RU2340048C1 - Shf attenuator - Google Patents
Shf attenuator Download PDFInfo
- Publication number
- RU2340048C1 RU2340048C1 RU2007115965/09A RU2007115965A RU2340048C1 RU 2340048 C1 RU2340048 C1 RU 2340048C1 RU 2007115965/09 A RU2007115965/09 A RU 2007115965/09A RU 2007115965 A RU2007115965 A RU 2007115965A RU 2340048 C1 RU2340048 C1 RU 2340048C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- attenuator
- transmission line
- schottky barrier
- effect transistor
- field
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Networks Using Active Elements (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, а именно к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах.The invention relates to electronic equipment, namely to microwave attenuators on semiconductor devices.
Аттенюатор СВЧ прежде всего характеризуется:The microwave attenuator is primarily characterized by:
- величиной изменения затухания Аз, значение которой задается;- the magnitude of the change in the attenuation Az, the value of which is specified;
кроме того:Besides:
- величиной прямых потерь Ап,- the value of direct losses Ap,
- величиной коэффициента отражения Ао,- the value of the reflection coefficient Ao,
значения которых должно быть как можно меньше, whose values should be as small as possible,
- массогабаритными характеристиками, определяемыми в основном числом электронных ключей.- weight and size characteristics, determined mainly by the number of electronic keys.
В технике СВЧ широко используются аттенюаторы, выполненные на основе полупроводниковых приборов.In microwave technology, attenuators made on the basis of semiconductor devices are widely used.
Аттенюаторы СВЧ представляют собой каскадное соединение нескольких, по крайней мере, двух разрядов, каждый из которых представляет собой так называемое П- или Т-образное соединение резисторов относительно линий передачи на входе и выходе аттенюатора, при этом они выполнены с заданными величинами сопротивлений.Microwave attenuators are a cascade connection of several at least two discharges, each of which is a so-called P- or T-shaped connection of resistors relative to the transmission lines at the input and output of the attenuator, while they are made with specified resistance values.
Подключение и отключение резисторов в каждом разряде осуществляют электронными ключами, в качестве которых используют полупроводниковые диоды либо транзисторы.Connecting and disconnecting resistors in each discharge is carried out by electronic switches, which are used as semiconductor diodes or transistors.
Известен аттенюатор СВЧ, содержащий в каждом разряде П-образное соединение трех резисторов, в котором в качестве электронных ключей использованы полупроводниковые диоды, при этом последовательно соединенный резистор параллельно соединен с pin-диодом, переключаемым с помощью источника постоянного управляющего напряжения, два параллельно соединенных резистора последовательно соединены с двумя другими pin-диодами соответственно, переключаемые с помощью второго источника постоянного управляющего напряжения [1].A microwave attenuator is known, which contains a U-shaped connection of three resistors in each discharge, in which semiconductor diodes are used as electronic keys, while a series-connected resistor is connected in parallel with a pin diode switched by a constant voltage control source, two resistors connected in series in series connected to two other pin diodes, respectively, switched using a second source of constant control voltage [1].
Недостатками данного аттенюатора СВЧ являются наличие в каждом разряде двух электронных ключей и двух источников постоянного управляющего напряжения, что усложняет конструкцию и увеличивает массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.The disadvantages of this microwave attenuator are the presence in each category of two electronic keys and two sources of constant control voltage, which complicates the design and increases the overall dimensions of the microwave attenuator.
Кроме того, поскольку pin-диоды являются двухполюсными приборами, то для развязки их по СВЧ и постоянному управляющему напряжению необходимо использовать фильтры питания, что также усложняет конструкцию и увеличивает массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.In addition, since pin diodes are bipolar devices, it is necessary to use power filters to isolate them by microwave and constant control voltage, which also complicates the design and increases the overall dimensions of the microwave attenuator.
Известен аттенюатор СВЧ, содержащий в каждом разряде также П-образное соединение трех резисторов, но в котором в качестве электронных ключей использованы полевые транзисторы с барьером Шотки. При этом последовательно соединенный резистор параллельно соединен с истоком и стоком полевого транзистора с барьером Шотки, а затвор соединен с первым источником постоянного управляющего напряжения, два параллельно соединенных резистора с одинаковыми сопротивлениями расположены по разные стороны от последовательно соединенного резистора и соединены с ним, а вторые их концы соединены со стоками двух других полевых транзисторов с барьером Шотки соответственно. Истоки полевых транзисторов с барьером Шотки «заземлены», а затворы соединены между собой и соединены со вторым источником постоянного управляющего напряжения [2] - прототип.A microwave attenuator is known, which also contains a U-shaped connection of three resistors in each discharge, but in which field-effect transistors with a Schottky barrier are used as electronic switches. In this case, the series-connected resistor is connected in parallel to the source and drain of the field-effect transistor with a Schottky barrier, and the gate is connected to the first source of constant control voltage, two parallel-connected resistors with the same resistances are located on different sides from the series-connected resistor and connected to it, and the second ones the ends are connected to the drains of two other field effect transistors with a Schottky barrier, respectively. The sources of field-effect transistors with a Schottky barrier are “grounded”, and the gates are interconnected and connected to a second source of constant control voltage [2] - a prototype.
По сравнению с аналогом в данном аттенюаторе СВЧ исключена необходимость использования фильтров питания, поскольку полевые транзисторы с барьером Шотки являются трехполюсными приборами, и, следовательно, обладают внутренней развязкой по СВЧ и постоянному управляющему напряжению.Compared to the analogue, this microwave attenuator eliminates the need to use power filters, since field-effect transistors with a Schottky barrier are three-pole devices, and therefore have internal microwave isolation and constant control voltage.
Однако наличие в данном аттенюаторе двух и более электронных ключей усложняет конструкцию и увеличивает массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.However, the presence of two or more electronic keys in this attenuator complicates the design and increases the overall dimensions of the microwave attenuator.
Техническим результатом изобретения является упрощение конструкции, снижение массогабаритных характеристик аттенюатора СВЧ, уменьшение величины прямых потерь - Ап и величины коэффициента отражения - Ао, достижение заданной величины изменения затухания - Аз и, прежде всего при работе на частотах, близких к верхней границе диапазона СВЧ (18-26 ГГц).The technical result of the invention is to simplify the design, reduce the overall dimensions of the microwave attenuator, reduce the direct loss - Ap and the reflection coefficient - Ao, achieve a given attenuation change value - Az, and especially when operating at frequencies close to the upper limit of the microwave range (18 -26 GHz).
Технический результат достигается тем, что в известном аттенюаторе СВЧ, состоящим, по крайней мере, из одного разряда, каждый из которых содержит резисторы, один из которых соединен последовательно, а другой - параллельно линиям передачи на входе и выходе аттенюатора, полевой транзистор с барьером Шотки в качестве электронного ключа, при этом последовательно соединенный резистор включен между входной и выходной линиями передачи, затвор полевого транзистора с барьером Шотки соединен с источником постоянного управляющего напряжения, а его исток заземлен.The technical result is achieved by the fact that in the known microwave attenuator, consisting of at least one discharge, each of which contains resistors, one of which is connected in series, and the other parallel to the transmission lines at the input and output of the attenuator, a field transistor with a Schottky barrier as an electronic switch, while a series-connected resistor is connected between the input and output transmission lines, the gate of a field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to a source of constant control voltage, and its the source is grounded.
При этом каждый разряд аттенюатора содержит только один полевой транзистор с барьером Шотки и только один параллельно соединенный резистор, в каждый разряд аттенюатора дополнительно введены два отрезка линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, при этом каждый из двух отрезков линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, расположен по разные стороны и симметрично относительно последовательно соединенного резистора и соединен с линией передачи на входе либо на выходе, а вторые концы отрезков линий передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, соединены между собой и соединены с одним из концов параллельного соединенного резистора и со стоком полевого транзистора с барьером Шотки, а другой конец параллельно соединенного резистора заземлен.In this case, each bit of the attenuator contains only one field-effect transistor with a Schottky barrier and only one parallel-connected resistor, two segments of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the transmission line are additionally introduced into each bit of the attenuator, while each of the two segments of the transmission line is equal to a quarter of the wavelength in the transmission line, located on opposite sides and symmetrically relative to the series-connected resistor and connected to the transmission line at the input or output, and the second ends The transmission lines are connected to each other and connected to one of the ends of the parallel connected resistor and to the drain of the field effect transistor with a Schottky barrier, and the other end of the parallel connected resistor is grounded.
Введение в каждый разряд аттенюатора двух отрезков линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, и предложенное их расположение относительно последовательно соединенного резистора, входной и выходной линий передачи и предложенное соединение всех элементов аттенюатора СВЧ позволит:The introduction into each bit of the attenuator of two segments of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the transmission line, and their proposed location relative to the series-connected resistor, input and output transmission lines and the proposed connection of all elements of the microwave attenuator will allow:
во-первых, обеспечивать иную возможность регулирования распространения сигнала СВЧ в обоих каналах, что позволит использовать только один электронный ключ - полевой транзистор с барьером Шотки и соответственно подавать на него постоянное управляющее напряжение от одного источника постоянного управляющего напряжения и тем самым упростить конструкцию и снизить массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ,firstly, to provide another possibility of regulating the propagation of the microwave signal in both channels, which will allow you to use only one electronic key - a field effect transistor with a Schottky barrier and, accordingly, apply a constant control voltage to it from one source of constant control voltage and thereby simplify the design and reduce overall dimensions microwave attenuator characteristics,
во-вторых, благодаря предложенному соединению параллельно соединенного резистора и полевого транзистора с барьером Шотки стало возможным исключить влияние данного резистора на величину прямых потерь Ап и, следовательно, уменьшить их величину,secondly, due to the proposed connection of a parallel-connected resistor and a field-effect transistor with a Schottky barrier, it became possible to exclude the effect of this resistor on the direct losses Ap and, therefore, reduce their value,
в-третьих, благодаря введения двух одинаковых отрезков линий передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, и расположения их симметрично относительно последовательно соединенного резистора обеспечить возможность включения пересчитанного через указанные отрезки линий передачи параллельно соединенного резистора симметрично последовательно соединенному резистору и тем самым реализовать малую величину коэффициента отражения Ао.thirdly, due to the introduction of two identical segments of the transmission lines with a length equal to a quarter of the wavelength in the transmission line, and their location symmetrically with respect to the series-connected resistor, it is possible to enable the parallel-connected resistor counted through the indicated segments of the transmission lines symmetrically to the series-connected resistor and thereby realize a small value of reflection coefficient Ao.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 изображена топология одного разряда предлагаемого аттенюатора СВЧ, гдеFigure 1 shows the topology of one discharge of the proposed microwave attenuator, where
- последовательно соединенный резистор - 1,- series-connected resistor - 1,
- параллельно соединенный резистор - 2,- parallel connected resistor - 2,
- линии передачи на входе и выходе - 3 и 4 соответственно,- transmission lines at the input and output - 3 and 4, respectively,
- полевой транзистор с барьером Шотки - 5 в качестве электронного ключа,- field effect transistor with a Schottky barrier - 5 as an electronic key,
- два отрезка линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи - 6 и 7 соответственно,- two segments of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the transmission line - 6 and 7, respectively,
- источник постоянного управляющего напряжения - 8.- source of constant control voltage - 8.
На фиг.2 изображена электрическая схема предлагаемого аттенюатора СВЧ.Figure 2 shows the electrical circuit of the proposed microwave attenuator.
На фиг.3а, б, в приведены зависимости от частоты величины прямых потерь Ап, величины затухания Аз и величины коэффициента отражения Ао при величине постоянного управляющего напряжения, равной 0, и величине напряжения отсечки транзистора Uотс.On figa, b, c shows the dependence on the frequency of the direct loss Ap, the attenuation value Az and the reflection coefficient A0 with a constant control voltage of 0, and the cutoff voltage Uotc.
Пример.Example.
В качестве примера рассмотрен одноразрядный аттенюатор СВЧ.A single-bit microwave attenuator is considered as an example.
Все элементы аттенюатора выполнены в монолитно-интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм, с использованием классической тонкопленочной технологии.All elements of the attenuator are made in a monolithic-integral version on a semiconductor substrate of gallium arsenide with a thickness of 0.1 mm using classical thin-film technology.
Оба резистора R1 и R2 выполнены сопротивлениями, равными 5 и 150 Ом соответственно путем напыления, например, тантала толщиной 4 мкм.Both resistors R 1 and R 2 are made with resistances equal to 5 and 150 ohms, respectively, by spraying, for example, tantalum with a thickness of 4 μm.
Линии передачи на входе и выходе 3 и 4 выполнены шириной проводников 0,08 мм.The transmission lines at the input and
Полевой транзистор с барьером Шотки 5 имеет напряжение отсечки Uотс., равное 2 В.A field-effect transistor with a
Два отрезка линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи 6 и 7, выполнены шириной и длиной проводников 0,01 и 1,3 мм соответственно.Two segments of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the
При этом:Wherein:
- резистор R1 соединен последовательно, а резистор R2 параллельно линиям передачи на входе и выходе 3 и 4,- the resistor R 1 is connected in series, and the resistor R 2 parallel to the transmission lines at the input and
- последовательно соединенный резистор R1 включен между входной и выходной линиями передачи,- a series-connected resistor R 1 is connected between the input and output transmission lines,
- каждый из двух отрезков линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи 6 и 7, расположен по разные стороны и симметрично от последовательно соединенного резистора R1 и соединен с соответствующей линией передачи на входе 3, либо на выходе 4, а вторые концы отрезков линий передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи 6 и 7, соединены между собой и соединены с одним из концов параллельно соединенного резистора R2,- each of the two segments of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the
- другой конец параллельно соединенного резистора R2 соединен со стоком полевого транзистора с барьером Шотки 5 и заземлен,- the other end of the parallel connected resistor R 2 is connected to the drain of the field effect transistor with a Schottky
- затвор полевого транзистора с барьером Шотки 5 соединен с источником постоянного управляющею напряжения 8,- the gate of the field-effect transistor with a
- исток полевого транзистора с барьером Шотки 5 заземлен через металлизированные отверстия в основании, на котором расположена монолитная интегральная схема аттенюатора СВЧ.- the source of a field-effect transistor with a Schottky
Работу аттенюатора СВЧ рассмотрим также на примере одного разряда.We also consider the operation of the microwave attenuator as an example of one discharge.
При подаче на затвор полевого транзистора с барьером Шотки 5 постоянного управляющего напряжения U величиной, равной 0 В, от источника постоянного управляющего напряжения 8 он становится открытым.When applying to the gate of a field-effect transistor with a Schottky barrier 5 a constant control voltage U of a value equal to 0 V, it becomes open from a source of constant control voltage 8.
В результате этого полевой транзистор с барьером Шотки, включенный параллельно линиям передачи на входе 3 и выходе 4, имеет малое сопротивление Zоткр.As a result of this, a field-effect transistor with a Schottky barrier, connected in parallel to the transmission lines at
Общее сопротивление аттенюатора ZA, рассчитанное по формуле:The total resistance of the attenuator ZA, calculated by the formula:
ZA=R2×Zоткр/(R2+Zоткр.), гдеZA = R 2 × Z open / (R 2 + Z open), where
Zоткр - сопротивление полевого транзистора с барьером Шотки будет меньше Zоткр.Zopkr - the resistance of a field effect transistor with a Schottky barrier will be less than Zopkr.
При этом на концах отрезков линий передач длиной, равной четверти длины волны в линии передачи 6 и 7, сопротивления аттенюатора Z1, рассчитанные по формуле:At the same time, at the ends of segments of transmission lines with a length equal to a quarter of the wavelength in
Z1=Z2/ZA, гдеZ1 = Z 2 / ZA, where
Z2 - квадрат волнового сопротивления отрезков линии передачи длиной, равной четверти длины волны в линии передачи 6 и 7, будут иметь величину значительно большую, чем сопротивление линий передачи на входе и выходе аттенюатора СВЧ и, следовательно, не будут влиять на сигнал СВЧ, проходящий по этим линиям передачи.Z 2 - the square of the wave resistance of the segments of the transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the
При этом в аттенюаторе СВЧ реализуется малая величина прямых потерь Ап и малая величина коэффициента отражения Ао.In this case, in the microwave attenuator a small amount of direct losses Ap and a small value of the reflection coefficient Ao are realized.
При подаче на затвор полевого транзистора с барьером Шотки отрицательного управляющего напряжения U, превышающего по абсолютной величине напряжение отсечки транзистора Uотс, он будет закрыт.When a negative control voltage U is applied to the gate of a field-effect transistor with a Schottky barrier, exceeding the cutoff voltage Uotc in absolute value, it will be closed.
При этом полевой транзистор с барьером Шотки будет иметь сопротивление Zзакр. значительно большее, чем сопротивление резистора R2, и, следовательно, не будет влиять на его величину.In this case, a field effect transistor with a Schottky barrier will have a resistance of Zzakr. much larger than the resistance of the resistor R 2 , and therefore will not affect its value.
На концах отрезков линий передачи 4 и 5 сопротивления Z2 аттенюатора СВЧ, рассчитанные по формулеAt the ends of the segments of the
Z2=Z2/R2, гдеZ2 = Z 2 / R 2 , where
Z2 - квадрат волнового сопротивления отрезков линии передачи 4 и 5 будут такими, при которых реализуется заданная величина изменения затухания Аз и малая величина коэффициента отражения Ао.Z 2 - the square of the wave impedance of the segments of the
На изготовленных образцах аттенюатора СВЧ были измерены величины прямых потерь Ап, величины затухания Аз, величины коэффициента отражения Ао.On the manufactured samples of the microwave attenuator, the direct losses Ap, the attenuation values Az, and the reflection coefficient Ao were measured.
Результаты изображены на фиг.3 а, б, в.The results are shown in Fig.3 a, b, c.
Как видно из фиг.3:As can be seen from figure 3:
- величина прямых потерь в аттенюаторе СВЧ на частоте 22 ГГц составляет 1 дБ, а величина затухания - 3 дБ, так что изменение величины затухания аттенюатора СВЧ составляет - 2 дБ;- the direct loss in the microwave attenuator at a frequency of 22 GHz is 1 dB, and the attenuation is 3 dB, so that the attenuator attenuator attenuation of the microwave attenuator is 2 dB;
- величины коэффициентов отражения при открытом и закрытом полевом транзисторе с барьером Шотки на частоте 22 ГГц составляют 0,1 и 0,15 соответственно.- the reflection coefficients for an open and closed field effect transistor with a Schottky barrier at a frequency of 22 GHz are 0.1 and 0.15, respectively.
Предложенный аттенюатор СВЧ обеспечивает уменьшение величины прямых потерь Ап и величины коэффициента отражения Ао вдвое по сравнению с прототипом.The proposed microwave attenuator provides a reduction in direct losses Ap and the reflection coefficient A0 by half compared with the prototype.
Таким образом, в предлагаемом аттенюаторе СВЧ по сравнению с прототипом требуемая величина затухания Аз реализуется в каждом разряде с помощью одного электронного ключа - полевого транзистора с барьером Шотки и соответственно при подаче на него управляющего напряжения от одного источника постоянного управляющего напряжения, что позволит упростить конструкцию и снизить массогабаритные характеристики аттенюатора СВЧ.Thus, in the proposed microwave attenuator, in comparison with the prototype, the required attenuation value Az is realized in each discharge using one electronic key - a field-effect transistor with a Schottky barrier and, accordingly, when a control voltage is applied to it from one source of constant control voltage, which will simplify the design and reduce the overall dimensions of the microwave attenuator.
Источники информацииInformation sources
1. Вайсблат А.В. Коммутационные устройства СВЧ на полупроводниковых диодах. М: Радио и связь. - 1987 г., стр.45.1. Weissblat A.V. Microwave switching devices on semiconductor diodes. M: Radio and communication. - 1987, p. 45.
2. Проектирование многоразрядных монолитных аттенюаторов Абакумова Н.В., Богданов Ю.М. и др. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника. 2005 г., вып.2, стр.6-19.2. Design of multi-bit monolithic attenuators Abakumova NV, Bogdanov Yu.M. and other electronic equipment. Ser. 1. Microwave technology. 2005,
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007115965/09A RU2340048C1 (en) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | Shf attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007115965/09A RU2340048C1 (en) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | Shf attenuator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2340048C1 true RU2340048C1 (en) | 2008-11-27 |
Family
ID=40193338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007115965/09A RU2340048C1 (en) | 2007-04-26 | 2007-04-26 | Shf attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2340048C1 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2447546C1 (en) * | 2010-10-12 | 2012-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Shf attenuator |
| RU2469443C1 (en) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Discrete broadband microwave attenuator |
| RU2513709C1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Broadband shf attenuator |
| RU2542877C2 (en) * | 2013-05-30 | 2015-02-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Microwave attenuator |
-
2007
- 2007-04-26 RU RU2007115965/09A patent/RU2340048C1/en active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| АБАКУМОВА Н.В. и др. Электронная техника. Сер. 1. СВЧ-техника, 2005, вып.2, с.6-19. * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2447546C1 (en) * | 2010-10-12 | 2012-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Shf attenuator |
| RU2469443C1 (en) * | 2011-06-16 | 2012-12-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток") | Discrete broadband microwave attenuator |
| RU2513709C1 (en) * | 2013-02-15 | 2014-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток") | Broadband shf attenuator |
| RU2542877C2 (en) * | 2013-05-30 | 2015-02-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Microwave attenuator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100862451B1 (en) | Step attenuator | |
| US20140062575A1 (en) | RF Switch Branch Having Improved Linearity | |
| RU2340048C1 (en) | Shf attenuator | |
| JP3090105B2 (en) | Step attenuator | |
| US10340892B2 (en) | Multi-channel digital step attenuator architecture | |
| US5309048A (en) | Distributed digital attenuator | |
| RU2314603C2 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2311704C1 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2461920C1 (en) | Broadband microwave attenuator with continuous control | |
| RU2324265C2 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2401491C1 (en) | Shf attenuator with continuous control | |
| RU2367066C1 (en) | Microwave phase changer | |
| RU2407115C1 (en) | Microwave attenuator with discrete variation of attenuation | |
| RU2335832C1 (en) | Shf switch | |
| RU2420836C1 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2556427C1 (en) | Uhf attenuator | |
| RU2568261C2 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2401488C1 (en) | Two-channel shf switch | |
| RU2372695C1 (en) | Bandpass all-pass retunable shf filter | |
| RU2316086C1 (en) | Microwave phase shifter | |
| RU2380796C1 (en) | Shf switch | |
| RU2479079C1 (en) | Double-channel shf switch | |
| Polli et al. | High power‐handling SPDT switch in 0.25‐µm GaN technology | |
| RU2313866C1 (en) | Microwave switch | |
| RU2447546C1 (en) | Shf attenuator |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |