RU2452062C1 - Two-channel shf switch - Google Patents
Two-channel shf switch Download PDFInfo
- Publication number
- RU2452062C1 RU2452062C1 RU2011111258/07A RU2011111258A RU2452062C1 RU 2452062 C1 RU2452062 C1 RU 2452062C1 RU 2011111258/07 A RU2011111258/07 A RU 2011111258/07A RU 2011111258 A RU2011111258 A RU 2011111258A RU 2452062 C1 RU2452062 C1 RU 2452062C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transmission line
- output
- field
- schottky barrier
- effect transistor
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Waveguide Switches, Polarizers, And Phase Shifters (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к технике СВЧ, а именно к двухканальным переключателям СВЧ на полевых транзисторах с барьером Шотки.The invention relates to microwave technology, namely, dual-channel microwave switches on field effect transistors with a Schottky barrier.
Создание радиолокационных станций с активными фазированными антенными решетками предъявляет особые требования к двухканальным переключателям СВЧ на полевых транзисторах с барьером Шотки, предназначенным для переключения сигнала СВЧ с одного входа на два выхода (канала).The creation of radar stations with active phased antenna arrays makes special demands on two-channel microwave switches on field-effect transistors with a Schottky barrier, designed to switch a microwave signal from one input to two outputs (channels).
Двухканальные переключатели СВЧ (далее переключатель СВЧ) должны иметь малые прямые потери в открытых каналах и высокое ослабление сигнала СВЧ в закрытых каналах при малой величине коэффициента стоячей волны напряжения (КСВН) на его входе и двух выходах.Two-channel microwave switches (hereinafter referred to as the microwave switch) must have low direct losses in open channels and a high attenuation of the microwave signal in closed channels with a small value of the standing voltage wave coefficient (VSWR) at its input and two outputs.
Известен двухканальный переключатель СВЧ, содержащий три линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа сигнала СВЧ, две другие - для выхода, каждая из двух линий передачи на выходе снабжена, по меньшей мере, одним электронным ключом, в качестве которых использованы полевые транзисторы с барьером Шотки, при этом сток каждого первого и второго полевых транзисторов с барьером Шотки соединен с соответствующей линией передачи на выходе, исток первого соединен с линией передачи на входе, а на затворы подают постоянное управляющее напряжение.Known two-channel microwave switch containing three transmission lines with the same wave impedances, one transmission line is used to input the microwave signal, the other two are for output, each of the two transmission lines at the output is equipped with at least one electronic key, which are used field-effect transistors with a Schottky barrier, while the drain of each first and second field-effect transistors with a Schottky barrier is connected to the corresponding transmission line at the output, the source of the first is connected to the transmission line at the input, and and gates supplied constant control voltage.
В котором с целью увеличения величины ослабления сигнала СВЧ, снижения величины модуля коэффициента отражения, снижения массогабаритных характеристик, второй полевой транзистор с барьером Шотки расположен от линии передачи на входе на расстоянии, равном четверти длины волны в линии передачи, исток его заземлен, а затворы полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения [1].In which, in order to increase the attenuation of the microwave signal, reduce the magnitude of the reflection coefficient, reduce the overall dimensions, the second field-effect transistor with a Schottky barrier is located from the transmission line at the input at a distance equal to a quarter of the wavelength in the transmission line, its source is grounded, and the field gates Schottky barrier transistors are interconnected and connected to one source of constant control voltage [1].
Однако,However,
во-первых, отсутствие в данном переключателе СВЧ элементов согласования полевых транзисторов с барьером Шотки и линией передачи на входе не обеспечивает получение должной высокой величины ослабления сигнала СВЧ и малой величины коэффициента стоячей волны напряжения,firstly, the absence in this switch of the microwave elements of matching field-effect transistors with the Schottky barrier and the transmission line at the input does not provide the proper high attenuation of the microwave signal and a small value of the coefficient of the standing voltage wave,
во-вторых, поскольку в данном переключателе СВЧ, в одном из его каналов, полевой транзистор с барьером Шотки включен непосредственно в этот канал, данный переключатель СВЧ имеет большую величину прямых потерь сигнала СВЧ.secondly, since in this microwave switch, in one of its channels, a field-effect transistor with a Schottky barrier is connected directly to this channel, this microwave switch has a large amount of direct microwave signal loss.
Известен переключатель СВЧ, содержщий соединение трех линий передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа сигнала СВЧ, две другие - для выхода, каждая из двух линий передачи на выходе снабжена, по меньшей мере, одним электронным ключом, в качестве которых использованы полевые транзисторы с барьером Шотки, при этом истоки полевых транзисторов с барьером Шотки заземлены, а на затворы подают постоянное управляющее напряжение.A microwave switch is known, comprising a connection of three transmission lines with the same wave impedances, one transmission line is for inputting a microwave signal, the other two are for output, each of the two transmission lines at the output is equipped with at least one electronic key, which are used field-effect transistors with a Schottky barrier, while the sources of field-effect transistors with a Schottky barrier are grounded, and a constant control voltage is applied to the gates.
В котором с целью уменьшения величины прямых потерь сигнала СВЧ в одну из линий передачи на выходе введен, по меньшей мере, один отрезок линии передачи с длиной, равной четверти длины волны в отрезке линии передачи, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи, при этом один конец отрезка линии передачи соединен с этой линией передачи на выходе, а другой конец - со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, сток другого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с другой линией передачи на выходе, а их затворы соединены между собой и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения, при этом расстояния от точки соединения трех линий передачи до точки соединения отрезка линии передачи с этой линией передачи на выходе и до стока другого полевого транзистора с барьером Шотки равны четверти длины волны в линиях передачи [2 - прототип].In which, in order to reduce the direct losses of the microwave signal, one of the transmission lines at the output introduces at least one segment of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the segment of the transmission line, and wave impedance equal to the wave impedance of the transmission line, one end of the transmission line segment is connected to this output transmission line, and the other end to the drain of the corresponding field-effect transistor with a Schottky barrier, the drain of the other field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the other transmission line at the output, and their gates are interconnected and connected to one source of constant control voltage, while the distances from the connection point of three transmission lines to the connection point of a segment of the transmission line with this transmission line at the output and to the drain of another field-effect transistor with a Schottky barrier are equal to a quarter wavelengths in transmission lines [2 - prototype].
Включение в одном из каналов переключателя СВЧ полевого транзистора с барьером Шотки через отрезок линии с длиной, равной четверти длины волны в отрезке линии передачи и с волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи исключает непосредственное его включение в этом канале и тем самым обеспечивает снижение величины прямых потерь сигнала СВЧ.The inclusion in one of the channels of the switch of a microwave field-effect transistor with a Schottky barrier through a line segment with a length equal to a quarter of the wavelength in the segment of the transmission line and with a wave impedance equal to the wave impedance of the transmission line eliminates its direct inclusion in this channel and thereby reduces direct microwave signal loss.
Однако,However,
во-первых, вследствие наличия в каждом канале переключателя СВЧ отрезка линии передачи с длиной, равной четверти длины волны, включенного между входом переключателя СВЧ и выходом его канала, практически невозможно существенно уменьшить величины прямых потерь сигнала СВЧ в его открытых каналах, иfirstly, due to the presence in each channel of the microwave switch a segment of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength included between the input of the microwave switch and the output of its channel, it is practically impossible to significantly reduce the direct losses of the microwave signal in its open channels, and
во-вторых, вследствие отсутствия в данном переключателе СВЧ элементов согласования полевых транзисторов с барьером Шотки и линий передачи на его входе и выходах увеличить ослабление сигнала СВЧ в его закрытых каналах.secondly, due to the absence in this switch of the microwave elements of matching field-effect transistors with the Schottky barrier and transmission lines at its input and outputs, to increase the attenuation of the microwave signal in its closed channels.
Техническим результатом изобретения является уменьшение величины прямых потерь сигнала СВЧ в открытых каналах и увеличение ослабления сигнала СВЧ в закрытых каналах, уменьшение коэффициента стоячей волны напряжения на входе и двух выходах переключателя СВЧ, преимущественно в двухсантиметровом диапазоне длин волн.The technical result of the invention is to reduce the direct loss of the microwave signal in open channels and to increase the attenuation of the microwave signal in closed channels, to reduce the standing wave voltage coefficient at the input and two outputs of the microwave switch, mainly in the two-centimeter wavelength range.
