заполнено электро- и теплопроводящим материалом с коэффициентом теплопроводности 100-430 Вт/(м×град) и расположено в плане равномерно,and the through hole is filled with electrical and heat-conducting material with a thermal conductivity of 100-430 W / (m × deg) and is evenly located in the plan,
перепад температуры ∆t по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания, толщина теплорассеивающей пластины h, отношение площади сквозного отверстия в дне углубления ко всей его площади W, коэффициент теплопроводности теплорассеивающей пластины X, удельная плотность теплового потока между теплорассеивающей пластиной и обратной стороной металлического теплоотводящего основания q, площадь теплорассеивающей пластины S в плане находятся в следующей полиномиальной зависимости:temperature difference ∆t in height from the active heat-releasing component to the back side of the metal heat-dissipating base, thickness of the heat-dissipating plate h, ratio of the area of the through hole in the bottom of the recess to its entire area W, thermal conductivity of the heat-dissipating plate X, specific heat flux between the heat-dissipating plate and the back side of the metal heat sink base q, the area of the heat-dissipating plate S in the plan are in the following polynomial dependent STI:
P1=-455,646+0,444586×λ-0,000335923×λ2+1,54809·×10-7×λ3-2,9823×10-11×λ4,P 1 = -455.646 + 0.444586 × λ-0.000335923 × λ 2 + 1.54809 × 10 -7 × λ 3 -2.9823 × 10 -11 × λ 4 ,
Р2=377,843-0,375365×λ+0,000285492×λ2-1,30761×·10-7×λ3+2,49428×10-11×λ4,P 2 = 377.843-0.375365 × λ + 0.000285492 × λ 2 -1.300761 × · 10 -7 × λ 3 + 2.49428 × 10 -11 × λ 4 ,
Р3=-88,6036+0,0878182×λ-6,72438·10-5×λ2+3,04692×10-8×λ3-5,72084·×10-12×λ4,P 3 = -88.6036 + 0.0878182 × λ-6.72438 × 10 -5 × λ 2 + 3.04692 × 10 -8 × λ 3 -5.72084 × 10 -12 × λ 4 ,
Р4=16,5167-0,00944878×λ+7,77748×10-6×λ2-3,47195·10-9×λ3+6,20848×10-13×λ4,P 4 = 16.5167-0.00944878 × λ + 7.77748 × 10 -6 × λ 2 -3.47195 · 10 -9 × λ 3 + 6.20848 × 10 -13 × λ 4 ,
P5=0,128092-0,000196569×λ+1,6179×10-7×λ2-6,3764×10-11×λ3+9,63112×10-15×λ4,P 5 = 0.128092-0.000196569 × λ + 1.6179 × 10 -7 × λ 2 -6.3764 × 10 -11 × λ 3 + 9.63112 × 10 -15 × λ 4 ,
Р6=-8,4941+0,00848523×λ-7,42837×10-6×λ2+3,11324×10-9×λ3-5,00756×10-13×λ4,P 6 = -8.4941 + 0.00848523 × λ-7.42837 × 10 -6 × λ 2 + 3.11324 × 10 -9 × λ 3 -5.00756 × 10 -13 × λ 4 ,
Р7=14,8724-0,00938909×λ+8,25044×10-6×λ2-3,45956×10-9×λ3+5,55552×10-13×λ4,P 7 = 14.8724-0.00938909 × λ + 8.25044 × 10 -6 × λ 2 -3.45956 × 10 -9 × λ 3 + 5.55552 × 10 -13 × λ 4 ,
P8=-1,99507+0,00124401×λ-1,08972×10-6×λ2+4,55367×10-10×λ3-7,28519·×10-14×λ4,P 8 = -1.99507 + 0.00124401 × λ-1.08972 × 10 -6 × λ 2 + 4.55367 × 10 -10 × λ 3 -7.28519 × 10 -14 × λ 4 ,
Р9=2,19877-0,001372×λ+1,20243×10-6×λ2-5,02695×10-10×λ3+8,04568×10-14×λ4,P 9 = 2.19877-0.001372 × λ + 1.20243 × 10 -6 × λ 2 -5.02695 × 10 -10 × λ 3 + 8.04568 × 10 -14 × λ 4 ,
Р10=9,31721-0,00927111×λ+8,12386·10-6×λ2-3,40783×10-9×λ3+5,48631×10-13×λ4.P 10 = 9.31721-0.00927111 × λ + 8.12386 × 10 −6 × λ 2 −3.400783 × 10 −9 × λ 3 + 5.48631 × 10 −13 × λ 4 .
Диэлектрическая подложка может быть выполнена однослойной либо многослойной.The dielectric substrate may be single-layer or multi-layer.
