RU2311704C1 - Microwave attenuator - Google Patents
Microwave attenuatorInfo
- Publication number
- RU2311704C1 RU2311704C1 RU2006108274/09A RU2006108274A RU2311704C1 RU 2311704 C1 RU2311704 C1 RU 2311704C1 RU 2006108274/09 A RU2006108274/09 A RU 2006108274/09A RU 2006108274 A RU2006108274 A RU 2006108274A RU 2311704 C1 RU2311704 C1 RU 2311704C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resistors
- attenuator
- field
- schottky barrier
- transmission line
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах.The invention relates to electronic equipment, namely to microwave attenuators on semiconductor devices.
Аттенюаторы СВЧ характеризуют:Microwave attenuators characterize:
- величина прямых потерь Ап, значение которой должно быть как можно меньше;- direct losses Ap, the value of which should be as small as possible;
- величина изменения затухания Аз, значение, которой задается;- the magnitude of the change in the attenuation Az, the value that is specified;
- величина изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения;- the magnitude of the phase change of the signal with a corresponding change in the constant control voltage;
- наличие числа источников постоянного управляющего напряжения, которое должно быть как можно меньше;- the presence of the number of sources of constant control voltage, which should be as small as possible;
- величина постоянного управляющего напряжения.- the value of the constant control voltage.
Аттенюаторы СВЧ, выполненные на основе полупроводниковых приборов, широко используются в технике СВЧ, особенно многоразрядные аттенюаторы СВЧ с дискретным изменением затухания, которые представляют собой каскадное соединение нескольких, по крайней мере, двух разрядов, каждый из которых представляет собой так называемое П- или Т-образное соединение резисторов относительно линий передачи на входе и выходе аттенюатора, при этом они выполнены с заданными величинами сопротивлений.Microwave attenuators made on the basis of semiconductor devices are widely used in the microwave technology, especially multi-bit microwave attenuators with discrete attenuation, which are a cascade connection of at least two discharges, each of which is a so-called P- or T- a figurative connection of resistors relative to the transmission lines at the input and output of the attenuator, while they are made with the specified values of the resistances.
Подключение и отключение резисторов в каждом разряде осуществляют электронными ключами, в качестве которых используют полупроводниковые диоды и транзисторы. Это позволяет получить требуемые комбинации дискретного изменения затухания многоразрядного аттенюатора СВЧ.Connecting and disconnecting resistors in each discharge is carried out by electronic switches, which are used as semiconductor diodes and transistors. This allows you to get the required combination of discrete changes in the attenuation of a multi-bit microwave attenuator.
Известен многоразрядный аттенюатор СВЧ, содержащий в каждом разряде П-образное соединение трех резисторов, в котором в качестве электронных ключей использованы полупроводниковые диоды, при этом последовательно соединенный резистор параллельно соединен с pin - диодом, переключаемым с помощью источника постоянного управляющего напряжения, два параллельно соединенных резистора последовательно соединены с двумя другими pin-диодами соответственно, переключаемыми с помощью второго источника постоянного управляющего напряжения [1].A multi-bit microwave attenuator is known, containing in each category a U-shaped connection of three resistors, in which semiconductor diodes are used as electronic keys, while a series-connected resistor is connected in parallel with a pin diode switched using a constant voltage control source, two resistors connected in parallel connected in series with two other pin diodes, respectively, switched using a second source of constant control voltage [1].
Недостатками данного аттенюатора являются:The disadvantages of this attenuator are:
во-первых, существенная величина изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения,firstly, a significant change in the phase of the signal with a corresponding change in the constant control voltage,
во-вторых, значительные прямые потери Ап,secondly, significant direct losses of Ap,
в третьих, наличие двух источников постоянного управляющего напряжения, что усложняет конструкцию и увеличивает массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.thirdly, the presence of two sources of constant control voltage, which complicates the design and increases the overall dimensions of the microwave attenuator.
Кроме того, поскольку pin-диоды являются двухполюсными приборами, то для развязки их по СВЧ и постоянному управляющему напряжению необходимо использовать фильтры питания, что также усложняет конструкцию и увеличивает массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.In addition, since pin diodes are bipolar devices, it is necessary to use power filters to isolate them by microwave and constant control voltage, which also complicates the design and increases the overall dimensions of the microwave attenuator.
