WO2012087183A2 - Способ формирования спиновых волн - Google Patents
Способ формирования спиновых волн Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012087183A2 WO2012087183A2 PCT/RU2011/001000 RU2011001000W WO2012087183A2 WO 2012087183 A2 WO2012087183 A2 WO 2012087183A2 RU 2011001000 W RU2011001000 W RU 2011001000W WO 2012087183 A2 WO2012087183 A2 WO 2012087183A2
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- working
- spin
- energy level
- spin density
- graphene
- Prior art date
Links
- 230000005418 spin wave Effects 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 9
- 230000005281 excited state Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 4
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005355 Hall effect Effects 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 230000018199 S phase Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 235000021028 berry Nutrition 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005290 field theory Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/10—Solid-state travelling-wave devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S1/00—Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
- H01S1/02—Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range solid
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
Definitions
- the invention relates to the field of quantum physics of condensed matter, namely, to methods for the formation of quantum collective excitations of spin density and magnetization density in graphene films, and can be used in quantum nanoelectronics, spintronics, when creating spin processors, memory cells, physical field sensors, other devices and systems for processing and storing terahertz (and higher) information, having nanometer sizes and operating in a wide temperature range with a minimum energy flow eblenii.
- Graphene which is a monoatomic two-dimensional hexagonal lattice of carbon atoms, is considered as one of the main materials for creating the elemental base of nanoelectronic spintronic devices and systems that provide a gain by orders of magnitude in the field of speed, size, and energy consumption compared to microelectronic analogs. This is due to the fact that in such a structure in a wide temperature range (from units to 500 Kelvin) the ferromagnetic effect was experimentally observed and theoretically discussed, indicating that graphene structures can have their own magnetization due to the presence of non-zero spin density of valence electrons of atoms distributed on a two-dimensional carbon lattice [Wang, Y.
- the injected electrons form spin spatially localized pulses, which then propagate and relax in the graphene film.
- the local magnetoresistance and the precession of the injected spins in an external magnetic field are recorded.
- Time relaxation is about 100 picoseconds, and the relaxation length is about 1-2 microns.
- a limitation of the known method is the lack of quantum coherence of the generated spin pulses, this limits their lifetime and relaxation length on the graphene surface, which is important for various practical applications.
- the basis of the present invention is the task of increasing the life time and propagation length of spin pulses in a graphene film, and, thus, improving technical and operational characteristics.
- the previously selected working area of the graphene film with a linear size of 2,000 nm, divided into sections of 50-100 nm in size they are exposed to a pulsed alternating magnetic field whose frequency is 3 terahertz and corresponds to the transition from the main energy level corresponding to the unexcited state of spin density to the fourth working energy level of the excited state of spin density in a graphene film, causing an energy pumping of spin density, while at the edges of the working region a spatially localized external magnetic field is formed that resonantly reflects the spinons of the working frequency of 0.5 -1 terahertz, corresponding to the transition from the third working to the second working energy level of the excited state of spin density, causing the stimulated stimulated coherent emission of spin waves of the working frequency.
- the working fluid for such quantum generation is the graphene film itself, which, due to the nonlinearity of the interaction of spatially localized solitary waves of spin density in graphene, has a local minimum that provides discrete values of the spectrum of solutions of the Schrödinger equation for the wave function of a system of interacting solitary spin waves with the corresponding value of the self energy for every decision.
- a graphene film is a medium having a discrete spectrum of stationary excited states of spin density, quantum transitions between which are accompanied by radiation or absorption of a quantum of elementary excitation of spin density, called a spinon.
- the resonator that provides the generation are magnetic field configurations formed by external devices on the surface of the graphene film, called magnetic mirrors, and reflecting spinons.
- the method is as follows. Using a control structure called a pump structure (planar magnetic coil), pulses of an alternating magnetic field with an amplitude of 1-5 T are formed, which are spatially configured for the formation of stationary excited spin-density states in graphene films specified with a period of 50-100 nm. Thus, pumping is carried out. As the working one, a pump scheme is selected that has four successive energy spinon levels (four-level scheme). At the same time, at the edges of the working region having a linear size of 100 ⁇ m, external magnetic field configurations are spatially localized in the 2000 nm working region, which reflect spinons of a given energy and momentum, called magnetic mirrors.
- a pump structure planar magnetic coil
- These configurations are regions of spatial modulation of the magnetic field with a period of 50 nm, forming diffraction mirrors for spinons, reflecting spinons of a given energy and momentum, and having transparency windows for the remaining spinons.
- Magnetic mirrors form a resonator similar to the Fabry-Perot resonator for electromagnetic waves in the optical range.
- the working values of the magnetic field in the pump circuit and control structure are 1–5 T.
- Breathers have spatial dimensions of 20-100 nm depending on their energy, located at the upper fourth energy level, from where they spontaneously transfer to a metastable third energy level, emitting spinons for which magnetic mirrors are transparent.
- the breather lifetime at the third energy level exceeds the lifetime at the second level by 10 times, which makes it possible to create an inverse population of breathers between the third and second levels.
- spinons are emitted, for which magnetic mirrors are also transparent.
- resonance conditions are provided only for spinons emitted as a result of working transitions from the third to the second energy level, between which an inverse population density of breathers is created.
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
В способе на предварительно выделенную рабочую область графеновой пленки линейным размером 2000 нм, разделенную на участки размером 50-100 нм, воздействуют импульсным переменным магнитным полем, частота которого составляет 3 терагерца и соответствует переходу с основного энергетического уровня, соответствующего невозбужденному состоянию спиновой плотности, на четвертый рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности в графеновой пленке, вызывая энергетическую накачку спиновой плотности. По краям рабочей области формируют пространственно локализованное внешнее магнитное поле, резонансно отражающее спиноны рабочей частоты 0.5 -1 терагерц, соответствующей переходу с третьего рабочего на второй рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности, при прохождении рабочей области вызывающие стимулированное вынужденное когерентное излучение спиновых волн рабочей частоты.
Description
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ СПИНОВЫХ волн
Область техники
Изобретение относится к области квантовой физики конденсированных сред, а именно, к методам формирования квантовых коллективных возбуждений спиновой плотности и плотности намагниченности в графеновых пленках, и может использоваться в квантовой наноэлектронике, спинтронике, при создании спин- процессоров, ячеек памяти, датчиков физических полей, других устройств и систем обработки и хранения информации терагерцового (и выше) диапазона, имеющих нанометровые размеры и работающих в широком диапазоне температур при минимальном энергопотреблении.
Предшествующий уровень техники
В качестве одного из основных материалов для создания элементной базы наноэлектронных спинтронных устройств и систем, обеспечивающих выигрыш на порядки в области быстродействия, размеров и энергопотребления по сравнению с микроэлектронными аналогами, рассматривается графен, представляющий собой моноатомную двумерную гексагональную решетку из атомов углерода. Это обусловлено тем, что в такой структуре в широком диапазоне температур (от единиц до 500 градусов Кельвина) экспериментально наблюдался и теоретически обсуждался ферромагнитный эффект, свидетельствующий о том, что графеновые структуры могут иметь собственную намагниченность, обусловленную наличием отличной от нуля спиновой плотности валентных электронов атомов, распределенной на двумерной углеродной решетке [Wang, Y. Huang, Y. , Song, Υ., Zhang, X., Ma, Y., Liang, J., and Chen, Y. Room- Temperature Ferromagnetism of Graphene. Nano Lett. 9, 220-224 (2009)], [D.V. Kolesnikov and V.A. Osipov The continuum gauge field-theory model for low-energy electronic states of icosahedral fullerenes, Joint Institute for Nuclear Research, Bogoliubov Laboratory of Theoretical Physics, arXiv:cond-mat/0510636,v2,2,Feb,2006.14], [Gusynin V. P. et al. «Unconventional Integer Quantum Hall Effect in Graphene». Phys.,Rev.Lett.95,146801,(2005), DOL lO.l 103/PhysRevLett.95.146801], [Peres N. M. R., et. al. Electronic properties of disordered two-dimensional carbon Phys. Rev. В 73, 12541 1 (2006) DOL lO.l 103/PhysRevB.73.12541 1], [Novoselov K. S. et al. «Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene», Nature 438, 197 (2005) DOI: 10.1038/nature04233], [Zhang Y.et. al. «Experimental observation of the quantum
Hall effect and Berry's phase in graphene» Nature 438, 201 (2005) DOI: 10.1038/nature04235], [K. Ziegler . Delocalization of 2D Dirac Fermions: The Role of a Broken Supersymmetry. Phys. Rev. Lett. 80, 31 13-31 16 (1998)], [J. Alicea .Matthew P. A. Fisher. Graphene integer quantum Hall effect in the ferromagnetic and paramagnetic regimes, Phys. Rev. В 74, 075422 (2006)], [N. M. R. Peres, F. Guinea, A. H. Castro Neto. Coulomb interactions and ferromagnetism in pure and doped grapheme. PHYSICAL REVIEW В 72, 174406 (2005)], [N.Tombros, C. Jozsa, M. Popinciuc, H.T. Jonkman, B. J. van Wees. Electronic spin transport and spin precession in single graphene layers at room temperature.arXiv:0706.1948, Nature 448, 571-574 (2007)], [Nguyen Viet Hung, A. Bournel, P. Dollfus,Nguyen Van Lien. Spin-dependent transport in double ferromagnetic- gate graphene structures, Journal of Physics: Conference Series 187 (2009), 012037,doi: 10.1088/1742-6596/187/l/012037], [Д.Д.Грачев, Ю.П.Рыбаков,
Л.А.Севастьянов, Е.Ф.Шека. Ферромагнетизм в графеновых и фуллереновых наноструктурах.Теория, моделирование, эксперимент. М. Вестник УДН. 2010], [G. М. Arzumanyan, Е. A. Ayrjan, D. D. Grachev, L. A. Sevastianov. Quantum Field Model for Graphen Magnetism], [D.D. Grachev, L.A. Sevasfjanov. Quantum Field Approach to the Ferromagnetic Properties of the Graphene Films. Int.Conference of Theoretical Physics "Dubna-Nano2010", p.63. Dubna, JINR, 2010].
Наличие этой ненулевой спиновой плотности позволяет управлять ее распределением с помощью различных физических полей, что и является основой для создания элементов и устройств спинтроники. Для создания подобных устройств необходимо формирование локальных возбуждений спиновой плотности, которые и подлежат управляющему воздействию.
Известен способ формирования спиновых волн путем туннелирования спин-поляризованных электронов в графеновую пленку из кобальтового электрода через диэлектрическую изолирующую пленку [N.Tombros, С. Jozsa, М. Popinciuc, H.T. Jonkman, В. J. van Wees. Electronic spin transport and spin precession in single graphene layers at room temperature.arXiv:0706.1948, Nature 448, 571-574 (2007)].
Инжектированные электроны формируют спиновые пространственно- локализованные импульсы, которые затем распространяются и релаксируют в графеновой пленке. В измерениях регистрируются локальное магнитосопротивление и прецессия инжектированных спинов во внешнем магнитном поле. Время
релаксации составляет величину порядка 100 пикосекунд, а длина релаксации - порядка 1-2 мкм.
Ограничением известного способа является отсутствие квантовой когерентности формируемых спиновых импульсов, это ограничивает их время жизни и длину релаксации на графеновой поверхности, что важно для различных практических приложений.
Раскрытие изобретения
В основу настоящего изобретения поставлена задача увеличения времени жизни и длины распространения спиновых импульсов в графеновой пленке, и, таким образом, улучшение технико-эксплуатационных характеристик.
Для решения поставленной задачи с достижением указанного технического результата на предварительно выделенную рабочую область графеновой пленки линейным размером 2 000 нм, разделенную на участки размером 50-100 нм., воздействуют импульсным переменным магнитным полем, частота которого составляет 3 терагерца и соответствует переходу с основного энергетического уровня, соответствующего невозбужденному состоянию спиновой плотности, на четвертый рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности в графеновой пленке, вызывая энергетическую накачку спиновой плотности, при этом по краям рабочей области формируют пространственно локализованное внешнее магнитное поле, резонансно отражающее спиноны рабочей частоты 0.5 -1 терагерц, соответствующей переходу с третьего рабочего на второй рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности, при прохождении рабочей области вызывающие стимулированное вынужденное когерентное излучение спиновых волн рабочей частоты.
Рабочим телом для такой квантовой генерации является сама графеновая пленка, которая в силу нелинейности взаимодействия пространственно локализованных уединенных волн спиновой плотности в графене, имеет локальный минимум, обеспечивающий наличие дискретных значений спектра решений уравнения Шредингера для волновой функции системы взаимодействующих уединенных спиновых волн с соответствующим значением собственной энергии для каждого решения.
Графеновая пленка является средой, имеющей дискретный спектр стационарных возбужденных состояний спиновой плотности, квантовые переходы
между которыми сопровождаются излучением или поглощением кванта элементарного возбуждения спиновой плотности, называемого спиноном. Резонатором, обеспечивающим генерацию, являются конфигурации магнитного поля, сформированные внешними устройствами на поверхности графеновой пленки, называемые магнитными зеркалами, и отражающие спиноны.
Увеличение времени жизни и длины распространения спинового импульса достигается в результате того, что он формируется потоком квантово когерентных спиновых волн (квантовым генератором спиновых волн, называемым спиназером).
Лучший вариант осуществления изобретения
Способ осуществляется следующим образом. С помощью управляющей структуры, называемой структурой накачки (планарная магнитная катушка), формируются импульсы переменного магнитного поля амплитудой 1-5 Т, пространственно сконфигурированное для формирования в заданных с периодом 50- 100 нм областях графеновой пленки стационарных возбужденных состояний спиновой плотности. Таким образом, осуществляется накачка. В качестве рабочей выбирают схему накачки, имеющую четыре следующих подряд энергетических спинонных уровня (четырехуровневая схема). Одновременно по краям рабочей области, имеющей линейный размер 100 мкм, формируют пространственно локализованные в рабочей области размером 2000 нм конфигурации внешнего магнитного поля, отражающие спиноны заданной энергии и импульса, называемые магнитными зеркалами. Эти конфигурации представляют собой области пространственной модуляции магнитного поля с периодом 50 нм, образующие дифракционные зеркала для спинонов, отражающие спиноны заданной энергии и импульса и имеющие окна прозрачности для остальных спинонов. Магнитные зеркала образуют резонатор, аналогичный резонатору Фабри-Перо для электромагнитных волн оптического диапазона. Рабочие значения напряженности магнитного поля в схеме накачки и управляющей структуре составляют величину 1- 5 Т.
В результате накачки в рабочей области графеновой пленки образуются возбужденные пространственно локализованные стационарные состояния спиновой плотности - бризеры [Д.Д.Грачев, Ю.П.Рыбаков, Л.А.Севастьянов, Е.Ф.Шека. Ферромагнетизм в графеновых и фуллереновых наноструктурах.Теория, моделирование, эксперимент. М. Вестник УДН. 2010], [G. М. Arzumanyan, Е. А.
Ayrjan, D. D. Grachev, L. A. Sevastianov. Quantum Field Model for Graphen Magnetism], [D.D. Grachev, L.A. Sevastjanov. Quantum Field Approach to the Ferromagnetic Properties of the Graphene Films. Int.Conference of Theoretical Physics "Dubna- Nano2010", p.63. Dubna, JINR, 2010].
Бризеры имеют пространственные размеры 20-100 нм в зависимости от их энергии, находящиеся на верхнем четвертом энергетическом уровне, откуда они спонтанно переходят на метастабильный третий энергетический уровень, излучая спиноны, для которых магнитные зеркала прозрачны. Время жизни бризера на третьем энергетическом уровне превышает время жизни на втором уровне в 10 раз, что обеспечивает возможность создания инверсной населенности бризеров между третьим и вторым уровнями. При спонтанных переходах со второго на первый энергетический уровень излучаются спиноны, для которых магнитные зеркала также прозрачны. Таким образом, резонансные условия обеспечиваются только для спинонов, излученных в результате рабочих переходов с третьего на второй энергетический уровень, между которыми создана инверсная плотность населенности бризеров. При прохождении такого спинона через рабочую область в результате взаимодействия его с бризерами, находящимися на третьем метастабильном энергетическом уровне, последние вынужденно и когерентно излучают такой же спинон, переходя на второй рабочий энергетический уровень, откуда спонтанно переходят на первый основной. В результате мы имеем эффект квантового усиления когерентного спинонного потока. Магнитные зеркала обеспечивают при этом кратное умножение коэффициента усиления. Кратность умножения равна числу проходов потока между зеркалами и составляет 10-100 раз.
Таким образом, при превышении коэффициентом усиления суммарно коэффициентов поглощения и рассеяния обеспечивается квантовая генерация когерентного потока спинонов, и в результате - увеличение времени жизни спиновых импульсов в 100 раз, и длины их распространения в 1000 раз по сравнению с прототипом, использующим некогерентные импульсы.
Промышленная применимость
Наиболее успешно заявленный способ формирования спиновых волн в графеновых пленках промышленно применим в квантовой наноэлектронике и спинтронике.
Claims
ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
Способ формирования спиновых волн в графеновых пленках, отличающийся тем, что на предварительно выделенную рабочую область графеновой пленки линейным размером 2 ООО нм, разделенную на участки размером 50-100 нм. воздействуют импульсным переменным магнитным полем, частота которого составляет 3 терагерца и соответствует переходу с основного энергетического уровня, соответствующего невозбужденному состоянию спиновой плотности, на четвертый рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности в графеновой пленке, вызывая энергетическую накачку спиновой плотности, при этом по краям рабочей области формируют пространственно локализованное внешнее магнитное поле, резонансно отражающее спиноны рабочей частоты 0.5 -1 терагерц, соответствующей переходу с третьего рабочего на второй рабочий энергетический уровень возбужденного состояния спиновой плотности, при прохождении рабочей области вызывающие стимулированное вынужденное когерентное излучение спиновых волн рабочей частоты.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP11850564.3A EP2658004A4 (en) | 2010-12-23 | 2011-12-19 | Method for generating spin waves |
JP2013546065A JP5734455B2 (ja) | 2010-12-23 | 2011-12-19 | スピン波を生成する方法 |
US13/996,859 US8779765B2 (en) | 2010-12-23 | 2011-12-19 | Method for generating spin waves |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2010152733/28A RU2477907C2 (ru) | 2010-12-23 | 2010-12-23 | Способ формирования спиновых волн |
RU2010152733 | 2010-12-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2012087183A2 true WO2012087183A2 (ru) | 2012-06-28 |
WO2012087183A3 WO2012087183A3 (ru) | 2012-09-13 |
Family
ID=46314689
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/RU2011/001000 WO2012087183A2 (ru) | 2010-12-23 | 2011-12-19 | Способ формирования спиновых волн |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8779765B2 (ru) |
EP (1) | EP2658004A4 (ru) |
JP (1) | JP5734455B2 (ru) |
RU (1) | RU2477907C2 (ru) |
WO (1) | WO2012087183A2 (ru) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9069034B2 (en) * | 2010-06-30 | 2015-06-30 | University Of Manitoba | Spintronic phase comparator permitting direct phase probing and mapping of electromagnetic signals |
TWI509239B (zh) * | 2011-03-07 | 2015-11-21 | Univ Singapore | 應用自旋波之非破壞性材料、結構、成分、或元件度量或檢測系統及方法 |
RU2546052C1 (ru) * | 2013-11-21 | 2015-04-10 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" | Способ получения электромагнитного излучения гига- и терагерцового диапазона частот |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528456B1 (en) * | 2005-03-01 | 2009-05-05 | The Regents Of The University Of California | Nano-scale computational architectures with spin wave bus |
US7535070B2 (en) * | 2006-01-30 | 2009-05-19 | The Regents Of The University Of California | Spin-wave architectures |
RU2363997C1 (ru) * | 2008-03-17 | 2009-08-10 | Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) | Материал, поглощающий электромагнитное излучение |
RU2391747C1 (ru) * | 2009-03-20 | 2010-06-10 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE32712E (en) * | 1979-08-20 | 1988-07-12 | General Electric Company | Moving gradient zeugmatography |
US4642567A (en) * | 1984-06-04 | 1987-02-10 | Indiana University Foundation | Methods for two dimensional nuclear magnetic resonance imaging |
US4680546A (en) * | 1986-01-27 | 1987-07-14 | General Electric Company | Methods of, and pulse sequences for, the supression of undesired resonances by generation of quantum coherence in NMR imaging and spectroscopy |
US6761871B2 (en) * | 2001-05-22 | 2004-07-13 | Reginald Bernard Little | Magnetic production of carbon nanotubes and filaments |
US20060263674A1 (en) * | 2003-04-17 | 2006-11-23 | Mamoru Hosoya | Catalyst and process for producing the same, catalytic electrode and process for producing the same, membrane/electrode union, and electrochemical device |
JP2005181071A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | New Industry Research Organization | スピン波励振・検出装置、前記装置を用いた高周波信号処理装置及びカーボンナノチューブの構造評価装置 |
KR100819142B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2008-04-07 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 강한 스핀파 발생 방법 및 스핀파를 이용한 초고속 정보처리 스핀파 소자 |
US7508578B2 (en) * | 2006-07-03 | 2009-03-24 | Terahertz Technologies, Llc | Magnon laser |
JP2012060033A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | スピン波素子 |
-
2010
- 2010-12-23 RU RU2010152733/28A patent/RU2477907C2/ru active IP Right Revival
-
2011
- 2011-12-19 US US13/996,859 patent/US8779765B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-19 WO PCT/RU2011/001000 patent/WO2012087183A2/ru active Application Filing
- 2011-12-19 JP JP2013546065A patent/JP5734455B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-12-19 EP EP11850564.3A patent/EP2658004A4/en not_active Ceased
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7528456B1 (en) * | 2005-03-01 | 2009-05-05 | The Regents Of The University Of California | Nano-scale computational architectures with spin wave bus |
US7535070B2 (en) * | 2006-01-30 | 2009-05-19 | The Regents Of The University Of California | Spin-wave architectures |
RU2363997C1 (ru) * | 2008-03-17 | 2009-08-10 | Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) | Материал, поглощающий электромагнитное излучение |
RU2391747C1 (ru) * | 2009-03-20 | 2010-06-10 | Учреждение Российской академии наук Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН | Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2658004A4 (en) | 2017-09-13 |
RU2477907C2 (ru) | 2013-03-20 |
WO2012087183A3 (ru) | 2012-09-13 |
US8779765B2 (en) | 2014-07-15 |
US20130293227A1 (en) | 2013-11-07 |
JP2014507791A (ja) | 2014-03-27 |
EP2658004A2 (en) | 2013-10-30 |
RU2010152733A (ru) | 2012-06-27 |
JP5734455B2 (ja) | 2015-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Sala et al. | Spin-orbit coupling for photons and polaritons in microstructures | |
Nakata et al. | Magnonic quantum Hall effect and Wiedemann-Franz law | |
Pryor et al. | Landé g factors and orbital momentum quenching in semiconductor quantum dots | |
Imamura et al. | Conductance quantization and magnetoresistance in magnetic point contacts | |
Pingenot et al. | Electric-field manipulation of the landé g tensor of a hole in an in 0.5 ga 0.5 as/gaas self-assembled quantum dot | |
Tung et al. | Ab initio studies of spin-spiral waves and exchange interactions in 3 d transition metal atomic chains | |
Bonetti et al. | Nano-contact spin-torque oscillators as magnonic building blocks | |
Fermani et al. | Trapping cold atoms near carbon nanotubes: Thermal spin flips and Casimir-Polder potential | |
Soodchomshom et al. | Control of spin-valley current in strain-engineered graphene magnetic junction | |
WO2012087183A2 (ru) | Способ формирования спиновых волн | |
Moradian et al. | First principle study of the structural, electronic and magnetic properties of Fe, Co, Ni atomic nanochains encapsulated in single walled and double walled beryllium oxygen nanotubes | |
Borhani et al. | Spin manipulation and relaxation in spin-orbit qubits | |
Shekhter et al. | Spintronic mechanics of a magnetic nanoshuttle | |
Hanslin et al. | Light-induced Dzyaloshinskii-Moriya interactions in antiferromagnetic metals | |
Yang et al. | Size-dependent magnetic order and giant magnetoresistance in organic titanium–benzene multidecker cluster | |
Varela et al. | Electron Spin Polarization as a Predictor of Chiroptical Activity in Helical Molecules | |
Moskalenko et al. | Two-dimensional cavity polaritons under the influence of the perpendicular strong magnetic and electric fields. The gyrotropy effects | |
Bhowal et al. | Magnetic Skyrmions in Condensed Matter Physics | |
Arnardottir et al. | Hall effect for indirect excitons in an inhomogeneous magnetic field | |
Wojcik et al. | All-electrical manipulation of electron spin in a semiconductor nanotube | |
Barnaś et al. | Thermal spin polarization in bidimensional systems | |
Xing et al. | Spin-orbit coupling and spin current in mesoscopic devices | |
Wimmer et al. | Spin-polarized quantum transport in mesoscopic conductors: computational concepts and physical phenomena | |
Mohammad | RASHBA AND DRESSELHAUS SPIN ORBIT EFFECTS ON THE MAGNETIZATION AND MAGNETIC SUSCEPTIBILITY OF INAS-QUANTUM WIRE | |
Bau et al. | Influence of a Strong Electromagnetic Wave (Laser Radiation) on the Hall Coefficient in Doped Semiconductor Superlattices with an In-plane Magnetic Field |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11850564 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2013546065 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13996859 Country of ref document: US |