Активный тепловыделяющий компонент выполнен в виде, по меньшей мере, одного кристалла мощного диода либо мощного транзистора СВЧ, либо интегральной схемы, например, усилителя мощности СВЧ.The active fuel component is made in the form of at least one crystal of a powerful diode or a powerful microwave transistor, or an integrated circuit, for example, a microwave power amplifier.
Теплорассеивающая пластина выполнена из алмаза с металлизационным покрытием, при этом металлизационное покрытие на лицевой ее стороне может быть выполнено в виде топологического рисунка пленочных проводников, через которые контактные площадки активного тепловыделяющиего компонента могут быть соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия диэлектрической подложки.The heat-dissipating plate is made of diamond with a metallization coating, while the metallization coating on its front side can be made in the form of a topological pattern of film conductors through which the contact pads of the active heat-generating component can be connected to the topological pattern of the metallization coating of the dielectric substrate.
На лицевой стороне теплорассеивающей пластины может быть выполнено дополнительно углубление, на дне которого расположен активный тепловыделяющий компонент.An additional recess can be made on the front side of the heat-dissipating plate, at the bottom of which an active heat-generating component is located.
Раскрытие сущности изобретения.Disclosure of the invention.
Заявленные существенные признаки гибридной интегральной схемы СВЧ и их совокупность, а именноThe claimed essential features of a hybrid microwave integrated circuit and their combination, namely
наличие в гибридной интегральной схеме СВЧ теплорассеивающей пластины, с коэффициентом теплопроводности не менее 250 Вт/(мхград), с заданными геометрическими размерами и расположение ее непосредственно на дне углубления, и расположение активного тепловыделяющего компонента на лицевой стороне теплорассеивающей пластины, обеспечат:the presence in the hybrid integrated circuit of a microwave heat dissipating plate, with a thermal conductivity of at least 250 W / (mhgrad), with specified geometric dimensions and its location directly on the bottom of the recess, and the location of the active heat-generating component on the front side of the heat dissipating plate, will provide:
во-первых, увеличение площади теплового контакта с активным тепловыделяющим компонентом,firstly, an increase in the area of thermal contact with the active fuel component,
во-вторых, расширение теплового потока и более равномерное растекание теплового потока, и, соответственно, снижение плотности удельного теплового потока.secondly, the expansion of the heat flux and a more uniform spreading of the heat flux, and, accordingly, a decrease in the density of the specific heat flux.
И как следствие того и другого - повышение эффективности отвода тепла и соответственно - улучшение электрических характеристик.And as a consequence of both, an increase in the efficiency of heat removal and, accordingly, an improvement in electrical characteristics.
Заполнение сквозного отверстия (отверстий) в дне углубления электро- и теплопроводящим материалом с коэффициентом теплопроводности 100-430 ВТ/(м×град), равно какFilling the through hole (s) in the bottom of the recess with electrical and heat-conducting material with a thermal conductivity of 100-430 W / (m × deg), as well
и расположение этих отверстий равномерно, равно какand the location of these holes is uniform, as well as
когда перепад температуры Δt по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания, толщина теплорассеивающей пластины h, отношение площади отверстия (отверстий) в дне углубления ко всей его площади W, коэффициент теплопроводности теплорассеивающей пластины λ, удельная плотность теплового потока между теплорассеивающей пластиной и обратной стороной металлического теплоотводящего основания q, площадь теплорассеивающей пластины S в плане находятся в указанной полиномиальной зависимости, обеспечат оптимизацию:when the temperature difference Δt in height from the active heat-generating component to the back of the metal heat-dissipating base, the thickness of the heat-dissipating plate h, the ratio of the area of the hole (s) in the bottom of the recess to its entire area W, the thermal conductivity of the heat-dissipating plate λ, the specific heat flux between the heat-dissipating plate and the reverse side of the metal heat sink base q, the area of the heat-dissipating plate S in plan are in the indicated polynomial dependence, ensuring the optimization of:
во-первых, геометрических размеров теплоотводящей системы (теплорассеивающей пластины, углубления в диэлектрической подложке с дном, отверстия (отверстий) в нем, заполненного (заполненных) электро- и теплопроводящим материалом),firstly, the geometric dimensions of the heat-dissipating system (heat-dissipating plate, recesses in the dielectric substrate with the bottom, openings (holes) in it, filled (filled) with electric and heat-conducting material),
во-вторых, соотношение электро- и теплопроводящего материала в диэлектрической подложке в %, выраженное через отношение площади отверстия (отверстий) в дне углубления (углублении) ко всей его площади W, что иллюстрируется и подтверждено фиг.4.secondly, the ratio of electro- and heat-conducting material in the dielectric substrate in%, expressed through the ratio of the area of the hole (s) in the bottom of the recess (recess) to its entire area W, which is illustrated and confirmed by FIG.
