RU2435255C1 - Microwave frequency attenuator - Google Patents
Microwave frequency attenuator Download PDFInfo
- Publication number
- RU2435255C1 RU2435255C1 RU2010132619/07A RU2010132619A RU2435255C1 RU 2435255 C1 RU2435255 C1 RU 2435255C1 RU 2010132619/07 A RU2010132619/07 A RU 2010132619/07A RU 2010132619 A RU2010132619 A RU 2010132619A RU 2435255 C1 RU2435255 C1 RU 2435255C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- transmission line
- schottky barrier
- field
- microwave
- microwave signal
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
Description
Изобретение относится к электронной технике, к аттенюаторам СВЧ на полупроводниковых приборах, а именно к аттенюаторам СВЧ с управлением ослабления сигнала СВЧ.The invention relates to electronic equipment, to microwave attenuators on semiconductor devices, and in particular to microwave attenuators with microwave attenuation control.
Одной из основных электрических характеристик аттенюатора СВЧ является величина изменения затухания - величина ослабления сигнала СВЧ (далее величина ослабления сигнала СВЧ).One of the main electrical characteristics of the microwave attenuator is the amount of attenuation change — the attenuation of the microwave signal (hereinafter the attenuation of the microwave signal).
Задачей данного изобретения является возможность управления не только величиной ослабления сигнала СВЧ в зависимости от управляющего напряжения, но и ее крутизной.The objective of the invention is the ability to control not only the attenuation of the microwave signal depending on the control voltage, but also its slope.
Известен аттенюатор СВЧ с управлением величины ослабления сигнала СВЧ, содержащий две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа сигнала СВЧ, другая - для выхода и полевой транзистор с барьером Шоттки.A known microwave attenuator with control of the attenuation of the microwave signal, containing two transmission lines with the same wave impedances, one is for the input of the microwave signal, the other is for output and the field effect transistor with a Schottky barrier.
При этом исток полевого транзистора с барьером Шоттки соединен с линией передачи на входе, сток - с линией передачи на выходе, а затвор соединен с источником управляющего напряжения [1].In this case, the source of the field-effect transistor with a Schottky barrier is connected to the transmission line at the input, the drain is connected to the transmission line at the output, and the gate is connected to a control voltage source [1].
Данный аттенюатор СВЧ является классическим вариантом электрически управляемого широкополосного транзисторного аттенюатора СВЧ, в котором в качестве электронных ключей использованы полевые транзисторы с барьером Шоттки.This microwave attenuator is a classic version of the electrically controlled broadband transistor microwave attenuator, in which field-effect transistors with a Schottky barrier are used as electronic keys.
Данный аттенюатор СВЧ обеспечивает управление величины ослабления сигнала СВЧ в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале.This microwave attenuator provides control of the attenuation of the microwave signal, depending on the control voltage, continuously changing over a wide range.
Однако данный аттенюатор СВЧ, в принципе, не может обеспечить возможность управления крутизной ослабления сигнала СВЧ в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале.However, this microwave attenuator, in principle, cannot provide the ability to control the steepness of the attenuation of the microwave signal, depending on the control voltage, continuously changing over a wide range.
Известен аттенюатор СВЧ так же с управлением величины ослабления сигнала СВЧ, содержащий две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа сигнала, другая - для выхода и три полевых транзистора с барьером Шоттки, два отрезка линии передачи с длиной, равной четверти длины волны в линии передачи, два резистора с сопротивлением, равным волновому сопротивлению линии передачи.A microwave attenuator is also known with a control of the attenuation of the microwave signal, containing two transmission lines with the same wave impedances, one is for signal input, the other is for output and three field-effect transistors with a Schottky barrier, two segments of a transmission line with a length equal to a quarter of the wavelength in the transmission line, two resistors with a resistance equal to the wave resistance of the transmission line.
При этом каждый из двух полевых транзисторов с барьером Шоттки соответственно вместе с отрезком линии передачи и резистором расположены по разные стороны симметрично или не симметрично от первого полевого транзистора с барьером Шоттки.Moreover, each of the two field-effect transistors with a Schottky barrier, respectively, together with a segment of the transmission line and a resistor, are located on opposite sides symmetrically or non-symmetrically from the first field-effect transistor with a Schottky barrier.
При этом исток полевого транзистора с барьером Шоттки соединен с линией передачи на входе, сток - с линией передачи на выходе, а затвор соединен с источником управляющего напряжения, один конец первого резистора соединен с линией передачи на входе и один конец второго резистора соединен с линией передачи на выходе, а другой конец соответствующего резистора через отрезок линии передачи соединен со стоком соответствующего полевого транзистора с барьером Шоттки, истоки которых заземлены.In this case, the source of the field effect transistor with a Schottky barrier is connected to the transmission line at the input, the drain is connected to the transmission line at the output, and the gate is connected to the control voltage source, one end of the first resistor is connected to the transmission line at the input, and one end of the second resistor is connected to the transmission line at the output, and the other end of the corresponding resistor through a segment of the transmission line is connected to the drain of the corresponding field-effect transistor with a Schottky barrier, the sources of which are grounded.
А затворы трех полевых транзисторов с барьером Шоттки соединены между собой и соединены с одним источником управляющего напряжения [2 - прототип].And the gates of three field-effect transistors with a Schottky barrier are interconnected and connected to one source of control voltage [2 - prototype].
Наличие в данном аттенюаторе СВЧ двух полевых транзисторов с барьером Шоттки, при этом каждого соответственно вместе с упомянутым отрезком линии передачи и резистором и в совокупности с указанным их соединением позволили обеспечить снижение модуля коэффициента отражения сигнала СВЧ, значительное достижение линейного изменения ослабления сигнала СВЧ в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале.The presence in the microwave attenuator of two field-effect transistors with a Schottky barrier, each of which, together with the mentioned transmission line segment and resistor and in combination with the indicated connection, made it possible to reduce the reflection coefficient of the microwave signal, significantly achieve a linear change in the attenuation of the microwave signal depending on control voltage, continuously changing over a wide range.
Данный аттенюатор СВЧ в отличие от предыдущего обеспечивает максимальную величину ослабления сигнала СВЧ в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале.This microwave attenuator, unlike the previous one, provides the maximum attenuation of the microwave signal, depending on the control voltage, continuously changing over a wide range.
Однако, и данный аттенюатор СВЧ, как и предыдущий, в принципе не может обеспечить возможность управления крутизной ослабления сигнала СВЧ в зависимости от управляющего напряжения, непрерывно изменяющегося в широком интервале.However, this microwave attenuator, like the previous one, in principle, cannot provide the ability to control the steepness of the attenuation of the microwave signal depending on the control voltage, continuously changing over a wide range.
Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей, а именно возможность управления величиной ослабления сигнала СВЧ и крутизной ослабления сигнала СВЧ, снижение начальных потерь сигнала СВЧ.The technical result of the invention is the expansion of functionality, namely the ability to control the magnitude of the attenuation of the microwave signal and the slope of the attenuation of the microwave signal, reducing the initial loss of the microwave signal.
Указанный технический результат достигается заявленным аттенюатором СВЧ, содержащим две линии передачи с одинаковыми волновыми сопротивлениями, одна предназначена для входа СВЧ-сигнала, другая - для выхода и полевые транзисторы с барьером Шоттки, два резистора, отрезок линии передачи, при этом затворы полевых транзисторов с барьером Шоттки соединены с источником управляющего напряжения, который содержит два полевых транзистора с барьером Шоттки, в аттенюатор СВЧ дополнительно введены второй источник управляющего напряжения и две индуктивности, при этом стоки полевых транзисторов с барьером Шоттки соединены с одними концами резисторов соответственно, другие концы резисторов соединены между собой и соединены со вторым источником управляющего напряжения, один конец отрезка линии передачи соединен с линией передачи на входе и - с истоком первого полевого транзистора с барьером Шоттки и - с одним концом первой индуктивности, другой конец отрезка линии передачи соединен с линией передачи на выходе и - с истоком второго полевого транзистора с барьером Шоттки и - с одним концом второй индуктивности, другие концы индуктивностей заземлены, а волновое сопротивление отрезка линии передачи равно волновому сопротивлению линии передачи на входе или на выходе, а сопротивление каждого из резисторов равно одной пятой части волнового сопротивления отрезка линии передачи.The specified technical result is achieved by the claimed microwave attenuator, containing two transmission lines with the same wave impedances, one for the input of the microwave signal, the other for the output and field-effect transistors with a Schottky barrier, two resistors, a segment of the transmission line, while the field-effect transistor gates with a barrier Schottky connected to a control voltage source, which contains two field-effect transistors with a Schottky barrier, a second control voltage source and two ind efficiency, while the drains of field-effect transistors with a Schottky barrier are connected to one end of the resistors, respectively, the other ends of the resistors are connected to each other and connected to a second source of control voltage, one end of a segment of the transmission line is connected to the transmission line at the input and to the source of the first field-effect transistor with Schottky barrier and - with one end of the first inductance, the other end of the length of the transmission line connected to the transmission line at the output and - to the source of the second field-effect transistor with a Schottky barrier and - with one end After the second inductance, the other ends of the inductances are grounded, and the wave resistance of the transmission line segment is equal to the wave resistance of the transmission line at the input or output, and the resistance of each of the resistors is equal to one fifth of the wave resistance of the transmission line segment.
Раскрытие сущности изобретенияDisclosure of the invention
Совокупность существенных признаков заявленного аттенюатора СВЧ как предложенное наличие элементов в аттенюаторе СВЧ, равно как и предложенное их соединение, а именно:The set of essential features of the declared microwave attenuator as the proposed presence of elements in the microwave attenuator, as well as their proposed combination, namely:
Наличие в аттенюаторе двух источников постоянных управляющих напряжений и в совокупности с двумя полевыми транзисторами с барьером Шоттки и в совокупности с двумя резисторами и предложенное их соединение.The presence in the attenuator of two sources of constant control voltages and in combination with two field-effect transistors with a Schottky barrier and in combination with two resistors and their proposed connection.
При закрытых полевых транзисторах с барьером Шоттки, когда напряжение на затворах полевых транзисторов с барьером Шоттки равно напряжению отсечки и соответственно - реализация больших величин сопротивлений полевых транзисторов с барьером Шоттки обеспечивается исключение влияния сопротивлений резисторов на величину ослабления сигнала СВЧ и, как следствие, - снижение начальных потерь сигнала СВЧ.With closed field-effect transistors with a Schottky barrier, when the voltage at the gates of field-effect transistors with a Schottky barrier is equal to the cut-off voltage and, accordingly, the implementation of large values of the resistance of field-effect transistors with a Schottky barrier ensures that the resistance of the resistors on the attenuation of the microwave signal is eliminated and, as a result, the initial microwave signal loss.
При открытых полевых транзисторах с барьером Шоттки, когда напряжение на затворах полевых транзисторов с барьером Шоттки равно нулю и соответственно - реализация малых величин сопротивлений полевых транзисторов с барьером Шоттки и тем самым обеспечивается подключение резисторов, изменение напряжения на этих резисторах в зависимости от управляющего напряжения на стоках полевых транзисторов с барьером Шоттки, подаваемого от второго источника постоянного управляющего напряжения, и тем самым обеспечивается изменение максимальной величины ослабления сигнала СВЧ и, как следствие, - управление величиной ослабления сигнала СВЧ и крутизной ослабления сигнала СВЧ.With open field-effect transistors with a Schottky barrier, when the voltage at the gates of field-effect transistors with a Schottky barrier is zero and, accordingly, the implementation of small resistance values of field-effect transistors with a Schottky barrier and thereby the connection of resistors is ensured, the voltage across these resistors depends on the control voltage on the drains field-effect transistors with a Schottky barrier supplied from a second source of constant control voltage, and this ensures a change in the maximum value ins attenuation of the microwave signal and as a consequence, - attenuation control value of the microwave signal and the microwave signal attenuation slope.
Итак, наличие второго источника постоянного управляющего напряжения обеспечивает возможность непрерывного изменения управляющего напряжения на затворах полевых транзисторов с барьером Шоттки от нуля до напряжения отсечки и, как следствие, - управление величиной ослабления сигнала СВЧ и крутизной ослабления сигнала СВЧ.So, the presence of a second source of constant control voltage makes it possible to continuously change the control voltage at the gates of field-effect transistors with a Schottky barrier from zero to the cut-off voltage and, as a result, control the magnitude of the attenuation of the microwave signal and the steepness of the attenuation of the microwave signal.
Наличие в аттенюаторе СВЧ двух индуктивностей:The presence of two inductors in the microwave attenuator:
во-первых, в совокупности с предложенным их соединением, а именно когда одни их концы соединены с соответствующим истоком полевого транзистора с барьером Шоттки, а другие их концы заземлены, обеспечивает тем самым опосредственное заземление истоков полевых транзисторов с барьером Шоттки, предусмотренное обеспечением работы полевых транзисторов с барьером Шоттки,firstly, in conjunction with their proposed connection, namely, when some of their ends are connected to the corresponding source of a field-effect transistor with a Schottky barrier, and their other ends are grounded, this ensures the direct grounding of the sources of field-effect transistors with a Schottky barrier, provided for the operation of field-effect transistors with a Schottky barrier,
во-вторых, в совокупности с отрезком линии передачи обеспечивает компенсацию реактивных индуктивных сопротивлений в рабочей полосе частот и, как следствие, -secondly, in combination with a segment of the transmission line provides compensation of reactive inductive resistances in the working frequency band and, as a result,
- снижение начальных потерь сигнала СВЧ,- reduction of the initial microwave signal loss,
- реализация управления величиной ослабления сигнала СВЧ в рабочей полосе частот.- the implementation of the control value of the attenuation of the microwave signal in the working frequency band.
Выполнение волнового сопротивления отрезка линии передачи равным волновому сопротивлению линии передачи на входе или на выходе обеспечивает снижение начальных потерь СВЧ.Performing wave impedance of a transmission line segment equal to the wave impedance of the transmission line at the input or output provides a reduction in the initial microwave losses.
Выполнение сопротивления каждого из резисторов равным одной пятой части волнового сопротивления отрезка линии передачи обеспечивает управление крутизной ослабления сигнала СВЧ.Performing the resistance of each of the resistors equal to one fifth of the wave resistance of a segment of the transmission line provides control of the steepness of the attenuation of the microwave signal.
Итак, заявленный аттенюатор СВЧ с непрерывным управлением в полной мере обеспечивает технический результат - расширение функциональных возможностей, а именно управление величиной ослабления сигнала СВЧ и крутизной ослабления сигнала СВЧ, снижение начальных потерь сигнала СВЧ.So, the claimed microwave attenuator with continuous control fully provides a technical result - expanding functionality, namely, controlling the magnitude of the attenuation of the microwave signal and the steepness of attenuation of the microwave signal, reducing the initial loss of the microwave signal.
Изобретение поясняется чертежами.The invention is illustrated by drawings.
На фиг.1 дана топология заявленного аттенюатора СВЧ, где:Figure 1 gives the topology of the claimed microwave attenuator, where:
- две линии передачи, одна предназначена для входа сигнала СВЧ - 1, другая - для выхода - 2,- two transmission lines, one for input of the microwave signal - 1, the other for output - 2,
- первый и второй полевые транзисторы с барьером Шоттки - 3 и 4 соответственно,- the first and second field-effect transistors with a Schottky barrier - 3 and 4, respectively,
- два резистора - 5 и 6 соответственно,- two resistors - 5 and 6, respectively,
- отрезок линии передачи - 7,- the length of the transmission line is 7,
- две индуктивности - 8 и 9 соответственно,- two inductances - 8 and 9, respectively,
- первый и второй источники управляющего напряжения - 10 и 11 соответственно.- the first and second sources of control voltage - 10 and 11, respectively.
На фиг.2 дана электрическая схема заявленного аттенюатора СВЧ.Figure 2 shows the electrical circuit of the claimed microwave attenuator.
На фиг.3 даны зависимости величины ослабления А сигнала СВЧ от управляющего напряжения U1, непрерывно изменяющегося от нуля до напряжения отсечки полевых транзисторов с барьером Шоттки, и управляющего напряжения U2, равного нулю и утроенному напряжению перегиба вольтамперных характеристик полевых транзисторов с барьером Шоттки.Figure 3 shows the dependence of the attenuation value A of the microwave signal on the control voltage U1, which continuously varies from zero to the cutoff voltage of field-effect transistors with a Schottky barrier, and the control voltage U2, which is equal to zero and triple the kink voltage of the current-voltage characteristics of field-effect transistors with a Schottky barrier.
На фиг.4 даны зависимости от частоты начальных потерь сигнала СВЧ при напряжении U1, равном напряжению отсечки, и напряжении U2, равном нулю и утроенному напряжению перегиба вольтамперных характеристик.Figure 4 shows the dependence on the frequency of the initial loss of the microwave signal at a voltage U1 equal to the cutoff voltage and a voltage U2 equal to zero and triple the kink voltage of the current-voltage characteristics.
При этом кривые 1 соответствуют напряжению U2, равному нулю, а кривые 2 соответствуют напряжению U2, равному утроенному напряжению перегиба вольтамперных характеристик.In this case,
Пример конкретного выполненияConcrete example
Аттенюатор СВЧ выполнен в монолитном интегральном исполнении на полупроводниковой подложке из арсенида галлия толщиной, равной 0,1 мм, с использованием классической тонкопленочной технологии.The microwave attenuator is made in a monolithic integral design on a semiconductor substrate of gallium arsenide with a thickness of 0.1 mm, using classical thin-film technology.
Две линии передачи, предназначенные для входа сигнала СВЧ 1 и для выхода 2, выполнены с одинаковыми волновыми сопротивлениями, равными 50 Ом, что соответствует ширине проводников 0,08 мм.Two transmission lines, intended for the input of the
Два полевых транзистора с барьером Шоттки 3 и 4 выполнены каждый с длиной затвора, равной 0,4 мкм, шириной затвора, равной 300 мкм, одинаковыми длинами стока и истока, равными 20 мкм, имеют напряжение отсечки Uотс, равное - 2,5 В.Two field effect transistor with a Schottky barrier 3 and 4 each formed with a gate length of 0.4 microns, the gate width of 300 microns, identical lengths of drain and source, equal to 20 microns, have a cutoff voltage U ots equal to - 2.5 V .
Отрезок линии передачи 7 выполнен в виде пленки из золота толщиной 3 мкм, шириной 0,08 мм и длиной 0,5 мм, нанесенной на поверхность упомянутой полупроводниковой подложки.A segment of the transmission line 7 is made in the form of a film of gold 3 microns thick, 0.08 mm wide and 0.5 mm long, deposited on the surface of the aforementioned semiconductor substrate.
Индуктивности выполнены в виде пленки из золота, нанесенной на поверхность упомянутой полупроводниковой подложки, каждая толщиной 3 мкм.Inductors are made in the form of a film of gold deposited on the surface of the aforementioned semiconductor substrate, each 3 μm thick.
Резисторы каждый выполнен в виде пленки из хрома, нанесенной на поверхность упомянутой полупроводниковой подложки, с сопротивлением 10 Ом.Each resistor is made in the form of a film of chromium deposited on the surface of the aforementioned semiconductor substrate, with a resistance of 10 ohms.
Рабочая полоса частот изменяется от 9 ГГц до 11 ГГц.The operating frequency band varies from 9 GHz to 11 GHz.
При этом стоки полевых транзисторов с барьером Шоттки 3 и 4 соединены с одними концами резисторов 5 и 6 соответственно, другие концы резисторов соединены между собой и со вторым источником управляющего напряжения 11.While the drains of field-effect transistors with a Schottky barrier 3 and 4 are connected to one end of the
При этом один конец отрезка линии передачи 7 соединен с линией передачи на входе 1 и - с истоком первого полевого транзистора с барьером Шоттки 3 и - с одним концом первой индуктивности 8, другой конец отрезка линии передачи 7 соединен с линией передачи на выходе 2 и - с истоком второго полевого транзистора с барьером Шоттки 4 и - с одним концом второй индуктивности 9, вторые концы индуктивностей 8 и 9 заземлены.In this case, one end of the length of the transmission line 7 is connected to the transmission line at the
При этом волновое сопротивление отрезка линии передачи 7 равно волновому сопротивлению линии передачи на входе или на выходе, а сопротивление каждого из резисторов 5 и 6 равно одной пятой части волнового сопротивления отрезка линии передачи.In this case, the wave impedance of the transmission line segment 7 is equal to the wave resistance of the transmission line at the input or output, and the resistance of each of the
Работа аттенюатора СВЧMicrowave attenuator operation
При подаче на затворы полевых транзисторов с барьером Шоттки 3 и 4 управляющего напряжения U1 величиной, равной напряжению отсечки Uотс от первого источника управляющего напряжения 10, становятся закрытыми оба полевых транзистора с барьером Шоттки.When applied to the gates of FET Schottky barrier 3 and 4 of the control voltage U1 quantity equal to the cutoff voltage U ots from the first
В результате этого оба полевых транзистора с барьером Шоттки каждый имеет большое сопротивление Zзакр.As a result of this, both field effect transistors with a Schottky barrier each have a large resistance Z close .
При этом резисторы 5 и 6 не будут оказывать влияния на величину ослабления сигнала СВЧ.In this case, the
Индуктивности 8 и 9 и отрезок линии передачи совместно компенсируют в рабочей полосе частот реактивные составляющие коэффициента передачи сигнала СВЧ от входа к выходу, а поскольку величина волнового сопротивления отрезка линии передачи заявлена равной величине волновых сопротивлений на входе или на выходе аттенюатора СВЧ, то начальные потери сигнала СВЧ будут малыми.
В этом случае независимо от величины управляющего напряжения U2 второго источника управляющего напряжения 11 начальные потери сигнала СВЧ будут малыми.In this case, regardless of the magnitude of the control voltage U2 of the second source of
При подаче на затворы полевых транзисторов с барьером Шоттки 3 и 4 управляющего напряжения U1 величиной, равной 0 В от первого источника управляющего напряжения 10, становятся открытыми оба полевых транзистора с барьером Шоттки.When applying to the gates of field-effect transistors with a Schottky barrier 3 and 4 a control voltage U1 equal to 0 V from the first source of
В результате этого оба полевых транзистора с барьером Шоттки каждый имеет малое сопротивление Zоткр.As a result of this, both field effect transistors with a Schottky barrier each have a small resistance Z open .
При этом резисторы 5 и 6 будут оказывать существенное влияние на величину ослабления сигнала СВЧ.In this case,
В зависимости от величины управляющего напряжения U2 второго источника управляющего напряжения 11 изменяются токи, протекающие через резисторы, и напряжения на этих резисторах.Depending on the magnitude of the control voltage U2 of the second source of
Это приводит к изменению величины ослабления сигнала СВЧ при открытых полевых транзисторах с барьером Шоттки.This leads to a change in the attenuation of the microwave signal with open field-effect transistors with a Schottky barrier.
При подаче на затворы обоих полевых транзисторов с барьером Шоттки 3 и 4 отрицательного управляющего напряжения U1, непрерывно изменяющегося в интервале от Uотс до нуля, сопротивление каждого из полевых транзисторов с барьером Шоттки будет изменяться от Zоткр до Zзакр.When applied to the gates of both FETs with Schottky barrier 3 and 4 negative control voltage U1, continuously varying in the range of U ots to zero, the resistance of each of FET Schottky barrier is changed from Z to Z OPEN CLOSE.
При этом будет изменяться величина ослабления сигнала СВЧ от величины начальных потерь до максимальной величины ослабления.In this case, the attenuation of the microwave signal will change from the magnitude of the initial losses to the maximum attenuation.
Поскольку последняя зависит от величины управляющего напряжения второго источника U2, то будет изменяться крутизна ослабления сигнала СВЧ.Since the latter depends on the magnitude of the control voltage of the second source U2, the steepness of attenuation of the microwave signal will change.
На изготовленных образцах аттенюатора СВЧ были измерены величины ослабления сигналов СВЧ в зависимости от управляющих напряжений.Microwave attenuator samples were used to measure the attenuation of microwave signals depending on control voltages.
Результаты даны на фиг.3 и 4.The results are given in figure 3 and 4.
Как видно из фиг.3, ослабление сигнала СВЧ в аттенюаторе изменяется:As can be seen from figure 3, the attenuation of the microwave signal in the attenuator changes:
- от значения - 0,5 дБ до значения - 18 дБ от величины управляющего напряжения второго источника U2, равной 0 В (кривая 1),- from a value of - 0.5 dB to a value of - 18 dB from the value of the control voltage of the second source U2 equal to 0 V (curve 1),
- от значения - 0,5 дБ до значения - 6 дБ от величины управляющего напряжения второго источника U2, равной 3,5 В (кривая 2).- from a value of - 0.5 dB to a value of - 6 dB from the value of the control voltage of the second source U2, equal to 3.5 V (curve 2).
В прототипе ослабление изменялось только от одного управляющего напряжения.In the prototype, attenuation varied from only one control voltage.
Как видно из фиг.4, начальные потери сигнала СВЧ в рабочей полосе частот равны 0,5 дБ, что в два раза меньше, чем в прототипе (1,0 дБ).As can be seen from figure 4, the initial loss of the microwave signal in the working frequency band is equal to 0.5 dB, which is two times less than in the prototype (1.0 dB).
Таким образом, заявленный аттенюатор СВЧ по сравнению с прототипом позволит:Thus, the claimed microwave attenuator in comparison with the prototype will allow:
- расширить функциональные возможности, а именно реализовать управление величиной ослабления сигнала СВЧ и крутизной ослабления сигнала СВЧ,- expand the functionality, namely, to control the magnitude of the attenuation of the microwave signal and the slope of the attenuation of the microwave signal,
- снизить начальные потери сигнала СВЧ в рабочей полосе частот примерно в два раза.- reduce the initial loss of the microwave signal in the working frequency band by about half.
Указанные преимущества аттенюатора СВЧ и особенно первые, актуальны при создании миниатюрных как отдельных приборов СВЧ и, особенно в монолитном интегральном исполнении, так и радиоэлектронных устройств СВЧ различного назначения.The indicated advantages of the microwave attenuator, and especially the first ones, are relevant when creating miniature both individual microwave devices and, especially in a monolithic integrated version, and microwave electronic devices for various purposes.
Источники информацииInformation sources
1. Балыко А.К., Ольчев Б.М., Тощов А.А. Схемотехническое проектирование электрически управляемого широкополосного транзисторного аттенюатора / Электронная техника. Сер.1. СВЧ-техника. 1997 г. Вып.1, с.15-19.1. Balyko A.K., Olchev B.M., Toshchov A.A. Circuit design of an electrically controlled broadband transistor attenuator / Electronic technology. Ser. 1. Microwave technology. 1997
2. Патент РФ №2324265, МПК H01P 1/22, приоритет 22.05.2006, опубл. бюлл. №13, 10.05.2008 - приоритет.2. RF patent №2324265,
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010132619/07A RU2435255C1 (en) | 2010-08-03 | 2010-08-03 | Microwave frequency attenuator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010132619/07A RU2435255C1 (en) | 2010-08-03 | 2010-08-03 | Microwave frequency attenuator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2435255C1 true RU2435255C1 (en) | 2011-11-27 |
Family
ID=45318316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010132619/07A RU2435255C1 (en) | 2010-08-03 | 2010-08-03 | Microwave frequency attenuator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2435255C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2542877C2 (en) * | 2013-05-30 | 2015-02-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Microwave attenuator |
-
2010
- 2010-08-03 RU RU2010132619/07A patent/RU2435255C1/en active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2542877C2 (en) * | 2013-05-30 | 2015-02-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет" | Microwave attenuator |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Beyer et al. | MESFET distributed amplifier design guidelines | |
| US5309048A (en) | Distributed digital attenuator | |
| Tomkins et al. | A 94GHz SPST switch in 65nm bulk CMOS | |
| JPH11145777A (en) | Step attenuator | |
| RU2435255C1 (en) | Microwave frequency attenuator | |
| RU2461920C1 (en) | Broadband microwave attenuator with continuous control | |
| US9369112B2 (en) | Variable attenuator | |
| RU2367066C1 (en) | Microwave phase changer | |
| RU2340048C1 (en) | Shf attenuator | |
| CN108631766B (en) | Reflective phase shifter with active device tuning | |
| RU2460183C1 (en) | Microwave phase changer | |
| KR101661151B1 (en) | Nonuniform distributed power amplifier having tapered capacitors | |
| RU2401491C1 (en) | Shf attenuator with continuous control | |
| RU2311704C1 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2479079C1 (en) | Double-channel shf switch | |
| RU2324265C2 (en) | Microwave attenuator | |
| Kim et al. | A 300-GHz SPST switch with a new coupled-line topology in 65-nm CMOS technology | |
| RU2314603C2 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2407115C1 (en) | Microwave attenuator with discrete variation of attenuation | |
| RU2335832C1 (en) | Shf switch | |
| RU2420836C1 (en) | Microwave attenuator | |
| RU2316086C1 (en) | Microwave phase shifter | |
| RU2352031C1 (en) | Shf phase shifter | |
| RU2556427C1 (en) | Uhf attenuator | |
| RU2380796C1 (en) | Shf switch |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20160225 |