Известен многоразрядный аттенюатор СВЧ, содержащий в каждом разряде также П-образное соединение трех резисторов, но в котором в качестве трех электронных ключей использованы полупроводниковые транзисторы - полевые транзисторы с барьером Шотки, при этом последовательно соединенный резистор параллельно соединен с истоком и стоком полевого транзистора с барьером Шотки, а затвор соединен с первым источником постоянного управляющего напряжения. Два параллельно соединенных резистора с одинаковыми сопротивлениями расположены по разные стороны от последовательно соединенного резистора и соединены с ним, а вторые их концы соединены со стоками двух других полевых транзисторов с барьером Шотки соответственно, истоки которых заземлены, а затворы которых соединены между собой и соединены со вторым источником постоянного управляющего напряжения [2] - прототип.A multi-bit microwave attenuator is known, which also contains a U-shaped connection of three resistors in each discharge, but in which semiconductor transistors - field-effect transistors with a Schottky barrier are used as three electronic switches, while a series-connected resistor is connected in parallel with the source and drain of the field-effect transistor with a barrier Schottky, and the shutter is connected to the first source of constant control voltage. Two parallel-connected resistors with the same resistances are located on opposite sides of the series-connected resistor and connected to it, and their second ends are connected to the drains of two other field-effect transistors with a Schottky barrier, respectively, whose sources are grounded and whose gates are interconnected and connected to the second a source of constant control voltage [2] is a prototype.
По сравнению с аналогом в данном аттенюаторе СВЧ исключена необходимость использования фильтров питания, поскольку полевые транзисторы с барьером Шотки являются трехполюсными приборами, и, следовательно, обладают внутренней развязкой по СВЧ и постоянному управляющему напряжению.Compared to the analogue, this microwave attenuator eliminates the need to use power filters, since field-effect transistors with a Schottky barrier are three-pole devices, and therefore have an internal microwave isolation and constant control voltage.
Однако, как и первому аналогу, данному аттенюатору СВЧ присущи:However, like the first analogue, this microwave attenuator is characterized by:
во-первых, существенная величина изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения,firstly, a significant change in the phase of the signal with a corresponding change in the constant control voltage,
во-вторых, значительные прямые потери Ап,secondly, significant direct losses of Ap,
в-третьих, наличие двух источников постоянного управляющего напряжения.thirdly, the presence of two sources of constant control voltage.
Техническим результатом изобретения является достижение нулевой величины изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения, снижение прямых потерь Ап, упрощение конструкции, снижение массогабаритных характеристик аттенюатора СВЧ.The technical result of the invention is to achieve a zero value of the phase change of the signal with a corresponding change in the constant control voltage, reduce direct losses Ap, simplify the design, reduce the overall dimensions of the microwave attenuator.
Технический результат достигается тем, что в известном аттенюаторе СВЧ, состоящем, по крайней мере, из одного разряда, каждый из которых содержит три резистора, один из которых расположен последовательно, а два других - параллельно линиям передачи на входе и выходе аттенюатора, и трех электронных ключей, в качестве которых использованы полевые транзисторы с барьером Шотки, при этом первый резистор соединен с истоком и стоком полевого транзистора с барьером Шотки, а два другие выполнены с одинаковыми сопротивлениями и расположены по разные стороны от первого и соответственно каждый вместе с полевым транзистором с барьером Шотки, истоки которых заземлены, а затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки служат для подачи напряжения от источников постоянного управляющего напряжения, резисторы разъединены между собой, в каждый разряд аттенюатора дополнительно введены два отрезка линии передачи, которые расположены по разные стороны от первого резистора, при этом один конец каждого из отрезков линии передачи соединен с одним из концов соответствующего одного из двух резисторов и со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, а другой их конец соединен с концами первого резистора, другой конец каждого из двух других резисторов соединен с истоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, а затворы трех полевых транзисторов с барьером Шотки соединены между собой и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения.The technical result is achieved by the fact that in the known microwave attenuator, consisting of at least one discharge, each of which contains three resistors, one of which is located in series, and the other two are parallel to the transmission lines at the input and output of the attenuator, and three electronic keys, which are used field-effect transistors with a Schottky barrier, while the first resistor is connected to the source and drain of the field-effect transistor with a Schottky barrier, and the other two are made with the same resistances and are located at different the sides of the first and, respectively, each together with a field-effect transistor with a Schottky barrier, the sources of which are grounded, and the gates of three field-effect transistors with a Schottky barrier serve to supply voltage from sources of constant control voltage, the resistors are disconnected from each other, two lengths of the line are additionally introduced into each bit of the attenuator transmission, which are located on opposite sides of the first resistor, while one end of each of the segments of the transmission line is connected to one of the ends of the corresponding one of the two the resistors and the drain of the corresponding field effect transistor with a Schottky barrier, and their other end connected to the ends of the first resistor, the other end of each of the other two resistors connected to the source of the corresponding field effect transistor with a Schottky barrier, and the gates of three field effect transistors with a Schottky barrier are interconnected and connected to one source of constant control voltage.
В аттенюаторе СВЧ расстояния, на котором расположены два других резистора от первого, задаются их конструкцией.In the microwave attenuator, at which two other resistors from the first are located, they are determined by their design.
В аттенюаторе СВЧ отрезки линии передачи могут быть выполнены длиной, равной, либо меньшей четверти длины волны в линии передачи, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению линий передачи на входе и выходе аттенюатора.In the microwave attenuator, segments of the transmission line can be made with a length equal to or less than a quarter of the wavelength in the transmission line, and wave impedance equal to the wave resistance of the transmission lines at the input and output of the attenuator.
Сущность предлагаемого изобретения заключается в следующем.The essence of the invention is as follows.
Предложенный аттенюатор СВЧ, в котором резисторы разъединены между собой, а в каждый разряд аттенюатора дополнительно ведены два отрезка линии передачи и предлагаемое их соединение с резисторами и полевыми транзисторами с барьером Шотки, а именно один конец каждого из отрезков линии передачи соединен с одним из концов соответствующего одного из двух резисторов и со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, а другой их конец соединен с концами первого резистора, другой конец каждого из двух других резисторов соединен с истоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки, позволяет:The proposed microwave attenuator, in which the resistors are disconnected from each other, and two segments of the transmission line and their proposed connection with resistors and field-effect transistors with a Schottky barrier are additionally led to each bit of the attenuator, namely, one end of each of the segments of the transmission line is connected to one of the ends of the corresponding one of the two resistors and with the drain of the corresponding field effect transistor with a Schottky barrier, and the other end is connected to the ends of the first resistor, the other end of each of the other two resistors is connected n corresponding to the source of FET Schottky barrier, allows:
во-первых, изменяя длину отрезков линии передачи, тем самым компенсировать реактивные элементы (емкости) полевых транзисторов с барьером Шотки, подключенных к соответствующим двум резисторам. А поскольку фаза сигнала определяется в основном реактивными элементами, тем самым достичь нулевой величины ее изменения при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения.firstly, by changing the length of the segments of the transmission line, thereby compensating for the reactive elements (capacitances) of field-effect transistors with a Schottky barrier connected to the corresponding two resistors. And since the phase of the signal is determined mainly by reactive elements, thereby achieving a zero value of its change with a corresponding change in the constant control voltage.
во-вторых, поскольку компенсация реактивных элементов снижает коэффициент отражения сигнала, снизить прямые потери Ап,secondly, since the compensation of reactive elements reduces the reflection coefficient of the signal, reduce direct losses Ap,
в-третьих, соединить между собой затворы всех трех полевых транзисторов с барьером Шотки и подавать на них постоянное управляющее напряжение от одного источника и тем самым упростить конструкцию и снизить массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.thirdly, to interconnect the gates of all three field-effect transistors with the Schottky barrier and apply a constant control voltage to them from a single source and thereby simplify the design and reduce the overall dimensions of the microwave attenuator.
Расстояния, на котором расположены два резистора от первого, задаются их конструкцией.The distances at which two resistors are located from the first are determined by their design.
Так, например, в случае исполнения аттенюатора СВЧ в виде монолитной интегральной схемы два резистора выполнены разной шириной и длиной, но с одинаковыми сопротивлениями, и, следовательно, расстояния, на котором расположены эти резисторы на концах отрезков линии передачи, будут не равными.So, for example, in the case of the microwave attenuator in the form of a monolithic integrated circuit, two resistors are made of different widths and lengths, but with the same resistances, and, therefore, the distance at which these resistors are located at the ends of the transmission line segments will not be equal.
Выполнение отрезков линии передачи длиной, равной, либо меньшей четверти длины волны в линии передачи, и волновым сопротивлением, равным волновому сопротивлению линий передачи на входе и выходе аттенюатора, усиливает эффект компенсации реактивных элементов полевых транзисторов с барьером Шотки.Performing segments of the transmission line with a length equal to or less than a quarter of the wavelength in the transmission line and wave impedance equal to the wave impedance of the transmission lines at the input and output of the attenuator enhances the compensation effect of the reactive elements of field-effect transistors with a Schottky barrier.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 изображена топология одного разряда предлагаемого аттенюатора СВЧ, гдеFigure 1 shows the topology of one discharge of the proposed microwave attenuator, where
- три резистора, один из которых расположен последовательно R1, а два других R2, R3 параллельно линиям передачи на входе и выходе,- three resistors, one of which is located in series R1, and the other two R2, R3 parallel to the transmission lines at the input and output,
- три электронных ключа, в качестве которых использованы три полевых транзистора с барьером Шотки - 4, 5, 6 соответственно,- three electronic keys, which are used as three field-effect transistors with a Schottky barrier - 4, 5, 6, respectively,
- два отрезка линии передачи - 7 и 8 соответственно,- two segments of the transmission line - 7 and 8, respectively,
- линии передачи на входе и выходе - 9,- transmission lines at the input and output - 9,
- источник постоянного управляющего напряжения - 10.- source of constant control voltage - 10.
На фиг.2 изображена электрическая схема предлагаемого аттенюатора СВЧ.Figure 2 shows the electrical circuit of the proposed microwave attenuator.
На фиг.3 приведены зависимости от частоты фазы сигнала при величине постоянного управляющего напряжения, равной 0 и -2,5 В - напряжение отсечки.Figure 3 shows the dependence on the frequency of the phase of the signal with a constant control voltage equal to 0 and -2.5 V - cutoff voltage.
На фиг.4 приведены зависимости от частоты величины прямых потерь Ап и величины затухания Аз при величине постоянного управляющего напряжения, равной 0 и -2,5 В - напряжение отсечки.Figure 4 shows the frequency dependences of the direct losses Ap and the attenuation value Az at a constant control voltage of 0 and -2.5 V — cutoff voltage.
ПримерExample
В качестве примера рассмотрен один разряд аттенюатора СВЧ.As an example, one bit of the microwave attenuator is considered.
Все элементы аттенюатора выполнены в монолитно-интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм, с использованием классической тонкопленочной технологии.All elements of the attenuator are made in a monolithic-integral design on a semiconductor substrate of gallium arsenide with a thickness of 0.1 mm, using classical thin-film technology.
Три резистора R1, R2, R3 выполнены с сопротивлениями, равными 40, 50, 50 Ом, соответственно путем напыления, например, хрома толщиной 2 мкм.Three resistors R1, R2, R3 are made with resistances equal to 40, 50, 50 Ohms, respectively, by spraying, for example,
Три электронных ключа, в качестве которых использованы три полевых транзистора с барьером Шотки 4, 5, 6, имеют напряжение отсечки Uотс, равное -2,5 В.Three electronic keys, which are used as three field-effect transistors with a
Два отрезка линии передачи 7 и 8 выполнены шириной и длиной проводников 0,01 и 3 мм соответственно и расположены по разные стороны от первого резистора R1.Two segments of the
Линии передачи на входе и выходе 9 выполнены шириной проводников, равной 0,08 мм.The transmission lines at the input and
При этом резистор R1 расположен последовательно, а резисторы R2 и R3 расположены по разные стороны от резистора R1 и соответственно каждый вместе с полевым транзистором с барьером Шотки 5, 6 и параллельно линиям передачи на входе и выходе 9.In this case, the resistor R1 is located in series, and the resistors R2 and R3 are located on opposite sides of the resistor R1 and, respectively, each together with a field-effect transistor with a
При этом резисторы разъединены между собой. Первый резистор R1 соединен с истоком и стоком полевого транзистора с барьером Шотки 4 посредством проводников.In this case, the resistors are disconnected from each other. The first resistor R1 is connected to the source and drain of the field effect transistor with a
Один конец каждого из отрезков линии передачи 7 и 8 соединен с одним из концов соответствующего одного из двух резисторов R2 и R3 и со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки 5, 6, а другой их конец соединен с концами первого резистора, другой конец каждого из двух других резисторов R2 и R3 соединен с истоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шотки 5, 6, а затворы всех трех полевых транзисторов с барьером Шотки 4, 5, 6 соединены между собой и соединены с одним источником постоянного управляющего напряжения 10.One end of each of the segments of the
Истоки полевых транзисторов с барьером Шотки 5 и 6 заземлены посредством соединения с основанием, на котором расположена монолитная интегральная схема аттенюатора СВЧ, через металлизированные отверстия в ней, а стоки соединены с резисторами R2 и R3 соответственно посредством проводников.The sources of field-effect transistors with a Schottky
Работу аттенюатора СВЧ рассмотрим на примере одного разряда.We consider the operation of the microwave attenuator as an example of one discharge.
При подаче на затворы всех трех полевых транзисторов с барьером Шотки 4, 5, 6 соответственно постоянного управляющего напряжения U величиной, равной 0 В, от одного источника постоянного управляющего напряжения 10 становятся открытыми все три полевых транзистора с барьером Шотки 4, 5, 6.When all three field-effect transistors with a
В результате этого полевой транзистор с барьером Шотки 4, включенный параллельно первому резистору R1, имея малое сопротивление, зашунтирует этот резистор и общее последовательное сопротивление аттенюатора Z1, рассчитанное по формулеAs a result, a field effect transistor with a
Z1=R1×Zоткр./(R1+Zоткр.), гдеZ1 = R1 × Zopen ./ (R1 + Zopen.), Where
Zоткр. - сопротивление полевого транзистора с барьером Шотки,Open - resistance of a field effect transistor with a Schottky barrier,
будет меньше, чем сопротивление полевого транзистора с барьером Шотки Zоткр.will be less than the resistance of a field effect transistor with a Schottky barrier Z Open.
Полевые транзисторы с барьером Шотки 5 и 6 также имеют малые сопротивления Zоткр., но поскольку каждый включен на одном конце каждого отрезка линии передачи 7 и 8 соответственно с длиной, равной четверти длины волны, в линии передачи, и волновым сопротивлением Z, равным Z0, то на другом их конце малые сопротивления Zоткр. преобразуются в большие сопротивления Z2 и Z3, рассчитанные по формуламField-effect transistors with a Schottky
Z2=Z2/Zоткр.,Z2 = Z 2 / Z open,
Z3=Z2/Zоткр., гдеZ3 = Z 2 / Z open, where
Z2 - квадрат волнового сопротивления отрезков линии передачи 7 и 8.Z 2 - the square of the wave resistance of the segments of the
При этом большие сопротивления Z2 и Z3 сравнимы по величине с сопротивлениями закрытых полевых транзисторов с барьером Шотки Zзакр. В этом случае аттенюатор будет иметь малое последовательное сопротивление Z1 и два больших параллельных сопротивления Z2 и Z3, включенных по обе стороны малого последовательного сопротивления Z1.Moreover, the large resistances Z2 and Z3 are comparable in magnitude with the resistances of closed field-effect transistors with a Schottky barrier Zzakr. In this case, the attenuator will have a small series resistance Z1 and two large parallel resistance Z2 and Z3 connected on both sides of the small series resistance Z1.
В этом случае в аттенюаторе реализуется минимальная величина прямых потерь Ап.In this case, the minimum direct loss Ap is realized in the attenuator.
При подаче на затворы всех трех полевых транзисторов с барьером Шотки 4, 5, 6 отрицательного управляющего напряжения U, превышающего по абсолютной величине напряжение отсечки полевого транзистора с барьером Шотки Uотс, все транзисторы будут закрыты.When all three field-effect transistors with a
При этом полевой транзистор с барьером Шотки 4, включенный параллельно первому резистору R1, будет иметь сопротивление Zзакр., значительно большее, чем сопротивление первого резистора R1, и общее последовательное сопротивление Z1 аттенюатора, рассчитанное по формулеIn this case, a field-effect transistor with a
Z1=R1×Zзакр./(R1+Zзакр.),Z1 = R1 × Zcl ./ (R1 + Zcl.),
будет равно R1.will be equal to R1.
Полевые транзисторы с барьером Шотки 5 и 6 также имеют большие сопротивления Zзакр., значительно большие, чем сопротивления резисторов R2 и R3, поэтому сопротивления ZA и ZB, рассчитанные по формуламField-effect transistors with a
ZA=R2×Zзакр./(R2+Zзакр.)ZA = R2 × Zcl ./ (R2 + Zcl.)
ZB=R3×Zзакр./(R3+Zзакр.), гдеZB = R3 × Zcl ./ (R3 + Zcl.), Where
ZA и ZB сопротивления на концах отрезков линий передач,ZA and ZB resistance at the ends of the segments of the transmission lines,
будут равны сопротивлениям резисторов R2 и R3 соответственно, но поскольку каждый включен на одном конце каждого отрезка линии передачи 7 и 8 соответственно с длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, и волновым сопротивлением Z, то на другом их конце сопротивления R2 и R3 преобразуются в сопротивления Z2 и Z3, рассчитанные по формулеwill be equal to the resistances of the resistors R2 and R3, respectively, but since each is turned on at one end of each segment of the
Z2=Z2/ZA,Z2 = Z 2 / ZA,
Z3=Z2/ZB,Z3 = Z 2 / ZB,
где Z2 - квадрат волнового сопротивления отрезков линии передачи 7 и 8.where Z 2 is the square of the wave resistance of the segments of the
В этом случае аттенюатор будет иметь последовательное сопротивление R1 и два параллельных сопротивления Z2 и Z3, включенных по обе стороны последовательного сопротивления R1.In this case, the attenuator will have a series resistance R1 and two parallel resistance Z2 and Z3 connected on both sides of the series resistance R1.
В этом случае в аттенюаторе реализуется:In this case, the attenuator implements:
во-первых, требуемая величина затухания Аз,firstly, the required attenuation value Az,
во-вторых, достижение нулевой величины изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения.secondly, achieving a zero value of the phase change of the signal with a corresponding change in the constant control voltage.
На изготовленных образцах аттенюатора СВЧ были измерены величины затухания Аз, прямых потерь Ап и изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения.On the manufactured samples of the microwave attenuator, the attenuation values Az, direct losses Ap, and the phase change of the signal were measured with a corresponding change in the constant control voltage.
Результаты изображены на фиг.3 и 4.The results are shown in figure 3 and 4.
Как видно из фиг.3, изменение фазы сигнала при изменении постоянного управляющего напряжения, равного 0 и -2,5 В - напряжение отсечки, на частоте 10 ГГц составляет 0 градусов.As can be seen from figure 3, the phase change of the signal when changing the constant control voltage equal to 0 and -2.5 V is the cut-off voltage at a frequency of 10 GHz is 0 degrees.
Как видно из фиг.4, величина прямых потерь Ап составляет -1,2 дБ, а величина затухания Аз составляет -5,2 дБ.As can be seen from figure 4, the magnitude of the direct loss Ap is -1.2 dB, and the attenuation value Az is -5.2 dB.
Таким образом, данный разряд аттенюатора реализует разность затухания, равную -4 дБ.Thus, this bit of the attenuator implements the attenuation difference of -4 dB.
Таким образом, предлагаемый многоразрядный аттенюатор СВЧ по сравнению с прототипом позволит:Thus, the proposed multi-bit microwave attenuator in comparison with the prototype will allow:
во-первых, приблизится к достижению нулевой величины изменения фазы сигнала при соответствующем изменении постоянного управляющего напряжения,firstly, it will approach the achievement of a zero value of the phase change of the signal with a corresponding change in the constant control voltage,
во-вторых, снизить прямые потери Ап,secondly, reduce direct losses Ap,
в-третьих, упростить конструкцию, снизить массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.thirdly, to simplify the design, reduce the overall dimensions of the microwave attenuator.
Источники информацииInformation sources
1. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. - М.: Радио и связь. - 1987 г., стр.45.1. Weissblat A.V. Microwave switching devices on semiconductor diodes. - M .: Radio and communication. - 1987, p. 45.
2. Проектирование многоразрядных монолитных аттенюаторов Абакумова Н.В., Богданов Ю.М. и др. Электронная техника. Сер.1, СВЧ-техника. 2005 г., вып.2, стр.6-19.2. Design of multi-bit monolithic attenuators Abakumova NV, Bogdanov Yu.M. and other electronic equipment. Ser. 1, microwave technology. 2005,
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006108274/09A RU2311704C1 (en) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | Microwave attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2006108274/09A RU2311704C1 (en) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | Microwave attenuator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2311704C1 true RU2311704C1 (en) | 2007-11-27 |
Family
ID=38960397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2006108274/09A RU2311704C1 (en) | 2006-03-13 | 2006-03-13 | Microwave attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2311704C1 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2556427C1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-07-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (ОАО "НПП "Исток им. Шокина") | Uhf attenuator |
| RU2568261C2 (en) * | 2014-03-04 | 2015-11-20 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" имени А.И. Шокина") | Microwave attenuator |
| RU2713719C1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-02-06 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave filter |
-
2006
- 2006-03-13 RU RU2006108274/09A patent/RU2311704C1/en not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Электронная техника. СВЧ-техника. - М., 2005, сер.1, вып.2, с.6-19. * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2568261C2 (en) * | 2014-03-04 | 2015-11-20 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" имени А.И. Шокина") | Microwave attenuator |
| RU2556427C1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-07-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (ОАО "НПП "Исток им. Шокина") | Uhf attenuator |
| RU2713719C1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-02-06 | Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") | Microwave filter |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108292911B (en) | Low phase shift high frequency attenuator | |
| US6737933B2 (en) | Circuit topology for attenuator and switch circuits | |
| US7525395B2 (en) | Step attenuator | |
| US20060001507A1 (en) | Phase shifter | |
| Kang et al. | A 4-bit CMOS phase shifter using distributed active switches | |
| WO1989011166A1 (en) | Variable attenuator having voltage variable fet resistor with chosen resistance-voltage relationship | |
| JP3090105B2 (en) | Step attenuator | |
| RU2311704C1 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2340048C1 (en) | Shf attenuator | |
| RU2314603C2 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2367066C1 (en) | Microwave phase changer | |
| RU2461920C1 (en) | Broadband microwave attenuator with continuous control | |
| Doddamani et al. | Design of SPDT switch, 6 bit digital attenuator, 6 Bit digital phase shifter for L-Band T/R module using 0.7 μm GaAs MMIC technology | |
| RU2324265C2 (en) | Microwave attenuator | |
| US11777187B2 (en) | Reconfigurable quadrature coupler | |
| RU2335832C1 (en) | Shf switch | |
| US20090219087A1 (en) | Travelling wave amplifier | |
| RU2316086C1 (en) | Microwave phase shifter | |
| RU2407115C1 (en) | Microwave attenuator with discrete variation of attenuation | |
| RU2313866C1 (en) | Microwave switch | |
| RU2568261C2 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2372695C1 (en) | Bandpass all-pass retunable shf filter | |
| RU2420836C1 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2460183C1 (en) | Microwave phase changer | |
| WO2009042060A2 (en) | Constant phase digital attenuator with on-chip matching circuitry |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200314 |