RU2461913C1 - Способ выключения незапираемого тиристора - Google Patents
Способ выключения незапираемого тиристора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2461913C1 RU2461913C1 RU2011117396/28A RU2011117396A RU2461913C1 RU 2461913 C1 RU2461913 C1 RU 2461913C1 RU 2011117396/28 A RU2011117396/28 A RU 2011117396/28A RU 2011117396 A RU2011117396 A RU 2011117396A RU 2461913 C1 RU2461913 C1 RU 2461913C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thyristor
- current
- switching
- layer switch
- transition
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области электроники. Сущность изобретения: в способе выключения незапираемого тиристора, тиристор выключается путем подключения дополнительного источника питания, обеспечивающего протекание выходного прямого тока, при этом выключение происходит не за счет изменения тока проводимости, а за счет направленного противоположно току проводимости тока смещения, возникающего при прямом смещении убывающим по амплитуде напряжением коллекторного перехода тиристора. Технический результат - снижение потерь энергии при выключении тиристора и уменьшение времени его выключения. 5 ил.
Description
Предлагаемое изобретение относится к области электроники и может быть использовано, в частности, в сильноточной инверторной технике, силовом оборудовании, мощных аналоговых ключах.
Известны способы выключения незапираемого тиристора, такие как отключение анодного тока либо шунтирование тиристора (Справочник по проектированию автоматизированного электропривода и систем управления технологическими процессами / Под ред. В.И.Круповича, Ю.Г.Барыбина, М.Л.Самовера. 3-е изд., перераб. и доп. М.: Энергоиздат, 1982. 416 с., ил., - с.), а также коммутация анодного тока путем изменения полярности питающего напряжения (Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики, применение. М.: Издательский дом «Додэка-XXI», 2001. 384 с., - с.290).
Способы имеют существенные недостатки, связанные с большими энергетическими потерями и большим временем выключения тиристора.
Известен также наиболее близкий к предлагаемому изобретению способ выключения незапираемого тиристора коммутацией анодного тока при одновременном воздействии отрицательного управляющего напряжения (Герлах В. Тиристоры: Пер. с нем. М.: Энергоатомиздат, 1985. 328 с., ил., - с.240).
Данный способ также имеет существенные недостатки, связанные с большими энергетическими потерями и большим временем выключения тиристора.
Технической задачей предлагаемого изобретения является существенное снижение энергетических потерь и времени выключения тиристора.
Технический результат в предлагаемом изобретении достигается в способе выключения тиристора, заключающемся в том, что тиристор выключается путем подключения дополнительного источника питания за счет тока смещения, противоположного по направлению току проводимости при прямом смещении убывающим по амплитуде напряжением коллекторного перехода.
Сущность предлагаемого изобретения заключается в следующем.
В открытом состоянии при больших токах нагрузки характеристика тиристора обладает примерно теми же свойствами, что и p-i-n-диода с толщиной базы w, при этом J1 - эмиттерный переход ЭП1, J2 - коллекторный переход КП, J3 - эмиттерный переход ЭП2, ne, pe - первый и второй эмиттеры, nb, pb - первая и вторая базы (фиг.1). Схема замещения в данном случае может быть представлена как совокупность двух биполярных транзисторов: одного - типа p-n-p, другого - типа n-p-n, и емкости C2 перехода J2 (фиг.2). При этом емкость C2 в общем случае состоит из двух компонент (фиг.3) - барьерной емкости Cб, проявляющей свои основные свойства при обратном смещении перехода J2, и диффузионной емкости Сдиф, связанной с процессами накопления и рассасывания неравновесного заряда в области перехода J2 и характеризующей инерционность движения неравновесных зарядов:
C2=Cб+Сдиф
Свойства диффузионной емкости проявляются при прямом смещении перехода J2, при котором ее значение может достигать тысяч пикофарад ввиду зависимости от прямого тока. Емкость C2 всегда шунтирована сопротивлением коллекторного перехода R и содержит контактные сопротивления, учтенные в Rдоб.
В общем случае при прямом смещении в области пространственного заряда перехода J2 протекают не только конвекционные токи α1IA и α2IK (где IA - ток анода, IK - ток катода), образованные встречным движением дырок и электронов, но и ток смещения, вызванный влиянием емкости C2 (фиг.4):
где IV(t) - ток смещения;
UA - анодное напряжение тиристора.
Ток смещения учитывает перезаряд емкости C2 запирающего слоя перехода J2, при этом емкостной ток через запирающие емкости переходов J1 и J3 достаточно мал, и им можно пренебречь. Следовательно, ток смещения при протекании через переходы J1 и J3 является током инжекции. Отсюда следует, что выражение для анодного тока тиристора (при условии пренебрежения явлением умножения носителей заряда в запирающем слое перехода J2) имеет вид:
где ICO[U2(t)] - зависимость полного тока обратносмещенного коллекторного перехода от прямого падения напряжения на переходе J2;
IV(t) - ток смещения;
IG(t) - ток управляющего электрода;
α1, α2 - малосигнальные коэффициенты передачи тока в схеме с общей базой.
Из анализа выражения (2) с учетом (1) следует, что при нарастающем анодном напряжении влияние тока смещения IV(t) может быть таким сильным, что тиристор может открыться даже при нулевом токе управления, а при убывающем анодном напряжении возможно надежное выключение тиристора током IV(t) смещения. Для этого в общем случае необходимо выполнение условия:
где Iуд - ток удержания.
При этом величина потерь при выключении уменьшается за счет того, что прямое сопротивление тиристора в открытом состоянии меньше, чем его обратное сопротивление.
Одна из схем реализации предлагаемого способа приведена на фиг.5 и состоит из незапираемого тиристора 1, в катодную цепь которого включена нагрузка 2, при этом параллельно тиристору 1 подключена последовательная цепочка, содержащая конденсатор 3, полупроводниковый диод 4 и нормально открытый ключ 5, после замыкания которого заряженный от внешнего источника постоянного напряжения конденсатор 3 подключается параллельно тиристору 1, при этом положительно заряженная обкладка подключается к аноду тиристора, а отрицательно заряженная - к катоду, чем достигается прямое смещение перехода J2 тиристора 1, при этом цепь, содержащая конденсатор 3 и резистор 6, служит для заряда конденсатора 3.
В результате на переходе J3 тиристора 1 появляется убывающее анодное напряжение, вызывающее появление направленного противоположно току проводимости тока смещения за счет влияния диффузионной компоненты Cдиф емкости C2 перехода J2. При этом происходит выключение тиристора, если выполняется условие (3), а диод 4 служит для исключения участия емкости 3 в переходном процессе, возникающем при подаче питающего напряжения на схему.
Время выключения тиристора определяется временем рассасывания накопленного заряда в переходе J2. Коммутация анодного тока при одновременном воздействии отрицательного управляющего напряжения обеспечивает наименьшее время выключения среди известных способов. Это достигается принудительным выводом дырок из перехода J2. В предлагаемом способе принудительно выводятся не только дырки, но и электроны, то есть время выключения определяется временем перезаряда емкости C2 и сравнимо с временем включения тиристора, что меньше времени выключения тиристора при использовании любого из известных способов.
При экспериментальной проверке способа, реализация которого приведена на фиг.5, были использованы: тиристор 1 типа ТЧ40, нагрузка 2 в виде лампы накаливания Б220-230 500 Вт; конденсатор 3 типа МБМ 0,25 мкФ; диод 5 типа КД202Ж; резистор 6 типа МЛТ1 39 кОм. Напряжение питания Uпит=220 В.
Проведенные экспериментальные исследования полностью подтвердили работоспособность предлагаемого способа выключения незапираемого тиристора.
Claims (1)
- Способ выключения незапираемого тиристора, заключающийся в том, что тиристор выключается путем подключения дополнительного источника питания, отличающийся тем, что выключение тиристора осуществляется током смещения, противоположным по направлению току проводимости, при прямом смещении убывающим по амплитуде напряжением коллекторного перехода.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011117396/28A RU2461913C1 (ru) | 2011-04-29 | 2011-04-29 | Способ выключения незапираемого тиристора |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011117396/28A RU2461913C1 (ru) | 2011-04-29 | 2011-04-29 | Способ выключения незапираемого тиристора |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2461913C1 true RU2461913C1 (ru) | 2012-09-20 |
Family
ID=47077593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011117396/28A RU2461913C1 (ru) | 2011-04-29 | 2011-04-29 | Способ выключения незапираемого тиристора |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2461913C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU864486A1 (ru) * | 1979-01-04 | 1981-09-15 | Украинский Научно-Исследовательский Институт Станков И Инструментов "Укрниисип" | Способ выключени тиристоров усилител мощности |
SU1403274A1 (ru) * | 1986-03-26 | 1988-06-15 | Харьковский Институт Инженеров Железнодорожного Транспорта Им.С.М.Кирова | Способ выключени тиристора |
SU1744772A1 (ru) * | 1990-01-09 | 1992-06-30 | Научно-Исследовательский Институт По Передаче Электроэнергии Постоянным Током Высокого Напряжения | Способ выключени запираемого тиристора |
RU2152107C1 (ru) * | 1998-08-31 | 2000-06-27 | ОАО "Электровыпрямитель" | Способ снижения времени выключения тиристоров |
US6191640B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-02-20 | Asea Brown Boveri Ag | Method and device for driving a turn-off thyristor |
-
2011
- 2011-04-29 RU RU2011117396/28A patent/RU2461913C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU864486A1 (ru) * | 1979-01-04 | 1981-09-15 | Украинский Научно-Исследовательский Институт Станков И Инструментов "Укрниисип" | Способ выключени тиристоров усилител мощности |
SU1403274A1 (ru) * | 1986-03-26 | 1988-06-15 | Харьковский Институт Инженеров Железнодорожного Транспорта Им.С.М.Кирова | Способ выключени тиристора |
SU1744772A1 (ru) * | 1990-01-09 | 1992-06-30 | Научно-Исследовательский Институт По Передаче Электроэнергии Постоянным Током Высокого Напряжения | Способ выключени запираемого тиристора |
US6191640B1 (en) * | 1997-07-24 | 2001-02-20 | Asea Brown Boveri Ag | Method and device for driving a turn-off thyristor |
RU2152107C1 (ru) * | 1998-08-31 | 2000-06-27 | ОАО "Электровыпрямитель" | Способ снижения времени выключения тиристоров |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Герлах В. Тиристоры. Перевод с немецкого. - М.: Энергоиздат, 1985, с.240. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9660551B2 (en) | Operating point optimization with double-base-contact bidirectional bipolar junction transistor circuits, methods, and systems | |
US9742385B2 (en) | Bidirectional semiconductor switch with passive turnoff | |
JP5171776B2 (ja) | 半導体装置、及びそれを用いた電力変換装置 | |
DK2638623T3 (en) | PROCEDURE FOR CONTROLING TWO ELECTRIC IN SERIES CONNECTED CONVERSIBLE LEADING IGBTS BY A HALF BRIDGE | |
JP3447949B2 (ja) | 絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路、電力変換装置 | |
JP2008072848A (ja) | 半導体装置 | |
US9799731B2 (en) | Multi-level inverters using sequenced drive of double-base bidirectional bipolar transistors | |
JP2016162855A (ja) | 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置 | |
US10333427B2 (en) | Equivalent transistor and three-level inverter | |
US20160343838A1 (en) | Semiconductor Element Drive Apparatus and Power Conversion Apparatus Using Same | |
Ni et al. | Development of 6kV SiC hybrid power switch based on 1200V SiC JFET and MOSFET | |
GB2520617A (en) | RC-IGBT with freewheeling SiC diode | |
Anthony et al. | A first approach to a design method for resonant gate driver architectures | |
Bayerer | Parasitic inductance hindering utilization of power devices | |
Kim et al. | Active clamping circuit to suppress switching stress on a MOS-gate-structure-based power semiconductor for pulsed-power applications | |
RU2461913C1 (ru) | Способ выключения незапираемого тиристора | |
CN104067394A (zh) | 半导体装置以及使用了该半导体装置的电力变换装置 | |
Raghavendra et al. | Controlled bidirectional DC circuit breaker with zero negative current for high load shift applications | |
JPS60230716A (ja) | 電子スイツチ | |
JP6879572B2 (ja) | 切換え過渡時に更なるタイミング相を有するダブルベースバイポーラトランジスタの動作 | |
Rahimo et al. | An assessment of modern IGBT and anti-parallel diode behaviour in hard-switching applications | |
CN109149925B (zh) | 一种降压斩波电路 | |
CN109342911B (zh) | 一种基于积分器的igbt短路检测装置及方法 | |
WO2014086015A1 (zh) | 一种ti-igbt及其形成方法 | |
RU2538301C1 (ru) | Полумостовой гальванически изолированный импульсный усилитель мощности |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130430 |