И как следствие того и другого - повышение эффективности отвода тепла и соответственно - улучшение электрических характеристик - выходной мощности и коэффициента усиления.And as a consequence of both, an increase in the efficiency of heat removal and, accordingly, an improvement in the electrical characteristics of the output power and gain.
Выполнение теплорассеивающей пластины из алмаза (частный случай выполнения) в совокупности с наличием на ее лицевой стороне дополнительно углубления и расположение активного тепловыделяющего компонента на его дне, и когда его глубина обеспечивает расположение лицевых поверхностей активного тепловыделяющего компонента и диэлектрической подложки в одной плоскости обеспечат:The implementation of the heat-dissipating plate of diamond (a special case of execution) in conjunction with the presence on its front side of an additional recess and the location of the active heat-generating component at its bottom, and when its depth ensures that the front surfaces of the active heat-generating component and the dielectric substrate in the same plane provide:
во-первых, максимальное достижение эффективности отвода тепла вследствие того, что алмаз обладает лучшей теплопроводностью среди известных на сегодня аналогичных материалов,firstly, the maximum achievement of heat removal efficiency due to the fact that diamond has the best thermal conductivity among similar materials known today,
во-вторых, сокращение длины соединительных проводников.secondly, reducing the length of the connecting conductors.
И как следствие того и другого - максимальное достижение технического результата - максимальное улучшение электрических характеристик характеристик - выходной мощности и коэффициента усиления.And as a consequence of both, the maximum achievement of the technical result is the maximum improvement in the electrical characteristics of the characteristics - output power and gain.
Выполнение теплорассеивающей пластины толщиной менее 0,025×10-3 м и более 0,5×10-3 м нецелесообразно, в первом случае вследствие ее хрупкости, во втором - отсутствия дальнейшего повышения эффективности рассеивания тепла.The implementation of the heat-dissipating plate with a thickness of less than 0.025 × 10 -3 m and more than 0.5 × 10 -3 m is impractical, in the first case due to its fragility, in the second - the absence of a further increase in heat dissipation efficiency.
Заполнение отверстия (отверстий) в дне углубления электро- и теплопроводящим материалом с удельной теплопроводностью 100-430 Вт/(м×град) является оптимальным для обеспечения максимального достижения технического результата, что рассчитано теоретически и подтверждено экспериментально и иллюстрируется фиг.5.The filling of the hole (s) in the bottom of the recess with electrical and heat-conducting material with a specific thermal conductivity of 100-430 W / (m × deg) is optimal to ensure maximum achievement of the technical result, which is theoretically calculated and experimentally confirmed and illustrated in Fig.5.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 дан общий вид заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ, гдеFigure 1 is a General view of the claimed hybrid integrated circuit microwave, where
- диэлектрическая подложка - 1,- dielectric substrate - 1,
- топологический рисунок металлизационного покрытия - 2,- topological drawing of a metallization coating - 2,
- экранное заземляющее металлизационное покрытие - 3,- screen grounding metallization coating - 3,
- металлическое теплоотводящее основание - 4,- metal heat sink base - 4,
- по меньшей мере, одно углубление - 5 на лицевой стороне диэлектрической подложки,at least one recess - 5 on the front side of the dielectric substrate,
- дно углубления - 6,- bottom of the recess - 6,
- по меньшей мере, одно сквозное отверстие - 7 в дне углубления,- at least one through hole - 7 in the bottom of the recess,
- электро- и теплопроводящий материал - 8 в сквозном отверстии,- electro-and heat-conducting material - 8 in the through hole,
- по меньшей мере, один активный тепловыделяющий компонент - 9,- at least one active fuel component is 9,
- контактные площадки - 10 активного тепловыделяющего компонента,- contact pads - 10 active fuel component,
- проволочные соединения - 11,- wire connections - 11,