Технический результат достигается известным двухканальным переключателем СВЧ, содержащим соединение трех линий передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна линия передачи предназначена для входа СВЧ-сигнала, две другие - для выхода, каждая из двух линий передачи на выходе снабжена, по меньшей мере, одним электронным ключом - полевым транзистором с барьером Шотки, по меньшей мере, один отрезок линии передачи с волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи, при этом сток первого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на первом выходе через упомянутый отрезок линии передачи, сток второго полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на втором выходе, затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки заземлены и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения.The technical result is achieved by the well-known two-channel microwave switch, comprising a connection of three transmission lines with the same wave impedances, one transmission line is intended for the input of the microwave signal, the other two are for output, each of the two transmission lines at the output is equipped with at least one electronic key - field transistor with a Schottky barrier, at least one segment of the transmission line with a wave impedance equal to the wave resistance of the transmission line, while the drain of the first field-effect transistor with b Riera Schottky coupled to the transmission line at the first output segment through said transmission line, a drain of the second field effect transistor with a Schottky barrier is connected to the transmission line at the second output, the gates of both FETs Schottky grounded and connected to a DC control voltage source.
В который дополнительно введены две одинаковые индуктивности, две одинаковые емкости и, по меньшей мере, два одинаковых резистора, при этом отрезок линии передачи выполнен с длиной, равной одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи, при этом один конец первой и второй индуктивности соединены с линией передачи на входе, другие их концы соединены с линией передачи на первом и втором выходе соответственно, один конец первой емкости соединен с линией передачи на первом выходе, один конец второй емкости соединен с линией передачи на входе, другие их концы заземлены, а затворы каждого полевого транзистора с барьером Шотки соединены с источником постоянного управляющего напряжения отдельно через соответствующий резистор.In which two additional identical inductances, two identical capacitances and at least two identical resistors are additionally introduced, wherein the transmission line segment is made with a length equal to one eighth of the wavelength in the transmission line segment, with one end of the first and second inductance connected to a transmission line at the input, their other ends are connected to the transmission line at the first and second output, respectively, one end of the first capacitance is connected to the transmission line at the first output, one end of the second capacitance is connected to the input line de, their other ends are grounded, and the gates of each field-effect transistor with a Schottky barrier are connected to a source of constant control voltage separately through a corresponding resistor.
Сущность изобретения.SUMMARY OF THE INVENTION
Совокупность существенных отличительных признаков заявленного двухканального переключателя СВЧ обеспечивает, а именно:The set of essential distinguishing features of the claimed two-channel microwave switch provides, namely:
Наличие в двухканальном переключателе СВЧ двух одинаковых индуктивностей и двух одинаковых емкостей в совокупности с предложенным их соединением, когда одни концы первой и второй индуктивности соединены с линией передачи на входе, другие их концы - с линией передачи на первом и втором выходе соответственно и когда один конец первой емкости соединен с линией передачи на первом выходе, один конец второй емкости - с линией передачи на входе обеспечивает согласование полевых транзисторов с барьером Шотки и линий передачи на входе и выходах переключателя СВЧ и как следствие -The presence in the two-channel microwave switch of two identical inductances and two identical capacities in conjunction with the proposed connection, when one ends of the first and second inductance are connected to the transmission line at the input, their other ends to the transmission line at the first and second output, respectively, and when one end the first capacitance is connected to the transmission line at the first output, one end of the second capacitance — with the transmission line at the input — matches the field-effect transistors with the Schottky barrier and transmission lines at the input and outputs microwave switch and as a result -
во-первых, уменьшение величины прямых потерь сигнала СВЧ в открытых каналах и увеличение ослабления сигнала СВЧ в закрытых каналах иfirstly, a decrease in direct microwave signal loss in open channels and an increase in microwave signal attenuation in closed channels and
во-вторых, уменьшение коэффициента стоячей волны напряжения на входе и двух выходах переключателя СВЧ.secondly, a decrease in the coefficient of a standing wave of voltage at the input and two outputs of the microwave switch.
Наличие в двухканальном переключателе СВЧ, по меньшей мере, двух одинаковых резисторов обеспечивает снижение токов утечки через затворы полевых транзисторов с барьером Шотки и, как следствие - дополнительно к выше указанному уменьшение величины прямых потерь сигнала СВЧ в открытых каналах.The presence in the two-channel microwave switch of at least two identical resistors ensures a decrease in leakage currents through the gates of field-effect transistors with a Schottky barrier and, as a result, in addition to the above, a decrease in the magnitude of direct microwave signal losses in open channels.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 дана топология переключателя СВЧ, гдеFigure 1 shows the topology of the microwave switch, where
- три линии передачи, одна - 1 из которых предназначена для входа сигнал СВЧ, а две другие - 2, 3 - для выхода,- three transmission lines, one - 1 of which is intended for microwave signal input, and the other two - 2, 3 - for output,
- два полевых транзистора с барьером Шотки - 4 и 5 соответственно первый и второй,- two field effect transistors with a Schottky barrier - 4 and 5, respectively, the first and second,
- отрезок линии передачи - 6,- the length of the transmission line is 6,
- две индуктивности - 7 и 8 соответственно первая и вторая,- two inductances - 7 and 8, respectively, the first and second,
- две емкости - 9 и 10 соответственно первая и вторая,- two containers - 9 and 10, respectively, the first and second,
- два резистора - 11 и 12 соответственно первый и второй,- two resistors - 11 and 12, respectively, the first and second,
- источник постоянного управляющего напряжения - 13.- source of constant control voltage - 13.
На фиг.2 дана принципиальная схема переключателя СВЧ.Figure 2 is a schematic diagram of a microwave switch.
На фиг.3 даны зависимости от частоты величины прямых потерь Ап и ослабления Ао сигнала СВЧ в линиях передачи на выходе переключателя, где кривая 1 соответствует указанной зависимости в линии передачи на выходе 2, а кривая 2 - в линии передачи на выходе 3.Figure 3 shows the frequency dependence of the magnitude of direct losses A p and attenuation Ao of the microwave signal in the transmission lines at the output of the switch, where
На фиг.4 даны зависимости от частоты величины коэффициента стоячей волны напряжения на входе двухканального переключателя СВЧ, где кривая 1 соответствуют указанной зависимости в линии передачи при постоянном управляющем напряжении, равном 0, а кривая 2, равном напряжению отсечки.Figure 4 shows the frequency dependences of the coefficient of the standing wave of the voltage at the input of the two-channel microwave switch, where
Пример конкретного выполнения заявленного двухканального переключателя СВЧ.An example of a specific implementation of the claimed two-channel microwave switch.
В качестве примера рассмотрен двухканальный переключатель СВЧ, содержащий в каждом канале один электронный ключ - полевой транзистор с барьером Шотки.As an example, a two-channel microwave switch is considered, containing in each channel one electronic key - a field effect transistor with a Schottky barrier.
Все элементы двухканального переключателя СВЧ выполнены в монолитно интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм, с использованием классической тонкопленочной технологии.All elements of the two-channel microwave switch are made in integral integral design on a semiconductor substrate of gallium arsenide with a thickness of 0.1 mm using the classic thin-film technology.
Три линии передачи - на входе 1 и на выходе 2, 3 выполнены с одинаковым волновым сопротивлением, которое задается шириной проводников, в данном случае равной 0,08 мм.Three transmission lines - at
Каждая из линий передачи на выходе 2, 3 снабжена полевым транзистором с барьером Шотки 4 и 5 (первый и второй соответственно), имеющие напряжение отсечки Uотс, равное - 2,5 В.Each of the transmission lines at the output 2, 3 is equipped with a field-effect transistor with a Schottky barrier 4 and 5 (the first and second, respectively) having a cutoff voltage Uots equal to 2.5 V.
Отрезок линии передачи 6 выполнен с длиной и шириной, равной 0,95 и 0,08 мм соответственно (что соответствует одной восьмой длины волны в отрезке линии передачи и волновому сопротивлению, равному волновому сопротивлению линии передачи).A segment of the transmission line 6 is made with a length and width equal to 0.95 and 0.08 mm, respectively (which corresponds to one eighth of the wavelength in the segment of the transmission line and the wave resistance equal to the wave resistance of the transmission line).
Каждая из двух индуктивностей 7 и 8 выполнена шириной 0,02 мм и длиной 0,5 мм.Each of the two inductors 7 and 8 is made 0.02 mm wide and 0.5 mm long.
Каждая из двух емкостей 9 и 10 выполнена в виде плоскопараллельного конденсатора с диэлектрическим слоем из окиси кремния толщиной 4 мкм.Each of the two
Каждый из двух резисторов выполнен в виде пленки из хрома шириной и длиной, равной 0,08 мм и 2 мм соответственно.Each of the two resistors is made in the form of a chromium film with a width and length of 0.08 mm and 2 mm, respectively.
При этом один конец первой 7 и второй 8 индуктивности соединены с линией передачи на входе 1, другие их концы соединены с линией передачи на первом 2 и втором 3 выходе соответственно, один конец первой емкости 9 соединен с линией передачи на первом выходе 2, один конец второй емкости 10 соединен с линией передачи на входе 1, другие их концы заземлены, а затворы каждого полевого транзистора с барьером Шотки 4 и 5 соединены с источником постоянного управляющего напряжения 13 отдельно через соответствующий резистор 11 и 12.In this case, one end of the first 7 and second 8 inductances are connected to the transmission line at the
Работа заявленного двухканального переключателя СВЧ.The operation of the claimed two-channel microwave switch.
При подаче на затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки 4 и 5 постоянного управляющего напряжения U величиной, равной 0 В, от одного источника постоянного управляющего напряжения 13 становятся открытыми оба полевых транзистора с барьером Шотки.When applying to the gates of both field-effect transistors with a Schottky barrier 4 and 5 a constant control voltage U of a value of 0 V, from one source of constant control voltage 13 both field-effect transistors with a Schottky barrier become open.
При этом оба полевых транзистора с барьером Шотки 4 и 5 имеют малое сопротивление Zоткр.In this case, both field-effect transistors with a Schottky barrier 4 and 5 have a low resistance Z open.
Это малое сопротивление второго полевого транзистора с барьером Шотки 5 шунтирует линию передачи на выходе 3 с волновым сопротивлением Z0, благодаря тому, что сток этого полевого транзистора с барьером Шотки соединен с линией передачи на выходе 3, а исток его заземлен, что равносильно параллельно включенным сопротивлениям.This low resistance of the second field-effect transistor with a Schottky barrier 5 shunts the transmission line at output 3 with a wave resistance of Z0, due to the fact that the drain of this field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the transmission line at output 3, and its source is grounded, which is equivalent to the parallel resistance .
Поскольку сопртивления Zоткр. значительно меньше, чем волновое сопротивление Z0 линии передачи на выходе 3, то есть равносильно сопротивлению короткого замыкания.Since the resistance Z significantly less than the wave impedance Z0 of the transmission line at output 3, that is, is equivalent to a short circuit resistance.
Второй конец второй индуктивности 8 будет соединен с землей и на входе второго канала будет большое индуктивное сопротивление, от которого сигнал СВЧ отразится.The second end of the second inductance 8 will be connected to ground and at the input of the second channel there will be a large inductive resistance, from which the microwave signal will be reflected.
В этом случае в линию передачи на выходе 3 будет поступать сигнал СВЧ существенно ослабленным, то есть будет иметь место большая величина ослабления Ао.In this case, the microwave signal will be significantly weakened in the transmission line at the output 3, that is, there will be a large attenuation value A0.
Первый полевой транзистор с барьером Шотки 4 также имеет малое сопротивления Zоткр., которое значительно меньше, чем волновое сопротивление Z0 линии передачи на выходе 2.The first field-effect transistor with a Schottky barrier 4 also has a low resistance Zopc., Which is much less than the wave impedance Z0 of the transmission line at output 2.
Поскольку между линией передачи на входе 1 и линией передачи на выходе 2 включены согласующие элементы из первой индуктивности 7 и первой емкости 9, то сигнал СВЧ беспрепятственно пройдет в этот канал.Since between the transmission line at
В этом случае сигнал СВЧ с линии передачи на входе 1 в широкой рабочей полосе частот передается в линию передачи на выходе 2 с малой величиной прямых потерь Ап и с малой величиной коэффициента стоячей волны напряжения К, а в линию передачи на выходе 3-е большой величиной ослабления Ао.In this case, the microwave signal from the transmission line at
При подаче на затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шотки 4 и 5 отрицательного управляющего напряжения U, превышающего по абсолютной величине напряжение отсечки Uотс. полевого транзистора с барьером Шотки, оба транзистора будут закрыты.When both field effect transistors with a Schottky barrier 4 and 5 are fed to the gates, a negative control voltage U is greater than the cutoff voltage Uotc in absolute value. field-effect transistor with a Schottky barrier, both transistors will be closed.
При этом оба полевых транзистора с барьером Шотки 4 и 5 имеют большое сопротивление Zзакр.In this case, both field effect transistors with a Schottky barrier 4 and 5 have a large resistance Zzakr.
Это большое сопротивление Zзакр. второго полевого транзистора с барьером Шотки 5 равносильно холостому ходу.This is a great resistance Zzakr. the second field effect transistor with a Schottky barrier 5 is equivalent to idling.
А поскольку второй полевой транзистор с барьером Шотки 5 расположен между согласующими элементами из второй индуктивности 8 и второй емкости 10, то реализуется компенсация этих элементов в широкой рабочей полосе частот и таким образом сигнал СВЧ беспрепятственно пройдет с линии передачи на входе 1 в линию передачи на выходе 3.And since the second field-effect transistor with a Schottky barrier 5 is located between the matching elements from the second inductance 8 and the
Первый полевой транзистор с барьером Шотки 4 также имеет большое сопротивления Zзакр., которое значительно больше, чем волновое сопротивление Z0 линии передачи на выходе 2, то есть равносильно сопротивлению холостого хода.The first field-effect transistor with a Schottky barrier 4 also has a large resistance Zcl., Which is much larger than the wave impedance Z0 of the transmission line at output 2, that is, is equivalent to the idling resistance.
В этом случае сигнал СВЧ в широкой рабочей полосе частот с линии передачи на входе 1 передается в линию передачи на выходе 3 с малой величиной прямых потерь Ап и малой величиной коэффициента стоячей волны К, а в линию передачи на выходе 2 -с большой величиной ослабления Ао.In this case, the microwave signal in a wide working frequency band from the transmission line at
В обоих случаях роль обоих резисторов 11 и 12 с одинаковым сопротивлением сводится к снижению тока утечки через полевые транзисторы с барьером Шотки 4 и 5 соответственно, что положительно сказывается на снижении прямых потерь сигнала СВЧ и снижении коэффициента стоячей волны напряжения, особенно в случае открытых полевых транзисторов с барьером Шотки.In both cases, the role of both resistors 11 and 12 with the same resistance is to reduce the leakage current through field-effect transistors with a Schottky barrier 4 and 5, respectively, which positively affects the reduction of direct microwave signal loss and the reduction of the standing voltage wave coefficient, especially in the case of open field-effect transistors with the Schottky barrier.
На изготовленных образцах двухканального переключателя СВЧ были измерены величины коэффициента стоячей волны напряжения К, прямых потерь Ап и ослабления Ао сигнала СВЧ в рабочей полосе частот соответственно в линиях передачи на выходе 2, 3 переключателя СВЧ.On the fabricated samples of the two-channel microwave switch, the values of the standing voltage wave coefficient K, direct losses Ap, and attenuation A0 of the microwave signal in the working frequency band, respectively, in the transmission lines at the output 2, 3 of the microwave switch, were measured.
Результаты изображены на фиг.3 и 4.The results are shown in figure 3 and 4.
Как видно из фиг.3 в рабочей полосе частот от 15 ГГц до 17 ГГц величина прямых потерь Ап не превосходит 0,8 дБ, а величина ослабления Ао - 20 дБ, что соответственно на 0,2 дБ меньше и на 5 дБ больше, чем у прототипа.As can be seen from figure 3, in the working frequency band from 15 GHz to 17 GHz, the direct loss Ap does not exceed 0.8 dB, and the attenuation value Ao is 20 dB, which is 0.2 dB less and 5 dB more than at the prototype.
Как видно из фиг.4 в рабочей полосе частот от 15 ГГц до 17 ГГц величины коэффициента стоячей волны напряжения К не превосходят 1,2, что примерно на 0,3 меньше, чем у прототипа.As can be seen from figure 4 in the working frequency band from 15 GHz to 17 GHz, the coefficient of the standing wave voltage K does not exceed 1.2, which is approximately 0.3 less than that of the prototype.
Таким образом, заявленный двухканальный переключатель СВЧ по сравнению с прототипом позволит:Thus, the claimed two-channel microwave switch in comparison with the prototype will allow:
- уменьшение величины прямых потерь сигнала СВЧ в открытых каналах примерно на 0,2 дБ и- reduction of direct microwave signal loss in open channels by about 0.2 dB and
- увеличение ослабления сигнала СВЧ в закрытых каналах примерно на 5 дБ,- increase the attenuation of the microwave signal in the closed channels by about 5 dB,
- уменьшение коэффициента стоячей волны напряжения на его входе и двух его выходах примерно на 0,3, преимущественно в двухсантиметровом диапазоне длин волн.- a decrease in the coefficient of the standing wave of voltage at its input and its two outputs by about 0.3, mainly in the two-centimeter wavelength range.
Источники информацииInformation sources
1. Патент РФ №2313866, МПК Н01Р 1/15, приоритет 27.04.2006 г., опубл. 27.12.2007, бюлл. №36.1. RF patent No. 2313866,
2. Патент РФ №2306641, МПК Н01Р 1/15, приоритет 29.03.2006 г., опубл. 20.09.2007, бюлл. №26 - прототип.2. RF patent No. 2306641,
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011111258/07A RU2452062C1 (en) | 2011-03-24 | 2011-03-24 | Two-channel shf switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011111258/07A RU2452062C1 (en) | 2011-03-24 | 2011-03-24 | Two-channel shf switch |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2452062C1 true RU2452062C1 (en) | 2012-05-27 |
Family
ID=46231809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011111258/07A RU2452062C1 (en) | 2011-03-24 | 2011-03-24 | Two-channel shf switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2452062C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU174610U1 (en) * | 2017-05-03 | 2017-10-23 | Денис Павлович Кравчук | COAXIAL TWO CHANNEL SWITCH |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1150681A1 (en) * | 1982-04-07 | 1985-04-15 | Предприятие П/Я А-1649 | Two-channel selector switch |
| EP1445820A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-11 | Valeo Schalter und Sensoren GmbH | High-frequency switching device |
| RU2313866C1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave switch |
| RU2335832C1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Shf switch |
| RU2401488C1 (en) * | 2009-08-26 | 2010-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Two-channel shf switch |
-
2011
- 2011-03-24 RU RU2011111258/07A patent/RU2452062C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU1150681A1 (en) * | 1982-04-07 | 1985-04-15 | Предприятие П/Я А-1649 | Two-channel selector switch |
| EP1445820A1 (en) * | 2003-02-10 | 2004-08-11 | Valeo Schalter und Sensoren GmbH | High-frequency switching device |
| RU2313866C1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Microwave switch |
| RU2335832C1 (en) * | 2007-03-23 | 2008-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Shf switch |
| RU2401488C1 (en) * | 2009-08-26 | 2010-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Two-channel shf switch |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU174610U1 (en) * | 2017-05-03 | 2017-10-23 | Денис Павлович Кравчук | COAXIAL TWO CHANNEL SWITCH |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kumar et al. | Distributed power amplifiers for RF and microwave communications | |
| US9106180B2 (en) | Variable phase shifter, semiconductor integrated circuit and phase shifting method | |
| CN113572466B (en) | Symmetrical single-pole double-throw switch based on power distribution and impedance transformation network technology | |
| Li et al. | 1W< 0.9 dB IL DC-20GHz T/R switch design with 45nm SOI process | |
| Chéron et al. | Wideband 50W packaged GaN HEMT with over 60% PAE through internal harmonic control in S-band | |
| RU2452062C1 (en) | Two-channel shf switch | |
| Moghadami et al. | A 205 GHz Amplifier With 10.5 dB Gain and $-$1.6 dBm Saturated Power Using 90 nm CMOS | |
| RU2461920C1 (en) | Broadband microwave attenuator with continuous control | |
| RU2367066C1 (en) | Microwave phase changer | |
| RU2460183C1 (en) | Microwave phase changer | |
| Ciocoveanu et al. | A low insertion-loss 10–110 GHz digitally tunable SPST switch in 22 nm FD-SOI CMOS | |
| Ji et al. | A multiband directional coupler using SOI CMOS for RF front-end applications | |
| RU2479079C1 (en) | Double-channel shf switch | |
| RU2335832C1 (en) | Shf switch | |
| RU2306641C1 (en) | Microwave switch | |
| RU2401488C1 (en) | Two-channel shf switch | |
| CN112786407B (en) | Ka-band slow-wave structure switch chip | |
| RU2311704C1 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2450393C1 (en) | Shf switch | |
| RU2313866C1 (en) | Microwave switch | |
| Dyskin et al. | An asymmetrical 60–90 GHz single-pole double throw switch MMIC | |
| RU2314603C2 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2380796C1 (en) | Shf switch | |
| RU2407115C1 (en) | Microwave attenuator with discrete variation of attenuation | |
| RU2401489C1 (en) | Shf phase changer |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |