RU2474920C1 - Method to generate light-emitting matrices - Google Patents
Method to generate light-emitting matrices Download PDFInfo
- Publication number
- RU2474920C1 RU2474920C1 RU2011146191/28A RU2011146191A RU2474920C1 RU 2474920 C1 RU2474920 C1 RU 2474920C1 RU 2011146191/28 A RU2011146191/28 A RU 2011146191/28A RU 2011146191 A RU2011146191 A RU 2011146191A RU 2474920 C1 RU2474920 C1 RU 2474920C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light
- garlands
- emitting elements
- substrate
- cells
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к изготовлению светоизлучающих приборов, в частности к производству интегральных светоизлучателей.The invention relates to the manufacture of light emitting devices, in particular to the production of integrated light emitters.
Источники света на основе электролюминесцентных диодов (светодиодов) широко используются в технике, там, где требуются малогабаритные высокоэффективные источники света с большой мощностью излучения. Источники излучения с такими параметрами могут быть выполнены в виде многоэлементного излучательного прибора, в котором отдельные светоизлучающие элементы (светодиоды) соединены между собой последовательно (в гирлянды) или параллельно. Последовательное соединение излучающих элементов позволяет эффективно использовать мощность источника питания. Параллельное соединение излучающих элементов или звеньев из последовательно соединенных элементов (гирлянд) обеспечивают возможность создания источников света с заданной выходной световой мощностью.Light sources based on electroluminescent diodes (LEDs) are widely used in technology where small-sized, high-efficiency light sources with high radiation power are required. Sources of radiation with such parameters can be made in the form of a multi-element emitting device in which individual light-emitting elements (LEDs) are interconnected in series (in garlands) or in parallel. The serial connection of the radiating elements allows you to effectively use the power of the power source. Parallel connection of radiating elements or links from series-connected elements (garlands) provide the ability to create light sources with a given output light power.
Положительным эффектом интеграции групп кристаллов в одну структуру с параллельным их включением внутри самой структуры (одного кристалла) является увеличение крутизны вольтамперной характеристики таких структур, уменьшение прямого напряжения и общего потребления электрической мощности, за счет чего и растет отношение «люмен/ватт», т.е. улучшается энергетика светового потока (Компоненты и технологии, №7, 2005, «Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители»).A positive effect of the integration of groups of crystals into one structure with their parallel inclusion inside the structure (one crystal) is an increase in the steepness of the current-voltage characteristics of such structures, a decrease in direct voltage and the total consumption of electric power, due to which the lumen / watt ratio increases, t. e. the energy of the luminous flux improves (Components and Technologies, No. 7, 2005, “Why LEDs Do Not Always Work the Way Their Manufacturers Want”).
В настоящее время известно последовательно-параллельное матричное соединение светодиодов (Электронные компоненты, №8, 2009, стр.42-43, «Светодиодные источники питания Mean Well»), предназначенное для дискретного или гибридного соединения светодиодов. В приведенной схеме параллельного соединения гирлянд, цепочек с одинаковым определенным числом количества последовательно соединенных светодиодов, указываются недостатки этого способа соединения из-за разности суммарных величин падения напряжения светодиодов при заданном через них токе. В результате чего одни гирлянды светятся ярко, другие - тускло. Избавиться от этого недостатка или уменьшить его можно только, если все гирлянды светодиодов будут изготавливаться в едином технологическом цикле, т.е. в интегральном исполнении.Currently known series-parallel matrix connection of LEDs (Electronic components, No. 8, 2009, pp. 42-43, "Mean Well LED power supplies"), designed for discrete or hybrid connection of LEDs. In the above scheme of parallel connection of garlands, chains with the same certain number of the number of series-connected LEDs, the disadvantages of this connection method are indicated due to the difference in the total values of the voltage drop of the LEDs at the current set through them. As a result, some garlands glow brightly, others glow dimly. You can get rid of this drawback or reduce it only if all the garlands of LEDs are manufactured in a single technological cycle, i.e. in integral performance.
Размещение светоизлучающих ячеек в интегральном исполнении формируют еще на этапе проектирования при изготовлении различных трафаретов, необходимых в технологическом цикле. В этом процессе выращивают кристаллические слои на изолирующей подложке, затем производят различные напыления и избирательные травления для получения заданных свойств светоизлучающих элементов и их соединений между собой во всех многочисленных матрицах светоизлучающих элементов на исходной подложке с последующим разрезанием ее на готовые матрицы. Однако хотя единый технологический цикл изготовления и уменьшает количество отказов элементов и соединений в готовой светоизлучающей матрице, но из-за различных дефектов в применяемых материалах и технологических погрешностей при совмещении масок при напылениях и травлениях они все же возникают. В результате это приводит к отказам функционирования отдельных «гирлянд».The placement of light-emitting cells in an integrated design is formed at the design stage in the manufacture of various stencils required in the technological cycle. In this process, crystalline layers are grown on an insulating substrate, then various sputtering and selective etching are performed to obtain the desired properties of the light-emitting elements and their interconnections in all the numerous matrices of light-emitting elements on the initial substrate, followed by cutting it into finished matrices. However, although the uniform manufacturing cycle reduces the number of failures of elements and compounds in the finished light-emitting matrix, due to various defects in the materials used and technological errors when combining masks during spraying and etching, they nevertheless arise. As a result, this leads to the failure of the functioning of individual "garlands".
Известен патент RU 2426200 C1, H01L 33/00 от 15.03.2010 «Способ формирования и проверки светодиодных матриц», в котором гирлянды светодиодных ячеек размещают на подложке в концентрических полях. Данный способ размещения гирлянд при отказе одной или нескольких сохраняет излучение светоизлучающего устройства, но не позволяет эффективно использовать площадь подложки.Known patent RU 2426200 C1,
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является RU 2295174 С2, 10.10.2005, «Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающие элементы» (прототип). В этом устройстве множество светоизлучающих элементов сформировано монолитно на одной квадратной подложке. Светоизлучающие элементы соединены последовательно в гирлянды к контактным площадкам их питания и размещены на подложке зигзагообразно. Данный способ позволяет разместить только не более двух гирлянд и при отказе хотя бы одной гирлянды в процессе изготовления не позволяет далее правильно функционировать светоизлучающему устройству. Кроме того, перекрестное соединение гирлянд также снижает надежность изделия.The closest in technical essence and the achieved result is RU 2295174 C2, 10.10.2005, “Light-emitting device containing light-emitting elements” (prototype). In this device, a plurality of light-emitting elements are molded integrally on one square substrate. Light-emitting elements are connected in series in garlands to the contact pads of their power supply and placed on a substrate in a zigzag fashion. This method allows you to place only no more than two garlands and if at least one garland fails during the manufacturing process, it does not allow the light-emitting device to function properly. In addition, the cross-connection of garlands also reduces the reliability of the product.
Задачей данного изобретения является нахождение приемов размещения гирлянд светоизлучающих элементов в их интегральной матрице для повышения плотности размещения при наличии контактных площадок для соединения выводов светоизлучающей матрицы, сохранение излучения светоизлучающего устройства при отказе одной или нескольких гирлянд светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации и, соответственно, повышения процента выхода годных изделий.The objective of the invention is to find methods for placing garlands of light-emitting elements in their integrated matrix to increase the density of placement in the presence of contact pads for connecting the terminals of the light-emitting matrix, preserving the radiation of the light-emitting device in case of failure of one or more garlands of the light-emitting matrix in the manufacturing, testing, classification, operation and , respectively, increase the percentage of yield of products.
Технический результат - обеспечение при наличии контактных площадок для соединения выводов светоизлучающей матрицы максимально возможной плотности размещения параллельно соединенных гирлянд светоизлучающих элементов в общем квадратном поле подложки при заданных величинах падения напряжения на гирляндах, исключения пересечения последовательных соединений светоизлучающих элементов в гирляндах, сохранение функционирования светоизлучающей матрицы в процессах изготовления, проверки, классификации, эксплуатации, а также многофункциональность светоизлучающей матрицы при раздельном подключении гирлянд светоизлучающих элементов, достигается тем, что на краях подложки для каждой гирлянды питающие контактные площадки для электродов питания, близкие по размерам ячеек светоизлучающих элементов, произвольно размещают разнесенными по краям подложки, предпочтительно объединенными в группы с числом, соответствующим количеству гирлянд, количество светоизлучающих элементов в гирлянде для требуемого падения напряжения на ней, заданного функционирования и использования площади подложки определяют в относительной зависимости, исходя из количества светоизлучающих элементов, размещаемых в стороне подложки, и количества задаваемых гирлянд, при количестве в гирляндах светоизлучающих элементов более двух пути формирования последовательных соединений светоизлучающих элементов в гирляндах сжимают в форме лабиринта, избегая тупиковых путей последовательного соединения светоизлучающих элементов, при этом разность количества ячеек в гирлянде в крайних гирляндах и количества ячеек, умещающихся в периметре сторон подложки или в периметрах соприкасающихся гирлянд от одной контактной ячейки до соответствующей другой, выбирают четной. Готовую сформированную светоизлучающую матрицу в интегральном исполнении после проведения всех технологических процессов подключают к слабому току, достаточному для визуального или с помощью промежуточных приборов определения количества и конфигураций отказавших «гирлянд» светоизлучающих элементов. Определяют яркость годных «гирлянд» для коррекции допустимой величины общего тока излучателя, затем класс будущего светового излучателя и процент выхода годных светоизлучающих матриц.The technical result is the provision, if there are contact pads for connecting the conclusions of the light-emitting matrix, of the maximum possible density of parallel-connected garlands of light-emitting elements in the total square field of the substrate for a given voltage drop across the garlands, eliminating the intersection of serial connections of light-emitting elements in the garlands, maintaining the functioning of the light-emitting matrix in the processes manufacture, inspection, classification, operation, and also multifunction The specificity of the light-emitting matrix when separately connecting the garlands of light-emitting elements is achieved by the fact that on the edges of the substrate for each garland supply contact pads for power electrodes, similar in size to the cells of the light-emitting elements, are randomly placed spaced along the edges of the substrate, preferably combined in groups with a number corresponding to the number garlands, the number of light-emitting elements in the garland for the required voltage drop on it, a given functioning and use the area of the substrate is determined in relative dependence, based on the number of light-emitting elements placed on the side of the substrate and the number of specified garlands, when the number of light-emitting elements in the garlands is more than two ways of forming serial connections of light-emitting elements in the garlands, they are compressed in the form of a labyrinth, avoiding the dead-end paths of the serial connection of light-emitting elements, while the difference in the number of cells in the garland in the extreme garlands and the number of cells that fit in the perimeter sides of the substrate or within the perimeter of contiguous strings of one of the contact cell to the respective other selected even. An integrated formed finished light-emitting matrix, after all technological processes are carried out, is connected to a weak current sufficient for visual or using intermediate devices to determine the number and configurations of failed “garlands” of light-emitting elements. The brightness of the suitable “garlands” is determined to correct the permissible value of the total emitter current, then the class of the future light emitter and the percentage of yield of suitable light emitting matrices.
В таблице 1 приведены в зависимости от количества гирлянд - K и количества светоизлучающих элементов - а, размещаемых на краю стороны подложки, данные квадрата этих элементов - а2, разности этих квадратов и удвоенного количества гирлянд - a2-2•K, количества светоизлучающих элементов - g - в гирлянде, остаток - q - пустых ячеек и границы - δ - пассивной части светоизлучающих элементов в проектируемой светоизлучающей матрице.Table 1 shows, depending on the number of garlands - K and the number of light-emitting elements - a placed on the edge of the side of the substrate, the data of the square of these elements - a 2 , the difference between these squares and the doubled number of garlands - a 2 -2 • K, the number of light-emitting elements - g - in the garland, the remainder - q - of empty cells and the borders - δ - of the passive part of the light-emitting elements in the projected light-emitting matrix.
В таблице 2 приведены в зависимости от количества - g - светоизлучающих элементов в гирлянде, соответственно падения напряжения на гирлянде - Ug, количества гирлянд - K, остатков - q - и границ пассивной части светоизлучающих элементов - δ.Table 2 shows, depending on the number - g - of light-emitting elements in the garland, respectively, the voltage drop across the garland - U g , the number of garlands - K, residues - q - and the boundaries of the passive part of light-emitting elements - δ.
На фиг.1 схематично показан пример одного из возможных вариантов построения светоизлучающей матрицы с размещением 8 гирлянд последовательно соединенных светоизлучающих элементов при заданной величине стороны квадратной подложки, равной 14 длинам сторон квадратных ячеек светоизлучающих элементов, размещенных по краю подложки.Figure 1 schematically shows an example of one of the possible options for constructing a light-emitting matrix with the placement of 8 garlands of sequentially connected light-emitting elements for a given value of the side of the square substrate equal to 14 lengths of the sides of the square cells of the light-emitting elements placed along the edge of the substrate.
На фиг.2 схематично показана светоизлучающая матрица с размещением 2 гирлянд последовательно соединенных светоизлучающих элементов при заданной величине стороны квадратной подложки, равной 7 длинам сторон квадратных ячеек светоизлучающих элементов, размещенных по краю подложки, в которой группой размещены незадействованные 3 пустые ячейки остатка от размещения гирлянд.Figure 2 schematically shows a light-emitting matrix with the placement of 2 garlands of series-connected light-emitting elements for a given value of the side of the square substrate equal to 7 lengths of the sides of the square cells of the light-emitting elements located on the edge of the substrate, in which a group of unused 3 empty cells of the remainder from the placement of the garlands are placed.
На фиг.3 схематично показана та же светоизлучающая матрица с раздробленным размещением этих пустых ячеек.Figure 3 schematically shows the same light-emitting matrix with a fragmented arrangement of these empty cells.
На фиг.4 схематично показан пример неудачного построения светоизлучающей матрицы с размещением 3 гирлянд последовательно соединенных светоизлучающих элементов при заданной величине стороны квадратной подложки, равной 9 длинам сторон квадратных ячеек светоизлучающих элементов.Figure 4 schematically shows an example of an unsuccessful construction of a light-emitting matrix with the placement of 3 garlands of series-connected light-emitting elements for a given size of the side of the square substrate equal to 9 lengths of the sides of the square cells of the light-emitting elements.
На фиг.5 схематично показан пример правильного построения этой светоизлучающей матрицы.Figure 5 schematically shows an example of the correct construction of this light-emitting matrix.
На фиг.6 схематично показан первый неудачный пример для разбора последовательностей построения светоизлучающей матрицы с размещением 5 гирлянд последовательно соединенных светоизлучающих элементов при заданной величине стороны квадратной подложки, равной 15 длинам сторон квадратных ячеек светоизлучающих элементов.6 schematically shows a first unsuccessful example for parsing sequences of constructing a light-emitting matrix with the placement of 5 garlands of series-connected light-emitting elements for a given value of the side of the square substrate equal to 15 lengths of the sides of the square cells of the light-emitting elements.
На фиг.7 схематично показан второй неудачный пример для разбора последовательностей построения светоизлучающей этой матрицы.Fig. 7 schematically shows a second unsuccessful example for parsing the sequences of constructing this light-emitting matrix.
На фиг.8 схематично показан третий неудачный пример для разбора последовательностей построения светоизлучающей этой матрицы.On Fig schematically shows a third unsuccessful example for parsing the sequences of construction of the light-emitting of this matrix.
На фиг.9 схематично показан удачный пример для разбора последовательностей построения светоизлучающей этой матрицы.Figure 9 schematically shows a successful example for parsing the sequences of construction of the light-emitting of this matrix.
Способ реализуют следующим образом. Пусть подложка 1 светоизлучающей матрицы 2 и ячейки светоизлучающих элементов 3 имеют квадратную форму (фиг.1). Вся подложка заполняется виртуальной сеткой 4 с размерами ячеек, равными стороне квадрата ячейки светоизлучающего элемента 3. По поставленным условиям размещения последовательно соединенных светоизлучающих элементов 3 в гирлянды 5, их количеству, количеству ячеек светоизлучающих элементов 3, размещаемых на краю стороны квадрата подложки 1, требуемому падению напряжения на параллельно соединенных гирляндах 5 светоизлучающей матрицы 2 и коэффициенту полезного заполнения светоизлучающих элементов 3 на краю одной из сторон подложки 1 произвольно размещают исходные контактные площадки 6 в количестве, соответствующем количеству размещаемых гирлянд 5 светоизлучающих элементов 3. Далее выбирают любую одну из сторон подложки, определяемую конструктивными соображениями, и размещают на ее краю конечную контактную группу 7 соединения гирлянд 5 светоизлучающих элементов 3.The method is implemented as follows. Let the
Для начала зададим количество светоизлучающих элементов 3, размещаемых в стороне подложки 1, и обозначим их символом - «а», количество гирлянд 5 последовательно соединенных светоизлучающих элементов 3 символом - «K».To begin with, let us set the number of light-emitting
Поскольку подложка 1 - квадратная, то виртуальное количество возможных светоизлучающих элементов 3 будет равно квадрату количества светоизлучающих элементов 3, размещаемых на краю стороны подложки 1, т.е. - а2. Но из этого значения неактивными оказываются две группы контактных площадок 6 и 7. Активна только их разность от общего количества светоизлучающих элементов 3 (а2-2•K). Теперь определим количество светоизлучающих элементов «g», размещаемых в гирлянде 5, как отношение упомянутой разницы к количеству гирлянд «К».Since the
В этом случае возможен остаток «q» и его целочисленное значение определим какIn this case, the remainder “q” is possible and its integer value is defined as
Из выражений (1) и (2) в процентном отношении определим «δ», пассивную часть светоизлучающих элементов 3, занимаемую контактными площадками 6 и 7 и пустыми ячейками 8 (фиг.1), остатка «q»,From the expressions (1) and (2) in percentage terms we define "δ", the passive part of the light-emitting
. .
Ограничившись максимальными величинами а=18 и K=10, сведем данные этих вычислений в таблицу 1, а по ее результатам, ограничившись максимальным количеством «g» светоизлучающих элементов 3 в гирлянде 5, g=31, и при падении напряжения на одном светоизлучающем элементе, равном 3,2 вольта, определим падение напряжения «Ug» на гирлянде 5 в зависимости от количества «g» в ней светоизлучающих элементов 3, а также при количестве гирлянд «K» - картину распределения остатков «q» и пассивную часть «δ», данные сведем в таблицу 2. Символом «звездочка» - * - обозначим отсутствие остатка «q», т.е. в этом случае пассивными оказываются только контактные группы 6 и 7.By limiting ourselves to the maximum values of a = 18 and K = 10, we summarize the data of these calculations in Table 1, and according to its results, limiting ourselves to the maximum number of “g” light-
В таблицах 1 и 2 жирными линиями выделим зоны «δ» в процентном отношении больше 30, до 30, до 20, до 10 и меньше 5 процентов, из которых разработчик может выбрать нужные параметры светоизлучающей матрицы.In Tables 1 and 2, we highlight the “δ” zones in bold lines as a percentage of more than 30, up to 30, up to 20, up to 10 and less than 5 percent, from which the developer can choose the necessary parameters of the light-emitting matrix.
Из этих таблиц следует, что наилучшее использование ресурса ячеек светоизлучающих элементов 3 в светоизлучающей матрице 2 происходит при увеличении количества «а» элементов в стороне подложки 1 и уменьшении количества гирлянд 5. Разумеется, разработчику требуется найти компромисс между максимальным использованием ресурса ячеек светоизлучающих элементов 3 в светоизлучающей матрице 2, надежностью, т.е. выбором требуемого количества гирлянд 5, и требуемым падением напряжения на гирляндах 5 светоизлучающей матрицы 2.From these tables it follows that the best use of the resource of the cells of the light-emitting
Пусть требуется создать 70-вольтовую светоизлучающую матрицу 2 и в распоряжении имеется подложка 1 с размером стороны «а», равным размерам 14 сторон светоизлучающих элементов 3. Из таблицы 2 узнаем, что при заданном напряжении требуется количество светоизлучающих элементов 3 в гирлянде 5, g=22. Из таблицы 1 по количеству элементов «g» и «а» узнаем, что этому соответствует количество гирлянд, K=8 и остаток q=4. Такая матрица 2 находится в зоне «δ» не более 20% пассивного заполнения. Проверим конкретно из выражения (3)Suppose that you want to create a 70-volt light-emitting
δ=(2•K+q)• 100%/a2=(16+4)•100/196=10,2%,δ = (2 • K + q) • 100% / a 2 = (16 + 4) • 100/196 = 10.2%,
т.е. практически приближается к норме 10% допуска. Если результатом удовлетворены, то начинаем построение светоизлучающей матрицы 2.those. almost close to the norm of 10% tolerance. If the result is satisfied, then we begin the construction of the light-emitting
Расположим входящую группу контактов 6 на краю левой стороны подложки 1, примыкающих к краю верхней стороны, исходящую группу контактов 7 на краю правой стороны подложки 1, примыкающей к нижней стороне. Контакты в группах 6 и 7 могут быть как соединены, так и изолированы друг от друга, в данном случае это не имеет принципиального значения. Размещаемые на фигуре 1 гирлянды 5 для наглядности выделим чередующимся затемнением.We arrange the incoming group of
По верхнему и правому краям подложки 1 от первого контакта группы 6 до первого контакта группы 7 подсчитаем укладывающееся количество ячеек 3, их оказывается - 18. Разность общего количества ячеек 3 в гирлянде 5 и подсчитанных, (22-18)=4, - четная. Значит, расположение контактных групп 6 и 7 выбрано правильно и смещение на одну позицию той или иной группы не требуется. Обозначим зигзагом 9 вырожденную стрелку направления последовательного соединения светоизлучающих элементов 3 в гирлянде 5 от одной контактной ячейки 6 до другой 7. Оставшиеся 4 ячейки 3 первой гирлянды 5 можно разместить произвольно, но следует учитывать, что крайним ячейкам 3 нельзя приближаться к контактной исходной группе 6 менее чем на количество ячеек, достаточное для того, чтобы были свободны пути для трассировки следующих гирлянд 5. Для наглядности размещаемые гирлянды 5 выделяем чередующимся затемнением. На фигуре 1 показана трассировка сформированной первой гирлянды 5.On the upper and right edges of the
Жирными линиями показаны изолирующие дорожки 10. В данном случае показанный лабиринт соединений ячеек 3 (фиг.1) однозначен - любая другая трассировка - тупиковая и до седьмой гирлянды трассировку производим аналогично, хотя существует некоторое поле свободы размещения, учитывая и пустые ячейки 8, например, расчленив их группу. Оставшуюся группу 8 пустых ячеек также можно разместить несколькими вариантами, но следует учитывать, чтобы в оставшихся седьмой и восьмой гирляндах не возникало тупиковых ситуаций. В данном случае на фигуре 1 из эстетических соображений выбрано размещение группы 8 ближе к краю, хотя можно было бы разместить ее и на краю подложки 1.Bold lines show insulating
Анализируя данные таблицы 2, замечаем, что в строках для количеств гирлянд «g», равных 21, 24, 27, 29, отсутствуют приемлемые значения количества гирлянд «K», а из таблицы 1 отмечаем, что допустим для K=2 и g=21 при а=7 наиболее близким и оптимальным является число g=22 с остатком q=1 и, соответственно, если будем уменьшать количество элементов в гирляндах, то будет и возрастать остаток «q» с дискретностью K=2, т.е. для g=21, q=3, для g=20, q=5, и т.д, при необходимости уменьшать количество элементов в гирлянде от оптимального значения. Аналогично и для g=24, из таблицы 2 наиболее близким является значение g=25 при K=3. В таблице 1 это соответствует размеру подложки 1 при а=9, уменьшение количества элементов в гирлянде теперь будет приводить к возрастанию остатка «q» с дискретностью K=3. Для других отмеченных значений количества элементов «g» в гирлянде поступают аналогично.Analyzing the data of table 2, we notice that in the rows for the number of garlands "g" equal to 21, 24, 27, 29, there are no acceptable values for the number of garlands "K", and from table 1 we note that it is permissible for K = 2 and g = 21 for a = 7, the closest and optimal is the number g = 22 with the remainder q = 1 and, accordingly, if we reduce the number of elements in the garlands, then the remainder “q” will also increase with discreteness K = 2, that is, for g = 21, q = 3, for g = 20, q = 5, etc., if necessary, reduce the number of elements in the garland from the optimal value. Similarly for g = 24, from table 2 the closest is the value g = 25 at K = 3. In table 1, this corresponds to the size of the
Из этого следует, что всегда можно найти компромисс между предъявляемыми требованиями по количеству элементов «g» в гирлянде, количеству «K» гирлянд и величине «δ» пассивного заполнения матрицы 2.From this it follows that a compromise can always be found between the requirements for the number of elements “g” in the garland, the number of “K” garlands and the value “δ” of the passive filling of
Итак, рассмотрим матрицу 2 с параметрами - а=7, K=2, g=21, q=3. Из таблицы 2 напряжение на гирляндах равно 67,2 вольта. Из выражения 3 определим пассивную частьSo, consider
δ=(2•K+q)•100%/a2=(4+3)•100/49=14,3%.δ = (2 • K + q) • 100% / a 2 = (4 + 3) • 100/49 = 14.3%.
По виртуальной сетке 4 на подложке 1 (фиг.2) разместим по краю ее левой стороны вверху контактную группу 6 и внизу контактную группу 7. По краю периметра матрицы по виртуальной сетке 4 от ячейки 11 по ячейку 12, примыкающих соответственно к контактам 6-1 и 7-1, подсчитаем количество ячеек 3. В этом случае их число оказывается равным 17. В данном случае по расчету g=21 и тогда разность этих значений равна 4, т.е. четная. Расположение групп контактных ячеек 6 и 7 выбрано правильно. Разместим из этой разности симметрично группы 13 и 14 по две ячейки 3 примыкающими с правой стороны к ячейкам периметра вверху и внизу. В результате у нас оформилась граница гирлянды 5-1. Выделим ее жирной линией, обозначающей изолирующие дорожки 10. Теперь проложим путь последовательных соединений элементов 3, обозначая его вырожденной стрелкой 9, вводя требуемые дополнительные изолирующие дорожки 10 для формирования лабиринтного пути, избегая тупиковых соединений. На фиг.2 уложенная гирлянда 5-1, последовательно соединенных светоизлучающих элементов 3, для наглядности выделена затемнением.On a
Для формирования второй гирлянды 5-2 с контактами 6-2, 7-2, начиная с ячейки 15 по периметру сформированной гирлянды 5-1 по ячейку 16, подсчитаем количество ячеек 3. Их оказывается 13. Разность (21-13)=8 - четная. Разместим группу 8 остатка из 3 пустых ячеек у края левой стороны между контактными группами 6 и 7. Если принять путь трассировки соединений гирлянды 5-2 по периметру гирлянды 5-1 от ячейки 15 до ячеек 16 и 17, то оставшийся остаток равен 6 и смело можем разделить эти ячейки изолирующей дорожкой, сформировав зигзаг от ячейки 17 до ячейки 16. Выделим границы гирлянды жирными линиями изолирующих дорожек, гирлянду 5-2, и обозначим стрелками 9 путь ее трассировки. Матрица 2 - сформирована.To form the second garland 5-2 with contacts 6-2, 7-2, starting from
Однако если разработчику матрицы 2 не понравится из различных соображений расположение группы пустых ячеек 8, то их можно разбить на части, как показано в одном из возможных вариантов на фигуре 3.However, if, for various reasons, the developer of
Рассмотрим следующий, пусть неудачный, пример. Зададим условие, чтобы при количестве гирлянд, K=3, элементы 3 матрицы 2 в гирлянде 5-1 легли только по краю периметра подложки 1. Это может произойти при условии, когда количество элементов «g» в гирлянде равно количеству умещающихся элементов 3 по краю трех сторон подложки 1, Заданное условие выполним, приравняв выражение 1 количеству умещающихся элементов 3 по краю трех сторон подложки 1.Consider the following, albeit unsuccessful, example. Let us set the condition that, with the number of garlands, K = 3, the
a2-2•K=3•a•K-2•Ka 2 -2 • K = 3 • a • K-2 • K
а2=3•а•Ka 2 = 3 • a • K
а=3•K=3•3=9a = 3 • K = 3 • 3 = 9
Из таблицы 1 находим, что количество светоизлучающих элементов 3 в гирлянде g=25, без остатка, q=0. А из таблицы 2 - напряжение Ug на гирлянде 5 равно 80 вольтам. Из выражения 3 определим конкретное значение пассивной частиFrom table 1 we find that the number of light-emitting
δ=(2•K+q)•100%/a2=(6+0)•100/81=7,4%.δ = (2 • K + q) • 100% / a 2 = (6 + 0) • 100/81 = 7.4%.
Пусть, фиг.4, на виртуальной сетке 4 подложки 1 расположим симметрично гирлянду 5-1 по краям верхней, правой и нижней сторон. Тогда между контактными группами 6 и 7 останется одна ячейка 18. Выделим для гирлянды 5-1 изолирующие дорожки 10 жирными линиями. Для наглядности трассировку гирлянды 5-1 стрелками 9 затемним. Для второй гирлянды 5-2 подсчитаем количество ячеек 3, укладывающихся по периметру гирлянды 5-1 с ячейки 15 по ячейку 16. Их количество равно 21. Разница равна (25-21)=4. Поделим ее надвое и группы присоединим соответственно к ячейкам 15 и 16. Очертим границы гирлянды 5-2 и произведем трассировку последовательных соединений элементов 3, обозначив ее стрелками 9. Теперь заодно и сформировались границы гирлянды 5-3. Подсчитаем количество уложенных ячеек 3 в этой гирлянде. Количество их точно соответствует заданному, g=25. Начнем встречную трассировку гирлянды 5-3 по периметру гирлянды 5-2. Соответственно, на путях трассировки у ячеек 20 и 21 для ячейки 22 возникает тупиковая ситуация трассировки - то ли направиться в сторону ячейки 23, то ли - в сторону ячейки 24. Неудача. Все любые другие комбинации трассировки приводят к тому же результату. Поэтому этот вариант формирования матрицы 2 отбрасываем.Let, figure 4, on a
Однако если нарушить симметрию и сместить на одну ячейку контактные группы 6 и 7, не изменяя промежутка между ними, к верхнему краю подложки 1 (фиг.5), то получим возможность реализовать заданные параметры матрицы 2.However, if the symmetry is broken and the
Аналогично, произведем трассировку (фиг.5) гирлянд 5-1 и 5-2 и в образованной границе гирлянды 5-3 по периметру границы гирлянды 5-2 подсчитаем количество элементов 3. Их количество равно 19, а количество недостающих ячеек 3 равно (25-19)=6. Разделяя образованный аппендикс и ячейки 25 и 26 изолирующей дорожкой 27, получаем беспрепятственную возможность трассировки гирлянды 5-3. Для наглядности ее затемним. Формирование размещения гирлянд 5 светоизлучающей матрицы 2 завершено.Similarly, we will trace (Fig. 5) the garlands 5-1 and 5-2 and in the formed border of the garland 5-3 along the perimeter of the border of the garland 5-2 we will count the number of
Усложним задачу формирования матрицы 2 и выберем ее основные данные, а=15 и K=5. Из таблицы 1 находим количество элементов 3 последовательного соединения в гирлянде, g=43 и остаток q=0. Из таблицы 1 - пассивная часть δ<5%. Конкретно,We complicate the task of forming
δ=(2•K+q)•100%/a2=(10+0)•100/225=4,4%.δ = (2 • K + q) • 100% / a 2 = (10 + 0) • 100/225 = 4.4%.
Напряжение «Ug» на гирляндах при падении напряжения «Uэ» на одном светоизлучающем элементе, равном 3,2 вольта, соответственно, равноThe voltage "U g " on the garlands when the voltage drop "U e " on one light-emitting element equal to 3.2 volts, respectively, is equal to
Ug=Uэ•g=3,2•43=137,6 В.U g = U e • g = 3.2 • 43 = 137.6 V.
Разработчику матрицы 2 для понятия способа трассировки, без навязывания уже готовой трассировки гирлянд, лучше всего повторять на чистой виртуальной сетке 4 подложки 1.For the developer of
Расположим (фиг.6) контактную группу 6 из 5 ячеек посередине левого края в виртуальной сетке 4 подложки 1 и вторую аналогичную контактную группу 7 посередине нижнего края подложки 1. Подсчитаем количество ячеек по периметру подложки 1 для будущей гирлянды 51 от ячейки 11 по ячейку 12. Их - 37. Разница между расчетным значением количества ячеек «g» в гирлянде и количеством ячеек по периметру (43-37)=6 - четная. В данном случае, во избежание лишних построений до конечного результата, проверим количество ячеек в последней проблемной гирлянде 5-5 по периметру левого, верхнего, правого и нижнего краев подложки 1 от ячейки 28 по ячейку 29. Их - 9. Разность (43-9)=34 - четная. Ограничим возможное поле гирлянды 5-5 из 43 элементов 3 изолирующей линией 10. В результате получаем квадрат 30, 6×6, за исключением двух контактных ячеек, содержащий (36-2)=34 активные ячейки. Разность равна (43-34)=9. Отделим границами ячейки предыдущих гирлянд от их контактных ячеек и присоединим оставшиеся ячейки разности в виде квадрата 31, 3×3, к предыдущему квадрату 30. Из появившегося очертания границы 10 очертания поля гирлянды 5-5 видно, что есть только два пути входа с ячейки 32 и выхода к ячейке 33 из квадрата 31. Однако к ячейке 33 невозможно произвести трассировку последовательных соединений элементов 3, т.к. она застревает в тупиковой ячейке 34. Все, построение матрицы 2 в данном варианте расположения контактных групп 6 и 7 - невозможно.We will arrange (Fig. 6) a
Делаем другую попытку. Для этого (фиг.7) сместим на одну ячейку влево относительно исходного варианта (фиг.6) контактную группу 7. Отделив границами 10 предыдущие гирлянды 5-1÷5-4, получаем прямоугольник 30, 6×5, состоящий, за исключением контактных ячеек 6-1 и 7-1, из 28 ячеек. Разность равна (43-28)=15. Сформируем многоугольник 31 из двух прямоугольников, 3×3 и 3×2. Получаем также только две ячейки возможных входа 32 и выхода 33 для трассировки последовательных соединений элементов 3 в многоугольнике 31. В приведенной трассировке она застревает в тупиковой ячейке 34. Дальнейшее построение матрицы 2 невозможно.We make another attempt. To do this (Fig. 7), we will shift
Произведем следующую попытку. Для этого, наоборот, сместим от исходного значения (фиг.6) контактную группу 7 на одну ячейку вправо (фиг.8). Отделив границы предыдущих гирлянд 5-1÷5-4 от гирлянды 5-5, получаем прямоугольник 30, 6×7, количество активных ячеек в котором, за исключением ячеек 6-1 и 7-1, равно 40. Присоединим оставшийся прямоугольник 31. Произведем трассировку последовательных соединений от ячейки 28, без проблем проходим от ячейки 32 через прямоугольник 31 к ячейке 33, но опять застреваем в тупиковой ячейке 43. Построение и этого варианта матрицы 2 невозможно.We will make the following attempt. To do this, on the contrary, we will shift the
И, наконец (фиг.9), если сместим обе контактные группы 6 и 7 относительно исходного варианта (фиг.6) на одну ячейку в сторону уменьшения ячеек по периметру края подложки 1 от ячейки 11 по ячейку 12 для гирлянды 5-1, получаем четные разности как гирлянды 5-1, так и по периметру края подложки 1 от ячейки 28 по ячейку 29 для гирлянды 5-5, соответственно (43-35)=8 и (43-11)=32. Отделив границами 10 гирлянды 5-1÷5-4, получаем квадрат 30, 7×7, с количеством, за исключением двух 6-1 и 7-1, активных ячеек, равным (49-2)=47, превышающим заданное количество, g=43. Соответственно, разность равна (47-43)=4. Вырежем ее из квадрата 30 и получим границу 10 гирлянды 5-5. Один из возможных вариантов трассировки последовательных соединений гирлянды 5-5 стрелками 9 от элемента 37 по элемент 38 показан на фигуре 9. Для наглядности ее затемним. Теперь сформируем гирлянду 5-1, присоединив остаток из 8 элементов к ячейкам периметра края подложки 1 и проложив трассировку последовательного соединения элементов 3 от элемента 11 по элемент 12, как показано на фигуре 9. Аналогично, как и в предыдущих примерах на фигурах 1, 3 и 5, подсчитаем на фигуре 9 по периметрам предыдущих гирлянд, соответственно, от 15, 18, 35 по 16, 19, 36 ячейку количество ячеек, определим их разность между расчетным значением и произвольно, но, не допуская тупиковых соединений, присоединим их остатки к периметрам формируемых гирлянд. По сформированным границам гирлянд произведем соответствующую трассировку последовательных соединений элементов 3 в гирляндах 5-1÷5-4. При этом желательно соблюдать рекомендацию - не формировать слишком длинных зигзагов в лабиринте трассировки последовательных соединений элементов 3 в гирляндах 5. Это позволит уменьшить требования к величине допустимой разности потенциалов изолирующей дорожки 10 между элементами 3 гирлянд и элементами 3 соседних гирлянд 5. На фигуре 9 для наглядности затемним нечетные гирлянды.And finally (Fig. 9), if we move both
Из предыдущих примеров построения светоизлучающих матриц делаем выводы.From the previous examples of constructing light-emitting matrices, we draw conclusions.
Разности требуемого количества ячеек в гирляндах и количества ячеек в периметрах гирлянд относительно границ краев подложки и соприкасающихся друг с другом границ гирлянд должны быть четными.The differences between the required number of cells in the garlands and the number of cells in the perimeters of the garlands relative to the boundaries of the edges of the substrate and the boundaries of the garlands in contact with each other should be even.
Если при выборе местоположения контактных ячеек разность от исходного количества ячеек и ячеек периметра оказывается нечетной, то следует сместить любую контактную группу на одну ячейку по краю стороны подложки в любую сторону.If, when choosing the location of the contact cells, the difference from the initial number of cells and the cells of the perimeter is odd, then you should shift any contact group by one cell along the edge of the side of the substrate in any direction.
Если разность - четная, то при конструктивной необходимости сместить контактную группу в любую сторону по периметру края стороны подложки ее смещают на четное количество ячеек.If the difference is even, then if there is a structural need to shift the contact group to either side along the perimeter of the edge of the side of the substrate, it is shifted by an even number of cells.
Однако, в любом случае, если разность оказывается четной, то требуется проверить наличие возможности путей трассировки остальных гирлянд, т.е. формируемая гирлянда не должна преграждать пути формирования остальных гирлянд.However, in any case, if the difference turns out to be even, then it is required to check the possibility of tracing the remaining garlands, i.e. the formed garland should not block the formation of the remaining garlands.
Итак, из всех возможных комбинаций соединений элементов гирлянд нами рассмотрено всего несколько примеров. Рассмотренный порядок действий позволяет избежать ненужных усилий в трассировке тупиковых ситуаций последовательного соединения элементов 3 в гирляндах 5. Естественно, это приводит к некоторым ограничениям в проектировании светоизлучающих матриц 2 для достижения требуемых параметров, однако сохраняется достаточная доля свободы в их выборе. Наличие контактных площадок 6 и 7, хотя и уменьшает долю активных светоизлучающих элементов 3, позволяет производить надежное соединение гирлянд с источниками их питания. Контактные площадки 6 и 7 могут быть как воедино соединенными, так и раздельными, 6-1÷6-5 и 7-1÷7-5 (фиг.9). При раздельном соединении гирлянд в матрице 2 при соответствующей коммутации можно дискретно изменять величину интенсивности излучения матрицы 2, что порождает многофункциональность ее применения. В целях уменьшения количества пассивных элементов в матрице 2 можно комбинировать соединениями контактных площадок и уменьшать их количество вплоть до нуля при соответствующих конструктивных возможностях. Тогда выражение 1 принимает видSo, of all the possible combinations of compounds of garland elements, we have considered only a few examples. The considered procedure allows avoiding unnecessary efforts in tracing deadlocks in series connection of
, ,
где k - общее количество контактных площадок, а K - по прежнему количество гирлянд в матрице 2. Соответственно изменяются выражения 2 и 3.where k is the total number of contact pads, and K is still the number of garlands in the
и and
. .
На выходе изготовления в технологическом процессе светоизлучающей матрицы 2 в ходе тестовой проверки раздельное соединение гирлянд в матрице 2 позволяет сразу обнаружить дефектные гирлянды и без дополнительных процедур классифицировать тестируемые матрицы, что немаловажно в технологическом процессе для выхода годных изделий. При достаточном количестве запланированных гирлянд в матрице 2 высока вероятность выхода годной хотя бы одной гирлянды.At the output of the production in the technological process of the light-emitting
ЛитератураLiterature
1. Компоненты и технологии, №7, 2005, «Почему светодиоды не всегда работают так, как хотят их производители».1. Components and technologies, No. 7, 2005, “Why LEDs do not always work the way their manufacturers want.”
2. Компоненты и технологии, №7, 2007, «Новый светодиодный источник света».2. Components and Technologies, No. 7, 2007, “New LED Light Source”.
3. Электронные компоненты, №8, 2009, «Светодиодные источники питания Mean Well».3. Electronic components, No. 8, 2009, “Mean Well LED Power Supplies”.
4. RU 2426200 C1, H01L 33/00 от 15.03.2010, «Способ формирования и проверки светодиодных матриц».4. RU 2426200 C1,
5. RU 2005103616 А, 10.10.2005, «Светоизлучающее устройство, содержащее светоизлучающие элементы» (прототип).5. RU 2005103616 A, 10.10.2005, “Light-emitting device containing light-emitting elements” (prototype).
Claims (6)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011146191/28A RU2474920C1 (en) | 2011-11-14 | 2011-11-14 | Method to generate light-emitting matrices |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011146191/28A RU2474920C1 (en) | 2011-11-14 | 2011-11-14 | Method to generate light-emitting matrices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2474920C1 true RU2474920C1 (en) | 2013-02-10 |
Family
ID=49120583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011146191/28A RU2474920C1 (en) | 2011-11-14 | 2011-11-14 | Method to generate light-emitting matrices |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2474920C1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2514055C1 (en) * | 2013-02-05 | 2014-04-27 | Вячеслав Николаевич Козубов | Method of arranging and connecting light-emitting elements in bunches, arranged in monolithic light-emitting arrays |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1980000897A1 (en) * | 1978-10-24 | 1980-05-01 | Sanyo Electric Co | Method of manufacturing display devices utilizing light-emitting diodes |
EP0184877A1 (en) * | 1984-12-07 | 1986-06-18 | Philips Composants | Matrix of electroluminescent elements and production method thereof |
WO1996018110A1 (en) * | 1994-12-09 | 1996-06-13 | Exxon Chemical Patents Inc. | Plant parameter detection by monitoring of power spectral densities |
JP2002057371A (en) * | 2000-08-15 | 2002-02-22 | Hukuyo Denkyu Kk | Chain led light source structure |
WO2003047314A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-06-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Circuit for an led array |
RU2281583C1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-08-10 | Александр Андреевич Петров | Light-emitting device |
RU2295174C2 (en) * | 2002-08-29 | 2007-03-10 | Широ САКАИ | Light-emitting device incorporating light-emitting components (alternatives) |
US20090085045A1 (en) * | 2006-07-12 | 2009-04-02 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for producing a matrix of individual electronic components and matrix produced thereby |
WO2011071559A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display |
RU2426200C1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-08-10 | Вячеслав Николаевич Козубов | Method of chaining and checking led matrices |
-
2011
- 2011-11-14 RU RU2011146191/28A patent/RU2474920C1/en active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1980000897A1 (en) * | 1978-10-24 | 1980-05-01 | Sanyo Electric Co | Method of manufacturing display devices utilizing light-emitting diodes |
EP0184877A1 (en) * | 1984-12-07 | 1986-06-18 | Philips Composants | Matrix of electroluminescent elements and production method thereof |
WO1996018110A1 (en) * | 1994-12-09 | 1996-06-13 | Exxon Chemical Patents Inc. | Plant parameter detection by monitoring of power spectral densities |
JP2002057371A (en) * | 2000-08-15 | 2002-02-22 | Hukuyo Denkyu Kk | Chain led light source structure |
WO2003047314A1 (en) * | 2001-11-26 | 2003-06-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Circuit for an led array |
RU2295174C2 (en) * | 2002-08-29 | 2007-03-10 | Широ САКАИ | Light-emitting device incorporating light-emitting components (alternatives) |
RU2281583C1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-08-10 | Александр Андреевич Петров | Light-emitting device |
US20090085045A1 (en) * | 2006-07-12 | 2009-04-02 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for producing a matrix of individual electronic components and matrix produced thereby |
WO2011071559A1 (en) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Nano And Advanced Materials Institute Limited | Method for manufacturing a monolithic led micro-display on an active matrix panel using flip-chip technology and display apparatus having the monolithic led micro-display |
RU2426200C1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-08-10 | Вячеслав Николаевич Козубов | Method of chaining and checking led matrices |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2514055C1 (en) * | 2013-02-05 | 2014-04-27 | Вячеслав Николаевич Козубов | Method of arranging and connecting light-emitting elements in bunches, arranged in monolithic light-emitting arrays |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7804098B2 (en) | Light emitting element with a plurality of cells bonded, method of manufacturing the same, and light emitting device using the same | |
TWI533749B (en) | Light emitting device having a plurality of light emitting cells | |
US8188489B2 (en) | Light emitting diode for AC operation | |
JP5193048B2 (en) | Light emitting device having vertically stacked light emitting diodes | |
US20100258836A1 (en) | Light-emitting device | |
US9466642B2 (en) | Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same | |
KR100765385B1 (en) | Light emitting device having arrayed cells | |
KR20070023950A (en) | Luminous element with a plurality of cells bonded | |
RU2474920C1 (en) | Method to generate light-emitting matrices | |
KR20060020089A (en) | Luminous element having arrayed cells | |
RU2426200C1 (en) | Method of chaining and checking led matrices | |
KR20060104162A (en) | Luminescence device and method of manufacturing the same | |
RU2514055C1 (en) | Method of arranging and connecting light-emitting elements in bunches, arranged in monolithic light-emitting arrays | |
KR101138975B1 (en) | Ac light emitting diode having full-wave lihgt emitting cell and half-wave light emitting cell | |
KR101158073B1 (en) | Light emitting device having arrayed cells | |
RU2465683C1 (en) | Method of forming light-emitting arrays | |
KR101443272B1 (en) | LED strip board and Method for manufacturing the same | |
KR101001242B1 (en) | Light emitting diode for ac operation | |
KR101601625B1 (en) | Light emitting diode array and method of manufacturing the same | |
KR101239859B1 (en) | Luminescence device and Method of manufacturing the same | |
KR20110110753A (en) | Luminous element with a plurality of cells bonded | |
KR101087650B1 (en) | Arrangement structure of light emitting cell for arrays forwardly interconnected | |
KR101926360B1 (en) | Semiconductor light emitting device having a multi-cell array | |
CN104377288A (en) | Method for manufacturing light-emitting diode emitting light through electrode | |
KR20110110751A (en) | Light emitting diode and method of fabricating the same |