RU2477907C2 - Способ формирования спиновых волн - Google Patents

Способ формирования спиновых волн Download PDF

Info

Publication number
RU2477907C2
RU2477907C2 RU2010152733/28A RU2010152733A RU2477907C2 RU 2477907 C2 RU2477907 C2 RU 2477907C2 RU 2010152733/28 A RU2010152733/28 A RU 2010152733/28A RU 2010152733 A RU2010152733 A RU 2010152733A RU 2477907 C2 RU2477907 C2 RU 2477907C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
working
spin
energy level
spin density
frequency
Prior art date
Application number
RU2010152733/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010152733A (ru
Inventor
Дмитрий Дмитриевич Грачев
Леонид Антонович Севастьянов
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН)
Priority to RU2010152733/28A priority Critical patent/RU2477907C2/ru
Priority to PCT/RU2011/001000 priority patent/WO2012087183A2/ru
Priority to JP2013546065A priority patent/JP5734455B2/ja
Priority to US13/996,859 priority patent/US8779765B2/en
Priority to EP11850564.3A priority patent/EP2658004A4/en
Publication of RU2010152733A publication Critical patent/RU2010152733A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2477907C2 publication Critical patent/RU2477907C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/10Solid-state travelling-wave devices
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S1/00Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
    • H01S1/02Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range solid
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/20Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способам формирования квантовых коллективных возбуждений спиновой плотности и плотности намагниченности в графеновых пленках и может быть использовано в квантовой наноэлектронике, спинтронике, системах обработки и хранения информации терагерцового диапазона. Согласно изобретению, на предварительно выделенную рабочую область графеновой пленки линейным размером 2000 нм, разделенную на участки размером 50-100 нм, воздействуют импульсным переменным магнитным полем, частотой 3 терагерца, что соответствует переходу с основного энергетического уровня, соответствующего невозбужденному состоянию спиновой плотности, на четвертый рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности. По краям рабочей области формируют пространственно локализованное внешнее магнитное поле, резонансно отражающее спиноны рабочей частоты 0.5-1 терагерц, соответствующей переходу с третьего рабочего на второй рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности, при прохождении рабочей области вызывающие стимулированное вынужденное когерентное излучение спиновых волн рабочей частоты. Изобретение позволяет достичь увеличения времени жизни и длины распространения спиновых импульсов в графеновой пленке.

Description

Изобретение относится к области квантовой физики конденсированных сред, а именно к методам формирования квантовых коллективных возбуждений спиновой плотности и плотности намагниченности в графеновых пленках, и может найти применение в квантовой наноэлектронике, спинтронике, при создании спин-процессоров, ячеек памяти, датчиков физических полей, других устройств и систем обработки и хранения информации терагерцового (и выше) диапазона, имеющих нанометровые размеры и работающих в широком диапазоне температур при минимальном энергопотреблении.
В качестве одного из основных материалов для создания элементной базы наноэлектронных спинтронных устройств и систем, обеспечивающих выигрыш на порядки в области быстродействия, размеров и энергопотребления по сравнению с микроэлектронными аналогами, рассматривается графен, представляющий собой моноатомную двумерную гексагональную решетку из атомов углерода. Это обусловлено тем, что в такой структуре в широком диапазоне температур (от единиц до 500 градусов Кельвина) экспериментально наблюдался и теоретически обсуждался ферромагнитный эффект, свидетельствующий о том, что графеновые структуры могут иметь собственную намагниченность, обусловленную наличием отличной от нуля спиновой плотности валентных электронов атомов, распределенной на двумерной углеродной решетке (1-15). Наличие этой ненулевой спиновой плотности позволяет управлять ее распределением с помощью различных физических полей, что и является основой для создания элементов и устройств спинтроники. Для создания подобных устройств необходимо формирование локальных возбуждений спиновой плотности, которые и подлежат управляющему воздействию.
Известен способ формирования спиновых волн путем туннелирования спин-поляризованных электронов в графеновую пленку из кобальтового электрода через диэлектрическую изолирующую пленку (11). Инжектированные электроны формируют спиновые пространственно-локализованные импульсы, которые затем распространяются и релаксируют в графеновой пленке. В измерениях регистрируются локальное магнитосопротивление и прецессия инжектированных спинов во внешнем магнитном поле. Время релаксации составляет величину порядка 100 пикосекунд, а длина релаксации - порядка 1-2 мкм.
Основным недостатком указанного способа является отсутствие квантовой когерентности формируемых спиновых импульсов, это ограничивает их время жизни и длину релаксации на графеновой поверхности, что важно для практических приложений.
Техническим результатом, на который направлено изобретение, является увеличение времени жизни и длины распространения спиновых импульсов в графеновой пленке.
Технический результат достигается тем, что на предварительно выделенную рабочую область графеновой пленки линейным размером 2000 нм, разделенную на участки размером 50-100 нм, воздействуют импульсным переменным магнитным полем, частота которого составляет 3 терагерца и соответствует переходу с основного энергетического уровня, соответствующего невозбужденному состоянию спиновой плотности, на четвертый рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности в графеновой пленке, вызывая энергетическую накачку спиновой плотности, при этом по краям рабочей области формируют пространственно локализованное внешнее магнитное поле, резонансно отражающее спиноны рабочей частоты 0.5-1 терагерц, соответствующей переходу с третьего рабочего на второй рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности, при прохождении рабочей области вызывающие стимулированное вынужденное когерентное излучение спиновых волн рабочей частоты.
Рабочим телом для такой квантовой генерации является сама графеновая пленка, которая в силу нелинейности взаимодействия пространственно локализованных уединенных волн спиновой плотности в графене имеет локальный минимум, обеспечивающий наличие дискретных значений спектра решений уравнения Шредингера для волновой функции системы взаимодействующих уединенных спиновых волн с соответствующим значением собственной энергии для каждого решения. Графеновая пленка является средой, имеющей дискретный спектр стационарных возбужденных состояний спиновой плотности, квантовые переходы между которыми сопровождаются излучением или поглощением кванта элементарного возбуждения спиновой плотности, называемого спиноном. Резонатором, обеспечивающим генерацию, являются конфигурации магнитного поля, сформированные внешними устройствами на поверхности графеновой пленки, называемые магнитными зеркалами, и отражающие спиноны.
Увеличение времени жизни и длины распространения спинового импульса достигается в результате того, что он формируется потоком квантово когерентных спиновых волн (квантовым генератором спиновых волн, называемым спиназером).
Способ осуществляется следующим образом. С помощью управляющей структуры, называемой структурой накачки (планарная магнитная катушка), формируются импульсы переменного магнитного поля амплитудой 1-5 Т, пространственно сконфигурированное для формирования в заданных с периодом 50-100 нм областях графеновой пленки стационарных возбужденных состояний спиновой плотности. Таким образом осуществляется накачка. В качестве рабочей выбирают схему накачки, имеющую четыре следующих подряд энергетических спинонных уровня (четырехуровневая схема). Одновременно по краям рабочей области, имеющей линейный размер 100 мкм, формируют пространственно локализованные в рабочей области размером 2000 нм конфигурации внешнего магнитного поля, отражающие спиноны заданной энергии и импульса, называемые магнитными зеркалами. Эти конфигурации представляют собой области пространственной модуляции магнитного поля с периодом 50 нм, образующие дифракционные зеркала для спинонов, отражающие спиноны заданной энергии и импульса и имеющие окна прозрачности для остальных спинонов. Магнитные зеркала образуют резонатор, аналогичный резонатору Фабри-Перо для электромагнитных волн оптического диапазона. Рабочие значения напряженности магнитного поля в схеме накачки и управляющей структуре составляют величину 1-5 Т.
В результате накачки в рабочей области графеновой пленки образуются возбужденные пространственно локализованные стационарные состояния спиновой плотности - бризеры [13-15], имеющие пространственные размеры 20-100 нм в зависимости от их энергии, находящиеся на верхнем четвертом энергетическом уровне, откуда они спонтанно переходят на метастабильный третий энергетический уровень, излучая спиноны, для которых магнитные зеркала прозрачны. Время жизни бризера на третьем энергетическом уровне превышает время жизни на втором уровне в 10 раз, что обеспечивает возможность создания инверсной населенности бризеров между третьим и вторым уровнями. При спонтанных переходах со второго на первый энергетический уровень излучаются спиноны, для которых магнитные зеркала также прозрачны. Таким образом, резонансные условия обеспечиваются только для спинонов, излученных в результате рабочих переходов с третьего на второй энергетический уровень, между которыми создана инверсная плотность населенности бризеров. При прохождении такого спинона через рабочую область в результате взаимодействия его с бризерами, находящимися на третьем метастабильном энергетическом уровне, последние вынужденно и когерентно излучают такой же спинон, переходя на второй рабочий энергетический уровень, откуда спонтанно переходят на первый основной. В результате мы имеем эффект квантового усиления когерентного спинонного потока. Магнитные зеркала обеспечивают при этом кратное умножение коэффициента усиления. Кратность умножения равна числу проходов потока между зеркалами и составляет 10-100 раз.
Таким образом, при превышении коэффициентом усиления суммарно коэффициентов поглощения и рассеяния обеспечивается квантовая генерация когерентного потока спинонов, и в результате - увеличение времени жизни спиновых импульсов в 100 раз, и длины их распространения в 1000 раз по сравнению с прототипом, использующим некогерентные импульсы.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003

Claims (1)

  1. Способ формирования спиновых волн в графеновых пленках, отличающийся тем, что на предварительно выделенную рабочую область графеновой пленки линейным размером 2000 нм, разделенную на участки размером 50-100 нм, воздействуют импульсным переменным магнитным полем, частота которого составляет 3 ТГц и соответствует переходу с основного энергетического уровня, соответствующего невозбужденному состоянию спиновой плотности, на четвертый рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности в графеновой пленке, вызывая энергетическую накачку спиновой плотности, при этом по краям рабочей области формируют пространственно локализованное внешнее магнитное поле, резонансно отражающее спиноны рабочей частоты 0,5-1 ТГц, соответствующей переходу с третьего рабочего на второй рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности, при прохождении рабочей области вызывающие стимулированное вынужденное когерентное излучение спиновых волн рабочей частоты.
RU2010152733/28A 2010-12-23 2010-12-23 Способ формирования спиновых волн RU2477907C2 (ru)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010152733/28A RU2477907C2 (ru) 2010-12-23 2010-12-23 Способ формирования спиновых волн
PCT/RU2011/001000 WO2012087183A2 (ru) 2010-12-23 2011-12-19 Способ формирования спиновых волн
JP2013546065A JP5734455B2 (ja) 2010-12-23 2011-12-19 スピン波を生成する方法
US13/996,859 US8779765B2 (en) 2010-12-23 2011-12-19 Method for generating spin waves
EP11850564.3A EP2658004A4 (en) 2010-12-23 2011-12-19 Method for generating spin waves

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010152733/28A RU2477907C2 (ru) 2010-12-23 2010-12-23 Способ формирования спиновых волн

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010152733A RU2010152733A (ru) 2012-06-27
RU2477907C2 true RU2477907C2 (ru) 2013-03-20

Family

ID=46314689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010152733/28A RU2477907C2 (ru) 2010-12-23 2010-12-23 Способ формирования спиновых волн

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8779765B2 (ru)
EP (1) EP2658004A4 (ru)
JP (1) JP5734455B2 (ru)
RU (1) RU2477907C2 (ru)
WO (1) WO2012087183A2 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9069034B2 (en) * 2010-06-30 2015-06-30 University Of Manitoba Spintronic phase comparator permitting direct phase probing and mapping of electromagnetic signals
TWI509239B (zh) * 2011-03-07 2015-11-21 Univ Singapore 應用自旋波之非破壞性材料、結構、成分、或元件度量或檢測系統及方法
RU2546052C1 (ru) * 2013-11-21 2015-04-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" Способ получения электромагнитного излучения гига- и терагерцового диапазона частот

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7528456B1 (en) * 2005-03-01 2009-05-05 The Regents Of The University Of California Nano-scale computational architectures with spin wave bus
US7535070B2 (en) * 2006-01-30 2009-05-19 The Regents Of The University Of California Spin-wave architectures
RU2363997C1 (ru) * 2008-03-17 2009-08-10 Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) Материал, поглощающий электромагнитное излучение
RU2391747C1 (ru) * 2009-03-20 2010-06-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE32712E (en) * 1979-08-20 1988-07-12 General Electric Company Moving gradient zeugmatography
US4642567A (en) * 1984-06-04 1987-02-10 Indiana University Foundation Methods for two dimensional nuclear magnetic resonance imaging
US4680546A (en) * 1986-01-27 1987-07-14 General Electric Company Methods of, and pulse sequences for, the supression of undesired resonances by generation of quantum coherence in NMR imaging and spectroscopy
US6761871B2 (en) * 2001-05-22 2004-07-13 Reginald Bernard Little Magnetic production of carbon nanotubes and filaments
WO2004091781A1 (ja) * 2003-04-17 2004-10-28 Sony Corporation 触媒及びその製造方法、触媒電極及びその製造方法、膜-電極接合体、並びに電気化学デバイス
JP2005181071A (ja) * 2003-12-18 2005-07-07 New Industry Research Organization スピン波励振・検出装置、前記装置を用いた高周波信号処理装置及びカーボンナノチューブの構造評価装置
KR100819142B1 (ko) * 2005-09-29 2008-04-07 재단법인서울대학교산학협력재단 강한 스핀파 발생 방법 및 스핀파를 이용한 초고속 정보처리 스핀파 소자
US7508578B2 (en) * 2006-07-03 2009-03-24 Terahertz Technologies, Llc Magnon laser
JP2012060033A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Toshiba Corp スピン波素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7528456B1 (en) * 2005-03-01 2009-05-05 The Regents Of The University Of California Nano-scale computational architectures with spin wave bus
US7535070B2 (en) * 2006-01-30 2009-05-19 The Regents Of The University Of California Spin-wave architectures
RU2363997C1 (ru) * 2008-03-17 2009-08-10 Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) Материал, поглощающий электромагнитное излучение
RU2391747C1 (ru) * 2009-03-20 2010-06-10 Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012087183A3 (ru) 2012-09-13
EP2658004A4 (en) 2017-09-13
WO2012087183A2 (ru) 2012-06-28
US8779765B2 (en) 2014-07-15
RU2010152733A (ru) 2012-06-27
US20130293227A1 (en) 2013-11-07
JP2014507791A (ja) 2014-03-27
EP2658004A2 (en) 2013-10-30
JP5734455B2 (ja) 2015-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Sala et al. Spin-orbit coupling for photons and polaritons in microstructures
Chudnovsky et al. Phonon superradiance and phonon laser effect in nanomagnets
Boyer de La Giroday et al. Exciton-spin memory with a semiconductor quantum dot molecule
Yu et al. Images of a spin-torque-driven magnetic nano-oscillator
Pingenot et al. Electric-field manipulation of the landé g tensor of a hole in an in 0.5 ga 0.5 as/gaas self-assembled quantum dot
Leonard et al. Spin transport of excitons
JP6479067B2 (ja) 量子光学システム
RU2477907C2 (ru) Способ формирования спиновых волн
Fripp et al. Spin-wave wells revisited: From wavelength conversion and Möbius modes to magnon valleytronics
Borhani et al. Spin manipulation and relaxation in spin-orbit qubits
Zhu et al. Photoinduced nonequilibrium spin and charge polarization in quantum rings
Ciubotaru Spin-wave excitation by nano-sized antennas
ten Brinke et al. Feasibility study of a nuclear exciton laser
Wang et al. Spin-transfer torque induced domain wall ferromagnetic resonance in nanostrips
Timofeev et al. Joint scientific session of the Physical Sciences Division of the Russian Academy of Sciences and the Joint Physical Society of the Russian Federation “Bose-condensation of excitons”(24 November 2004)
Gammon et al. Optically probing and controlling single quantum dots
Zhang et al. Influence of excitonic effects on dynamic localization in semiconductor superlattices in combined dc and ac electric fields
Gulyaev et al. Detection and generation of submillimeter and terahertz modes in ferromagnet-antiferromagnet junctions
Mitsumori et al. Anomalous optical diffraction by a phase grating induced by a local field effect in semiconductor quantum dots
Hur et al. Terahertz emission from a plasma dipole oscillation
Moskalenko et al. Two-dimensional cavity polaritons under the influence of the perpendicular strong magnetic and electric fields. The gyrotropy effects
Ramien et al. X-ray-frequency modulation via periodic switching of an external magnetic field
Gurin et al. ODMR evidence of the electron cascade in multiple asymmetrical (CdMn) Te quantum wells
Hatakeyama Velocity-selective sublevel resonance of atoms with an array of current-carrying wires
Tua et al. Josephson-type oscillations in a moving charge-density wave interacting with magnetic impurities

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20171224

NF4A Reinstatement of patent

Effective date: 20210122