- теплорассеивающая пластина - 12, расположенная непосредственно на дне углубления,- heat dissipating plate - 12, located directly at the bottom of the recess,
- металлизационное покрытие - 13, на лицевой стороне теплорассеивающей пластины 12 в случае ее выполнения из алмаза и дополнительное углубление - 14 на ее лицевой стороне с дном - 15.- metallization coating - 13, on the front side of the heat-dissipating
На фиг.2 дан частный случай выполнения гибридной интегральной схемы СВЧ, когда теплорассеивающая пластина 12 выполнена из алмаза с металлизационным покрытием 13.Figure 2 shows a special case of a hybrid microwave integrated circuit, when the heat-dissipating
На фиг.3 дан частный случай выполнения гибридной интегральной схемы СВЧ, когда теплорассеивающая пластина 12 выполнена из алмаза с металлизационным покрытием 13 и с углублением 14 на лицевой ее стороне.Figure 3 shows a special case of a hybrid microwave integrated circuit, when the heat-dissipating
На фиг.4 дана зависимость перепада температуры Δt по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания от отношения площади отверстия (отверстий) в дне углубления ко всей его площади W, где кривая 1 соответствует коэффициенту теплопроводности электро- и теплопроводящего материала 100 Вт/(м×град), кривая 2 - 200 Вт/(м×град), кривая 3 - 300 Вт/(м×град) (при коэффициенте теплопроводности теплорассеивающей пластины из алмаза 600 Вт/(м×град).Figure 4 shows the dependence of the temperature difference Δt in height on the active heat-releasing component to the back of the metal heat sink base on the ratio of the area of the hole (s) in the bottom of the recess to its entire area W, where
На фиг.5. дана зависимость перепада температуры ∆t по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания от отношения площади отверстия (отверстий) в дне углубления ко всей его площади W, в зависимости от толщины теплорассеивающей пластины h, где кривая 1 соответствует толщине теплорассеивающей пластины, равной 0,025×10-3 м, кривая 2 - 0,05×10-3 м, кривая 3 - 0,1×10-3 м, кривая 4 - 0,2×10-3 м, кривая 5 - 0,5×10-3 м.5. the temperature difference ∆t in height is shown as a function of the active heat-releasing component to the back of the metal heat sink base on the ratio of the area of the hole (s) in the bottom of the recess to its entire area W, depending on the thickness of the heat-dissipating plate h, where
На фиг.6 (а и б) дана зависимость от рабочей полосы частот выходной мощности Рвых. (фиг.6а) и коэффициента усиления Ку (фиг.6б) активного тепловыделяющего компонента, например предварительного усилителя мощности (ПУМ М42230-2 АПНТ 43810.24 ТУ), при этом:Figure 6 (a and b) shows the dependence on the working frequency band of the output power P o. (figa) and gain K y (fig.6b) of an active fuel component, for example, a preliminary power amplifier (PUM M42230-2 APNT 43810.24 TU), while:
кривые 1 (Рвых. и Ку) соответствуют средним конструкционным и технологическим параметрам ГИС (примеры 1-3),curves 1 (P out. and K y ) correspond to the average structural and technological parameters of the GIS (examples 1-3),
кривые 2 - (примеры 4-6),curves 2 - (examples 4-6),
кривые 3 - (примеры 7-9).curves 3 - (examples 7-9).
Заявленная интегральная схема СВЧ работает следующим образом.The claimed integrated circuit microwave operates as follows.
Тепло, выделяемое в процессе работы активным тепловыделяющим компонентом, например, мощным транзистором СВЧ, рассеивается теплорассеивающей пластиной с значительным расширением теплового потока и тем самым значительно повышает эффективность отвода тепла и как следствие - улучшение электрических характеристик - выходной мощности и коэффициента усиления.The heat generated during operation by an active heat-generating component, for example, a powerful microwave transistor, is dissipated by a heat-dissipating plate with a significant expansion of the heat flux and thereby significantly increases the efficiency of heat dissipation and, as a result, improved electrical characteristics - output power and gain.
Конкретное выполнение заявленной гибридной интегральной схемы СВЧ рассмотрены на примере гибридной интегральной схемы приемопередающего модуля фазированной антенной решетки.The specific implementation of the claimed hybrid microwave integrated circuit are examined using an example of a hybrid integrated circuit of a phased array antenna transceiver module.
Пример 1.Example 1
На лицевой стороне диэлектрической подложки 1 из LTCC марки «Du Pont 951», размером (30×16×0,625)×10-3 м, например, из пяти слоев, толщиной каждый, равный 0,125×10-3 м выполнены топологический рисунок металлизационного покрытия 2, на обратной стороне - экранное заземляющее металлизационное покрытие 3, из металлизационной пасты 6142D посредством метода толстопленочной технологии.On the front side of the
Диэлектрическая подложка расположена обратной стороной на металлическом теплоотводящем основании 4, выполненном из сплава МД - 50 и соединена с ним припоем ПСр-3-58.The dielectric substrate is located on the back side on a
На лицевой стороне диэлектрической подложки выполнено, по меньшей мере, одно углубление 5,On the front side of the dielectric substrate is made of at least one
В дне углубления 6, выполнено, по меньшей мере, одно сквозное отверстие 7, заполненное электро- и теплопроводящим материалом 8, например, пастой 6142D, удельная теплопроводность которой 250-300 Вт/(м×град).At the bottom of the
Теплорассеивающая пластина 12, выполнена, из МД-50 с коэффициентом теплопроводности 250 Вт/(м×град) с заданными геометрическими размерами, при этом толщиной 0,37×10-3 м, размером в плане, превышающим соответствующий размер активного тепловыделяющего компонента 9 и расположена непосредственно на дне углубления 6.The heat-dissipating
На лицевой стороне теплорассеивающей пластины 12 расположен, по меньшей мере, один активный тепловыделяющий компонент 9, например, предварительный усилитель мощности (ПУМ) в виде гибридной монолитной интегральной схемы предварительного усилителя мощности (ПУМ М42230-2 АПНТ 43810.24 ТУ), контактные площадки 10 которого соединены с топологическим рисунком металлизационного покрытия 2 проволочными соединениями 11.At least one active heat-generating
При этом перепад температуры ∆t по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания, толщина теплорассеивающей пластины h, отношение площади отверстий в дне углубления (углублений) ко всей ее площади W, коэффициент теплопроводности теплорассеивающей пластины λ, удельная плотность теплового потока между теплорассеивающей пластиной и обратной стороной металлического теплоотводящего основания q, площадь стороны теплорассеивающей пластины S в плане находятся в указанной в формуле изобретения полиномиальной зависимости.In this case, the temperature difference Δt in height from the active heat-generating component to the back of the metal heat-dissipating base, the thickness of the heat-dissipating plate h, the ratio of the area of the holes in the bottom of the recess (s) to its entire area W, the thermal conductivity of the heat-dissipating plate λ, the specific heat flux between heat diffusion plate and the reverse side of the metal heat sink base q, the area of the side of the heat diffusion plate S in the plan are in the form indicated near the invention of polynomial dependence.
Пример 2.Example 2
Аналогично примеру 1 изготовлены образцы гибридной интегральной схемы СВЧ и когда теплорассеивающая пластина 12 выполнена из алмаза, а на ее лицевой стороне выполнено металлизационное покрытие 13 из титана толщиной (соответствующей сопротивлению пленки 150 Ом/м2), - палладия (0,2×10-6 м) - золота (3,0×10-6 м) посредством метода тонкопленочной технологии (частный случай).Analogously to example 1, samples of a hybrid microwave integrated circuit were made, and when the heat-dissipating
Пример 3.Example 3
Аналогично примеру 1 изготовлены образцы гибридной интегральной схемы СВЧ и когда теплорассеивающая пластина 12 выполнена из алмаза, а на ее лицевой стороне выполнено металлизационное покрытие 13 из титана толщиной (соответствующей сопротивлению пленки 150 Ом/м2), - палладия (0,2×10-6 м) - золота (30×10-6 м) посредством метода тонкопленочной технологии, и когда на ее лицевой стороне выполнено дополнительно углубление 14 на дне 15 которого расположен упомянутый активный тепловыделяющий компонент 9 (частный случай).Analogously to example 1, samples of a hybrid microwave integrated circuit were made, and when the heat-dissipating
Примеры 4-5.Examples 4-5.
Аналогично примерам (1 и 2 и 3) изготовлены образцы гибридной интегральной схемы СВЧ, но при других значениях толщины теплорассеивающей пластины из алмаза и типа электро- и теплопроводящего материала (его удельной теплопроводности).Similarly to examples (1 and 2 and 3), samples of a hybrid microwave integrated circuit were fabricated, but with different values of the thickness of the heat-dissipating plate made of diamond and the type of electrical and heat-conducting material (its specific thermal conductivity).
На изготовленных образцах интегральной схемы СВЧ измерены зависимость выходной мощности (фиг.6а) и коэффициента усиления (фиг.6б) в рабочей полосе частот (8-12 ГГц) и мощности входного сигнала 30 мВт, при этомOn the manufactured samples of the microwave integrated circuit, the dependence of the output power (Fig.6a) and the gain (Fig.6b) in the working frequency band (8-12 GHz) and the input signal power of 30 mW was measured, while
кривые 1 (Рвых. и Ку) соответствуют средним конструкционным и технологическим параметрам ГИС (примеры 1-3), и рабочей частоте 10 ГГцcurves 1 (P out. and K y ) correspond to the average design and technological parameters of the GIS (examples 1-3), and the operating frequency of 10 GHz
кривые 2 - (примеры 4-6),curves 2 - (examples 4-6),
кривые 3 - (примеры 7-9).curves 3 - (examples 7-9).
Данные сведены в таблицу.The data are tabulated.
Как видно из таблицы, образцы имеют примерно:As can be seen from the table, the samples have approximately:
для сплава МД-50 (пример 1-3) выходную мощность (1,05-1,1) Вт и коэффициент усиления (17,2-17,5) дБ,for alloy MD-50 (example 1-3), the output power (1.05-1.1) W and the gain (17.2-17.5) dB,
для алмаза CVD (пример 4-6) - выходную мощность (1,1-1,14) Вт и коэффициент усиления (17,5-17,8) дБ,for CVD diamond (example 4-6) - output power (1.1-1.14) W and gain (17.5-17.8) dB,
для алмаза монокристаллического (пример 7-9) - выходную мощность (1,23-1,27) Вт и коэффициент усиления (18,2-18,4) дБ.for single-crystal diamond (example 7-9) - output power (1.23-1.27) W and gain (18.2-18.4) dB.
В отличие от образца прототипа (пример 10), где имеем выходную мощность порядка 0,92 Вт и коэффициент усиления порядка 15,9 дБ.In contrast to the prototype sample (example 10), where we have an output power of about 0.92 W and a gain of about 15.9 dB.
Таким образом, заявленная интегральная схема СВЧ обеспечит по сравнению с прототипом увеличение выходной мощности коэффициента усиления примерно на 11,5 процента.Thus, the claimed microwave integrated circuit will provide, compared with the prototype, an increase in the output power of the gain by about 11.5 percent.
Источники информацииInformation sources
1. Авторское свидетельство №1667571 МПК H01L 23/10, приоритет 02.06.1989, опубл. 27.11.1996.1. Copyright certificate No. 1667571 IPC H01L 23/10, priority 02.06.1989, publ. 11/27/1996.
2. Авторское свидетельство №1694021 МПК H01L 23/00, приоритет 28.07.1989.2. Copyright certificate No. 1694021 IPC H01L 23/00, priority 07/28/1989.
3. Новости СВЧ-техники. Информационный сборник, 2006, №4, с 4.3. News of microwave technology. Information Digest, 2006, No. 4, p. 4.
Claims (5)
Δt(h,W,λ,q,S)=[P1·h3+P2·h2+P3·h+P4+P5·h2·(1/W)+P6·h·(1/W)+P7·(1/W)+P8·(1/W)2+10-3·P9·(1/W)3+10-3·P10·h·(1/W)2]·q·S,
где Δt - перепад температуры по высоте от активного тепловыделяющего компонента до обратной стороны металлического теплоотводящего основания, °C;
h - толщина теплорассеивающей пластины, м;
W - отношение площади сквозного отверстия в дне углубления ко всей его площади, %;
λ - коэффициент теплопроводности теплорассеивающей пластины, Вт/(м·град);
q - плотность теплового потока между теплорассеивающей пластиной и обратной стороной металлического теплоотводящего основания, Вт/м2;
S - площадь лицевой стороны теплорассеивающей пластины, м2;
Р1-10 - интерполяционные полиномы, где
Р1=-455,646+0,444586·λ-0,000335923·λ2+1,54809·10-7·λ3-2,9823·10-11·λ4,
Р2=377,843-0,375365·λ+0,000285492·λ2-1,30761·10-7·λ3+2,49428·10-11·λ4,
Р3=-88,6036+0,0878182·λ-6,72438·10-5·λ2+3,04692·10-8·λ3-5,72084·10-12·λ4,
Р4=16,5167-0,00944878·λ+7,77748·10-6·λ2-3,47195·10-9·λ3+6,20848·10-13·λ4,
Р5=0,128092-0,000196569·λ+1,6179·10-7·λ2-6,3764·10-11·λ3+9,63112·10-15·λ4,
Р6=-8,4941+0,00848523·λ-7,42837·10-6·λ2+3,11324·10-9·λ3-5,00756·10-13·λ4,
Р7=14,8724-0,00938909·λ+8,25044·10-6·λ2-3,45956·10-9·λ3+5,55552·10-13·λ4,
Р8=-1,99507+0,00124401·λ-1,08972·10-6·λ2+4,55367·10-10·λ3-7,28519·10-14·λ4,
P9=2,19877-0,001372·λ+1,20243·10-6·λ2-5,02695·10-10·λ3+8,04568·10-14·λ4,
Р10=9,31721-0,00927111·λ+8,12386·10-6·λ2-3,40783·10-9·λ3+5,48631·10-13·λ4.1. A hybrid microwave integrated circuit containing a dielectric substrate, on the front side of which there is a topological pattern of a metallization coating, and on the reverse side is a screen grounding metallization coating, while the dielectric substrate is located on the reverse side on a metal heat sink and is connected to it on the front side the dielectric substrate is made of at least one recess, in the bottom of which at least one through hole is made, filled with electrical and heat-conducting material, wherein said recess is intended for positioning at least one active heat-generating component, the contact pads of which are connected to the topological pattern of the metallization coating by wire connections, while the depth of the recess ensures that the front surfaces of the active heat-generating component and the dielectric substrate are in the same plane, all elements of the hybrid integrated circuit are electrically connected, characterized in that in the hybrid an integrated circuit is additionally introduced a heat dissipation plate with a thermal conductivity of at least 250 W / (m · deg) and is located directly at the bottom of the said recess, and the active heat-generating component is located on the front - opposite side of the heat-dissipating plate, the latter being made with specified geometric dimensions, thickness (0,025-0,5) · 10 -3 m, the size in terms of which exceeds the corresponding size of the active heat-generating component, and the through hole is filled with electrical and heat conduction a material with a thermal conductivity coefficient of 100-430 W / (m · deg) and is uniformly arranged in plan, the temperature difference Δt in height from the active heat-generating component to the back of the metal heat-removing base, the thickness of the heat-dissipating plate h, the ratio of the area of the through hole in the bottom of the recess to of its entire area W, thermal conductivity coefficient of the heat-dissipating plate λ, specific heat flux between the heat-dissipating plate and the reverse side of the metal heat sink q, the area of the heat-dissipating plate S in plan are in the following polynomial dependence:
Δt (h, W, λ, q, S) = [P 1 · h 3 + P 2 · h 2 + P 3 · h + P 4 + P 5 · h 2 · (1 / W) + P 6 · h (1 / W) + P 7 · (1 / W) + P 8 · (1 / W) 2 +10 -3 · P 9 · (1 / W) 3 +10 -3 · P 10 · h · ( 1 / W) 2 ] · q · S,
where Δt is the temperature difference in height from the active fuel component to the back of the metal heat sink base, ° C;
h is the thickness of the heat dissipating plate, m;
W is the ratio of the area of the through hole in the bottom of the recess to its entire area,%;
λ is the thermal conductivity coefficient of the heat-dissipating plate, W / (m · deg);
q is the heat flux density between the heat-dissipating plate and the reverse side of the metal heat sink base, W / m 2 ;
S is the area of the front side of the heat dissipating plate, m 2 ;
P 1-10 - interpolation polynomials, where
P 1 = -455.646 + 0.444586 λ-0.000335923 λ 2 + 1.54809 10 -7 λ 3 -2.9823 10 -11 λ 4 ,
P 2 = 377.843-0.375365 λ + 0.000285492 λ 2 -1.300761 10 -7 λ 3 + 2.49428 10 -11 λ 4 ,
P 3 = -88.6036 + 0.0878182 · λ-6.72438 · 10 -5 · λ 2 + 3.04692 · 10 -8 · λ 3 -5.72084 · 10 -12 · λ 4 ,
P 4 = 16.5167-0.00944878 λ + 7.77748 × 10 −6 λ 2 −3.47195 × 10 −9 λ 3 + 6.20848 × 10 −13 λ 4 ,
P 5 = 0.128092-0.000196569 λ + 1.6179 × 10 −7 λ 2 −6.3764 × 10 −11 λ 3 + 9.63112 × 10 −15 λ 4 ,
P 6 = -8.4941 + 0.00848523 · λ-7.42837 · 10 -6 · λ 2 + 3.11324 · 10 -9 · λ 3 -5.00756 · 10 -13 · λ 4 ,
P 7 = 14.8724-0.00938909 · λ + 8.25044 · 10 -6 · λ 2 -3.45956 · 10 -9 · λ 3 + 5.55552 · 10 -13 · λ 4 ,
P 8 = -1.99507 + 0.00124401 · λ-1.08972 · 10 -6 · λ 2 + 4.55367 · 10 -10 · λ 3 -7.28519 · 10 -14 · λ 4 ,
P 9 = 2.19877-0.001372 λ + 1.20243 · 10 -6 · λ 2 -5.02695 · 10 -10 · λ 3 + 8.04568 · 10 -14 · λ 4 ,
P 10 = 9.31721-0.00927111 λ + 8.12386 × 10 −6 λ 2 −3.400783 × 10 −9 λ 3 + 5.48631 × 10 −13 λ 4 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011154696/07A RU2489770C1 (en) | 2011-12-30 | 2011-12-30 | Hybrid microwave-frequency integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011154696/07A RU2489770C1 (en) | 2011-12-30 | 2011-12-30 | Hybrid microwave-frequency integrated circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011154696A RU2011154696A (en) | 2013-07-10 |
| RU2489770C1 true RU2489770C1 (en) | 2013-08-10 |
Family
ID=48787516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011154696/07A RU2489770C1 (en) | 2011-12-30 | 2011-12-30 | Hybrid microwave-frequency integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2489770C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2654970C1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-05-23 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave integrated circuit |
| WO2018182449A1 (en) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | Олег Вячеславович НУЖДИН | Heat sink |
| WO2018190850A1 (en) * | 2017-04-13 | 2018-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Connecting circuit boards using functional components |
| RU2776860C1 (en) * | 2021-07-30 | 2022-07-28 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Method for assembling a hybrid microwave integrated circuit |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2537695C1 (en) * | 2013-06-18 | 2015-01-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Method to make hybrid integral circuit of shf band |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0334397A2 (en) * | 1984-05-18 | 1989-09-27 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Circuit board |
| RU2006990C1 (en) * | 1991-01-22 | 1994-01-30 | Константин Иванович Баринов | Large-scale integrated circuit (version) |
| SU1694021A1 (en) * | 1989-07-28 | 1997-02-20 | Научно-производственное объединение "Исток" | Hybrid integral circuit |
| RU2227345C2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" | Hybrid integrated circuit of shf range |
| RU2298255C1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | High-power hybrid microwave integrated circuit |
-
2011
- 2011-12-30 RU RU2011154696/07A patent/RU2489770C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0334397A2 (en) * | 1984-05-18 | 1989-09-27 | BRITISH TELECOMMUNICATIONS public limited company | Circuit board |
| SU1694021A1 (en) * | 1989-07-28 | 1997-02-20 | Научно-производственное объединение "Исток" | Hybrid integral circuit |
| RU2006990C1 (en) * | 1991-01-22 | 1994-01-30 | Константин Иванович Баринов | Large-scale integrated circuit (version) |
| RU2227345C2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" | Hybrid integrated circuit of shf range |
| RU2298255C1 (en) * | 2005-08-12 | 2007-04-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | High-power hybrid microwave integrated circuit |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018182449A1 (en) * | 2017-03-27 | 2018-10-04 | Олег Вячеславович НУЖДИН | Heat sink |
| WO2018190850A1 (en) * | 2017-04-13 | 2018-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Connecting circuit boards using functional components |
| RU2654970C1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-05-23 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave integrated circuit |
| RU2776860C1 (en) * | 2021-07-30 | 2022-07-28 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Method for assembling a hybrid microwave integrated circuit |
| RU2814895C1 (en) * | 2023-06-09 | 2024-03-06 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" | Mosaic hybrid-monolithic multistage microwave power amplifier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2011154696A (en) | 2013-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6821008B2 (en) | Microwave devices and antennas | |
| JP5914717B2 (en) | Heat sink including a base plate structure having a periodic pattern, and related apparatus and method (heat sink including a base plate structure having a periodic pattern) | |
| EP1848035B1 (en) | Semiconductor device with integrated heat spreader | |
| JP3804861B2 (en) | Electrical device and wiring board | |
| TWI315170B (en) | Circuit board | |
| EP3327767B1 (en) | Mount structure, method of manufacturing mount structure, and wireless device | |
| KR19990071661A (en) | Microwave hybrid integrated circuit | |
| RU2489770C1 (en) | Hybrid microwave-frequency integrated circuit | |
| US9860990B1 (en) | Circuit board structure with chips embedded therein and manufacturing method thereof | |
| US6115255A (en) | Hybrid high-power integrated circuit | |
| KR20160120486A (en) | Circuit board and method of manufacturing the same | |
| WO2001026152A1 (en) | Semiconductor device | |
| CN102164453A (en) | Circuit module | |
| KR102404229B1 (en) | Electronic component module, electronic component unit, and method for manufacturing electronic component module | |
| TWI522032B (en) | Heat dissipating module | |
| JP5115200B2 (en) | Electronic device, package having the same, and electronic device | |
| JP2006120996A (en) | Circuit module | |
| US20110075376A1 (en) | Module substrate radiating heat from electronic component by intermediate heat transfer film and a method for manufacturing the same | |
| CN111354691B (en) | Package substrate structure | |
| CN114208044A (en) | Wireless communication module | |
| JP2001308235A (en) | Semiconductor module | |
| TWI754457B (en) | A circuit substrate with heat-dissipation block and packaging structure thereof | |
| CN220272469U (en) | Package structure and electrical component | |
| JP2004039911A (en) | Heat sink device for electronic parts | |
| RU2537695C1 (en) | Method to make hybrid integral circuit of shf band |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |