RU2460183C1 - Microwave phase changer - Google Patents
Microwave phase changer Download PDFInfo
- Publication number
- RU2460183C1 RU2460183C1 RU2011106429/07A RU2011106429A RU2460183C1 RU 2460183 C1 RU2460183 C1 RU 2460183C1 RU 2011106429/07 A RU2011106429/07 A RU 2011106429/07A RU 2011106429 A RU2011106429 A RU 2011106429A RU 2460183 C1 RU2460183 C1 RU 2460183C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- schottky barrier
- field
- transmission line
- microwave
- capacitance
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к фазовращателям СВЧ на полупроводниковых приборах, и может быть использовано при создании миниатюрных радиоэлектронных устройств СВЧ различного назначения.The invention relates to electronic equipment, namely to microwave phase shifters on semiconductor devices, and can be used to create miniature microwave electronic devices for various purposes.
Известен фазовращатель СВЧ, содержащий две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, два полевых транзистора с барьером Шотки и отрезок линии передачи с длиной, равной половине длины волны в линии передачи. При этом исток первого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на входе, сток - с линией передачи на выходе и с одним из концов отрезка линии передачи, а на затворы подают постоянные управляющие напряжения.Known microwave phase shifter containing two transmission lines with the same wave impedances, one for input of the microwave signal, the other for output, two field-effect transistors with a Schottky barrier and a segment of the transmission line with a length equal to half the wavelength in the transmission line. In this case, the source of the first field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the transmission line at the input, the drain is connected to the transmission line at the output and to one of the ends of the transmission line segment, and constant control voltages are applied to the gates.
С целью упрощения конструкции и снижения массогабаритных характеристик другой конец отрезка линии передачи соединен с линией передачи на входе, сток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен с отрезком линии передачи на расстоянии, равном четверти длины волны в линии передачи от любого его конца, исток его заземлен, а затворы полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения [1].In order to simplify the design and reduce weight and size characteristics, the other end of the segment of the transmission line is connected to the transmission line at the input, the drain of the second field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the segment of the transmission line at a distance equal to a quarter of the wavelength in the transmission line from either end, its source is grounded , and the gates of field-effect transistors with a Schottky barrier are interconnected and connected to one source of constant control voltage [1].
Данный фазовращатель СВЧ позволяет использовать один источник постоянного управляющего напряжения и тем самым обеспечивает указанный выше технический результат.This microwave phase shifter allows you to use one source of constant control voltage and thereby provides the above technical result.
Более того, это одновременно позволяет исключить в процессе работы фазовращателя СВЧ разбаланс полевых транзисторов с барьером Шотки и тем самым несколько увеличить рабочую полосу частот и уменьшить величину коэффициента стоячей волны напряжения.Moreover, this simultaneously eliminates the imbalance of field-effect transistors with a Schottky barrier during the operation of the microwave phase shifter and thereby somewhat increase the working frequency band and reduce the value of the standing voltage wave coefficient.
Однако наличие в фазовращателе СВЧ отрезка линии передачи с длиной, равной четверти длины волны, который в процессе работы фазовращателя СВЧ становится резонансным и тем самым отрицательно сказывается на электрических характеристиках фазовращателя СВЧ, а именно:However, the presence in the microwave phase shifter of the transmission line segment with a length equal to a quarter of the wavelength, which during the operation of the microwave phase shifter becomes resonant and thereby adversely affects the electrical characteristics of the microwave phase shifter, namely:
во-первых, не позволяет существенно увеличить рабочую полосу частот,firstly, it does not significantly increase the working frequency band,
во-вторых, на частотах, близких к этой частоте, резко возрастает величина коэффициента стоячей волны напряжения.secondly, at frequencies close to this frequency, the magnitude of the coefficient of the standing voltage wave increases sharply.
Все это не позволяет использовать данный фазовращатель СВЧ в широкополосных устройствах СВЧ.All this does not allow the use of this microwave phase shifter in broadband microwave devices.
Известен фазовращатель СВЧ, содержащий две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, два полевых транзистора с барьером Шотки, индуктивности одинаковой величины и емкости либо разной, либо одинаковой величины. При этом одни из электродов истока и стока обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены с линиями передачи либо на входе, либо на выходе, а на затворы подают постоянные управляющие напряжения,A known microwave phase shifter containing two transmission lines with the same wave impedances, one for input of the microwave signal, the other for output, two field-effect transistors with a Schottky barrier, inductors of the same magnitude and capacitance of either different or the same magnitude. Moreover, one of the source and drain electrodes of both field-effect transistors with a Schottky barrier is connected to transmission lines either at the input or at the output, and constant control voltages are applied to the gates,
С целью снижения неравномерности изменения фазы в рабочей полосе частот, снижения величины модуля коэффициента отражения и величины прямых потерь СВЧ исток первого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на входе и с одним из концов первой индуктивности, а сток через первую емкость соединен с линией передачи на выходе и с одним из концов второй индуктивности, сток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен с другими концами обеих индуктивностей и с одним из концов второй емкости, а исток и другой конец второй емкости заземлены, а затворы полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и непосредственно соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения [2 - прототип].In order to reduce the unevenness of the phase change in the working frequency band, to reduce the magnitude of the reflection coefficient module and the magnitude of direct microwave losses, the source of the first field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the transmission line at the input and to one of the ends of the first inductance, and the drain through the first capacitance is connected to the line the output and one of the ends of the second inductance, the drain of the second field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the other ends of both inductances and to one of the ends of the second capacitance, and the source and the other the second capacitance is grounded, and the gates of field-effect transistors with a Schottky barrier are interconnected and directly connected to one source of constant control voltage [2 - prototype].
Преимущество данного фазовращателя СВЧ по сравнению с предыдущим, заключается в некотором улучшении указанных выше электрических характеристик.The advantage of this microwave phase shifter compared to the previous one is in some improvement of the above electrical characteristics.
Однако наличие в фазовращателе СВЧ соединений элементов, а именно двух индуктивностей и при этом двух емкостей, реализует в процессе работы фазовращателя СВЧ фильтры нижних и верхних частот в зависимости от постоянного управляющего напряжения, что не позволяет увеличить рабочую полосу частот.However, the presence in the phase shifter of the microwave connections of the elements, namely, two inductances and two capacitances at the same time, implements low and high frequency filters in the process of operation of the phase shifter depending on the constant control voltage, which does not allow to increase the working frequency band.
Более того, наличие в фазовращателе СВЧ последовательного непосредственного соединения полевого транзистора с барьером Шотки и емкости (исток первого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на входе, а сток через первую емкость - с линией передачи на выходе) приводит к увеличению прямых потерь СВЧ и коэффициента стоячей волны напряжения.Moreover, the presence in the phase shifter of a microwave serial direct connection of the field-effect transistor with the Schottky barrier and capacitance (the source of the first field-effect transistor with the Schottky barrier is connected to the transmission line at the input, and the drain through the first capacitance is connected to the transmission line at the output) leads to an increase in direct microwave losses and the coefficient of the standing voltage wave.
Техническим результатом изобретения является расширение рабочей полосы частот, снижение величины прямых потерь СВЧ и снижение величины коэффициента стоячей волны напряжения.The technical result of the invention is the expansion of the working frequency band, a decrease in the direct microwave losses and a decrease in the coefficient of the standing voltage wave.
Указанный технический результат достигается фазовращателем СВЧ, содержащим две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ сигнала, другая - для выхода, два полевых транзистора с барьером Шотки, две индуктивности и емкость, при этом исток первого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на входе, один из концов первой индуктивности соединен с одним из концов емкости, один из концов второй индуктивности соединен с линией передачи на выходе, другой ее конец - со стоком второго полевого транзистора с барьером Шотки, затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения.The specified technical result is achieved by a microwave phase shifter containing two transmission lines with the same wave impedances, one for inputting a microwave signal, the other for output, two field-effect transistors with a Schottky barrier, two inductors and a capacitance, while the source of the first field-effect transistor with a Schottky barrier is connected with a transmission line at the input, one of the ends of the first inductance is connected to one of the ends of the capacitance, one of the ends of the second inductance is connected to the transmission line at the output, its other end - to the WTO drain field transistor with a Schottky barrier, the gates of both field effect transistors with a Schottky barrier are interconnected and connected to one source of constant control voltage.
При этомWherein
- фазовращатель СВЧ содержит одну емкость, в него дополнительно введен резистор с сопротивлением, равным десятикратной величине волнового сопротивления линии передачи на входе или на выходе,- the microwave phase shifter contains one capacitance, an additional resistor with a resistance equal to ten times the wave resistance of the transmission line at the input or output is additionally introduced into it,
- при этом сток первого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на выходе, исток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен одновременно с одним из концов первой индуктивности и с одним из концов емкости, другой конец емкости соединен с линией передачи на входе, другой конец первой индуктивности заземлен,- in this case, the drain of the first field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the output transmission line, the source of the second field-effect transistor with a Schottky barrier is connected simultaneously to one of the ends of the first inductance and to one of the ends of the capacitance, the other end of the capacitance is connected to the transmission line at the input, the other the end of the first inductance is grounded,
- а затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения через упомянутый резистор.- and the gates of both field-effect transistors with a Schottky barrier are connected to one source of constant control voltage through the aforementioned resistor.
Раскрытие сущности изобретения.Disclosure of the invention.
Наличие в фазовращателе СВЧ только одной емкости и в совокупности с иным включением первого полевого транзистора с барьером Шотки, а именно - исток соединен с линией передачи на входе, а сток с линией передачи на выходе. Это обеспечивает снижение величины прямых потерь СВЧ и величины коэффициента стоячей волны напряжения.The presence in the microwave phase shifter of only one capacitance and in conjunction with another switching on of the first field-effect transistor with a Schottky barrier, namely, the source is connected to the transmission line at the input, and the drain is connected to the transmission line at the output. This provides a reduction in direct microwave losses and the value of the standing voltage wave coefficient.
А наличие в фазовращателе СВЧ только одной емкости и в совокупности с иным включением второго полевого транзистора с барьером Шотки, а именно - исток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен одновременно с одним из концов первой индуктивности и с одним из концов емкости, другой конец емкости соединен с линией передачи на входе, другой конец первой индуктивности заземлен. Это обеспечивает компенсацию емкостного сопротивления этого полевого транзистора с барьером Шотки индуктивным сопротивлением и, как следствие, расширение рабочей полосы частот, снижение величины прямых потерь СВЧ и дополнительно к вышесказанному снижение величины коэффициента стоячей волны напряжения.And the presence in the microwave phase shifter of only one capacitance and in conjunction with the other switching on of the second field-effect transistor with a Schottky barrier, namely, the source of the second field-effect transistor with a Schottky barrier, is connected simultaneously to one of the ends of the first inductance and to one of the ends of the capacitor, the other end of the capacitor is connected with a transmission line at the input, the other end of the first inductance is grounded. This provides compensation for the capacitive resistance of this field-effect transistor with a Schottky barrier by inductive resistance and, as a result, an extension of the working frequency band, a decrease in direct microwave losses and, in addition to the above, a decrease in the value of the standing voltage wave coefficient.
Введение в фазовращатель СВЧ дополнительно резистора с указанной величиной его сопротивления, а именно равной десятикратной величине волнового сопротивления линии передачи на входе или на выходе и в совокупности с тем, что затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения через этот резистор, обеспечивает снижение токов утечки через затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки и, как следствие, - уменьшение прямых потерь СВЧ и уменьшение коэффициента стоячей волны напряжения.The introduction of an additional resistor into the microwave phase shifter with a specified value of its resistance, namely, equal to ten times the wave resistance of the transmission line at the input or output, and in combination with the fact that the gates of both field-effect transistors with a Schottky barrier are connected to one source of constant control voltage through this resistor provides a decrease in leakage currents through the gates of both field-effect transistors with a Schottky barrier and, as a result, a decrease in direct microwave losses and a decrease in the standing coefficient Lns of tension.
Итак, предложенная совокупность существенных признаков заявленного фазовращателя СВЧ обеспечивает указанный технический результат, а именно, расширение рабочей полосы частот, снижение величины прямых потерь СВЧ и величины коэффициента стоячей волны напряжения.So, the proposed set of essential features of the claimed microwave phase shifter provides the specified technical result, namely, the extension of the working frequency band, the reduction of direct microwave losses and the value of the standing voltage wave coefficient.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 дана топология заявленного фазовращателя СВЧ, гдеFigure 1 gives the topology of the claimed microwave phase shifter, where
- две линии передачи, одна предназначена для входа - 1, другая для выхода - 2 сигнала СВЧ,- two transmission lines, one for input - 1, the other for output - 2 microwave signals,
- два полевых транзистора с барьером Шотки - 3 и 4 соответственно,- two field effect transistors with a Schottky barrier - 3 and 4, respectively,
- две индуктивности - 5 и 6 соответственно,- two inductances - 5 and 6, respectively,
- емкость - 7,- capacity - 7,
- резистор - 8,- resistor - 8,
- источник постоянного управляющего напряжения - 9.- source of constant control voltage - 9.
На фиг.2 дана электрическая схема фазовращателя СВЧ.Figure 2 shows the electrical circuit of the microwave phase shifter.
На фиг.3 дана зависимость величины изменения фазы сигнала от частоты сигнала СВЧ.Figure 3 shows the dependence of the magnitude of the phase change of the signal from the frequency of the microwave signal.
На фиг.4 дана зависимость величины прямых потерь СВЧ от частоты сигнала СВЧ.Figure 4 shows the dependence of the magnitude of direct microwave losses on the frequency of the microwave signal.
На фиг.5 дана зависимость величины коэффициента стоячей волны напряжения от частоты сигнала СВЧ.Figure 5 shows the dependence of the coefficient of the standing voltage wave on the frequency of the microwave signal.
При этом кривые 1 указанных зависимостей измерены при подаче на затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки постоянного управляющего напряжения, равного нулю, а кривые 2 - равному напряжению отсечки Uотс.In this case,
Пример конкретного выполнения.An example of a specific implementation.
Фазовращатель СВЧ выполнен в монолитно интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм с использованием классической тонкопленочной технологии.The microwave phase shifter is made in integral integral design on a semiconductor substrate of gallium arsenide with a thickness of 0.1 mm using the classic thin-film technology.
Две линии передачи, предназначенные для входа 1 и для выхода 2 сигнала СВЧ выполнены с одинаковыми волновыми сопротивлениями, равными 50 Ом, что соответствует ширине проводников 0,08 мм.Two transmission lines designed for
Полевые транзисторы с барьером Шотки 3 и 4 соответственно имеют напряжение отсечки Uотс, равное -2,5 В.FETs are Schottky barrier 3 and 4 respectively have a cut-off voltage U ots equal to -2.5 V.
Две индуктивности 5 и 6 выполнены в виде прямоугольных меандров из металлического проводника, выполненного напылением золота толщиной 4 мкм и шириной 20 мкм.Two inductors 5 and 6 are made in the form of rectangular meanders of a metal conductor, made by spraying gold with a thickness of 4 μm and a width of 20 μm.
Емкость 7 выполнена в виде плоскопараллельного конденсатора с диэлектрическим слоем из оксида кремния толщиной 5 мкм.
Резистор 8 выполнен из пленки хрома толщиной 4 мкм, длиной 0,5 мм и шириной 0,2 мм, что соответствует величине сопротивления резистора - 500 Ом и что равно десятикратной величине волнового сопротивления линии передачи на входе или на выходе.The resistor 8 is made of a chromium film 4 μm thick, 0.5 mm long and 0.2 mm wide, which corresponds to a resistor value of 500 Ohms and is equal to ten times the wave resistance of a transmission line at the input or output.
При этом исток первого полевого транзистора с барьером Шотки 3 соединен с линией передачи на входе 1, один из концов первой индуктивности 5 соединен с одним из концов емкости 7, один из концов второй индуктивности 6 соединен с линией передачи на выходе 2, другой ее конец - со стоком второго полевого транзистора с барьером Шотки 4.In this case, the source of the first field-effect transistor with a Schottky barrier 3 is connected to the transmission line at the
При этом сток первого полевого транзистора с барьером Шотки 3 соединен с линией передачи на выходе 2, исток второго полевого транзистора с барьером Шотки 4 соединен одновременно с одним из концов первой индуктивности 5 и с одним из концов емкости 7, другой конец емкости 7 соединен с линией передачи на входе 1, другой конец первой индуктивности 5 заземлен,In this case, the drain of the first field-effect transistor with a Schottky barrier 3 is connected to the transmission line at
При этом затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки 3 и 4 соединены между собой и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения 9 через резистор 8, а именно один из концов резистора соединен с затворами обоих полевых транзисторов с барьером Шотки, а другой его конец - с источником постоянного управляющего напряжения.In this case, the gates of both field-effect transistors with a Schottky barrier 3 and 4 are interconnected and connected to one source of constant control voltage 9 through a resistor 8, namely, one of the ends of the resistor is connected to the gates of both field-effect transistors with a Schottky barrier, and the other end with source of constant control voltage.
Фазовращатель СВЧ работает следующим образом.The microwave phase shifter operates as follows.
При подаче на затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки 3 и 4 постоянного управляющего напряжения величиной, равной 0 В, от одного источника постоянного управляющего напряжения 9 становятся открытыми оба полевых транзистора с барьером Шотки.When applying to the gates of both field-effect transistors with a Schottky barrier 3 and 4 a constant control voltage of 0 V, from one source of constant control voltage 9 both field-effect transistors with a Schottky barrier become open.
В результате этого оба полевых транзистора с барьером Шотки имеют малое активное сопротивление Zоткр, которое открывает первый канал фазовращателя СВЧ. Второй канал представляет собой LC - цепочку, имеющую большое сопротивление, включенное последовательно малому сопротивлению в первом канале фазовращателя СВЧ, а потому влияние этой цепочки незначительно.As a result of this, both field-effect transistors with a Schottky barrier have a small active resistance Z open , which opens the first channel of the microwave phase shifter. The second channel is an LC - chain having a large resistance, connected in series with a small resistance in the first channel of the microwave phase shifter, and therefore the influence of this chain is negligible.
Такое соединение реализует в фазовращателе СВЧ величину фазы сигнала СВЧ Ф1, близкую к 0, малые прямые потери СВЧ и малую величину коэффициента стоячей волны напряжения.Such a connection implements in the microwave phase shifter the phase value of the microwave signal F1, close to 0, small direct microwave losses and a small value of the coefficient of the standing voltage wave.
При подаче на затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки 3 и 4 отрицательного управляющего напряжения, превышающего по абсолютной величине напряжение отсечки полевого транзистора с барьером Шотки Uотс, оба полевых транзистора с барьером Шотки будут закрыты.When both field effect transistors with a Schottky barrier 3 and 4 supply negative gates to the gates, which exceeds the absolute value of the cut-off voltage of the field effect transistor with a Schottky barrier U o , both field effect transistors with a Schottky barrier will be closed.
При этом оба полевых транзистора с барьером Шотки имеют большое реактивное сопротивление Zзакр, которое имеет емкостной характер. Большое емкостное сопротивление разрывает первый канал фазовращателя СВЧ. Во втором канале большое емкостное сопротивление включено последовательно реактивному сопротивлению второй индуктивности 6, которое компенсирует последнее в широкой рабочей полосе частот. При этом второй канал представляет собой звено фильтра высоких частот с малыми потерями СВЧ в рабочей полосе частот и малой величиной коэффициента стоячей волны напряжения.In this case, both field-effect transistors with a Schottky barrier have a large reactance Z zak , which has a capacitive character. Large capacitance breaks the first channel of the microwave phase shifter. In the second channel, a large capacitance is connected in series with the reactance of the second inductance 6, which compensates for the latter in a wide working frequency band. In this case, the second channel is a high-pass filter unit with low microwave losses in the working frequency band and a small value of the coefficient of the standing voltage wave.
Такое соединение реализует в фазовращателе СВЧ величину фазы сигнала СВЧ Ф2 с малыми потерями СВЧ и малой величиной коэффициента стоячей волны напряжения.Such a connection implements in the microwave phase shifter the phase value of the microwave signal Ф2 with low microwave losses and a small value of the standing voltage wave coefficient.
Таким образом, в заявленном фазовращателе СВЧ в широкой рабочей полосе частот реализуется заданная величина изменения фазы сигнала СВЧ, равная разности Ф2 и Ф1, малые прямые потери СВЧ и малые величины коэффициента стоячей волны напряжения при подаче на затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки отрицательного и нулевого постоянного управляющего напряжения от одного источника постоянного управляющего напряжения.Thus, in the claimed microwave phase shifter in a wide operating frequency band, a predetermined magnitude of the phase change of the microwave signal is realized, equal to the difference Ф2 and Ф1, small direct microwave losses and small values of the standing wave coefficient of voltage when both field effect transistors with a Schottky barrier are negative and zero DC control voltage from a single source of DC control voltage.
На экспериментальных образцах фазовращателя СВЧ были измерены величины изменения фазы сигнала, величины прямых потерь СВЧ и величины коэффициента стоячей волны напряжения от частоты сигнала СВЧ.The experimental samples of the microwave phase shifter were used to measure the magnitude of the phase change of the signal, the magnitude of direct microwave losses and the coefficient of the standing voltage wave from the frequency of the microwave signal.
Результаты измерений изображены на фиг.3, 4, 5.The measurement results are shown in figure 3, 4, 5.
Из фиг.3 видно, что фаза сигнала в фазовращателе СВЧ в рабочей полосе частот от 7 ГГц до 15 ГГц слабо изменяется с частотой и равна 50 градусов при постоянном управляющем напряжении, равном -2,5 В и 5 градусов при постоянном управляющем напряжении, равном 0 В, так что величина изменения фазы сигнала СВЧ составляет 45 градусов. При этом ширина рабочей полосы частот составляет 8 ГГц, а относительная ширина равна 75 процентов, что примерно в два раза больше, чем у прототипа.Figure 3 shows that the phase of the signal in the microwave phase shifter in the operating frequency band from 7 GHz to 15 GHz changes slightly with a frequency of 50 degrees with a constant control voltage of -2.5 V and 5 degrees with a constant control voltage of 0 V, so that the magnitude of the phase change of the microwave signal is 45 degrees. The width of the working frequency band is 8 GHz, and the relative width is 75 percent, which is approximately two times larger than that of the prototype.
Из фиг.4 видно, что прямые потери СВЧ в фазовращателе СВЧ в сопоставимой рабочей полосе частот не превышают -1 дБ при постоянном управляющем напряжении, равном 0 и -2,5 В, что на 0,3 дБ ниже, чем у прототипа.Figure 4 shows that the direct microwave losses in the microwave phase shifter in a comparable operating frequency band do not exceed -1 dB at a constant control voltage of 0 and -2.5 V, which is 0.3 dB lower than that of the prototype.
Из фиг 5 видно, что безразмерные величины коэффициента стоячей волны напряжения на входе и выходе фазовращателя СВЧ в сопоставимой рабочей полосе частот не превышают 1,3 при постоянном управляющем напряжении, равном 0 и -2,5 В, что на 0,2 меньше, чем у прототипа.From Fig. 5 it is seen that the dimensionless values of the coefficient of the standing wave of the voltage at the input and output of the microwave phase shifter in a comparable operating frequency band do not exceed 1.3 with a constant control voltage of 0 and -2.5 V, which is 0.2 less than at the prototype.
Таким образом, заявленный фазовращатель СВЧ обеспечит по сравнению с прототипом:Thus, the claimed microwave phase shifter will provide, in comparison with the prototype:
- расширение относительной ширины рабочей полосы частот примерно в 2 раза,- expansion of the relative width of the working frequency band by about 2 times,
- снижение величины прямых потерь на 0,3 дБ,- reduction in direct losses by 0.3 dB,
- снижение величины коэффициента стоячей волны напряжения на 0,2.- a decrease in the coefficient of the standing voltage wave by 0.2.
Указанные преимущества фазовращателя СВЧ особенно актуальны при создании миниатюрных радиоэлектронных устройств СВЧ различного назначения.These advantages of the microwave phase shifter are especially relevant when creating miniature microwave electronic devices for various purposes.
Источники информацииInformation sources
1. Патент РФ №2316086 МПК H01P 1/185, приоритет от 06.06.2006 г., опубл. 27.01.2008., Бюлл. №3.1. RF patent No. 2316086
2. Патент РФ №2321106 МПК H01P 1/185, приоритет от 21.08.2006 г., опубл. 27.03.2008., Бюлл. №9 - прототип.2. RF patent №2321106
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011106429/07A RU2460183C1 (en) | 2011-02-21 | 2011-02-21 | Microwave phase changer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011106429/07A RU2460183C1 (en) | 2011-02-21 | 2011-02-21 | Microwave phase changer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2460183C1 true RU2460183C1 (en) | 2012-08-27 |
Family
ID=46937959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011106429/07A RU2460183C1 (en) | 2011-02-21 | 2011-02-21 | Microwave phase changer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2460183C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2504871C1 (en) * | 2012-12-05 | 2014-01-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Protective microwave device |
| RU2565369C2 (en) * | 2013-08-13 | 2015-10-20 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина"(АО "НПП"Исток" им. Шокина") | Tuneable band-pass microwave filter |
| RU2715910C1 (en) * | 2019-05-07 | 2020-03-04 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Phase shifter |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2202457A1 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-11 | Telecommunications Research Laboratories | Microwave phase shifter including a reflective phase shift stage and a frequency multiplication stage |
| JP2002368566A (en) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | Phase shift circuit and phase shifter |
| RU2316086C1 (en) * | 2006-06-06 | 2008-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave phase shifter |
| RU2321106C1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave phase shifter |
| RU2367066C1 (en) * | 2008-08-18 | 2009-09-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave phase changer |
-
2011
- 2011-02-21 RU RU2011106429/07A patent/RU2460183C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2202457A1 (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-11 | Telecommunications Research Laboratories | Microwave phase shifter including a reflective phase shift stage and a frequency multiplication stage |
| JP2002368566A (en) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | Phase shift circuit and phase shifter |
| RU2316086C1 (en) * | 2006-06-06 | 2008-01-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave phase shifter |
| RU2321106C1 (en) * | 2006-08-21 | 2008-03-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave phase shifter |
| RU2367066C1 (en) * | 2008-08-18 | 2009-09-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave phase changer |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2504871C1 (en) * | 2012-12-05 | 2014-01-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Protective microwave device |
| RU2565369C2 (en) * | 2013-08-13 | 2015-10-20 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина"(АО "НПП"Исток" им. Шокина") | Tuneable band-pass microwave filter |
| RU2715910C1 (en) * | 2019-05-07 | 2020-03-04 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Phase shifter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8928428B2 (en) | On-die radio frequency directional coupler | |
| JP2021527358A (en) | Circuits and methods for circulators with multiple offset paths | |
| KR101138682B1 (en) | Semiconductor apparatus | |
| RU2460183C1 (en) | Microwave phase changer | |
| US4556808A (en) | Microwave monolithic spot FET switch configuration | |
| RU2367066C1 (en) | Microwave phase changer | |
| US10587028B1 (en) | Radio frequency couplers with high directivity | |
| RU2461920C1 (en) | Broadband microwave attenuator with continuous control | |
| CN108631766B (en) | Reflective phase shifter with active device tuning | |
| Ciocoveanu et al. | A low insertion-loss 10–110 GHz digitally tunable SPST switch in 22 nm FD-SOI CMOS | |
| RU2321106C1 (en) | Microwave phase shifter | |
| US10200026B1 (en) | High power handling switch using reduced operating impedance | |
| Schmid et al. | A compact, transformer-based 60 GHz SPDT RF switch utilizing diode-connected SiGe HBTs | |
| RU2372695C1 (en) | Bandpass all-pass retunable shf filter | |
| RU2401489C1 (en) | Shf phase changer | |
| RU2459320C1 (en) | Bandpass tunable microwave filter | |
| RU2469443C1 (en) | Discrete broadband microwave attenuator | |
| RU2407115C1 (en) | Microwave attenuator with discrete variation of attenuation | |
| RU2352031C1 (en) | Shf phase shifter | |
| RU2452062C1 (en) | Two-channel shf switch | |
| JP2011223390A (en) | Attenuator | |
| RU2513709C1 (en) | Broadband shf attenuator | |
| RU2565369C2 (en) | Tuneable band-pass microwave filter | |
| Lourandakis et al. | A tunable and reduced size power divider using ferroelectric thin-film varactors | |
| Figur et al. | RF MEMS variable matching networks for multi-band and multi-mode GaN power amplifiers |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |